JPH0385743A - 異物検査装置の測定条件設定法 - Google Patents
異物検査装置の測定条件設定法Info
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- JPH0385743A JPH0385743A JP22342589A JP22342589A JPH0385743A JP H0385743 A JPH0385743 A JP H0385743A JP 22342589 A JP22342589 A JP 22342589A JP 22342589 A JP22342589 A JP 22342589A JP H0385743 A JPH0385743 A JP H0385743A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体ウェハ上に付着した異物個数を検出す
る異物検査装置の測定条件設定法に関するものである。
る異物検査装置の測定条件設定法に関するものである。
第４図は一般的な異物検査装置を示すブロック系統図で
ある。同図において、１はウェハのロード・アンロード
を行なう搬送部、２は搬送部１から送られてきたウェハ
を受は取り、測定時にウェハをＸ−ｙまたはＲ−θ方向
に動かすステージ部、３はステージ部２の上部に設けら
れ、ステージ部２にセントされたウェハにレーザ光等を
照射し、異物に当たった場合に生じる散乱光を検出する
光学部、４は測定を行なうための条件を入力する操作パ
ネル、５は入力測定条件および検出した異物の個数、ウ
ェハ内での分布等を表示する表示装置、６は測定結果を
プリントアラＩ−するための出力装置、７は符号１〜Ｇ
の各機器を制御するためのプログラム等を記憶するため
の主記憶装置、８は符号Ｉ〜７の各機器を制御するため
の中央処理装置である。
ある。同図において、１はウェハのロード・アンロード
を行なう搬送部、２は搬送部１から送られてきたウェハ
を受は取り、測定時にウェハをＸ−ｙまたはＲ−θ方向
に動かすステージ部、３はステージ部２の上部に設けら
れ、ステージ部２にセントされたウェハにレーザ光等を
照射し、異物に当たった場合に生じる散乱光を検出する
光学部、４は測定を行なうための条件を入力する操作パ
ネル、５は入力測定条件および検出した異物の個数、ウ
ェハ内での分布等を表示する表示装置、６は測定結果を
プリントアラＩ−するための出力装置、７は符号１〜Ｇ
の各機器を制御するためのプログラム等を記憶するため
の主記憶装置、８は符号Ｉ〜７の各機器を制御するため
の中央処理装置である。
次に、第５図は異物の検出原理を説明するための説明図
である。同図において、１１は被測定ウェハ、１２はウ
ェハ１１上に付着した異物、１３は異物検査装置光学部
３内に設けられ、被測定ウェハ１１に照射するレーザ光
１４を発するレーザ源、１５はレーザ光１４が異物１２
に照射された際に発生する散乱光、１６は散乱光１５を
受光するようウェハ１１の上部に設けられた受光素子、
１７は受光素子１６に接続されたホトマルである。
である。同図において、１１は被測定ウェハ、１２はウ
ェハ１１上に付着した異物、１３は異物検査装置光学部
３内に設けられ、被測定ウェハ１１に照射するレーザ光
１４を発するレーザ源、１５はレーザ光１４が異物１２
に照射された際に発生する散乱光、１６は散乱光１５を
受光するようウェハ１１の上部に設けられた受光素子、
１７は受光素子１６に接続されたホトマルである。
第６図は、第５図で説明される原理によって得られたホ
トマル出力電圧と異物の粒子径の関係を示す一例のグラ
フである。
トマル出力電圧と異物の粒子径の関係を示す一例のグラ
フである。
また、第７図は異物を大きさ別に区切る際の方法を説明
するためのグラフである。
するためのグラフである。
上記の構成によってウェハ上に付着した異物の粒子径別
個数を測定した結果の出力例を第８図に示す。異物粒子
径別に区切られた単数または複数（第８図では３つ）の
チャネル（ＣＨＩ、ＣＨ２ＣＨ３）にカウントされた異
物の個数（ＣＨＩの１個、ＣＨ２のｍ個、ＣＨ３のｎ個
、および全体のｊ！ ＋ ｍ ＋ｎ個）がヒストグラム
や数値等によって出力される。この場合の各チャネルに
対応する粒子径は、例えばＣＨＩで０．３〜０．５μｍ
、ＣＨ２で０．５〜１μｍ、ＣＨ３で１μｍ以上という
具合に、装置の能力に応してユーザが任意に設定するこ
とができる。ただし、対応粒子径はＣＨＩの粒子径＜Ｃ
ｌＩ２の粒子径＜ ＣＩ＋ ３の粒子径の関係にある。
個数を測定した結果の出力例を第８図に示す。異物粒子
径別に区切られた単数または複数（第８図では３つ）の
チャネル（ＣＨＩ、ＣＨ２ＣＨ３）にカウントされた異
物の個数（ＣＨＩの１個、ＣＨ２のｍ個、ＣＨ３のｎ個
、および全体のｊ！ ＋ ｍ ＋ｎ個）がヒストグラム
や数値等によって出力される。この場合の各チャネルに
対応する粒子径は、例えばＣＨＩで０．３〜０．５μｍ
、ＣＨ２で０．５〜１μｍ、ＣＨ３で１μｍ以上という
具合に、装置の能力に応してユーザが任意に設定するこ
とができる。ただし、対応粒子径はＣＨＩの粒子径＜Ｃ
ｌＩ２の粒子径＜ ＣＩ＋ ３の粒子径の関係にある。
第９図は、以上のような構成の異物検査装置間と同装置
Ｂとの検出感度のレヘル合わせ（同一ウェハを測定した
場合はぼ近い測定結果が出ること）の方法を示すフロー
チャートである。
Ｂとの検出感度のレヘル合わせ（同一ウェハを測定した
場合はぼ近い測定結果が出ること）の方法を示すフロー
チャートである。
次に動作について説明する。異物検査装置でウェハを測
定する場合、第４図の搬送部１に被測定ウェハをウェハ
キャリアごとセントする。測定条件を操作パネル４と表
示装置によって入力した後、ウェハは１枚ずつステージ
部２に搬送され、光学部３でウェハ上の異物の検出を行
ない、その結果が表示装置５および出力装置６へ出力さ
れる。測定終了後ウェハはステージ部２から搬送部】へ
受けわたされ、元のキャリアまたはアンローダ用のキャ
リアにもどされる。
定する場合、第４図の搬送部１に被測定ウェハをウェハ
キャリアごとセントする。測定条件を操作パネル４と表
示装置によって入力した後、ウェハは１枚ずつステージ
部２に搬送され、光学部３でウェハ上の異物の検出を行
ない、その結果が表示装置５および出力装置６へ出力さ
れる。測定終了後ウェハはステージ部２から搬送部】へ
受けわたされ、元のキャリアまたはアンローダ用のキャ
リアにもどされる。
次に検出についての詳細を説明する。第５図において、
ウェハ１１上にレーザ源１３からのレーザ光Ｉ４を照１
・］する。この際ウつハ１１を載セたステージがＸ−Ｙ
方向またはＲ−θ方向に移動することにより、レーザ光
１４はウェハ全面を走査する。走査中に異物に遭遇すれ
ば、第５図のように、異物１２に当たったレーザ光１４
は散乱光１５となり、上部の受光素子１６に入り、光信
号としてホトマル１７に入り、電気信号（電圧値）に変
換される。このホトマル１７からの出力電圧値と異物の
粒子径には一例として第６図のような関係がある。よっ
て、第７図のようにホトマル出力電圧値を或る電圧値（
Ｖｌ、Ｖ２．Ｖ３）で区切ることにより、検出した粒子
の大きさａ、ｂ、ｃを分別することができる。
ウェハ１１上にレーザ源１３からのレーザ光Ｉ４を照１
・］する。この際ウつハ１１を載セたステージがＸ−Ｙ
方向またはＲ−θ方向に移動することにより、レーザ光
１４はウェハ全面を走査する。走査中に異物に遭遇すれ
ば、第５図のように、異物１２に当たったレーザ光１４
は散乱光１５となり、上部の受光素子１６に入り、光信
号としてホトマル１７に入り、電気信号（電圧値）に変
換される。このホトマル１７からの出力電圧値と異物の
粒子径には一例として第６図のような関係がある。よっ
て、第７図のようにホトマル出力電圧値を或る電圧値（
Ｖｌ、Ｖ２．Ｖ３）で区切ることにより、検出した粒子
の大きさａ、ｂ、ｃを分別することができる。
このように検出した異物を３つのチャネルに分はカウン
トし、出力した結果の一例が第８図に示すものである。
トし、出力した結果の一例が第８図に示すものである。
次に、このような構成の異物検査装置において複数の装
置間のレヘル合わせをする従来の方法について説明する
。第９図はその方法を示すフローチャートである。装置
Ａと装置Ｂとのレベル合わせをする場合、まず装置Ａの
ウェハを測定し、出力結果を出力させる（ステップ２１
，２２）。次に、装置Ｂに、Ａでの感度より高いと予測
される感度に対応する測定条件（例えばＶｌの値を装置
へでの値より下げる）を入力しくステップ２３）、先に
装置Ａで測定したのと同一ウェハを装置Ｂで測定し、結
果を出力する（ステップ２４．２５）。
置間のレヘル合わせをする従来の方法について説明する
。第９図はその方法を示すフローチャートである。装置
Ａと装置Ｂとのレベル合わせをする場合、まず装置Ａの
ウェハを測定し、出力結果を出力させる（ステップ２１
，２２）。次に、装置Ｂに、Ａでの感度より高いと予測
される感度に対応する測定条件（例えばＶｌの値を装置
へでの値より下げる）を入力しくステップ２３）、先に
装置Ａで測定したのと同一ウェハを装置Ｂで測定し、結
果を出力する（ステップ２４．２５）。
この結果を装置Ａの結果と照合し、装置Ａと同等の結果
（トータルの値で１２０％以内）でない場合は、装置Ｂ
の感度を順次下げて（例えばＶｌの値を少し上げて）装
置Ａと同等の結果（トータル値）となる時のＶｌを求め
る（ステップ２６）。
（トータルの値で１２０％以内）でない場合は、装置Ｂ
の感度を順次下げて（例えばＶｌの値を少し上げて）装
置Ａと同等の結果（トータル値）となる時のＶｌを求め
る（ステップ２６）。
次にＶｌを固定し、同様にしてｖ２の値を順次変えるこ
とによりＶ２の値を決定し、次にＶｌ、Ｖ２を固定しＶ
３の値を順次変えて行きＶ３の値を決定する。結果的に
装置ＡとＢとでトータルおよび各チャネルの異物検出数
が１２０％以内でレヘル合わせできる。
とによりＶ２の値を決定し、次にＶｌ、Ｖ２を固定しＶ
３の値を順次変えて行きＶ３の値を決定する。結果的に
装置ＡとＢとでトータルおよび各チャネルの異物検出数
が１２０％以内でレヘル合わせできる。
従来の異物検査装置間のレヘル合わせは以上のように行
なわれていたので、レヘルが合うまで装置Ｂの測定条件
設定（ステップ２３）を人が測定毎にしなければならず
、ずっと装置につきっきりで作業するため、非常に面倒
で労力を使う（１つの条件の設定につき約１〜３時間）
という問題があった。
なわれていたので、レヘルが合うまで装置Ｂの測定条件
設定（ステップ２３）を人が測定毎にしなければならず
、ずっと装置につきっきりで作業するため、非常に面倒
で労力を使う（１つの条件の設定につき約１〜３時間）
という問題があった。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、装置のレベル合わせ又は感度校
正を自動で速く簡単にできる装置を得ることにある。
の目的とするところは、装置のレベル合わせ又は感度校
正を自動で速く簡単にできる装置を得ることにある。
このような課題を解決するために本発明は、半導体ウェ
ハ上に付着した或る大きさ以上の異物を検出し、その異
物の個数を単一または複数の大きさ別にそれぞれ算出す
る異物検査装置の測定条件設定法において、ウェハを測
定する際にあらかしめ異物個数を入力し、その入力した
異物個数と同等の異物個数が検出されるような測定条件
を自動設定するようにしたものである。
ハ上に付着した或る大きさ以上の異物を検出し、その異
物の個数を単一または複数の大きさ別にそれぞれ算出す
る異物検査装置の測定条件設定法において、ウェハを測
定する際にあらかしめ異物個数を入力し、その入力した
異物個数と同等の異物個数が検出されるような測定条件
を自動設定するようにしたものである。
本発明による異物検査装置の測定条件設定法は異物個数
を入力し、ウェハをセントし、−度の測定だけで求めた
い測定条件が求まる。
を入力し、ウェハをセントし、−度の測定だけで求めた
い測定条件が求まる。
以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。第１
図は本発明による異物検査装置の条件設定方法の一実施
例を説明するためのフローチャート、第２図は装置間の
レベル合わせをする際に自動的に条件を設定する場合の
フローチャート、第３図は条件設定を具体的に示すグラ
フである。
図は本発明による異物検査装置の条件設定方法の一実施
例を説明するためのフローチャート、第２図は装置間の
レベル合わせをする際に自動的に条件を設定する場合の
フローチャート、第３図は条件設定を具体的に示すグラ
フである。
次に動作について説明する。装置ＡとＢとでレベル合わ
せをする場合、第２図のようにまず装置Ａでウェハを測
定しくステップ３１）、異物個数を出力させる（ステッ
プ３２）。次に、装置Ｂに装置Ａでの測定結果である異
物個数を入力しくステップ３３）、装置Ｂでウェハを測
定するために必要な測定条件を初期設定する（ステップ
３４）。
せをする場合、第２図のようにまず装置Ａでウェハを測
定しくステップ３１）、異物個数を出力させる（ステッ
プ３２）。次に、装置Ｂに装置Ａでの測定結果である異
物個数を入力しくステップ３３）、装置Ｂでウェハを測
定するために必要な測定条件を初期設定する（ステップ
３４）。
この際感度については装置Ａの感度より高いと予測され
る条件を入力しておく。次にステップ３１において装置
Ａで測定したのと同しウェハを装置Ｂで測定する（ステ
ップ３５）。この測定結果をもとにして装置Ａと同等感
度となるように装置Ｂの測定条件が自動設定され（ステ
ップ３６）、その後求められた測定条件および測定結果
が出力される（ステップ３７）。
る条件を入力しておく。次にステップ３１において装置
Ａで測定したのと同しウェハを装置Ｂで測定する（ステ
ップ３５）。この測定結果をもとにして装置Ａと同等感
度となるように装置Ｂの測定条件が自動設定され（ステ
ップ３６）、その後求められた測定条件および測定結果
が出力される（ステップ３７）。
次に、この自動設定（ステップ３６）の方法について詳
細に説明する（第１図、第３図参照）。
細に説明する（第１図、第３図参照）。
まずウェハを測定して得られる異物個数は、ホトマル電
圧値をｎ段階（ｎは５０以上）に区切り、その区切りご
とにカウントされ、記憶される（ステップ４１．第３図
）。以後の計算はすべてこの記憶されたカウント数を用
い、測定は一度しか行なわない。このカウント数をホト
マル上限値から下降方向へ向かって１段階ずつ積算し、
あらかしめ入力された装置１Ａでのトータル検出数と同
等となるまで続ける（ステップ４２，４３．第３図（ａ
））個数が同等となった時、最後に加算した段階のホト
マル電圧値を装置Ｂでのｖｌの値と決定する（ステップ
４４）。次に、カウント数を上記のように決定したＶｌ
からホトマル電圧値上昇方向へ向かって１段階ずつ積算
し、装置ＡでのＣＨＩの検出数と同等になるまで続ける
（ステップ４５，４６、第３図（ｂ））。個数が同等と
なった時のホトマる電圧値を装置ＢでのＶ２と決定する
。次に同様にして、カウント数を■２からホトマル電圧
値上昇方向へ向かって１段階ずつ積算し、装置ＡでのＣ
Ｈ２の検出数と同等になるまで続ける（ステップ４８，
４９．第３図（Ｃ））。この時のホトマル電圧値を装置
Ｂでのｖ３の値と決定する。
圧値をｎ段階（ｎは５０以上）に区切り、その区切りご
とにカウントされ、記憶される（ステップ４１．第３図
）。以後の計算はすべてこの記憶されたカウント数を用
い、測定は一度しか行なわない。このカウント数をホト
マル上限値から下降方向へ向かって１段階ずつ積算し、
あらかしめ入力された装置１Ａでのトータル検出数と同
等となるまで続ける（ステップ４２，４３．第３図（ａ
））個数が同等となった時、最後に加算した段階のホト
マル電圧値を装置Ｂでのｖｌの値と決定する（ステップ
４４）。次に、カウント数を上記のように決定したＶｌ
からホトマル電圧値上昇方向へ向かって１段階ずつ積算
し、装置ＡでのＣＨＩの検出数と同等になるまで続ける
（ステップ４５，４６、第３図（ｂ））。個数が同等と
なった時のホトマる電圧値を装置ＢでのＶ２と決定する
。次に同様にして、カウント数を■２からホトマル電圧
値上昇方向へ向かって１段階ずつ積算し、装置ＡでのＣ
Ｈ２の検出数と同等になるまで続ける（ステップ４８，
４９．第３図（Ｃ））。この時のホトマル電圧値を装置
Ｂでのｖ３の値と決定する。
なお、上記実施例では、レーザ散乱型異物検査装置につ
いて説明したが、ある異物の大きさ以上の異物個数を出
力する装置ならば他の方式のものでも本発明は適用可能
であり、装置ＡとＢとが違った機種の装置であってもよ
い。また、ウェハでなく、マスク等の異物検査装置でも
良い。
いて説明したが、ある異物の大きさ以上の異物個数を出
力する装置ならば他の方式のものでも本発明は適用可能
であり、装置ＡとＢとが違った機種の装置であってもよ
い。また、ウェハでなく、マスク等の異物検査装置でも
良い。
また、上記実施例では装置間のレベル合わセについて説
明したが、同一装置で或る期間経過した後、感度較正を
行なうためにも使える。すなわち、上記実施例における
装置Ｂを或る期間経過した後の装置Ａと置き換えれば全
く同しステ・ノブで感度較正ができる。
明したが、同一装置で或る期間経過した後、感度較正を
行なうためにも使える。すなわち、上記実施例における
装置Ｂを或る期間経過した後の装置Ａと置き換えれば全
く同しステ・ノブで感度較正ができる。
０
以上説明したように本発明は、ウェハを測定する際にあ
らかしめ異物個数を入力し、その入力した異物個数と同
等の異物個数が検出されるような測定条件を自動設定す
ることにより、測定の条件設定を簡単、迅速に行なうこ
とができ、大幅に労力を少なくでき、また、これにより
、条件設定のための測定数を容易に増やすことができる
ので、感度の信頼性を向−１ニさせることができる効果
がある。
らかしめ異物個数を入力し、その入力した異物個数と同
等の異物個数が検出されるような測定条件を自動設定す
ることにより、測定の条件設定を簡単、迅速に行なうこ
とができ、大幅に労力を少なくでき、また、これにより
、条件設定のための測定数を容易に増やすことができる
ので、感度の信頼性を向−１ニさせることができる効果
がある。
第１図は本発明による異物検査装置の条件設定方法の一
実施例を説明するためのフローチャート、第２図は装置
間のレヘル合わせをする際に自動的に条件を設定する場
合のフローチャート、第３図は条件設定を具体的に示す
グラフ、第４図は一般的な異物検査装置を示ずゾｔ」ツ
ク系統図、第５図はレーザ散乱方式の異物検査の原理を
示す説明図、第６図は粒子径とホトマル出力電圧の関係
の一例を示すグラフ、第７図は粒子径の大きさ別に異物
を区分するための電圧値を説明する説明図、第８１ 】 図は異物検出数の一例を示すグラフ、 第９図しよ従 来例における装置間レヘル合わ−１のフロチャ トである。 代 理 人 大 石 増 １ｔ ＷＪ８ 図 Ｈ１ Ｈ２ Ｈ３
実施例を説明するためのフローチャート、第２図は装置
間のレヘル合わせをする際に自動的に条件を設定する場
合のフローチャート、第３図は条件設定を具体的に示す
グラフ、第４図は一般的な異物検査装置を示ずゾｔ」ツ
ク系統図、第５図はレーザ散乱方式の異物検査の原理を
示す説明図、第６図は粒子径とホトマル出力電圧の関係
の一例を示すグラフ、第７図は粒子径の大きさ別に異物
を区分するための電圧値を説明する説明図、第８１ 】 図は異物検出数の一例を示すグラフ、 第９図しよ従 来例における装置間レヘル合わ−１のフロチャ トである。 代 理 人 大 石 増 １ｔ ＷＪ８ 図 Ｈ１ Ｈ２ Ｈ３
Claims (1)
- 半導体ウェハ上に付着した或る大きさ以上の異物を検出
し、その異物の個数を単一または複数の大きさ別にそれ
ぞれ算出する異物検査装置の測定条件設定法において、
ウェハを測定する際にあらかじめ異物個数を入力し、そ
の入力した異物個数と同等の異物個数が検出されるよう
な測定条件を自動設定することを特徴とする異物検査装
置の測定条件設定法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22342589A JPH0748512B2 (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 異物検査装置の測定条件設定法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22342589A JPH0748512B2 (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 異物検査装置の測定条件設定法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0385743A true JPH0385743A (ja) | 1991-04-10 |
| JPH0748512B2 JPH0748512B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=16797944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22342589A Expired - Lifetime JPH0748512B2 (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 異物検査装置の測定条件設定法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0748512B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100411800B1 (ko) * | 2000-07-03 | 2003-12-24 | 주식회사이원정공 | 내연기관의 타이밍벨트 오토텐셔너 |
| JP2004317343A (ja) * | 2003-04-17 | 2004-11-11 | Ono Sokki Co Ltd | 計測作業統合プログラム、計測システム |
| JP2011058984A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Hitachi High-Technologies Corp | 異物検査装置，検査方法及びプログラム |
-
1989
- 1989-08-30 JP JP22342589A patent/JPH0748512B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100411800B1 (ko) * | 2000-07-03 | 2003-12-24 | 주식회사이원정공 | 내연기관의 타이밍벨트 오토텐셔너 |
| JP2004317343A (ja) * | 2003-04-17 | 2004-11-11 | Ono Sokki Co Ltd | 計測作業統合プログラム、計測システム |
| JP2011058984A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Hitachi High-Technologies Corp | 異物検査装置，検査方法及びプログラム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0748512B2 (ja) | 1995-05-24 |
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