JPH03875Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH03875Y2 JPH03875Y2 JP16194084U JP16194084U JPH03875Y2 JP H03875 Y2 JPH03875 Y2 JP H03875Y2 JP 16194084 U JP16194084 U JP 16194084U JP 16194084 U JP16194084 U JP 16194084U JP H03875 Y2 JPH03875 Y2 JP H03875Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fuse
- rectifier circuit
- input
- bridge
- input voltage
- Prior art date
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- Expired
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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- Rectifiers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、スイツチ手段によつてブリツジ整流
回路かまたは半波の２倍電圧整流回路のいずれか
一方に切換え可能な整流回路に関し、更に詳しく
は、２種類のヒユーズを組み込むことによつて入
力電圧が変更された場合でも常に外部ラインを確
実に保護しうるような整流回路に関するものであ
る。
回路かまたは半波の２倍電圧整流回路のいずれか
一方に切換え可能な整流回路に関し、更に詳しく
は、２種類のヒユーズを組み込むことによつて入
力電圧が変更された場合でも常に外部ラインを確
実に保護しうるような整流回路に関するものであ
る。
我国における低圧系統の配電電圧は、100Vと
200Vとが主流をなしている。比較的大型のOA機
器等においては、使用状態に応じて100V系と
200V系の入力電圧の切換えを容易に行うことが
出来るような電源を設計するのが望ましい。
200Vとが主流をなしている。比較的大型のOA機
器等においては、使用状態に応じて100V系と
200V系の入力電圧の切換えを容易に行うことが
出来るような電源を設計するのが望ましい。
そこで第２図に示すように、ブリツジダイオード
１と、その整流出力側に２個直列に接続して挿入
したコンデンサC1，C2と、その中点と前記ブリ
ツジダイオード１の一方のアノード−カソード結
合部との間に接続したスイツチSWとからなる整
流回路が用いられる。この整流回路は、スイツチ
SWの動作によつてブリツジ整流回路または半波
の２倍電圧整流回路のいずれかに切換えることが
できる。この整流回路でも機器を保護するため交
流入力ラインにヒユーズF1が挿入される。ヒユ
ーズF1の定格は電流が多く流れる方、即ちこの
場合には100V系の入力を考慮して決められる。
１と、その整流出力側に２個直列に接続して挿入
したコンデンサC1，C2と、その中点と前記ブリ
ツジダイオード１の一方のアノード−カソード結
合部との間に接続したスイツチSWとからなる整
流回路が用いられる。この整流回路は、スイツチ
SWの動作によつてブリツジ整流回路または半波
の２倍電圧整流回路のいずれかに切換えることが
できる。この整流回路でも機器を保護するため交
流入力ラインにヒユーズF1が挿入される。ヒユ
ーズF1の定格は電流が多く流れる方、即ちこの
場合には100V系の入力を考慮して決められる。
ここで入力電圧が200V系とした場合、この整
流回路では100V系の場合の半分の電流しか流れ
ない。そのため200V系入力の時に異常が発生し
ても、ヒユーズF1は100V系入力の場合の定格電
流を超えた値以上の電流が流れなければ溶断しな
いため、ヒユーズとしての機能を果たしえない。
従つて、この整流回路の外部の入力ラインを
200V系専用として細いパターンや細いリードで
設計した場合には、それらが発熱し断線するとい
つた事故が発生する可能性がある。
流回路では100V系の場合の半分の電流しか流れ
ない。そのため200V系入力の時に異常が発生し
ても、ヒユーズF1は100V系入力の場合の定格電
流を超えた値以上の電流が流れなければ溶断しな
いため、ヒユーズとしての機能を果たしえない。
従つて、この整流回路の外部の入力ラインを
200V系専用として細いパターンや細いリードで
設計した場合には、それらが発熱し断線するとい
つた事故が発生する可能性がある。
本考案の目的は、上記のような従来技術の欠点
を解消し、交流入力電圧が高い場合でも外部ライ
ンの保護を図ることが出来るような整流回路を提
供することにある。
を解消し、交流入力電圧が高い場合でも外部ライ
ンの保護を図ることが出来るような整流回路を提
供することにある。
本考案は、スイツチ手段によつてブリツジ整流
と２倍電圧整流とを切換え可能とし、高入力電圧
と低入力電圧、例えば交流200V系入力あるいは
100V系入力のいずれか一方に対応可能な整流回
路について、高入力電圧時における電流経路とを
詳細に検討した結果、高入力電圧時には流れるが
低入力電圧時には流れない経路があることに着目
し、なされたものである。
と２倍電圧整流とを切換え可能とし、高入力電圧
と低入力電圧、例えば交流200V系入力あるいは
100V系入力のいずれか一方に対応可能な整流回
路について、高入力電圧時における電流経路とを
詳細に検討した結果、高入力電圧時には流れるが
低入力電圧時には流れない経路があることに着目
し、なされたものである。
即ち前記のような目的を達成することのできる
本考案は、２種類のヒユーズをそれぞれ適切な個
所に組み込んで交流入力電圧が高低いずれの場合
であつてもそれらに対応しうるように工夫したも
のである。即ち、ブリツジダイオードの交流入力
ラインに第１のヒユーズ、を接続するとともに、
交流入力ラインとスイツチ手段との接続部と、ブ
リツジダイオードの一方のカソード−アノード結
合部との間に、前記第１のヒユーズのほぼ半分の
電流容量を有する第２のヒユーズを挿入したもの
である。
本考案は、２種類のヒユーズをそれぞれ適切な個
所に組み込んで交流入力電圧が高低いずれの場合
であつてもそれらに対応しうるように工夫したも
のである。即ち、ブリツジダイオードの交流入力
ラインに第１のヒユーズ、を接続するとともに、
交流入力ラインとスイツチ手段との接続部と、ブ
リツジダイオードの一方のカソード−アノード結
合部との間に、前記第１のヒユーズのほぼ半分の
電流容量を有する第２のヒユーズを挿入したもの
である。
このような回路構成とすると、高入力電圧を整
流するブリツジ整流の場合には電流が第２のヒユ
ーズを通つて流れるが、低入力電圧を整流する２
倍電圧整流の場合には第２のヒユーズを電流が通
らないため、第１のヒユーズによつて低入力電圧
時の外部ラインの保護を、また第２のヒユーズに
よつて高入力電圧時における外部ラインの保護を
図ることができるのである。
流するブリツジ整流の場合には電流が第２のヒユ
ーズを通つて流れるが、低入力電圧を整流する２
倍電圧整流の場合には第２のヒユーズを電流が通
らないため、第１のヒユーズによつて低入力電圧
時の外部ラインの保護を、また第２のヒユーズに
よつて高入力電圧時における外部ラインの保護を
図ることができるのである。
以下、図面に基づき本考案について更に詳しく
説明する。第１図は本考案に係る整流回路の一実
施例を示す回路図である。従来技術を示す第２図
と比べれば明らかなように、基本的な回路構成は
ほぼ同様である。まずそれらについて簡単に説明
しておく。この整流回路は、４個のダイオード
D1，D2，D3，D4をブリツジ結線したブリツジダ
イオード１と、その整流出力側に挿入した２個の
直列コンデンサC1，C2と、その中点と前記ブリ
ツジダイオード１の一方のカソード−アノード結
合部ｂとの間に接続したスイツチ手段SWとを備
えている。そして、ブリツジダイオード１の交流
入力ラインの一方に第１のヒユーズF1が接続さ
れる。ここまでの構成は前記第２図の従来例の場
合と全く同様である。
説明する。第１図は本考案に係る整流回路の一実
施例を示す回路図である。従来技術を示す第２図
と比べれば明らかなように、基本的な回路構成は
ほぼ同様である。まずそれらについて簡単に説明
しておく。この整流回路は、４個のダイオード
D1，D2，D3，D4をブリツジ結線したブリツジダ
イオード１と、その整流出力側に挿入した２個の
直列コンデンサC1，C2と、その中点と前記ブリ
ツジダイオード１の一方のカソード−アノード結
合部ｂとの間に接続したスイツチ手段SWとを備
えている。そして、ブリツジダイオード１の交流
入力ラインの一方に第１のヒユーズF1が接続さ
れる。ここまでの構成は前記第２図の従来例の場
合と全く同様である。
さて本考案が従来技術と顕著に相違する点は、
交流入力ラインとスイツチ手段SWとの接続部
と、ブリツジダイオード１の一方のカソード−ア
ノード結合部ｂとの間に第２のヒユーズF2を挿
入してなる点である。この第２のヒユーズF2、
前記第１のヒユーズF1のほぼ半分の電流容量を
有するものである。
交流入力ラインとスイツチ手段SWとの接続部
と、ブリツジダイオード１の一方のカソード−ア
ノード結合部ｂとの間に第２のヒユーズF2を挿
入してなる点である。この第２のヒユーズF2、
前記第１のヒユーズF1のほぼ半分の電流容量を
有するものである。
次に本回路の動作について説明する。まず低電
圧（例えば100V系）入力時には、第３図に示す
ようにスイツチ手段SWをオンにすればよい。交
流入力の正の半サイクル（第３図において上側の
入力端子がプラスとする）では、電流は実線矢印
I1で示すように、ダイオードD2および負荷２を通
りコンデンサC2を充電する如く流れ、次に負の
半サイクルにおいては、電流は破線矢印I2で示す
ようにコンデンサC1を充電し負荷２およびダイ
オードD1を通つて流れる。従つて負荷２への両
端の電圧は交流入力電圧の約２倍となる。第３図
の実線矢印I1および破線矢印I2で示すことから明
らかなように、この場合にはダイオードD3およ
びD4迸びに第２のヒユーズF2には電流が流れな
い。
圧（例えば100V系）入力時には、第３図に示す
ようにスイツチ手段SWをオンにすればよい。交
流入力の正の半サイクル（第３図において上側の
入力端子がプラスとする）では、電流は実線矢印
I1で示すように、ダイオードD2および負荷２を通
りコンデンサC2を充電する如く流れ、次に負の
半サイクルにおいては、電流は破線矢印I2で示す
ようにコンデンサC1を充電し負荷２およびダイ
オードD1を通つて流れる。従つて負荷２への両
端の電圧は交流入力電圧の約２倍となる。第３図
の実線矢印I1および破線矢印I2で示すことから明
らかなように、この場合にはダイオードD3およ
びD4迸びに第２のヒユーズF2には電流が流れな
い。
それに対して高電圧（例えば200V系）入力の
場合には、第４図に示すようにスイツチ手段SW
をオフにすればよい。交流入力の正の半サイクル
第４図において上側の端子がプラスとする）の場
合には、実線矢印I3で示すように電流はダイオー
ドD2、負荷２、およびダイオードD3を通つて流
れ、負の半サイクルの場合には破線矢印I4で示す
ようにダイオードD4、負荷２、およびダイオー
ドD1を通つて電流が流れる。ここで重要なこと
は、第２のヒユーズF2を電流が流れることであ
る。
場合には、第４図に示すようにスイツチ手段SW
をオフにすればよい。交流入力の正の半サイクル
第４図において上側の端子がプラスとする）の場
合には、実線矢印I3で示すように電流はダイオー
ドD2、負荷２、およびダイオードD3を通つて流
れ、負の半サイクルの場合には破線矢印I4で示す
ようにダイオードD4、負荷２、およびダイオー
ドD1を通つて電流が流れる。ここで重要なこと
は、第２のヒユーズF2を電流が流れることであ
る。
つまり第３図に示す低入力電圧の場合には電流
は第２のヒユーズF2を流れないが、第４図に示
す高入力電圧の場合には電流が第２のヒユーズ
F2を流れる。ここで前記のように、第１のヒユ
ーズF1は大きな電流容量を有し、それに対して
第２のヒユーズF2はその約半分の電流容量のも
のであるため、低入力電圧時における回路保護は
第１のヒユーズF1によつて行うことができ、そ
れに対して高入力電圧時における回路保護は第２
のヒユーズF2によつて行うことができるのであ
る。この結果、交流入力電圧が高低いずれかの場
合であつても、常に外部ラインの保護を実現する
ことができる。
は第２のヒユーズF2を流れないが、第４図に示
す高入力電圧の場合には電流が第２のヒユーズ
F2を流れる。ここで前記のように、第１のヒユ
ーズF1は大きな電流容量を有し、それに対して
第２のヒユーズF2はその約半分の電流容量のも
のであるため、低入力電圧時における回路保護は
第１のヒユーズF1によつて行うことができ、そ
れに対して高入力電圧時における回路保護は第２
のヒユーズF2によつて行うことができるのであ
る。この結果、交流入力電圧が高低いずれかの場
合であつても、常に外部ラインの保護を実現する
ことができる。
本考案におけるスイツチ手段SWは、通常の機
械的なスイツチに限られるものではなく、場合に
よつてはジヤンパー線を接続するといつた手法で
あつてもよい。つまり比較的容易にスイツチ手段
挿入部分を開閉できるような構成であれば十分そ
の機能を達成しうるのである。ブリツジダイオー
ドは、勿論ブリツジ結線されていて一つのパツケ
ージに収容されたものが使いやすいが、デイスク
リートなダイオードで組み上げたものでもよい。
また第１のヒユーズは、両方の交流ラインにそれ
ぞれ挿入してもよい。
械的なスイツチに限られるものではなく、場合に
よつてはジヤンパー線を接続するといつた手法で
あつてもよい。つまり比較的容易にスイツチ手段
挿入部分を開閉できるような構成であれば十分そ
の機能を達成しうるのである。ブリツジダイオー
ドは、勿論ブリツジ結線されていて一つのパツケ
ージに収容されたものが使いやすいが、デイスク
リートなダイオードで組み上げたものでもよい。
また第１のヒユーズは、両方の交流ラインにそれ
ぞれ挿入してもよい。
本考案は上記のように２種類のヒユーズをそれ
ぞれ適切な位置に挿入しているから、低入力電圧
時には第１のヒユーズによつて、また高入力電圧
時には第２のヒユーズによつてそれぞれ外部ライ
ンが保護され、パターンやリードの異常な発熱や
断線といつた事故の発生を防止できるという優れ
た実用的効果を有するものである。また回路的に
みても従来の整流回路に対して僅か１本のヒユー
ズを挿入するだけでよいから、極めて安価であ
る。
ぞれ適切な位置に挿入しているから、低入力電圧
時には第１のヒユーズによつて、また高入力電圧
時には第２のヒユーズによつてそれぞれ外部ライ
ンが保護され、パターンやリードの異常な発熱や
断線といつた事故の発生を防止できるという優れ
た実用的効果を有するものである。また回路的に
みても従来の整流回路に対して僅か１本のヒユー
ズを挿入するだけでよいから、極めて安価であ
る。
第１図は本考案に係る整流回路の一実施例を示
す回路図、第２図は従来技術を示す回路図、第３
図は低入力電圧時における電流経路を示す説明
図、第４図は高入力電圧時における電流経路を示
す説明図である。 １……ブリツジダイオード、２……負荷、C1，
C2……コンデンサ、SW……スイツチ手段、F1…
…第１のヒユーズ、F2……第２のヒユーズ。
す回路図、第２図は従来技術を示す回路図、第３
図は低入力電圧時における電流経路を示す説明
図、第４図は高入力電圧時における電流経路を示
す説明図である。 １……ブリツジダイオード、２……負荷、C1，
C2……コンデンサ、SW……スイツチ手段、F1…
…第１のヒユーズ、F2……第２のヒユーズ。
Claims (1)
- ブリツジダイオードとコンデンサとを組み合わ
せ、スイツチ手段によつてブリツジ整流と２倍電
圧整流とのいずれかに切換え可能な整流回路にお
いて、ブリツジダイオードの交流入力ラインに第
１のヒユーズを接続するとともに、交流入力ライ
ンと前記スイツチ手段との接続部と、ブリツジダ
イオードの一方のカソード−アノード結合部との
間に、前記第１のヒユーズのほぼ半分の電流容量
を有する第２のヒユーズを挿入してなる整流回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16194084U JPH03875Y2 (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16194084U JPH03875Y2 (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6177686U JPS6177686U (ja) | 1986-05-24 |
| JPH03875Y2 true JPH03875Y2 (ja) | 1991-01-11 |
Family
ID=30719836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16194084U Expired JPH03875Y2 (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03875Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101330639B1 (ko) * | 2013-04-22 | 2013-11-18 | 삼성전자주식회사 | 대기모드 저전력이 가능한 전원공급장치 |
-
1984
- 1984-10-26 JP JP16194084U patent/JPH03875Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6177686U (ja) | 1986-05-24 |
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