JPH0391227A

JPH0391227A - 半導体基板の接着方法

Info

Publication number: JPH0391227A
Application number: JP1228130A
Authority: JP
Inventors: Mitsutaka Katada; 満孝堅田; Kazuhiro Tsuruta; 和弘鶴田; Seiji Fujino; 藤野　誠二; Masatoshi Onoda; 真稔小野田
Original assignee: Nippon Soken Inc
Current assignee: Soken Inc
Priority date: 1989-09-01
Filing date: 1989-09-01
Publication date: 1991-04-16

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、半導体基板の接着方法に関する。

〔従来の技術〕

半導体基板としてシリコン基板が用いられているが、こ
のシリコン同士を接着する方法としてウェハ直接接合法
が知られている。この方法によれば、接合界面には接着
剤等による中間層が存在しないため、熱歪による影響を
解消することができるとして注目されている。

次に、第７図（ａ）〜（Ｃ）を用いてこのウェハ直接接
合法を説明する。まず、鏡面研磨されたシリコンウェハ
表面の自然酸化膜をＨＦ等により除去し、シリコン原子
を表面に露出した後、例えばＨａｓＯ４Ｈ２０２を混合
した液温９０°Ｃの酸性溶液に浸漬することにより表面
にシラノール基（Ｓｔ　−０Ｈ）を形成させる。続いて
、この親水化処理されたウェハの鏡面同士を第７図（ａ
）に示すように表面の水酸基（−ＯＨ）による水素結合
によって密着させる。さらに、８００　”Ｃ以上の熱処
理をＮ２雰囲気あるいは酸素雰囲気中で行い、第７図（
ｂ）に示すように２枚のウェハ間でＳｉ−〇−３ｉ結合
を形成し強固に接着させるものである。あるいは、１０
ｏｏ’ｃ以上の熱処理を施すことにより、第７図（Ｃ）
に示すようにＯをＳｔ内部に拡散させて５ｉ−３ｉの結
合を形成し強固に接着させるものである。

従って、接合界面にはＳｉ、Ｏ，Ｈ原子のみが存在する
だけであり、腐食等の心配がなく、化学的に安定である
。また、この接合法をセンサ等構成において検知部とし
ての素子部と支持部としての台座との接合に適用すれば
、同一材料で一体化が可能となり、すなわち熱膨張係数
を一致させることができ、温度変化による歪発生が原因
の温度ドリフト等の問題を解消することができる。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、この方法で、例えば３インチウェハを全
面均一に接合させるためには、８００°Ｃ以上の熱処理
が必要である。なぜならば、８００°Ｃ以下の比較的低
温の熱処理では、脱水反応で発生ずるＨ、、Ｎ２０等の
分子離脱に起因して、未接合部分が多く発生してしまう
からである。

また、接合強度を１ｋｇｆ／ｍｍ２以上に向上させよう
とすると、１１００°Ｃ以」二の熱処理が必要である。

さらに、ウェハ表面にシラノール基を形成するためには
前述の如く酸性溶液中に浸漬する必要があり、素子形成
後この処理を行うにはＡ／！、Ａｕ等の配線の腐食を防
ぐため素子形成面を耐酸性の保護膜で被覆する必要があ
り、工程数の増加を招いてしまう。また、上記Ａｌ、Ａ
ｕ等の配線を施したウェハでは加え得る熱処理温度は高
々４５０°Ｃであり、とても１ｋｇｆ／ｍ−以上の接合
強度を得ることは不可能である。

従って、例えば高圧用圧力センサにおいて、素子部（検
知部）と台座との接合において従来のウェハ直接接合法
を適用しても充分な耐圧を得ることができないという問
題があった。

本発明は上記問題を鑑みてなされたもので、従来法より
も比較的低い温度の加熱処理で所望の強固な接合強度が
得ることのできる半導体基板の接着方法を提供し、例え
ばＡｆｆ等の配線を施した素子形成面を有するウェハで
あっても、素子部を損傷することなく、他のウェハと直
接接合することができ、なおかつ、所望の高い接合強度
を達成しようとするものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は上記目的を達成するために、半導体基板の接着
方法において半導体基板の研磨面に対する親水化処理を
、従来法のように酸性溶液（Ｈａｓ○４−Ｈ，Ｏ□）中
に浸漬して親水性とするものではなく、研磨面を酸素イ
オンあるいは酸素ラジカルと反応させることにより、研
磨面表面に酸化層を形成させて親水性とするものである
ことを特徴とする。

〔作用〕

半導体基板の研磨面を酸素イオンあるいは酸素ラジカル
と反応させると、後に詳述するように表面酸素濃度が比
較的高く、かつ従来法によるものよりも厚い酸化層が形
成されることが、本発明者らによって確認されている（
第５図参照）。

すなわち、この酸化層により、基板研磨面において従来
法に比して単位面積あたりのシラノール基の数は多くな
り、水素結合力が向上されることを示している。

また、水素結合の密度も高くなり、２枚の半導体基板の
接合面間隔も短くなることから、両基板間の原子移動も
容易となる。すなわち、比較的低い温度で水素結合から
Ｓｉ−〇−３ｉの共有結合に変わるため、密着させた２
枚の半導体基板に対する加熱処理において、従来法より
低い温度であっても高い接合強度を実現することができ
る。なお、本発明者らは本発明により高圧用圧カセンザ
として所有される１　ｋｇ　ｆ　／ｍｍ２以上の接合強
度を後述するように従来法では達成できなかった４５０
°Ｃの加熱処理で達成している。

〔実施例〕

以下、本発明を図に示す実施例に基づいて説明する。

（第１実施例）第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明第１実施例を示す工程図
である。

まず、少なくとも一方の面が鏡面研磨された第１半導体
基板１０と第２半導体基板２０を、例えばトリクレン煮
沸、アセトン超音波洗浄及び純水洗浄を順次施すことに
より十分洗浄する。その後、ＨＦ：Ｈ，○＝１：５０の
混合液により自然酸化膜を除去した後、第１図（ａ）に
示すように最高到達真空度ＩＰａ以下にすることが可能
な真空系３０にこの２つの半導体基板１０．２０を設置
する。

真空系３０には電極３１．３２が設けられており、一方
の電極３１をアースとし、もう一方の電極３２には高周
波電源３３が接続されている。すなわち、ガス導入口３
４からガスを真空系３０内に導入すると、この電極間に
おいて導入されたガスのプラズマが発生する構造となっ
ている。なお、第１半導体基板１０及び第２半導体基板
２０は高周波電源３３に接続された電極３２上に、鏡面
研磨された面をアースに接続された電極３１に対向させ
たいわゆるカソードカップルの状態に設置されている。

その状態で、まず真空系３０の内を真空引きによりＩＰ
ａ以下にし、その後ガス導入口３４より酸素ガス０２を
導入し、高周波電源３３の電力によって電極３１．３２
間に放電を起こし、酸素プラズマを発生させる。この時
のガス圧は１〜２５Ｐａ、放電電力は１００〜８００Ｗ
／ｍ程度でよい。これにより、基板１０．２０表面は酸
素プラズマに曝され表面に各々プラズマ酸化７１１１．
２１が形成されることになる。

なお、第１図（ａ）に示す工程において、酸素プラズマ
中には酸素ラジカル（図中○“）あるいは酸素イオン（
図中○゛）が存在し、これらは化学的に活性な状態にあ
るため、常温中でも容易に酸化反応を進行させられる。

さらに、半導体基板は上記のようにカソードカップルの
状態で設置されるため、酸素イオンは半導体基板上に到
達しやすく、そのため酸化反応は促進する。また、プラ
ズマ発９主領域に面した基板面は一方の面のみであり、もう一方
の面へのプラズマ損傷はない。さらに、常温中での処理
であるために、酸化を行わないもう一方の面に素子が形
成されていても、素子特性の劣化を導くことはない。

このようにしてプラズマ酸化層１１．２１を形成した後
、純水中にて洗浄し、乾燥窒素等による乾燥を行い、基
板表面に吸着する水分量を制御する。この後、第１図（
ｂ）に示すごとく、第１半導体基板１０のプラズマ酸化
層１１を形成した面と第２半導体基板２０のプラズマ酸
化層２１を形成した面同士を密着させる。これにより、
２枚の基板１０．２０は表面に形成されたシラノール基
及び表面に吸着した水分子の水素結合により接着する。

さらに、この接着した基板ｌＯ及び２０を１０Ｔｏｒｒ
以下の真空中にて乾燥させる。このとき、基板１０及び
２０の反りを補償するため、３０ｇｆ／ｃ＋ＩＩ以上の
荷重を印加してもよい。

さらに、第１図（Ｃ）に示すごとく、この接着状態にあ
る基板１０及び２０を到達真空度１０Ｔｏｒｒ以０下が可能な真空系４０内におき、接着界面に存在する過
剰な水分子を抜きなからヒータ４１により２００〜６０
０　’Ｃの熱処理を加えて接合する。

ここで、本実施例のように第１図（ａ）に示す酸素プラ
ズマ処理により酸化層を形成した基板面と、従来のよう
に酸性溶液（Ｈ２ＳＯ４→−１１□０□）の酸化によっ
て親水化処理された基板面とにおいて、ＸＰＳ法で測定
した０とＳｔのピーク比の深さ方向の分布を、それぞれ
第５図′の特性線Ａ、　　Ｂに示す。なお、第５図にお
いて、曲線ＣはＨＦ溶液によって表面の自然酸化膜を除
去したものの、すなわち上述のプラズマ処理あるいは親
水化処理を加える前の基板面の状態を示す特性線である
。

第５図に示すように、プラズマ処理によるものでは、基
板表面において酸素量が多く、しかも深く（従来法では
高々１５人程度であった）まで浸入している。そのため
、単位面積あたりのシラノール基の数は多くなり、第１
図（１））に示す工程において、水素結合力が従来のも
のに比べて向上される。

さらに、基板１０および２０の接着界面における水素結
合の密度は高く、また基板間距離も短くなるため、２つ
の基板間における原子移動が容易となる。すなわち、第
１図（Ｃ）に示す工程において、比較的低い温度で水素
結合から５ｉ−０−３ｉの共有結合に変わるため、Ｈ２
０分子離脱に起因した接合界面での未接合部分の発生は
なく、従来のような高温による熱処理でなくても比較的
低い温度４による熱処理によって高い接合強度を実現す
ることができる。

なお、上記第１実施例においては接合する第１半導体基
板および第２半導体基板の両方に酸素プラズマ処理によ
りプラズマ酸化層を形成するものであったが、どちらか
一方のみに行うものであってもよい。次に、第１半導体
基板は第１実施例のように酸素プラズマ処理により親水
化処理し、第２半導体基板は従来のように酸性溶液（Ｈ
２Ｓ○４１１□０２）の酸化により親水化処理したもの
を例にとって、本発明第２実施例を説明する。

（第２実施例）第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明第２実施例を示す工程図
である。

まず、第２図（ａ）のごとく、第１図（ａ）に示す工程
と同様にしてプラズマ酸化処理を第１半導体基板１０の
鏡面研磨された面に施し、プラズマ酸化層１１を形成す
る。なお、第２半導体基板２０の鏡面研磨面には、公知
の熱酸化、化学的気相成長法スパッタ、蒸着等の方法に
より酸化膜２２を形成し、さらに、Ｈ２ＳＯ，−８２０
□混合液中に液温８０°Ｃ以上で浸漬する化学的表面処
理を施しておく（図示路）。

そして、所定の処理を施した２つの基板ＩＯおよび２０
を純水中にて洗浄し、乾燥窒素等による乾燥を行い、基
板表面に吸着する水分子量を制御した後、第２図（ｂ）
に示すように、第１半導体基板１０のプラズマ酸化層１
１を形成した面と第２半導体基板２０の酸化層２２を形
成した面同士を、前述の第１図（ｂ）に示す工程と同様
にして密着さセる。

続いて、第２図（Ｃ）に示すように、接着している接合
基板の両面、すなわち上面１５および下面２３５にそれぞれ電極４３．４４を接続する。そして、直流
電源４２を接続して電圧を印加しながら、ヒタ４Ｉによ
り２００〜６００°Ｃでｌｈｒ以上の熱処理を行う。こ
れにより静電界によるクーαン力がウェハ間で均一に発
生し、荷重では補償できない微小領域のウェハの反りが
補償され、接合の均一性を確保することができる。

なお、本実施例においても、上記第１実施例と同様に６
００″Ｃ以下の比較的低い温度による熱処理でも、従来
のようにＨ２０分子離脱に起因した接合界面での未接合
部分の発生はなく、２枚の基板を強固に接合することが
できる。

次に、上記第１および第２実施例による接合基板の接合
強度を第６図に示す。なお、再実施例とも４５０°Ｃで
２時間の熱処理を加えたものである。

また、比較のために、従来のようにＪ（ｚ　Ｓ　Ｏ、＋
１−１２０□の混合液の酸化による親水化処理を施し、
４５０°Ｃテ２時間あるいはｌｌ００°ｃで１時間の熱
処理を加えたものの接合強度を、各々従来例Ａ従来例Ｂ
として第６図に示しである。第６図に示４すように、従来の１１□Ｓ○４　Ｈ２Ｏ２の混合液によ
る処理ではｉ　ｏ　ｏ　ｏ　”ｃ以上の熱処理でなけれ
ば１ｋｇｆ／ｎ＋ｍ２以上の接合強度を得ることができ
ない。しかしながら、第１および第２実施例においては
、４５０℃、２時間の熱処理によっても１ｋｇ　ｆ　／
　ｎｕｎ　ｚ以上の接合強度を実現できる。特に、熱処
理工程時に電界を印加した第２実施例によるものにおい
ては、１ｋｇｆ／ｍｍ”より大の接合強度が良好に得ら
れており、電界印加による接合均一・性の向上が確認で
きる。なお、４５０°Ｃ，２時間の熱処理は、通常の半
導体装置製造工程において素子表面上に形成した電極の
ジッタリンクに対応する程度の熱負荷である。また、第
１および第２実施例において、第１半導体基板ＩＯに施
される処理は前述のごとく有機溶剤、純水、希フッ縁の
薬液処理と接合面への常温でのプラズマ酸化処理のみで
あるので接合を行わない面上に半導体素子を形成した後
接合を行っても素子の不純物の拡散形状の変化あるいは
配線電極の損傷等、素子特性の変化または劣化といった
影響を及ぼすことはなく、従来のように耐酸性保護膜形
成等工程数を増やす必要もないために、２枚の半導体基
板の接合は簡便に達成できる。

なお、上記第１および第２実施例においては、酸素プラ
ズマ処理を施す第１半導体基板の鏡面（接着面）はシリ
コン原子を露出させたＳｉ面であったが、熱酸化、化学
的気相成長法、スパッタ。

華着等により酸化膜を形成しておき、３４０２面として
おいてもよい。なお、素子部が形成されＡＩ！配線等が
配設されているものにおいては、前述の如く加え得る熱
処理温度は高々４５０°Ｃであるから、これを超える高
温処理を必要とする熱酸化は除く必要がある。

次に、上記第１および第２実施例と同様の効果が得られ
る第１半導体基板および第２半導体基板の親水化のため
の表面処理を行う接着面およびその表面処理法の組み合
わせを第１表に示す。なお、第１半導体基板にはＡｆｆ
ｉ配線等を施した素子部が既に形成されているものを想
定した。（以下余白）６Ｉ７− また、上記種々の実施例においては酸素イオンあるいは
酸素ラジカルによ・る酸化層の形成が、カソードカップ
ルによる放電によって形成する酸素プラズマ処理による
ものであったが、この方法に限らず、例えば電子サイク
ロトロン共鳴法、イオン注入法等によって形成してもよ
い。

次に、第３図を用いて本発明を適用した半導体式圧力セ
ンサについて説明する。

第３図（ａ）は、上記第１実施例の接着方法を適用して
製造した半導体式圧力センサの一例を示す構造図である
。図に示す如く、水圧カセンサは検知部５０と台座６０
から構成されている。検知部５０はｎ型半導体基板５１
の一方の面にｐ型拡散層５２が形成されており、拡散歪
ゲージとなしである。なお、この面上には保護膜５３が
被着されており、ｐ型拡散層５２と電気的接続をとるた
めのコンタクトホール５４，５５が設けられ、電極５６
．５７が配線されている。また、ｎ型半導体基ｖｉ、５
１のｐ型拡散層５２と対向するもう一方の面には、例え
ばアルカリ溶液による異方性エッチあ８るいは北側酢酸による等方性エッチ等の公知の方法によ
りダイヤフラム５８が加工されている。

方、検知部５０と同し半導体基板から構成される台座６
０には、圧力導入ボート６１が配設されている。

上述の所定の素子形成、加工処理を施した検知部５０と
台座６０となる半導体基板を、各々第１半導体基板、第
２半導体基板とし、各々所定の面、すなわち第１半導体
基板においては素子形成面と対向する面、第２半導体基
板においては一方の面を鏡面研磨しておく。そして、第
１図（ａ）〜（Ｃ）に示す工程にしたがい、この鏡面研
磨された第１および第２半導体基板の所定の面にプラズ
マ酸化層５９．６２を形成し、このプラズマ酸化層５９
．６２を介して第１半導体基板のダイヤフラム５８と第
２半導体基板の圧力導入ボート６１を位置合わせして接
合する。

このようにして製造された圧力センサは、台座と検知部
が同−利料でしかも接着剤等の中間層を介さずに一体化
されているので、化学的にも安定であり、また熱膨張係
数の差による温度ドリフトが問題となることもない。

また、拡散層５２．電極５７等の素子形成後に検知部５
０と台座６０を接合しているが、前述のように高圧用セ
ンサとして高い接合強度を得るためにこの接合工程時に
おいて従来のような高温による熱処理を必要としないた
め、上記素子部の素子特性が熱処理の高温によって変化
あるいは劣化することはない。また、接合面の親水化処
理において従来のように酸性溶液中に浸漬することもな
いため、銅酸性溶液用の保護膜を特別に素子形成面に被
着する必要もなく、また素子形成も通常の工程により行
えるため、工程数の増加あるいは工程の変更等の必要が
ない。

同様に、上記第２実施例を適用して製造した半導体式圧
力センサの構造例を第３図（ｂ）に示す。第３図（ａ）
に示すものとの違いは、台座６０の検知部５０と接合面
に酸化膜６３が形成され、なおかつ第２図（Ｃ）に示す
工程において検知部５０と台座６０との間に電圧を印加
するために、ｎ型基板５１との導通孔７０が保護膜５３
に開口されていることである。なお、この導通孔はウェ
ハ全面で接合するときは必ずしも個々の素子に必要はな
い。この第３図（ｂ）に示すものは、第３図（ａ）に示
すものの効果に加え、第２図（Ｃ）に示す工程において
、導通孔７０を介して検知部５０と台座６０との間に電
圧が印加されることにより、前述のように電圧印加によ
る静電界によって接合均一性が向上され、より高い接合
強度で検知部５０と台座６０を接合することができる。

また、第４図（ａ）〜（ｄ）に本発明を適用した薄膜Ｓ
Ｏ■の形成方法を示す。

例えば、不純物濃度Ｉ　Ｘ　１０　Ｉｎ／ｃ＋ａ以上、
厚さ２００μｍ以上のｐ型窩濃度層８３の表面を鏡面研
磨して、この鏡面上に例えば不純物濃度１×１０”／ｃ
ｕｔ以下、厚さ０．１〜２　ｐ　ｍのｐ型エビクキシャ
ル層８１を形成した半導体基板８０を、第４図（ａ）に
示す如く真空系３０内に設置し、第１図（ａ）に示す工
程と同様にしてプラズマ酸化処理を施し、プラズマ酸化
層８２を形成する。

１また、少なくとも一方の面が鏡面研磨されたｐ型半導体
基板９０の鏡面に熱酸化、ＣＶＤ、スパッタ、蒸着、Ｓ
ＯＧ法等によって酸化１１ＨＩを形成しておき、次に第
４図（ｂ）に示すように、両基板８０および９０を第２
図（ｂ）、　（Ｃ）に示す工程と同様にして、各々エピ
タキシャル層８１形成面および酸化膜９１形成面とを密
着し接合する。なお、この場合はΔＮ配線等は施されて
いないため、接合温度は８００°Ｃまであげてもよい。

しかる後、第４図（Ｃ）に示すように機械的研磨法によ
り高濃度層８３を１２−さ３０μｍ以下となるまで研磨
し、鏡面仕上げを行う。

しかる後、フッ酸、硝酸、酢酸混合液により高濃度層８
３を選択的にエツチングを行い、低濃度エピタキシャル
層８１のみを残し、第４図（ｄ）のごとく薄膜の３０１
層を形成する。このとき、高濃度層８３と低濃度エピタ
キシャル層８１のエツチング選択比は１００程度まで可
能となるので、例えば高濃度層８３の残り厚さは１０μ
ｍ±５μｍとすると低濃度エピタキシャル層８１のエッ
チン２グ量のばらつきは１００人程度である。従って、低濃度
エピタキシャル層８１の膜厚均一性が１０％程度とする
とエピタキシャル層の厚さが１０００λ程度になるまで
エツチングによるばらつきは問題とはならない。すなわ
ち、膜厚均一性の良好な３０１層が容易に形成できる。

しかも、接合濃度がエピタキシャル層８１へ高濃度層８
３からの不純物の拡散の影響を受けることがない程度（
本例では８００°Ｃ以下）まで低温化が可能であるため
、均一な精度で、かつ、エピタキシャル層８１の濃度制
御可能な範囲の濃度範囲で３０１層を形成することが可
能となる。

なお、第４図中ではｐ形の半導体基板で説明したが、ｎ
型であってもよい。また、エピタキシャル層８１の導電
型と高濃度層８３の導電型も同一のものであったが、異
なるものであってもよい。

〔発明の効果〕

以上述べたように、本発明を採用することにより、従来
法よりも比較的低い温度の加熱処理で所望の強固な接合
強度をもつ基板を得ることができるという優れた効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明第１実施例を示す工程図
、第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明第２実施例を示す工程
図、第３図（ａ）は本発明第１実施例を適用して製造し
た半導体圧力センサの構造を示す断面図、第３図（ｂ）
は本発明第２実施例を適用して製造した半導体式圧力セ
ンサの構造を示す断面図、第４図（ａ）〜（ｄ）は本発
明を適用した薄膜ＳＯト半導体装置の製造方法を示す工
程図、第５図は酸素プラズマ処理を加えたシリコン基板
の表面状態を示す特性図、第６図は本発明による接合基
板の接合強度を示す説明図、第７図（ａ）〜（Ｃ１は従
来方法を説明する工程順構造図である。１０・・・第１半導体基板、１１・・・プラズマ酸化層
。２０・・・第２半導体基板、２１・・・プラズマ酸化層
。２２・・・酸化膜、３０・・・真空系、３１．３２・・
・電極。３３・・・高周波電源、３４・・・ガス導入口、４０・
・・真空系、４１・・・ヒータ、４２・・・直流電源、
４３．４４・・・電極、５０・・・検知部、５２・・・
拡散歪ゲージ。５３・・・保護膜、５６．５７・・・配線電極、６０・
・・台座、６３・・・酸化膜、７０・・・導通孔、８１
・・・エピタキシャル層（ＳＯＩ膜）、９１・・・酸化
膜、９０・・・ｐ型半導体基板。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）２枚の半導体基板の各接合面を鏡面研磨し、各研
磨面をそれぞれ親水化処理し、この親水性とされた接合
面同士を直接密着し、しかる後これを加熱処理して前記
２枚の半導体基板を相互に接合する半導体基板の接着方
法であって、前記研磨面の親水化処理において、前記２枚の半導体基
板のうち少なくとも一方の半導体基板の研磨面の親水化
処理は、この研磨面に酸素イオンあるいは酸素ラジカル
との反応による酸化層を形成させることにより行われる
ものであることを特徴とする半導体基板の接着方法。
（２）前記親水化処理によって前記一方の半導体基板の
研磨面に形成された酸化層の膜厚は、１５Åより大であ
ることを特徴とする請求項１記載の半導体基板の接着方
法。
（３）前記親水化処理前の前記一方の半導体基板におい
て、その接合面と対向する端面には金属配線が施された
半導体素子が形成されていることを特徴とする請求項１
もしくは２に記載の半導体基板の接着方法。
（４）前記密着された２枚の半導体基板に対する加熱処
理は、前記一方の半導体基板の端面に形成された半導体
素子のジッタリンクに相当する熱処理温度で行われるも
のであることを特徴とする請求項３記載の半導体基板の
接着方法。
（５）前記加熱処理時に、前記密着された２枚の半導体
基板の接合面間に電界を印加し、前記接合面間に発生す
る静電力により前記２枚の半導体基板の反りを補償する
ようにしたことを特徴とする請求項１ないし４のいずれ
かに記載の半導体基板の接着方法。