JPH0386915A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気記録媒体、特に面内磁気記録媒体に係わ
る。

〔発明の概要〕

本発明は磁気記録媒体に係り、組成式が（Ｃｏａ　Ｐｔ
ｂ　Ｂｅ　′ｉδ）！００−＋ｌ０Ｘ（但し、ａ、ｂ、
ｃ、　　δ、Ｘは原子％）なる組成式で示され、その組
成範囲が、ａ＝ｔｏｏ−ｂ−Ｃ−８ Ｏ≦ｂ≦５０ ０．１≦ｃ≦３０ ０≦δ≦３０ Ｑ＜ｘ≦２０ であり、Ｍが、Ｔｉ、　Ｚｒ、　　Ｖ、　Ｃｒ、　Ｎｂ
、　Ｍｏ、　Ｔａ、　　Ｗ。

Ｆｅ、　Ｎｉ、　Ｓｉ、　Ｍ、　Ｇｅ、　Ｇａ、　Ｉｎ
、　Ｓｎ、　Ｐｂ、　Ｓｂ、　Ｂ＋。

Ｐ、、　Ｓｅ、　　Ｃ，Ｚｎ、　Ｃｕ、　Ａｇ、　Ａｕ
、　Ｒｕ、　Ｐｄ、　Ｒｅの中から一種以上である磁性
薄膜を基体に対して原子の入射方向を斜めに設定して形
成することによって高い面内保磁力及び高い飽和磁束密
度を有する磁気記録媒体を構成する。

〔従来の技術〕

従来の薄膜磁気記録媒体として用いられる磁性薄膜の、
等方性すなわち面内磁化による磁性薄膜としては、Ｃｏ
Ｎｏ、　ＣｏＰ、　ＣｏＰｔ等の合金磁性薄膜が知られ
ている。これらＣｏＮｉ及びＣｏＰによる各磁性薄膜は
、柱状構造を利甫した硬磁気特性で、保磁力Ｈｃは、約
１　（ｋＯｅ）　　ないしはそれ以下にある。また、Ｃ
ｏＰｔ磁性薄膜については、例えば特開昭５８−２００
５１３号公報にその開示があるが、この場合、その膜厚
が３００Å以下においては１．５　（ｋＯｅ）以上に及
ぶ高い保磁力Ｈｃを示すものの、その膜厚が大となルト
、ＨＣは高々７００　（Ｏｅ）　　である。

一方ＣｏＣｒ、　ＣｏＭｏ、　ＣｏＶ、　ＣｏＲｕ等の
合金磁性薄膜が垂直磁化による磁性薄膜として知られて
いるが、これら合金磁性薄膜は、そのスパッタリング等
の被着成膜時の基体温度を１５０℃程度に加熱すること
によって高い保磁力を得ることができるものの、その成
膜時の基体温度が、室温程度である場合は、約３００　
（Ｏｅ）　　となる。したがって、この場合基体として
は耐熱性の低い安価なポリエチレンテレフタレート（Ｐ
ＥＴ）　　基体を用いることができないとう課題がある
。

〔発明が解決しようとする課題〕

このような成膜時の基体温度を高める必要があるなどの
課題を解決し、充分な飽和磁束密度或いは（及び）高い
保磁力を有する垂直磁化膜としての磁性薄膜は、例えば
本出願人の出願に係わる特願昭６３−２２６２６４号出
願及び特願昭６３−２２６２６７号出願等で提案された
。これら磁性薄膜は、ＣｏＰｔＢ−０系、或いはＣｏＰ
ｔＢＩＪ−０系（但しＭは、Ｔｉ、　Ｚｒ、　　Ｖ。

Ｃｒ・・・・等の１種以上〉　の磁性薄膜であって、こ
れらは垂直磁気記録媒体としての特性はすぐれているも
のの、面内磁気記録媒体として特に例えばコンタクトプ
リントのメタルテープ用マスターテープ等としては充分
な保磁力が得られていない。

本発明は、面内磁気記録媒体として磁性薄膜の成膜時の
基体温度を高めることなくしかも磁気的特性にすぐれた
磁気記録媒体を構成するものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、 （Ｃｏ、　Ｐｔ、　ＢＣＪ＆）　１００−１１　ＯＸ　
　・・・・・・（１）（但し、ａ、ｂ、ｃ、ｘは原子％
） なる組成式（１）で示され、その組成範囲が、ａ　＝１
００−　ｂ　−ｃ−δ ０≦ｂ≦５０ ０．１≦ｃ≦３０ ０≦δ≦３０ Ｑ＜ｘ≦２０ であって、上記ＭはＴｉ、　Ｚｒ、　　Ｖ、　Ｃｒ、　
Ｎｂ、　Ｍｏ、　Ｔａ。

Ｗ、　Ｆｅ、　Ｎｉ、　Ｓｉ、　　Ｍ、　Ｇｅ、　Ｇａ
、　Ｉｎ、　Ｓｎ、　Ｐｂ、　Ｓｂ。

Ｂｉ、　　Ｐ、　Ｓｅ、　　Ｃ，Ｚｎ、　Ｃｕ、＾ｇ、
　Ａｕ、　Ｒｕ、　Ｐｄ、　Ｒｅの中から一種以上であ
る組成の磁性薄膜を第１図に示すように、基体（１）上
にその原子の入射方向を斜めに、すなわち基体（１）の
面を原子の主たる飛翔方向く矢印〉に対して角度ψが０
くψ＜９０°望ましくは４０＠＜ψ≦７０°となるよう
に設定して構成する。

〔作用〕

本発明による磁気記録媒体は、成膜時の基体温度を高め
ることなくまた比較的厚い膜厚でも高い保磁力Ｈｃ、な
いしは高い飽和磁束密度、高い異方性磁界を得ることが
でき、面内磁気記録媒体として用いて好適な特性を有す
る。

〔実施例〕

スライドガラス基板より成る基体（１）上に、マグネト
ロン型スパッタ装置によって磁性薄膜を作製する。その
スパッタ条件は、例えば とした。

この場合のターゲラ ト　は、 直径４イ ンチ、 厚さ３．５ｍｍのＣｏＰｔ８Ｍ系の合金ターゲットを用
いた。

また、ターゲットと基体との間隔は、例えば基体の中心
部で７０ｍｍとしターゲットからの飛翔原子の主たる方
向と基体面とのなす各ψを４０°くψ＜７０゜とした。

実施例１ ＣｏＰｔＢ系合金ターゲットを用いてψ＝４５°をもっ
て上記スパッタ条件下で基体（１）上に磁性薄膜を作製
した。この磁性薄膜の膜組成は、Ｃ０７ｏ、　ｔＰｔｚ
ａ、ＩＢｌ、２で酸素濃度は１３．８原子％であった。

このようにして得た磁気記録媒体の面白磁化曲線は、第
２図に示すようになった。

実施例２ ＣｏＰｔＢ系合金ターゲットを用いてψ＝６０°をもっ
て上記スパッタ条件下で基体（１）上に磁性薄膜を作製
した。この磁性薄膜の膜組成は、Ｃｏ、。、　？Ｐｔ２
２．１Ｂ７．２で酸素濃度は１５原子％であった。この
ようにして得た磁気記録媒体の面内磁化曲線は、第３図
に示すようになり、面内磁化膜として保磁力Ｈｃ”が３
　ｋｏｅ程度に高く、すぐれた角形比を有する。

比較例１ ＣｏＰｔＢ系合金ターゲットを用いてψ＝０°をもって
上記スパッタ条件下で基体（１）上に磁性薄膜を作製し
た。この磁性薄膜の膜組成は、Ｃ０ｔｏ、　ｔＰｈ２．
　＋８１２で酸素濃度はＩ３３原子であった。このよう
にして得た磁気記録媒体の面内磁化曲線は、第４図中実
線で示すようになった。同、第４図において破線曲線は
垂直磁化曲線で両者を対比して明らかなようにこの場合
、面内磁化膜としてより垂直磁化膜としての特性を呈し
ていることがわかる。

尚磁気特性は、試料振動型磁力計で最大印加磁場１５ｋ
Ｏｅで測定したものであり、膜組成は、ＩＣＰ（Ｉｎｄ
ｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ　Ａ
ｎａｌｙｓｉｓ）　　発光分析を併用したものであり、
酸素濃度は、ドース量の明確な標準試料との比較で２次
イオン質量分析法（ＳＩＭＳ＞と電子線プローブマイク
ロアナリシス（ＥＰＭ＾）とを併用した。

また、上述の各側は、磁性薄膜がＣｏＰｔ８−０系であ
る場合であるが、上述の組成に限られず前記（１）式及
び前記組成範囲に基づ＜　ＣｏＰｔＢ−０系を始めとし
て、ＣｏＰｔＢＭ−０系でＭとしてＴｉ、　ｌｒ、　　
Ｖ、　Ｃｒ、　Ｎｂ。

Ｍｏ、　　Ｔａ、　　Ｗ、　　Ｆｅ、　　Ｎｉ、　　Ｓ
ｉ、　　Ａｊｌ！、　　Ｇｅ、　　Ｇａ、　　Ｉｎ、　
　Ｓｎ。

Ｐｂ、　　Ｓｂ、　　Ｂｉ、　　Ｐ、　　Ｓｅ、　　Ｃ
，Ｚｎ、　　Ｃｕ、　　Ａｇ、　　＾ｕ、　　Ｒｕ。

Ｐｄ、　Ｒｅの中から一種以上を含む各組成及び前記組
成範囲において基体（１）への斜め入射によって内面磁
気記録媒体としてすぐれた特性を示す。

〔発明の効果〕

本発明によれば、特願昭６３−２２６２６４号及び特願
昭６３−２２６２６７号出願による垂直磁化膜としてす
ぐれた特性の磁性薄膜を基体（１）に対する斜め入射す
る磁性薄膜の形成によって、すぐれた面内磁化膜すなわ
ち、面内保磁力Ｈｃ“が３０００　（Ｏｅ）の面内磁気
記録媒体を得ることができる。因みに本発明によらない
他の組成、例えばＣｏＮ　ｉ−ロ系、Ｃｏ−０系におい
て基体に斜め入射してもそのＨｃ“は高さ１５００　（
Ｏｅ）である。

本発明によれば、面内磁気記録媒体として高い保磁力及
び飽和磁化が得られることからテープ状、シート状、デ
ィスク状の各種磁気記録媒体に適用することができるも
のであるが、磁性薄膜の形成に当たって基体を加熱する
必要がないことから基体材料の選定の自由度が大となり
、廉価な材料の使用が可能となる。また保磁力の膜厚依
存性は上述の少なくとも２０００〜５０００人で殆どな
いことから、膜厚増加により高出力化をはかることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は磁性薄膜の形成態様の説明図、第２図及び第３
図はそれぞれ本発明による磁気記録媒体の磁化曲線図、
第４図は比較例の磁化曲線図である。 （１）は基体である。 代 理 人 松 隈 秀 盛 ｄ目生蕩膿の刑Ａ態様の玄え明日 第１図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （Ｃｏ＿ａＰｔ＿ｂＢ＿ｃＭ＿δ）＿１＿０＿０＿−＿
   ｘＯ＿ｘ（但し、ａ、ｂ、ｃ、δ、ｘは原子％） なる組成式で示され、その組成範囲が、 ａ＝１００−ｂ−ｃ−δ ０≦ｂ≦５０ ０．１≦ｃ≦３０ ０≦δ≦３０ ０＜ｘ≦２０ であり、 上記Ｍが、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、
   Ｗ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ
   、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｐ、Ｓｅ、Ｃ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ
   、Ａｕ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｒｅの中から一種以上 を基体上にその原子の入射方向を斜め方向に設定して形
   成された磁性薄膜を有する磁気記録媒体。