JPH0253062A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH0253062A JPH0253062A JP63205136A JP20513688A JPH0253062A JP H0253062 A JPH0253062 A JP H0253062A JP 63205136 A JP63205136 A JP 63205136A JP 20513688 A JP20513688 A JP 20513688A JP H0253062 A JPH0253062 A JP H0253062A
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- pattern
- water
- soluble resin
- pattern forming
- resin film
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- Granted
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体製造等におけるパターン形成方法に関
する。
する。
従来の技術
半導体製造工程のｅ細化に対応して、パターン形成方法
にもさまざまな工夫がなされてきた。ポスト・イクスポ
ージュア・ベーク（ＦＥＢ）法は、特にパターンの定在
波を消去するという点で、パターン寸法の安定化や素子
の歩留まり向上に寄与する〔たとえば、Ｅ、Ｔ、Ｗａｌ
ｋｅｒ、フイイーイーイトランザクション エレクトロ
ン デバイス（ＩＥＥＥＴｒａｎｓ、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
Ｄｅｖ、）ＥＤ−２２，４８４（１９７５）、１とこ
ろが、このようなＰＥＢ法は、用いるレジストの膜厚に
よっては、パターンの変形が生じるという問題点が発生
した。第２図を用いて、従来のパターン形成方法を説明
する。
にもさまざまな工夫がなされてきた。ポスト・イクスポ
ージュア・ベーク（ＦＥＢ）法は、特にパターンの定在
波を消去するという点で、パターン寸法の安定化や素子
の歩留まり向上に寄与する〔たとえば、Ｅ、Ｔ、Ｗａｌ
ｋｅｒ、フイイーイーイトランザクション エレクトロ
ン デバイス（ＩＥＥＥＴｒａｎｓ、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
Ｄｅｖ、）ＥＤ−２２，４８４（１９７５）、１とこ
ろが、このようなＰＥＢ法は、用いるレジストの膜厚に
よっては、パターンの変形が生じるという問題点が発生
した。第２図を用いて、従来のパターン形成方法を説明
する。
基板１上にパターン形成材料２であるＴＳＭＲｖｌ（東
京応化）を１．２μｍ形成しく第２図式）、マスク４を
介して所望のパターン露光５をｑ線ステッパ（ＮＡｏ、
４５ ）により行う（第２図（５））。
京応化）を１．２μｍ形成しく第２図式）、マスク４を
介して所望のパターン露光５をｑ線ステッパ（ＮＡｏ、
４５ ）により行う（第２図（５））。
この後、１００℃９０秒のＦＥＢ６を行い（第２図０）
、アルカリ現像液２．３８％ＮＭＤ−３（東京応化）に
て６ｏ秒間の現像を行い、パターン２Ａ’を形成した（
第２図ｑ）。
、アルカリ現像液２．３８％ＮＭＤ−３（東京応化）に
て６ｏ秒間の現像を行い、パターン２Ａ’を形成した（
第２図ｑ）。
発明が解決しようとする課題
パターン２ Ａ’は８ｏ０のアヌペクト比をもった０、
５μｍ ライン場アンド・スペースパターンではあった
が、そのパターン上部にパターンエッヂ部のレジスト残
渣が盛り上がって残るという不良が発生した。このよう
なＦＥＢによる不良パターンは、後のエツチングやイオ
ン注入等の後工程での寸法変動や形状不良につながり、
素子全体の歩留まり低下の要因となった。このため、こ
のような従来のパターン形成方法は半導体製造において
危惧すべき問題であった。
５μｍ ライン場アンド・スペースパターンではあった
が、そのパターン上部にパターンエッヂ部のレジスト残
渣が盛り上がって残るという不良が発生した。このよう
なＦＥＢによる不良パターンは、後のエツチングやイオ
ン注入等の後工程での寸法変動や形状不良につながり、
素子全体の歩留まり低下の要因となった。このため、こ
のような従来のパターン形成方法は半導体製造において
危惧すべき問題であった。
本発明は従来のパターン形成方法が有していたパターン
形状の不良という課題を解決することを目的とする。
形状の不良という課題を解決することを目的とする。
課題を解決するだめの手段
本発明は従来技術の有していたパターン形状不良を解決
するために、露光前に水溶性樹脂膜を形成し、その後、
露光・加熱後現像によりパターンを形成することを特徴
とする。
するために、露光前に水溶性樹脂膜を形成し、その後、
露光・加熱後現像によりパターンを形成することを特徴
とする。
作 用
本発明者らは、ＦＥＢによるパターンエッヂ部での不良
が水溶性膜の働きによシ解消されることを見出した。こ
れは、ＦＥＢによるレジスト中の感光体の拡散現象〔た
とえば、Ｅ、 Ｉ 、Ｗａｌｋｓｒ。
が水溶性膜の働きによシ解消されることを見出した。こ
れは、ＦＥＢによるレジスト中の感光体の拡散現象〔た
とえば、Ｅ、 Ｉ 、Ｗａｌｋｓｒ。
アイイーイーイー トランザクション エレクトロン
デバイス（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、Ｅｌｓｃｔｒｏｎ
Ｄｅｖ、）、ＥＤ−２２。
デバイス（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、Ｅｌｓｃｔｒｏｎ
Ｄｅｖ、）、ＥＤ−２２。
４６４（１９７５）、）が エッヂ部で不均一となるこ
とを、本発明のレジスト残渣からの膜の働きにより均一
化できたためと考えられる。
とを、本発明のレジスト残渣からの膜の働きにより均一
化できたためと考えられる。
なお、本発明に係る水溶性樹脂は、プルラン、ポリビニ
ルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリ（パラ・ヌ
チレンヌルホン酸）など、又はこれらの混合体が挙げら
れる。もちろん、本発明はこれらに限定されるものでは
ない。
ルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリ（パラ・ヌ
チレンヌルホン酸）など、又はこれらの混合体が挙げら
れる。もちろん、本発明はこれらに限定されるものでは
ない。
水溶性樹脂材料中に、露光光により光退色する化合物が
含まれていても良く、この場合には、パターンのコント
ラストを向上させる働きも同時に果７’ｃｔこ、！：に
なる（たとえば、Ｍ、 ５ａｓａｑｏ ｅｔ ａｌ。
含まれていても良く、この場合には、パターンのコント
ラストを向上させる働きも同時に果７’ｃｔこ、！：に
なる（たとえば、Ｍ、 ５ａｓａｑｏ ｅｔ ａｌ。
グロシーディング オブ エスピーアイイー（Ｐｒｏｃ
ｏｆＳＰＩＥ ） 、 ｅ ３１ 、３２１ （１９８
６）、）。この光退色する化合物としては、ｌ線光用と
しては、４−モルフォリノベンゼンジアゾニウム４．４
−７ニリノベンゼンジアゾニウム塩、ｑ線光用としては
、４−ジメチルアミノナフタレンジアゾニウム塩などの
ジアゾニウム化合物が挙げられるが、もちろん他のジア
ゾニウム化合物やニトロン化合物、スチリルピリジン化
合物であっても良く、又、これらに限定されるものでは
ない。
ｏｆＳＰＩＥ ） 、 ｅ ３１ 、３２１ （１９８
６）、）。この光退色する化合物としては、ｌ線光用と
しては、４−モルフォリノベンゼンジアゾニウム４．４
−７ニリノベンゼンジアゾニウム塩、ｑ線光用としては
、４−ジメチルアミノナフタレンジアゾニウム塩などの
ジアゾニウム化合物が挙げられるが、もちろん他のジア
ゾニウム化合物やニトロン化合物、スチリルピリジン化
合物であっても良く、又、これらに限定されるものでは
ない。
実施例
（その１）
第１図を用いて本発明の一実施例のパターン形成方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
基板１上にパターン形成材料であるＴＳＭＲ−Ｖｌを１
．２μｍ形成しく第１図（Ａ）、この上層にポリビニル
ピロリドンの膜３を０．２μｍ形成した（第１図（Ｂ）
）。マスク４を介して所望のパターン露光５をｑ線ステ
ッパ（ＮＡ Ｏ，４６）により行った（第１図ｑ）。こ
の後、１００℃９０秒のＦＥＢを行い（第１図ｑ）、２
．３８％ＮＭＤ−３にて６０秒の現像を行いパターン２
Ａを形成した（第１図■）。パターン２Ａは８２°のア
スペクト比ヲモった、しかもエッヂ部での不良のない良
好な０．５μｍライン・アンド・スペースパターンが得
られた。
．２μｍ形成しく第１図（Ａ）、この上層にポリビニル
ピロリドンの膜３を０．２μｍ形成した（第１図（Ｂ）
）。マスク４を介して所望のパターン露光５をｑ線ステ
ッパ（ＮＡ Ｏ，４６）により行った（第１図ｑ）。こ
の後、１００℃９０秒のＦＥＢを行い（第１図ｑ）、２
．３８％ＮＭＤ−３にて６０秒の現像を行いパターン２
Ａを形成した（第１図■）。パターン２Ａは８２°のア
スペクト比ヲモった、しかもエッヂ部での不良のない良
好な０．５μｍライン・アンド・スペースパターンが得
られた。
なお、水溶性膜は現像と同時に除去された。又、ＰＥＢ
の前に水によシ水溶性膜を除去しても同様の良好な結果
が得られた。
の前に水によシ水溶性膜を除去しても同様の良好な結果
が得られた。
（その２）
水溶性材料として、４−ジメチルアミノナフタレンジア
ゾニウムクロライド塩化亜鉛塩：ポリ（パラ−スチレン
スルホン酸） ：水＝１： １ ：２０の重量比よシ成
る材料を用いて、その１と同様の実験を行い、アヌペク
ト比８８°の欠陥のない０．５μｍライン串アンド・ス
ペースパターンを得た。
ゾニウムクロライド塩化亜鉛塩：ポリ（パラ−スチレン
スルホン酸） ：水＝１： １ ：２０の重量比よシ成
る材料を用いて、その１と同様の実験を行い、アヌペク
ト比８８°の欠陥のない０．５μｍライン串アンド・ス
ペースパターンを得た。
発明の効果
本発明の方法によれば、半導体製造工程における微細パ
ターンの形成が高アスペクト比でかつ高寸法精度で得ら
れることから、半導体素子の歩留まシが向上し工業的価
値が非常に大きい。
ターンの形成が高アスペクト比でかつ高寸法精度で得ら
れることから、半導体素子の歩留まシが向上し工業的価
値が非常に大きい。
第１図へ〜（２）は本発明の一実施例のパターン形成材
料の工程断面図、第２図（５）〜◎は従来のバタン形成
方法の工程断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・パターン形成材料
（Ｔ３ＭＲｖ１）、３・・・・・・水溶性膜、４・・・
・・・マスク、５・・・・・・ｑ線光、６・・・・・・
ＰＥＢ（加熱）。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名ノー
一−ＩＬ版
料の工程断面図、第２図（５）〜◎は従来のバタン形成
方法の工程断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・パターン形成材料
（Ｔ３ＭＲｖ１）、３・・・・・・水溶性膜、４・・・
・・・マスク、５・・・・・・ｑ線光、６・・・・・・
ＰＥＢ（加熱）。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名ノー
一−ＩＬ版
Claims (5)
- （１）基板上に感光性樹脂を形成し、水溶性樹脂を塗布
し、露光後、加熱を行い現像によりパターンを形成して
なるパターン形成方法。 - （２）水溶性樹脂が、プルラン、ポリビニルピロリドン
、ポリビニルアルコール、ポリ（パラ・スチレンスルホ
ン酸）のいずれか、又は、これらのいずれかの混合体で
ある特許請求の範囲第１項に記載のパターン形成方法。 - （３）水溶性樹脂中に光退色性化合物が含まれる特許請
求の範囲第１項に記載のパターン形成方法。 - （４）光退色性化合物がジアゾニウム化合物である特許
請求の範囲第３項に記載のパターン形成方法。 - （５）ジアゾニウム化合物が、４−モルフォリノベンゼ
ンジアゾニウム塩、４−アニリノベンゼンジアゾニウム
塩、４−ジメチルアミノナフタレンジアゾニウム塩のい
ずれかである特許請求の範囲第４項に記載のパターン形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63205136A JP2578930B2 (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63205136A JP2578930B2 (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0253062A true JPH0253062A (ja) | 1990-02-22 |
| JP2578930B2 JP2578930B2 (ja) | 1997-02-05 |
Family
ID=16502020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63205136A Expired - Lifetime JP2578930B2 (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2578930B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08305024A (ja) * | 1995-05-08 | 1996-11-22 | Mitsubishi Chem Corp | リソグラフィーにおける性能向上用塗布組成物および当該塗布組成物を使用したパターン形成方法 |
| US8080364B2 (en) | 2003-05-09 | 2011-12-20 | Panasonic Corporation | Pattern formation method |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6038821A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-02-28 | Hitachi Ltd | エッチング方法 |
| JPS61121051A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | フオトレジスト材料 |
| JPS6262521A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-19 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS62133444A (ja) * | 1985-12-04 | 1987-06-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パタ−ン形成有機材料 |
| JPS62226148A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS63108334A (ja) * | 1986-10-27 | 1988-05-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | コントラスト向上用組成物 |
| JPS63114212A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Sony Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS63287950A (ja) * | 1987-05-12 | 1988-11-25 | ヘキスト・アクチエンゲゼルシヤフト | 感放射線記録材料 |
| JPH0455323A (ja) * | 1990-06-22 | 1992-02-24 | Dainichiseika Color & Chem Mfg Co Ltd | 微粒子複合酸化物ブルーグリーン顔料及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-08-18 JP JP63205136A patent/JP2578930B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6038821A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-02-28 | Hitachi Ltd | エッチング方法 |
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| JPS62133444A (ja) * | 1985-12-04 | 1987-06-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パタ−ン形成有機材料 |
| JPS62226148A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS63108334A (ja) * | 1986-10-27 | 1988-05-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | コントラスト向上用組成物 |
| JPS63114212A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Sony Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS63287950A (ja) * | 1987-05-12 | 1988-11-25 | ヘキスト・アクチエンゲゼルシヤフト | 感放射線記録材料 |
| JPH0455323A (ja) * | 1990-06-22 | 1992-02-24 | Dainichiseika Color & Chem Mfg Co Ltd | 微粒子複合酸化物ブルーグリーン顔料及びその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08305024A (ja) * | 1995-05-08 | 1996-11-22 | Mitsubishi Chem Corp | リソグラフィーにおける性能向上用塗布組成物および当該塗布組成物を使用したパターン形成方法 |
| US8080364B2 (en) | 2003-05-09 | 2011-12-20 | Panasonic Corporation | Pattern formation method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2578930B2 (ja) | 1997-02-05 |
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