JPH039079B2 - - Google Patents
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- JPH039079B2 JPH039079B2 JP8540081A JP8540081A JPH039079B2 JP H039079 B2 JPH039079 B2 JP H039079B2 JP 8540081 A JP8540081 A JP 8540081A JP 8540081 A JP8540081 A JP 8540081A JP H039079 B2 JPH039079 B2 JP H039079B2
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- Compounds Of Iron (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Description
本発明は非磁性（110）ガリウムガーネツト基
板上に育成され膜面に垂直な方向が磁化容易軸で
あるオルソロンビツク異方性を有する磁性ガーネ
ツト液相エピタキシヤル膜に関する。 ベル・システムテクニカル・ジヤーナル（Bell
System Technical Journal）第58巻第６号第２
部1453ページ（1979年）にボーベツクらによつて
発表された二重導体パターン（デユアル・コンダ
クタ・パターン）を用いたバブル磁区素子は、従
来のバブル磁区素子と異なり、（）回転磁場発
生用のコイルが不要である、（）バブル磁区の
高周波駆動が可能である、（）バブル磁区の径
を微小化できるので素子の記憶密度を向上でき
る、などの特徴を有している。 この素子を実現するためには、膜面に垂直な方
向が磁化容易軸であると同時に、膜面内にも磁気
異方性を有するオルソロンビツク異方性を持つ材
料の採用が提案されている。オルソロンビツク異
方性を有する材料においては、膜面内の異方性磁
界が十分に大きければ、磁壁にこの面内異方性磁
界が働き、磁壁の移動速度の飽和値を通常の材料
におけるそれと比べ著しく大きくできる。また、
オルソロンビツク材料ではハードバブルが生ぜ
ず、磁壁のＳ状態を低く保てるという特徴を有し
ている。したがつて、導体パターンではなく、通
常のパーマロイパターンを用いた素子においても
（）ハード・バブル抑制の工程を省略できる。
（）バブルの高周波駆動が可能である、などの
有利な点を有している。 また、磁気記録媒体の情報を磁気転写・光読み
出しによつて再生される素子として磁性ガーネツ
ト膜を用いる場合、電子通信学会技術研究報告
MR80−６（1980年）第15ページに述べられてい
るように、従来の材料を用いる限りその磁壁移動
速度に限界があることによつて磁気記録媒の移動
速度にガーネツトの磁壁移動速度が追随できな
い。このような素子にオルソロンビツク異方性材
料が用いられれば磁壁の最高移動速度は通常の材
料の25〜30ｍ／secよりも格段に大きくなり、磁
気転写・光読み出し技術における動特性を格段に
改善できる。 また、レーザー光偏向素子においもオルソロン
ビツク材料を用いれば、駆動周波数を改善でき
る。オルソロンビツク異方性を有する材料は、通
常のバブル材料である（111）ガーネツト膜から
は得られない。（110）ガーネツト液相エピタキシ
ヤル膜においては、オルソロンビツク異方性が生
ずる。ウオルフエらによつてアブライド・フィジ
ツクス・レターズ第29巻第12号815ページ（1976
年）の論文に示されている如く（110）ガーネツ
ト膜がオルソロンビツク異方性を有し、しかも膜
面と垂直な方向に磁化容易軸を有するためには、
二つの異方性エネルギー定数が次の第１式、第２
式および第３式に示す、いづれの関係をも満足す
る必要がある。 KU＞０ (1)、 KU＋Δ＞０ (2) Δ≠０ (3) しかしながら、多くのガーネツトにおいては、
Ku＜０あるいはKU＋Δ＞０であり、（110）面を
もつ非磁性ガーネツト基板上に成長させたときに
膜面に垂直な〔110〕方向が磁化容易軸とはなら
ない。したがつて、第１式および第２式を同時に
満たすようなオルソロンビツク異方性を有する
（110）ガーネツト膜を提供できるようなガーネツ
ト膜組成及びその製造条件を見出すことが二重導
体パターンバブル素子や周波数帯域の広い磁気転
写・光読み出し素子又は高い周波数域で駆動可能
なレーザー光偏光素子を実用化する上で何よりも
大切である。 さらに、アイ・イー・イー・イー・トランザク
シヨンズ・オン・マグネテイクス（Ｉ Ｅ Ｅ
Ｅ Trans Mag）第MAG13巻第1087ページ
（1977年）にブリードらが発表した論文および第
25回応用物理学関係連合講演会講演予稿集講演番
号30a−Ｆ−５（1978年）第558ページに牧野およ
び桧高が発表した論文に知られているように、一
般に（110）ガーネツト膜では抗磁力（Hc）が大
きく、バブル素子として用いるときの安定性を保
証しえないことがある。 また、上記のブリードらが発表した材料では、
膜面に垂直な異方性エネルギーKuおよび膜面内
の異方性エネルギーΔのいずれもが主として歪誘
導異方性によつている。このためには、膜と基板
との格子定数差をきわめて大きくしなければなら
ない。このことは抗磁力の原因となるばかりでな
く、ガーネツト膜の上に付着させる種々の素子用
パターンによつて生ずる歪みによつて磁気特性が
変化しやすくなることを意味する。ガーネツト膜
中に局部的に存在する歪みは、バブルの誤動作の
原因となる。 本発明の目的は、二重導体パターンバブル素子
周波数帯域の広い磁気転写・光読み出し素子およ
び高い周波数で駆動可能なレーザー光偏向素子に
不可欠である。膜面に垂直な磁化容易軸を有し、
かつ抗磁力が低く、しかも膜に歪みを導入するこ
となく、主として成長誘導異方性により必要とす
る磁気異方性を生ぜしめることができる（110）
ガーネツト膜を提供することである。 本発明者は、特願昭54−158334に開示されるよ
うなPbOおよびBi2O3を主成分とするフラツクス
から（110）非磁性ガーネツト基板上に育成した
（YBi）3（FeGa）5O12に、希土類イオンを添加した
膜組成のガーネツト、すなわち、Y3-W-x-yRWR′x
BiyFe5-zGazO12（但し、０＜Ｗ≦2.0、０≦ｘ≦
1.7、0.05≦ｙ≦0.7、0.5≦ｚ≦1.45、ＲはLa、
Ho、Sm、Eu、Gd、Er、Ybよりなる群より選ば
れる１元素もしくは複数元素の組合せ、R′は
Tm、Luよりなる群より選ばれる１元素もしくは
２元素の組合せ）であらわされる組成のガーネツ
ト液相エピタキシヤル膜が、膜面と垂直方向に磁
化容易軸を有するオルソロンビツク異方性を見出
し、しかも（YBi）3（FeGa）5O12よりもKUおよび
Δを大きく出来ることがわかり、本発明をなすに
至つた。 以下に実施例を用いて本発明を詳細に説明す
る。 実施例 １ 第１表に示す融液１を用い、837℃の温度にお
いて（110）Gd3Ga5O12基板上にY2.425−Sm0.075
Bi0.5Fe4.3Ga0.7O12ガーネツト液相エピタキシヤル
膜を育成したところ、膜厚が1.8μｍであり、膜面
と垂直な〔110〕軸を磁化容易軸とするオルソロ
ンビツク異方性バブル材料となつた。本LPE膜
における磁気特性は第２表に示すものであり、磁
化容易軸〔110〕と磁化中間軸〔001〕との間の異
方性エネルギーKUおよび磁化中間軸と磁化困難
軸との間の異方性エネギーΔを強磁性共鳴装置を
用いて測定したところ、それぞれKU＝
12000erg／cm3およびΔ＝40000erg／cm3と求まつ
た。これらの値は特開昭54−158334に開示され
る。（YBi）3（FeGa）5O12におけるいづれの値より
も大きかつた。これらは膜と基板との格子定数差
が殆どゼロであることから成長誘導によるもので
あつた。この材料におけるバブル径は1.7μｍであ
り、ハード・バブルは存在していなかつた。材料
の抗磁力は充分に小さく、最小駆動磁場ΔH＝
20oeでバブルを効かすことができた。バブルの
飽和移動速度は、140ｍ／soc、磁壁移動度は、25
ｍ／sec−oeであつた。この材料を用いて二重導
体パターン素子を作つたところ、バブルを10MHz
の周波数で駆動することが可能であつた。パーマ
ロイパターンを用いた従来型の素子に本材料を用
いた場合にも、ハードバブルの抑制の工程が省略
できたために素子の歩留りが向上した。のみなら
ず、従来型のバブル素子において最大の磁壁移動
速度を要求される。一部でのストライブ磁区転送
時の転送速度のブレーク・ダウンは生じなかつ
た。 この材料をレーザー光偏向素子として用いたと
ころ高速駆動が可能なばかりでなく、Bi3+を置換
させたことによりフアラデー回転角が大きく（−
4000deg／cm）信号のＳ／Ｎ比が向上した。この
材料を40ｍ／secの速度で移動する磁気記録媒体
中の情報を磁気転写し、レーザー光によつて読み
出す素子に用いたところ、本材料の飽和磁壁移動
速度が140ｍ／secであるため、磁気記録情報の移
動速度に充分追随可能であり、記録再生周波数を
7MHzまで拡張させることができた。さらに本材
料はBi3+を置換させてあることから、フアラデー
回転角を大きくすることができ信号のＳ／Ｎ比を
45dB以上に高めることができた。なお、ガーネ
ツト組成式中のGaの一部をAlで置換した場合に
も同様の結果が得られた。 実施例 ２ 第１表に示す融液２を用い953℃において
（110）Dy3Ga5O12基板上にY2.91EU0.04Bi0.05
Fe3.55Ga1.45O12ガーネツト液相エピタキシヤル膜
を育成したところ、第２表に示すように膜面と垂
直な方向が磁化容易軸であるオルソロンビツク材
料となつた。この材料では磁化中間軸〔１１０〕
にあり、したがつてΔ＜０となつた。 実施例 ３ 第１表に示す融液３を用いて、790℃において
（110）Sm3Ga5O12基板上にY2.24Sm0.03Gd0.03Bi0.7
Fe3.8Ga1.2O12ガーネツト液相エピタキシヤル膜を
育成したところ、第２表に示すような特性が得ら
れた。 実施例 ４ 第１表に示す融液４を用いて、850℃において
（110）Gd3Ga5O12基板上にY2.53Gd0.07Bi0.4Fe4.4
Ga0.6O12ガーネツト液相エピタキシヤル膜を育成
したところ、第２表に示すような特性が得られ
た。 実施例 ５ 第１表に示す融液５を用いて、760℃において
（110）Sm3Ga5O12基板上にY2.27Sm0.02Eu0.01Bi0.7
Fe4.5Ga0.5O12ガーネツト液相エピタキシヤル膜を
育成したところ、第２表に示すような特性が得ら
れた。 実施例 ６ 第１表に示す融液６を用い、950℃において
（110）Dy3Ga5O12基板上にY2.89Yb0.06Bi0.05Fe3.55
Ga1.45O12ガーネツト液相エピタキシヤル膜を育
成したところ第２表に示すように膜面と垂直な
〔110〕方向が磁化容易軸であるオルソロンビツク
異方性材料となつた。この材料では磁化中間軸は
〔１１０〕にあり、したがつてΔ＜０となつた。 実施例 ７ 第１表に示す融液７を用いて、810℃において
（110）Sm3Ga5O12基板上にY2.00Yb0.15Ho0.15Bi0.7
Fe4.3Ga0.7O12ガーネツト液相エピタキシヤル膜を
育成したところ、第２表に示すような特徴が得ら
れた。 実施例 ８ 第１表に示す融液８を用い、946℃において
（110）Dy3Ga5O12基板上にY2.90Er0.05Bi0.05Fe3.55
Ga1.45O12ガーネツト液相エピタキシヤル膜を育
成したところ、第２表に示すように膜面と垂直な
方向が磁化容易軸であるオルソロンビツク異方性
材料となつた。この材料では磁化中間軸は〔１１
０〕にあり、したがつてΔ＜０となつた。 実施例 ９ 第１表に示す融液３を用いて、803℃において
（110）Sm3Ga5O12基板上にY2.00Er0.17Ho0.13Bi0.7
Fe4.3Ga0.7O12ガーネツト液相エピタキシヤル膜を
育成したところ、第２表に示すような特性が得ら
れた。 実施例 10 第１表に融液10を用いて、770℃において
（110）DyGd2Ga5O12基板上にY0.2Yb0.4Lu1.7Bi0.7
Fe4.5Ga0.5O12ガーネツト液相エピタキシヤル膜を
育成したところ、第２表に示すような特性が得ら
れた。 実施例 11 第１表に示す溶融11を用いて、770℃において
（110）Gd3Ga5O12基板上にY0.1Er2.0Tm0.2Bi0.7
Fe4.5Ga0.5O12ガーネツト液相エピタキシヤル膜を
育成したところ、第２表に示すような特性が得ら
れた。 実施例 12 第１表に示す融液12を用いて、828℃において
（110）Gd3Ga5O12基板上にY1.95La0.08Tm0.02
LU0.35Bi0.6Fe4.50Ga0.50O12液相エピタキシヤル膜
を育成したところ、第２表に示すような特性が得
られた。
板上に育成され膜面に垂直な方向が磁化容易軸で
あるオルソロンビツク異方性を有する磁性ガーネ
ツト液相エピタキシヤル膜に関する。 ベル・システムテクニカル・ジヤーナル（Bell
System Technical Journal）第58巻第６号第２
部1453ページ（1979年）にボーベツクらによつて
発表された二重導体パターン（デユアル・コンダ
クタ・パターン）を用いたバブル磁区素子は、従
来のバブル磁区素子と異なり、（）回転磁場発
生用のコイルが不要である、（）バブル磁区の
高周波駆動が可能である、（）バブル磁区の径
を微小化できるので素子の記憶密度を向上でき
る、などの特徴を有している。 この素子を実現するためには、膜面に垂直な方
向が磁化容易軸であると同時に、膜面内にも磁気
異方性を有するオルソロンビツク異方性を持つ材
料の採用が提案されている。オルソロンビツク異
方性を有する材料においては、膜面内の異方性磁
界が十分に大きければ、磁壁にこの面内異方性磁
界が働き、磁壁の移動速度の飽和値を通常の材料
におけるそれと比べ著しく大きくできる。また、
オルソロンビツク材料ではハードバブルが生ぜ
ず、磁壁のＳ状態を低く保てるという特徴を有し
ている。したがつて、導体パターンではなく、通
常のパーマロイパターンを用いた素子においても
（）ハード・バブル抑制の工程を省略できる。
（）バブルの高周波駆動が可能である、などの
有利な点を有している。 また、磁気記録媒体の情報を磁気転写・光読み
出しによつて再生される素子として磁性ガーネツ
ト膜を用いる場合、電子通信学会技術研究報告
MR80−６（1980年）第15ページに述べられてい
るように、従来の材料を用いる限りその磁壁移動
速度に限界があることによつて磁気記録媒の移動
速度にガーネツトの磁壁移動速度が追随できな
い。このような素子にオルソロンビツク異方性材
料が用いられれば磁壁の最高移動速度は通常の材
料の25〜30ｍ／secよりも格段に大きくなり、磁
気転写・光読み出し技術における動特性を格段に
改善できる。 また、レーザー光偏向素子においもオルソロン
ビツク材料を用いれば、駆動周波数を改善でき
る。オルソロンビツク異方性を有する材料は、通
常のバブル材料である（111）ガーネツト膜から
は得られない。（110）ガーネツト液相エピタキシ
ヤル膜においては、オルソロンビツク異方性が生
ずる。ウオルフエらによつてアブライド・フィジ
ツクス・レターズ第29巻第12号815ページ（1976
年）の論文に示されている如く（110）ガーネツ
ト膜がオルソロンビツク異方性を有し、しかも膜
面と垂直な方向に磁化容易軸を有するためには、
二つの異方性エネルギー定数が次の第１式、第２
式および第３式に示す、いづれの関係をも満足す
る必要がある。 KU＞０ (1)、 KU＋Δ＞０ (2) Δ≠０ (3) しかしながら、多くのガーネツトにおいては、
Ku＜０あるいはKU＋Δ＞０であり、（110）面を
もつ非磁性ガーネツト基板上に成長させたときに
膜面に垂直な〔110〕方向が磁化容易軸とはなら
ない。したがつて、第１式および第２式を同時に
満たすようなオルソロンビツク異方性を有する
（110）ガーネツト膜を提供できるようなガーネツ
ト膜組成及びその製造条件を見出すことが二重導
体パターンバブル素子や周波数帯域の広い磁気転
写・光読み出し素子又は高い周波数域で駆動可能
なレーザー光偏光素子を実用化する上で何よりも
大切である。 さらに、アイ・イー・イー・イー・トランザク
シヨンズ・オン・マグネテイクス（Ｉ Ｅ Ｅ
Ｅ Trans Mag）第MAG13巻第1087ページ
（1977年）にブリードらが発表した論文および第
25回応用物理学関係連合講演会講演予稿集講演番
号30a−Ｆ−５（1978年）第558ページに牧野およ
び桧高が発表した論文に知られているように、一
般に（110）ガーネツト膜では抗磁力（Hc）が大
きく、バブル素子として用いるときの安定性を保
証しえないことがある。 また、上記のブリードらが発表した材料では、
膜面に垂直な異方性エネルギーKuおよび膜面内
の異方性エネルギーΔのいずれもが主として歪誘
導異方性によつている。このためには、膜と基板
との格子定数差をきわめて大きくしなければなら
ない。このことは抗磁力の原因となるばかりでな
く、ガーネツト膜の上に付着させる種々の素子用
パターンによつて生ずる歪みによつて磁気特性が
変化しやすくなることを意味する。ガーネツト膜
中に局部的に存在する歪みは、バブルの誤動作の
原因となる。 本発明の目的は、二重導体パターンバブル素子
周波数帯域の広い磁気転写・光読み出し素子およ
び高い周波数で駆動可能なレーザー光偏向素子に
不可欠である。膜面に垂直な磁化容易軸を有し、
かつ抗磁力が低く、しかも膜に歪みを導入するこ
となく、主として成長誘導異方性により必要とす
る磁気異方性を生ぜしめることができる（110）
ガーネツト膜を提供することである。 本発明者は、特願昭54−158334に開示されるよ
うなPbOおよびBi2O3を主成分とするフラツクス
から（110）非磁性ガーネツト基板上に育成した
（YBi）3（FeGa）5O12に、希土類イオンを添加した
膜組成のガーネツト、すなわち、Y3-W-x-yRWR′x
BiyFe5-zGazO12（但し、０＜Ｗ≦2.0、０≦ｘ≦
1.7、0.05≦ｙ≦0.7、0.5≦ｚ≦1.45、ＲはLa、
Ho、Sm、Eu、Gd、Er、Ybよりなる群より選ば
れる１元素もしくは複数元素の組合せ、R′は
Tm、Luよりなる群より選ばれる１元素もしくは
２元素の組合せ）であらわされる組成のガーネツ
ト液相エピタキシヤル膜が、膜面と垂直方向に磁
化容易軸を有するオルソロンビツク異方性を見出
し、しかも（YBi）3（FeGa）5O12よりもKUおよび
Δを大きく出来ることがわかり、本発明をなすに
至つた。 以下に実施例を用いて本発明を詳細に説明す
る。 実施例 １ 第１表に示す融液１を用い、837℃の温度にお
いて（110）Gd3Ga5O12基板上にY2.425−Sm0.075
Bi0.5Fe4.3Ga0.7O12ガーネツト液相エピタキシヤル
膜を育成したところ、膜厚が1.8μｍであり、膜面
と垂直な〔110〕軸を磁化容易軸とするオルソロ
ンビツク異方性バブル材料となつた。本LPE膜
における磁気特性は第２表に示すものであり、磁
化容易軸〔110〕と磁化中間軸〔001〕との間の異
方性エネルギーKUおよび磁化中間軸と磁化困難
軸との間の異方性エネギーΔを強磁性共鳴装置を
用いて測定したところ、それぞれKU＝
12000erg／cm3およびΔ＝40000erg／cm3と求まつ
た。これらの値は特開昭54−158334に開示され
る。（YBi）3（FeGa）5O12におけるいづれの値より
も大きかつた。これらは膜と基板との格子定数差
が殆どゼロであることから成長誘導によるもので
あつた。この材料におけるバブル径は1.7μｍであ
り、ハード・バブルは存在していなかつた。材料
の抗磁力は充分に小さく、最小駆動磁場ΔH＝
20oeでバブルを効かすことができた。バブルの
飽和移動速度は、140ｍ／soc、磁壁移動度は、25
ｍ／sec−oeであつた。この材料を用いて二重導
体パターン素子を作つたところ、バブルを10MHz
の周波数で駆動することが可能であつた。パーマ
ロイパターンを用いた従来型の素子に本材料を用
いた場合にも、ハードバブルの抑制の工程が省略
できたために素子の歩留りが向上した。のみなら
ず、従来型のバブル素子において最大の磁壁移動
速度を要求される。一部でのストライブ磁区転送
時の転送速度のブレーク・ダウンは生じなかつ
た。 この材料をレーザー光偏向素子として用いたと
ころ高速駆動が可能なばかりでなく、Bi3+を置換
させたことによりフアラデー回転角が大きく（−
4000deg／cm）信号のＳ／Ｎ比が向上した。この
材料を40ｍ／secの速度で移動する磁気記録媒体
中の情報を磁気転写し、レーザー光によつて読み
出す素子に用いたところ、本材料の飽和磁壁移動
速度が140ｍ／secであるため、磁気記録情報の移
動速度に充分追随可能であり、記録再生周波数を
7MHzまで拡張させることができた。さらに本材
料はBi3+を置換させてあることから、フアラデー
回転角を大きくすることができ信号のＳ／Ｎ比を
45dB以上に高めることができた。なお、ガーネ
ツト組成式中のGaの一部をAlで置換した場合に
も同様の結果が得られた。 実施例 ２ 第１表に示す融液２を用い953℃において
（110）Dy3Ga5O12基板上にY2.91EU0.04Bi0.05
Fe3.55Ga1.45O12ガーネツト液相エピタキシヤル膜
を育成したところ、第２表に示すように膜面と垂
直な方向が磁化容易軸であるオルソロンビツク材
料となつた。この材料では磁化中間軸〔１１０〕
にあり、したがつてΔ＜０となつた。 実施例 ３ 第１表に示す融液３を用いて、790℃において
（110）Sm3Ga5O12基板上にY2.24Sm0.03Gd0.03Bi0.7
Fe3.8Ga1.2O12ガーネツト液相エピタキシヤル膜を
育成したところ、第２表に示すような特性が得ら
れた。 実施例 ４ 第１表に示す融液４を用いて、850℃において
（110）Gd3Ga5O12基板上にY2.53Gd0.07Bi0.4Fe4.4
Ga0.6O12ガーネツト液相エピタキシヤル膜を育成
したところ、第２表に示すような特性が得られ
た。 実施例 ５ 第１表に示す融液５を用いて、760℃において
（110）Sm3Ga5O12基板上にY2.27Sm0.02Eu0.01Bi0.7
Fe4.5Ga0.5O12ガーネツト液相エピタキシヤル膜を
育成したところ、第２表に示すような特性が得ら
れた。 実施例 ６ 第１表に示す融液６を用い、950℃において
（110）Dy3Ga5O12基板上にY2.89Yb0.06Bi0.05Fe3.55
Ga1.45O12ガーネツト液相エピタキシヤル膜を育
成したところ第２表に示すように膜面と垂直な
〔110〕方向が磁化容易軸であるオルソロンビツク
異方性材料となつた。この材料では磁化中間軸は
〔１１０〕にあり、したがつてΔ＜０となつた。 実施例 ７ 第１表に示す融液７を用いて、810℃において
（110）Sm3Ga5O12基板上にY2.00Yb0.15Ho0.15Bi0.7
Fe4.3Ga0.7O12ガーネツト液相エピタキシヤル膜を
育成したところ、第２表に示すような特徴が得ら
れた。 実施例 ８ 第１表に示す融液８を用い、946℃において
（110）Dy3Ga5O12基板上にY2.90Er0.05Bi0.05Fe3.55
Ga1.45O12ガーネツト液相エピタキシヤル膜を育
成したところ、第２表に示すように膜面と垂直な
方向が磁化容易軸であるオルソロンビツク異方性
材料となつた。この材料では磁化中間軸は〔１１
０〕にあり、したがつてΔ＜０となつた。 実施例 ９ 第１表に示す融液３を用いて、803℃において
（110）Sm3Ga5O12基板上にY2.00Er0.17Ho0.13Bi0.7
Fe4.3Ga0.7O12ガーネツト液相エピタキシヤル膜を
育成したところ、第２表に示すような特性が得ら
れた。 実施例 10 第１表に融液10を用いて、770℃において
（110）DyGd2Ga5O12基板上にY0.2Yb0.4Lu1.7Bi0.7
Fe4.5Ga0.5O12ガーネツト液相エピタキシヤル膜を
育成したところ、第２表に示すような特性が得ら
れた。 実施例 11 第１表に示す溶融11を用いて、770℃において
（110）Gd3Ga5O12基板上にY0.1Er2.0Tm0.2Bi0.7
Fe4.5Ga0.5O12ガーネツト液相エピタキシヤル膜を
育成したところ、第２表に示すような特性が得ら
れた。 実施例 12 第１表に示す融液12を用いて、828℃において
（110）Gd3Ga5O12基板上にY1.95La0.08Tm0.02
LU0.35Bi0.6Fe4.50Ga0.50O12液相エピタキシヤル膜
を育成したところ、第２表に示すような特性が得
られた。
【表】
【表】
【表】
【表】
以上、本発明を用いることにより、バブル素子
材料として用いる場合には、ＭHz領域で駆動可能
な二重導体パタンを用いたバブル磁区素子が得ら
れ従来型のパーマロイ素子として用いる場合に
は、ハード・バブルが存在しないために、その抑
制の工程を省略できる。磁気転写・光読み出し素
子として用いる場合には、周波数帯域の広い素子
が得られる。レーザー光偏素子と用いる場合に
は、高周波駆動が可能となる。
材料として用いる場合には、ＭHz領域で駆動可能
な二重導体パタンを用いたバブル磁区素子が得ら
れ従来型のパーマロイ素子として用いる場合に
は、ハード・バブルが存在しないために、その抑
制の工程を省略できる。磁気転写・光読み出し素
子として用いる場合には、周波数帯域の広い素子
が得られる。レーザー光偏素子と用いる場合に
は、高周波駆動が可能となる。
Claims (1)
- １ 非磁性ガーネツト基板上に形成されこの基板
と同一結晶学的方位をもち、膜面に垂直な方向が
磁化容易軸である磁気および磁気光学素子用単結
晶ガーネツト膜において、膜組成がY3-W-X-yRW
R′XBiyFe5-ZGaZO12（但し、０＜Ｗ≦2.0、０≦Ｘ
≦1.7、0.05≦ｙ≦0.7、0.5≦Ｚ≦1.45、ＲはLa、
Ho、Sm、Eu、Gd、Er、Ybよりなる群より選ば
れる１元素もしくは複数元素の組合せ、R′は
Tm、Luよりなる群より選ばれる１元素もしくは
２元素の組合せ）で示され、膜面方位が（110）
であることを特徴とする磁気および磁気光学素子
用単結晶ガーネツト膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8540081A JPS57200295A (en) | 1981-06-03 | 1981-06-03 | Bi-substituted garnet liquid-phase epitaxial film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8540081A JPS57200295A (en) | 1981-06-03 | 1981-06-03 | Bi-substituted garnet liquid-phase epitaxial film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57200295A JPS57200295A (en) | 1982-12-08 |
| JPH039079B2 true JPH039079B2 (ja) | 1991-02-07 |
Family
ID=13857726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8540081A Granted JPS57200295A (en) | 1981-06-03 | 1981-06-03 | Bi-substituted garnet liquid-phase epitaxial film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57200295A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011088082A3 (en) * | 2010-01-15 | 2011-11-17 | Felicia Hwang Bishop | Footwear with toe aligner structure |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0727823B2 (ja) * | 1985-12-12 | 1995-03-29 | 住友金属鉱山株式会社 | 磁気光学素子用磁性ガ−ネツト材料 |
| JP2712138B2 (ja) * | 1993-06-10 | 1998-02-10 | 工業技術院長 | 磁気光学薄膜 |
-
1981
- 1981-06-03 JP JP8540081A patent/JPS57200295A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011088082A3 (en) * | 2010-01-15 | 2011-11-17 | Felicia Hwang Bishop | Footwear with toe aligner structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57200295A (en) | 1982-12-08 |
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