JPH098124A - 絶縁分離基板及びその製造方法 - Google Patents
絶縁分離基板及びその製造方法Info
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- JPH098124A JPH098124A JP7148849A JP14884995A JPH098124A JP H098124 A JPH098124 A JP H098124A JP 7148849 A JP7148849 A JP 7148849A JP 14884995 A JP14884995 A JP 14884995A JP H098124 A JPH098124 A JP H098124A
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- silicon
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- silicon oxide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、素子形成前の絶縁分離基板の反り
量を所望の値に容易に制御可能にすることを特徴とす
る。 【構成】第１シリコン基板３５と第２シリコン基板３６
に、酸化性雰囲気中で熱処理を施して、それぞれ所定の
厚さの酸化膜３７、３８及び３９、４０を形成する。こ
の後、第１シリコン基板３５と第２シリコン基板３６を
密着して、窒素雰囲気中に於いて熱処理を行い、貼り合
わせ基板を作製する。次いで、第１シリコン基板３５の
酸化膜３７側の面を研削して、この研削した面を研磨す
ることにより、所望の膜厚のＳＯＩ層４１を得る。そし
て、上記酸化膜３８、３９から作製された埋込み酸化膜
４２の膜厚と裏面の酸化膜４０の膜厚との膜厚差から、
所望の反り量の絶縁分離基板４３を得ることができる。
量を所望の値に容易に制御可能にすることを特徴とす
る。 【構成】第１シリコン基板３５と第２シリコン基板３６
に、酸化性雰囲気中で熱処理を施して、それぞれ所定の
厚さの酸化膜３７、３８及び３９、４０を形成する。こ
の後、第１シリコン基板３５と第２シリコン基板３６を
密着して、窒素雰囲気中に於いて熱処理を行い、貼り合
わせ基板を作製する。次いで、第１シリコン基板３５の
酸化膜３７側の面を研削して、この研削した面を研磨す
ることにより、所望の膜厚のＳＯＩ層４１を得る。そし
て、上記酸化膜３８、３９から作製された埋込み酸化膜
４２の膜厚と裏面の酸化膜４０の膜厚との膜厚差から、
所望の反り量の絶縁分離基板４３を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はウェハ貼り合わせ法で
作製する絶縁分離基板及びその製造方法に関し、より詳
細には基板の反りを容易に制御可能なウェハ貼り合わせ
法で作製する絶縁分離基板及びその製造方法に関するも
のである。
作製する絶縁分離基板及びその製造方法に関し、より詳
細には基板の反りを容易に制御可能なウェハ貼り合わせ
法で作製する絶縁分離基板及びその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、絶縁分離基板の製造方法として
は、図７に示されるような工程による製造方法が知られ
ている。すなわち、第１シリコン基板１と第２シリコン
基板２の２つのシリコン基板を酸化性雰囲気中で熱酸化
することで、第１シリコン基板１に酸化膜３、４を、第
２シリコン基板２に酸化膜５、６を、それぞれ形成する
（図７（ａ））。その後、第１シリコン基板１と第２シ
リコン基板２を貼り合わせ（図７（ｂ））、一方の基板
側、この場合第１のシリコン基板１側から所定の厚さま
で研磨することによって、ＳＯＩ（Silicon On Insulat
or）層７とする（図７（ｃ））ものである。尚、図７に
於いて、８は酸化膜、９は絶縁分離基板である。
は、図７に示されるような工程による製造方法が知られ
ている。すなわち、第１シリコン基板１と第２シリコン
基板２の２つのシリコン基板を酸化性雰囲気中で熱酸化
することで、第１シリコン基板１に酸化膜３、４を、第
２シリコン基板２に酸化膜５、６を、それぞれ形成する
（図７（ａ））。その後、第１シリコン基板１と第２シ
リコン基板２を貼り合わせ（図７（ｂ））、一方の基板
側、この場合第１のシリコン基板１側から所定の厚さま
で研磨することによって、ＳＯＩ（Silicon On Insulat
or）層７とする（図７（ｃ））ものである。尚、図７に
於いて、８は酸化膜、９は絶縁分離基板である。
【０００３】しかしこの方法では、シリコンと酸化膜と
の間に熱収縮率の差が生じ、基板の反りが発生するとい
う課題を有していた。この基板の反りを低減する方法
が、例えば特開平１−１８１４３８号公報や特開平１−
３０２７４０号公報等に記載されている。
の間に熱収縮率の差が生じ、基板の反りが発生するとい
う課題を有していた。この基板の反りを低減する方法
が、例えば特開平１−１８１４３８号公報や特開平１−
３０２７４０号公報等に記載されている。
【０００４】上記特開平１−１８１４３８号公報による
技術は、シリコンと酸化膜との界面の差を利用して、反
りを低減（−５〜＋５μｍで平均０）することができる
というものである。
技術は、シリコンと酸化膜との界面の差を利用して、反
りを低減（−５〜＋５μｍで平均０）することができる
というものである。
【０００５】また、上記特開平１−３０２７４０号公報
には、間に第１の絶縁膜を挟んで接着により一体化され
た第１の半導体層と、この第１の半導体層より厚い第２
の半導体層とから成る誘電体分離基板に於いて、上記第
２の半導体層の裏面に絶縁膜と、この絶縁膜を覆う保護
層を設けることにより、反りを低減する技術が記載され
ている。
には、間に第１の絶縁膜を挟んで接着により一体化され
た第１の半導体層と、この第１の半導体層より厚い第２
の半導体層とから成る誘電体分離基板に於いて、上記第
２の半導体層の裏面に絶縁膜と、この絶縁膜を覆う保護
層を設けることにより、反りを低減する技術が記載され
ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし絶縁分離基板の
反り量は必ずしも０（反りのない状態）にすれば良いと
いうものではなく、後工程である素子形成工程に於いて
反りが問題とならない値にしておかなければならない。
つまり、素子形成工程では、基板の表側の面だけに、ま
たは裏側の面だけに、酸化膜、多結晶シリコン膜、或い
は窒化膜等の熱膨脹係数がシリコンとは異なる膜が、そ
の全面、或いは部分的に形成されることで残留応力が発
生し、工程毎に基板の反り量は逐次変化する。
反り量は必ずしも０（反りのない状態）にすれば良いと
いうものではなく、後工程である素子形成工程に於いて
反りが問題とならない値にしておかなければならない。
つまり、素子形成工程では、基板の表側の面だけに、ま
たは裏側の面だけに、酸化膜、多結晶シリコン膜、或い
は窒化膜等の熱膨脹係数がシリコンとは異なる膜が、そ
の全面、或いは部分的に形成されることで残留応力が発
生し、工程毎に基板の反り量は逐次変化する。
【０００７】例えば、図８に示されるように、ＳＯＩ層
１０の厚みが１０μｍ、埋設された酸化シリコン膜１１
の膜厚が１μｍ、基板１２の裏面の酸化シリコン膜１３
の膜厚が０．６μｍの絶縁分離基板は、直径１５０ｍ
ｍ、厚さ６２０μｍを有し、ＳＯＩ層１０側に凸状に３
４μｍの反りであった（図８（ａ））。そして、この基
板に、素子を絶縁分離するための溝１４及び溝側壁の酸
化膜１５を形成後、多結晶シリコン１６で溝１４を埋設
し（図８（ｂ））、ＳＯＩ層１０上の酸化膜、多結晶シ
リコンを除去し、溝部を平坦化した状態（図８（ｃ））
で基板の反りの変化を調べたところ、ＳＯＩ層１０側に
凹状に１６０μｍの反りとなった。この反りの変化は、
溝埋設のための多結晶シリコンが、ＬＰＣＶＤで堆積さ
れることによって裏面にも形成されるため、この裏面の
多結晶シリコン１６′（膜厚４．５μｍ）が基板を大き
く反らすことによる。
１０の厚みが１０μｍ、埋設された酸化シリコン膜１１
の膜厚が１μｍ、基板１２の裏面の酸化シリコン膜１３
の膜厚が０．６μｍの絶縁分離基板は、直径１５０ｍ
ｍ、厚さ６２０μｍを有し、ＳＯＩ層１０側に凸状に３
４μｍの反りであった（図８（ａ））。そして、この基
板に、素子を絶縁分離するための溝１４及び溝側壁の酸
化膜１５を形成後、多結晶シリコン１６で溝１４を埋設
し（図８（ｂ））、ＳＯＩ層１０上の酸化膜、多結晶シ
リコンを除去し、溝部を平坦化した状態（図８（ｃ））
で基板の反りの変化を調べたところ、ＳＯＩ層１０側に
凹状に１６０μｍの反りとなった。この反りの変化は、
溝埋設のための多結晶シリコンが、ＬＰＣＶＤで堆積さ
れることによって裏面にも形成されるため、この裏面の
多結晶シリコン１６′（膜厚４．５μｍ）が基板を大き
く反らすことによる。
【０００８】このように反りが大きくなると、真空吸着
でも基板を矯正することができなくなる。すると、フォ
ト工程の露光（転写）等で問題となり、微細加工ができ
なくなるという問題が生じる。
でも基板を矯正することができなくなる。すると、フォ
ト工程の露光（転写）等で問題となり、微細加工ができ
なくなるという問題が生じる。
【０００９】また、反りが真空吸着による矯正ができた
としても、矯正しているときには大きな応力が基板にか
かっていることになり、これにより結晶欠陥の発生、ま
たは基板が割れる危険性がある。したがって、最大に基
板が反った場合でも、上記のような問題が生じないよう
に、図８（ａ）に示されるような、貼り合わせ、研磨工
程後の時点で基板の反り量を予め所定値に制御しておく
こと、上記の例では研磨工程後の時点で、基板の反り量
をＳＯＩ層側に更に凸状態にしておくことが望ましい。
としても、矯正しているときには大きな応力が基板にか
かっていることになり、これにより結晶欠陥の発生、ま
たは基板が割れる危険性がある。したがって、最大に基
板が反った場合でも、上記のような問題が生じないよう
に、図８（ａ）に示されるような、貼り合わせ、研磨工
程後の時点で基板の反り量を予め所定値に制御しておく
こと、上記の例では研磨工程後の時点で、基板の反り量
をＳＯＩ層側に更に凸状態にしておくことが望ましい。
【００１０】この発明は以上のような課題に着目してな
されたもので、素子形成前の絶縁分離基板の反り量を所
望の値に容易に制御可能な絶縁分離基板及びその製造方
法を提供することを目的とする。
されたもので、素子形成前の絶縁分離基板の反り量を所
望の値に容易に制御可能な絶縁分離基板及びその製造方
法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】すなわち、この発明によ
る絶縁分離基板は、少なくとも一方の面に酸化シリコン
膜が形成された第１シリコン基板と、上記酸化シリコン
膜が形成された面で上記第１シリコン基板と貼り合わさ
れるもので、その一方の面及び他方の面に酸化シリコン
膜が形成された第２シリコン基板とを有し、上記第１シ
リコン基板を所定の厚みまで研削、研磨して形成される
絶縁分離基板に於いて、上記第１及び第２シリコン基板
間に埋設された上記酸化シリコン膜の膜厚と、上記第２
のシリコン基板の他方の面に形成された酸化シリコン膜
との膜厚差に基いて、該基板の反り量を制御することを
特徴とする。
る絶縁分離基板は、少なくとも一方の面に酸化シリコン
膜が形成された第１シリコン基板と、上記酸化シリコン
膜が形成された面で上記第１シリコン基板と貼り合わさ
れるもので、その一方の面及び他方の面に酸化シリコン
膜が形成された第２シリコン基板とを有し、上記第１シ
リコン基板を所定の厚みまで研削、研磨して形成される
絶縁分離基板に於いて、上記第１及び第２シリコン基板
間に埋設された上記酸化シリコン膜の膜厚と、上記第２
のシリコン基板の他方の面に形成された酸化シリコン膜
との膜厚差に基いて、該基板の反り量を制御することを
特徴とする。
【００１２】またこの発明による絶縁分離基板の製造方
法にあっては、第１シリコン基板の少なくとも一方の面
に、研磨後の基板が所望の反り量となるべく膜厚の酸化
シリコン膜を形成する第１工程と、上記第１シリコン基
板に貼り合わされる第２シリコン基板の一方及び他方の
面に酸化シリコン膜を酸化性雰囲気中で熱処理を施して
形成する第２工程と、上記第１シリコン基板の酸化シリ
コン膜を形成した面と、上記第２シリコン基板の酸化シ
リコン膜が形成された面を洗浄、乾燥した後に密着させ
る第３工程と、上記密着された第１及び第２シリコン基
板を不活性ガス雰囲気中で熱処理を施して貼り合わせ基
板を形成する第４工程と、上記貼り合わせ基板のうち上
記第１シリコン基板の他方の面を研削、研磨する第５工
程とを具備し、上記第１工程は、上記第１シリコン基板
に形成する酸化シリコン膜の膜厚を制御して、該基板の
反り量を制御することを特徴とする。
法にあっては、第１シリコン基板の少なくとも一方の面
に、研磨後の基板が所望の反り量となるべく膜厚の酸化
シリコン膜を形成する第１工程と、上記第１シリコン基
板に貼り合わされる第２シリコン基板の一方及び他方の
面に酸化シリコン膜を酸化性雰囲気中で熱処理を施して
形成する第２工程と、上記第１シリコン基板の酸化シリ
コン膜を形成した面と、上記第２シリコン基板の酸化シ
リコン膜が形成された面を洗浄、乾燥した後に密着させ
る第３工程と、上記密着された第１及び第２シリコン基
板を不活性ガス雰囲気中で熱処理を施して貼り合わせ基
板を形成する第４工程と、上記貼り合わせ基板のうち上
記第１シリコン基板の他方の面を研削、研磨する第５工
程とを具備し、上記第１工程は、上記第１シリコン基板
に形成する酸化シリコン膜の膜厚を制御して、該基板の
反り量を制御することを特徴とする。
【００１３】更にこの発明による絶縁分離基板の製造方
法では、第１シリコン基板の少なくとも一方の面及びこ
の第１シリコン基板に貼り合わされるべく第２シリコン
基板の一方及び他方の面に、酸化シリコン膜を形成する
第１工程と、上記第１シリコン基板の酸化シリコン膜を
形成した面と、上記第２シリコン基板の酸化シリコン膜
が形成された面を洗浄、乾燥した後に密着させる第２工
程と、上記密着された第１及び第２シリコン基板を酸化
性雰囲気中で熱処理を施して貼り合わせ基板を形成する
第３工程と、上記貼り合わせ基板のうち上記第１シリコ
ン基板の他方の面を研削、研磨する第４工程とを具備
し、上記第３工程は、絶縁分離基板の裏面となるべく第
２シリコン基板の他方の面に形成された酸化シリコン膜
の膜厚を制御して該基板の反り量を制御することを特徴
とする。
法では、第１シリコン基板の少なくとも一方の面及びこ
の第１シリコン基板に貼り合わされるべく第２シリコン
基板の一方及び他方の面に、酸化シリコン膜を形成する
第１工程と、上記第１シリコン基板の酸化シリコン膜を
形成した面と、上記第２シリコン基板の酸化シリコン膜
が形成された面を洗浄、乾燥した後に密着させる第２工
程と、上記密着された第１及び第２シリコン基板を酸化
性雰囲気中で熱処理を施して貼り合わせ基板を形成する
第３工程と、上記貼り合わせ基板のうち上記第１シリコ
ン基板の他方の面を研削、研磨する第４工程とを具備
し、上記第３工程は、絶縁分離基板の裏面となるべく第
２シリコン基板の他方の面に形成された酸化シリコン膜
の膜厚を制御して該基板の反り量を制御することを特徴
とする。
【００１４】
【作用】この発明の絶縁分離基板にあっては、第１シリ
コン基板と第２シリコン基板を酸化シリコン膜を介して
貼り合わせた後、上記第１シリコン基板を所定の厚みま
で研磨することで形成される絶縁分離基板に於いて、こ
の絶縁分離基板に埋設された酸化シリコン膜の膜厚と該
基板裏面の酸化シリコン膜の膜厚差によって、基板のそ
り量を制御することができる。
コン基板と第２シリコン基板を酸化シリコン膜を介して
貼り合わせた後、上記第１シリコン基板を所定の厚みま
で研磨することで形成される絶縁分離基板に於いて、こ
の絶縁分離基板に埋設された酸化シリコン膜の膜厚と該
基板裏面の酸化シリコン膜の膜厚差によって、基板のそ
り量を制御することができる。
【００１５】またこの発明の絶縁分離基板の製造方法に
あっては、絶縁分離基板に埋設された酸化シリコン膜の
膜厚とこの絶縁分離基板裏面の酸化シリコン膜の膜厚差
によって基板のそり量を制御する。そして、この基板の
反り量は、貼り合わせ前に第１シリコン基板に形成する
酸化シリコン膜の膜厚を制御することによって制御する
ことができる。
あっては、絶縁分離基板に埋設された酸化シリコン膜の
膜厚とこの絶縁分離基板裏面の酸化シリコン膜の膜厚差
によって基板のそり量を制御する。そして、この基板の
反り量は、貼り合わせ前に第１シリコン基板に形成する
酸化シリコン膜の膜厚を制御することによって制御する
ことができる。
【００１６】更に、この発明の絶縁分離基板の製造方法
にあっては、絶縁分離基板に埋設された酸化シリコン膜
の膜厚とこの絶縁分離基板裏面の酸化シリコン膜の膜厚
差によって基板のそり量を制御する。そして、第１シリ
コン基板と第２シリコン基板を貼り合わせるための熱処
理工程を酸化性雰囲気で行い、貼り合わせ基板の第２シ
リコン基板側の面に形成する酸化シリコン膜の膜厚を制
御することによって、基板のそり量を制御することがで
きる。
にあっては、絶縁分離基板に埋設された酸化シリコン膜
の膜厚とこの絶縁分離基板裏面の酸化シリコン膜の膜厚
差によって基板のそり量を制御する。そして、第１シリ
コン基板と第２シリコン基板を貼り合わせるための熱処
理工程を酸化性雰囲気で行い、貼り合わせ基板の第２シ
リコン基板側の面に形成する酸化シリコン膜の膜厚を制
御することによって、基板のそり量を制御することがで
きる。
【００１７】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明の実施例を説
明する。基板の反りは、第１基板と第２基板を酸化膜を
介して貼り合わせた後に該第１基板を所定の厚さまで研
磨して得られる基板に於いては埋込み酸化膜と、該第２
基板裏面の酸化膜との相関により生じる。そこで始め
に、基板の反りと、埋込み酸化膜及び基板裏面の酸化膜
との関係について調べた結果を、図２及び図３を参照し
て説明する。
明する。基板の反りは、第１基板と第２基板を酸化膜を
介して貼り合わせた後に該第１基板を所定の厚さまで研
磨して得られる基板に於いては埋込み酸化膜と、該第２
基板裏面の酸化膜との相関により生じる。そこで始め
に、基板の反りと、埋込み酸化膜及び基板裏面の酸化膜
との関係について調べた結果を、図２及び図３を参照し
て説明する。
【００１８】先ず、上記関係を調べるべく絶縁分離基板
は、図２（ａ）に示されるように、第１基板２１に０．
１５μｍの酸化膜２３、２４を、第２基板２２に２μｍ
の酸化膜２５、２６を、それぞれ酸化性雰囲気中で熱処
理することで形成した後、図２（ｂ）に示されるように
上記第１基板２１と第２基板２２とを貼り合わせて、図
２（ｃ）に示されるように研削、研磨を行うことによっ
て作製した。上記絶縁分離基板のＳＯＩ層２９の厚さは
１０μｍ、埋込み酸化膜３０の厚さは２．１５μｍであ
る。また、上記基板の直径は１５０ｍｍ、研磨後の厚み
は６２０μｍである。
は、図２（ａ）に示されるように、第１基板２１に０．
１５μｍの酸化膜２３、２４を、第２基板２２に２μｍ
の酸化膜２５、２６を、それぞれ酸化性雰囲気中で熱処
理することで形成した後、図２（ｂ）に示されるように
上記第１基板２１と第２基板２２とを貼り合わせて、図
２（ｃ）に示されるように研削、研磨を行うことによっ
て作製した。上記絶縁分離基板のＳＯＩ層２９の厚さは
１０μｍ、埋込み酸化膜３０の厚さは２．１５μｍであ
る。また、上記基板の直径は１５０ｍｍ、研磨後の厚み
は６２０μｍである。
【００１９】このようにして作製される絶縁分離基板の
貼り合わせ前の処理として、Ｈ2 ＳＯ4 ：Ｈ2 Ｏ2 ＝
４：１の混合液による洗浄及び純水洗浄を順次施した
後、スピン乾燥で基板表面に吸着する水分量を制御し
て、第１、第２の基板２１、２２を密着させる。これに
より、第１、第２の２枚の基板２１、２２は、それぞれ
の表面に形成されたシラノール基及び表面に吸着した水
分子の水素結合によって接着される。
貼り合わせ前の処理として、Ｈ2 ＳＯ4 ：Ｈ2 Ｏ2 ＝
４：１の混合液による洗浄及び純水洗浄を順次施した
後、スピン乾燥で基板表面に吸着する水分量を制御し
て、第１、第２の基板２１、２２を密着させる。これに
より、第１、第２の２枚の基板２１、２２は、それぞれ
の表面に形成されたシラノール基及び表面に吸着した水
分子の水素結合によって接着される。
【００２０】この後、接着した第１、第２の基板２１、
２２を、不活性ガスである窒素雰囲気中で１１００℃、
１時間の熱処理を行うことで、接着面で脱水縮合反応を
生じさせ、２枚の基板２１、２２を直接接合させて一体
化させる。これにより、貼り合わせ基板２７を形成す
る。
２２を、不活性ガスである窒素雰囲気中で１１００℃、
１時間の熱処理を行うことで、接着面で脱水縮合反応を
生じさせ、２枚の基板２１、２２を直接接合させて一体
化させる。これにより、貼り合わせ基板２７を形成す
る。
【００２１】次に、第１基板２１の他方の面２８、すな
わち第２の基板と接していない方の面を研削及び研磨す
ることで、上述したように、ＳＯＩ層２９を得て、厚み
を１０μｍとする。この場合、埋込み酸化膜３０の膜厚
は２．１５μｍ、裏面の酸化膜２６の膜厚は２μｍとな
る。
わち第２の基板と接していない方の面を研削及び研磨す
ることで、上述したように、ＳＯＩ層２９を得て、厚み
を１０μｍとする。この場合、埋込み酸化膜３０の膜厚
は２．１５μｍ、裏面の酸化膜２６の膜厚は２μｍとな
る。
【００２２】以上の方法により、４つの基板を作製し、
これら４つの基板について反りを測定した後、裏面の酸
化膜を弗酸水溶液でエッチングすることで、２．０μｍ
から１．５μｍ、１．０μｍ、０．５μｍ、そして０μ
ｍと順次膜厚を薄くして反りとの対応を調べた。
これら４つの基板について反りを測定した後、裏面の酸
化膜を弗酸水溶液でエッチングすることで、２．０μｍ
から１．５μｍ、１．０μｍ、０．５μｍ、そして０μ
ｍと順次膜厚を薄くして反りとの対応を調べた。
【００２３】その結果、基板の反りと該基板裏面の酸化
膜厚との関係は、図３（ａ）にて黒丸で示されるように
なる。この場合、反りの方向は、全て第１基板２１側
（ＳＯＩ層２９側）に凸状となる。
膜厚との関係は、図３（ａ）にて黒丸で示されるように
なる。この場合、反りの方向は、全て第１基板２１側
（ＳＯＩ層２９側）に凸状となる。
【００２４】ここで、埋込み酸化膜の膜厚を一定にした
場合、基板の反りと基板裏面の酸化膜厚とは、ほぼ正比
例の関係にあることがわかる。図３（ａ）からもわかる
ように、基板裏面の酸化膜厚が埋込み酸化膜厚（この場
合は２．１５μｍ）に近付くにつれて、反りは０に近付
く。このことは、埋込み酸化膜厚を２．１５μｍと固定
していることから、基板裏面の酸化膜と埋込み酸化膜と
の膜厚差（以下、単に膜厚差と略記する）と該基板の反
りが、比例関係にあるともいえる。
場合、基板の反りと基板裏面の酸化膜厚とは、ほぼ正比
例の関係にあることがわかる。図３（ａ）からもわかる
ように、基板裏面の酸化膜厚が埋込み酸化膜厚（この場
合は２．１５μｍ）に近付くにつれて、反りは０に近付
く。このことは、埋込み酸化膜厚を２．１５μｍと固定
していることから、基板裏面の酸化膜と埋込み酸化膜と
の膜厚差（以下、単に膜厚差と略記する）と該基板の反
りが、比例関係にあるともいえる。
【００２５】この膜厚差と反りとの比例関係を確認する
ため、基板裏面の酸化膜及び埋込み酸化膜の膜厚を、図
３（ｂ）に示される番号１〜７の、任意に設定した基板
の反りを調べた。図３（ａ）に示された×印は、上記膜
厚差と反りとの関係を表したもので、上記番号１〜７の
基板は、ほぼ上記比例関係を表す比例直線上に現れる。
ＳＯＩ層の厚みが異なっているが、この程度の範囲内で
あれば、反り量に与える影響は少ない。尚、ばらつき
は、貼り合わせ前の第２基板の反り状態にもよる。
ため、基板裏面の酸化膜及び埋込み酸化膜の膜厚を、図
３（ｂ）に示される番号１〜７の、任意に設定した基板
の反りを調べた。図３（ａ）に示された×印は、上記膜
厚差と反りとの関係を表したもので、上記番号１〜７の
基板は、ほぼ上記比例関係を表す比例直線上に現れる。
ＳＯＩ層の厚みが異なっているが、この程度の範囲内で
あれば、反り量に与える影響は少ない。尚、ばらつき
は、貼り合わせ前の第２基板の反り状態にもよる。
【００２６】以上のように、基板の厚みと直径が等しい
場合は、膜厚差と反り量とが比例関係にあることから、
基板の反り量の制御は、この膜厚差を調節することで可
能となることがわかる。
場合は、膜厚差と反り量とが比例関係にあることから、
基板の反り量の制御は、この膜厚差を調節することで可
能となることがわかる。
【００２７】また、図４（ａ）〜（ｃ）に示されるよう
に、酸化性雰囲気中で熱処理することにより、第１シリ
コン基板３１に膜厚ｔ1 、第２シリコン基板３２に膜厚
ｔ2の酸化膜をそれぞれ形成した後密着し、そして接合
の熱処理を窒素等の不活性ガス雰囲気中で行う場合で
は、絶縁分離基板３３の埋込み酸化膜３４の膜厚は（ｔ
1 ＋ｔ2 ）、裏面の酸化膜３５の膜厚はｔ2 となり、膜
厚差は第１シリコン基板３１に形成する酸化膜の膜厚ｔ
1 に等しくなる。
に、酸化性雰囲気中で熱処理することにより、第１シリ
コン基板３１に膜厚ｔ1 、第２シリコン基板３２に膜厚
ｔ2の酸化膜をそれぞれ形成した後密着し、そして接合
の熱処理を窒素等の不活性ガス雰囲気中で行う場合で
は、絶縁分離基板３３の埋込み酸化膜３４の膜厚は（ｔ
1 ＋ｔ2 ）、裏面の酸化膜３５の膜厚はｔ2 となり、膜
厚差は第１シリコン基板３１に形成する酸化膜の膜厚ｔ
1 に等しくなる。
【００２８】したがって、第１シリコン基板に形成する
酸化膜の膜厚ｔ1 を制御することによって、絶縁分離基
板の反り量を制御することが可能となる。上記の結果か
ら、直径１５０ｍｍ、厚み６２０μｍを有する絶縁分離
基板の場合は、 反り量（μｍ）＝７１×ｔ1 ＋４（μｍ） …（１） の関係式が成立する。
酸化膜の膜厚ｔ1 を制御することによって、絶縁分離基
板の反り量を制御することが可能となる。上記の結果か
ら、直径１５０ｍｍ、厚み６２０μｍを有する絶縁分離
基板の場合は、 反り量（μｍ）＝７１×ｔ1 ＋４（μｍ） …（１） の関係式が成立する。
【００２９】次に、図１を参照して、この発明の第１の
実施例を説明する。ここでは、例えば、埋込み酸化膜の
厚さ２．０μｍ、ＳＯＩ層の厚さ１０μｍ、基板サイズ
は直径１５０ｍｍ、基板厚さが６２０μｍの絶縁分離基
板について、反り量がＳＯＩ層側に凸の状態で２０μｍ
に制御する場合を説明する。
実施例を説明する。ここでは、例えば、埋込み酸化膜の
厚さ２．０μｍ、ＳＯＩ層の厚さ１０μｍ、基板サイズ
は直径１５０ｍｍ、基板厚さが６２０μｍの絶縁分離基
板について、反り量がＳＯＩ層側に凸の状態で２０μｍ
に制御する場合を説明する。
【００３０】第１の実施例による、貼り合わせ前の絶縁
分離基板は、図１（ａ）に示されるように、第１シリコ
ン基板３５と第２シリコン基板３６を有して、第１シリ
コン基板３５には酸化膜３７、３８が、第２シリコン基
板３６には酸化膜３９、４０が形成される。これらの酸
化膜は、次のようにして形成される。
分離基板は、図１（ａ）に示されるように、第１シリコ
ン基板３５と第２シリコン基板３６を有して、第１シリ
コン基板３５には酸化膜３７、３８が、第２シリコン基
板３６には酸化膜３９、４０が形成される。これらの酸
化膜は、次のようにして形成される。
【００３１】反り量をＳＯＩ層側に凸の状態で２０μｍ
にするためには、上述したように、膜厚差を規定すれば
よい。すなわち、第１シリコン基板３５に形成する酸化
膜厚を、図３（ａ）（上記関係式（１））から０．２３
μｍにすればよい。したがって、図１（ａ）に示される
ように、第１シリコン基板３５に、例えばドライＯ2、
ウエットＯ2 、或いはＨ2 ／Ｏ2 混合燃焼気体中等の酸
化性雰囲気中で熱処理を施して、膜厚０．２３μｍの酸
化膜３８を形成する。また、第２シリコン基板３６に
は、同様に酸化性雰囲気で熱処理を施すことにより、膜
厚１．７７μｍの酸化膜３９、４０を形成する。
にするためには、上述したように、膜厚差を規定すれば
よい。すなわち、第１シリコン基板３５に形成する酸化
膜厚を、図３（ａ）（上記関係式（１））から０．２３
μｍにすればよい。したがって、図１（ａ）に示される
ように、第１シリコン基板３５に、例えばドライＯ2、
ウエットＯ2 、或いはＨ2 ／Ｏ2 混合燃焼気体中等の酸
化性雰囲気中で熱処理を施して、膜厚０．２３μｍの酸
化膜３８を形成する。また、第２シリコン基板３６に
は、同様に酸化性雰囲気で熱処理を施すことにより、膜
厚１．７７μｍの酸化膜３９、４０を形成する。
【００３２】この後、図１（ｂ）に示されるように、第
１シリコン基板３５と第２シリコン基板３６を密着し
て、窒素雰囲気中に於いて、例えば１１００℃で１時間
の熱処理を行う。次いで、図１（ｃ）に示されるよう
に、第１シリコン基板３５の他方の面（酸化膜３７側）
を研削して、この研削した面を研磨することにより、膜
厚１０μｍのＳＯＩ層４１を得る。
１シリコン基板３５と第２シリコン基板３６を密着し
て、窒素雰囲気中に於いて、例えば１１００℃で１時間
の熱処理を行う。次いで、図１（ｃ）に示されるよう
に、第１シリコン基板３５の他方の面（酸化膜３７側）
を研削して、この研削した面を研磨することにより、膜
厚１０μｍのＳＯＩ層４１を得る。
【００３３】これにより、埋込み酸化膜４２の膜厚２μ
ｍ、裏面の酸化膜４０の膜厚１．７７μｍ、膜厚差０．
２３μｍで反り量がＳＯＩ層側に凸状で２０μｍの絶縁
分離基板４３を得ることができる。
ｍ、裏面の酸化膜４０の膜厚１．７７μｍ、膜厚差０．
２３μｍで反り量がＳＯＩ層側に凸状で２０μｍの絶縁
分離基板４３を得ることができる。
【００３４】次に、この発明の第２の実施例について説
明する。図５は、上述した第１の実施例と同じく、埋込
み酸化膜の膜厚２．０μｍ、ＳＯＩ層の厚み１０μｍの
絶縁分離基板について、反り量をＳＯＩ層側に凸の状態
で２０μｍに制御する場合について示したものである。
明する。図５は、上述した第１の実施例と同じく、埋込
み酸化膜の膜厚２．０μｍ、ＳＯＩ層の厚み１０μｍの
絶縁分離基板について、反り量をＳＯＩ層側に凸の状態
で２０μｍに制御する場合について示したものである。
【００３５】図５（ａ）に示されるように、第１シリコ
ン基板４５及び第２シリコン基板４６を酸化性雰囲気中
で熱処理を施すことにより、第１及び第２シリコン基板
４５及び４６にそれぞれ１μｍの酸化膜４７、４８及び
４９、５０を形成する。
ン基板４５及び第２シリコン基板４６を酸化性雰囲気中
で熱処理を施すことにより、第１及び第２シリコン基板
４５及び４６にそれぞれ１μｍの酸化膜４７、４８及び
４９、５０を形成する。
【００３６】次に、図５（ｂ）に示されるように、第１
シリコン基板４５と第２シリコン基板４６とを密着させ
る。次いで、第１シリコン基板４５と第２シリコン基板
４６を直接接合をさせるための熱処理を行う。この熱処
理は、酸化性雰囲気中で行うことで、絶縁分離基板の裏
面となるべく第２シリコン基板４６の他方の面の酸化膜
５０の酸化膜厚を増大させることにより、膜厚差を調節
して基板の反りの制御を行う。この第２の実施例に於い
ては、裏面の酸化膜５０の膜厚１μｍを１．７７μｍと
する条件で熱酸化を行う。
シリコン基板４５と第２シリコン基板４６とを密着させ
る。次いで、第１シリコン基板４５と第２シリコン基板
４６を直接接合をさせるための熱処理を行う。この熱処
理は、酸化性雰囲気中で行うことで、絶縁分離基板の裏
面となるべく第２シリコン基板４６の他方の面の酸化膜
５０の酸化膜厚を増大させることにより、膜厚差を調節
して基板の反りの制御を行う。この第２の実施例に於い
ては、裏面の酸化膜５０の膜厚１μｍを１．７７μｍと
する条件で熱酸化を行う。
【００３７】この後、図５（ｃ）に示されるように、上
述した第１の実施例と同様に、第１シリコン基板４５の
他方の面（酸化膜４７′側）を研削する。次いで、この
研削した面を研磨することにより、１０μｍのＳＯＩ層
５１を得る。
述した第１の実施例と同様に、第１シリコン基板４５の
他方の面（酸化膜４７′側）を研削する。次いで、この
研削した面を研磨することにより、１０μｍのＳＯＩ層
５１を得る。
【００３８】このようにして、埋込み酸化膜５２の膜厚
２μｍ、裏面の酸化膜５０′の膜厚１．７７μｍ、膜厚
差０．２３μｍで、反りがＳＯＩ層５１側に凸状で２０
μｍの絶縁分離基板５３を得ることができる。
２μｍ、裏面の酸化膜５０′の膜厚１．７７μｍ、膜厚
差０．２３μｍで、反りがＳＯＩ層５１側に凸状で２０
μｍの絶縁分離基板５３を得ることができる。
【００３９】ところで、上述した実施例のように、埋込
み酸化膜の厚さが２μｍ以上と厚く、しかも反り量をＳ
ＯＩ層側に凸、或いは凹の状態で２０μｍ以下に小さく
したい場合は、裏面の酸化膜厚も厚く（１．７７μｍ以
上）する必要がある。このため、第１の実施例の作製方
法を用いるか、或いは第２の実施例の第２シリコン基板
の貼り合わせ前の酸化膜厚をなるべく厚くする、すなわ
ち埋込み酸化膜厚に近くしておくことで作製することが
望ましい。
み酸化膜の厚さが２μｍ以上と厚く、しかも反り量をＳ
ＯＩ層側に凸、或いは凹の状態で２０μｍ以下に小さく
したい場合は、裏面の酸化膜厚も厚く（１．７７μｍ以
上）する必要がある。このため、第１の実施例の作製方
法を用いるか、或いは第２の実施例の第２シリコン基板
の貼り合わせ前の酸化膜厚をなるべく厚くする、すなわ
ち埋込み酸化膜厚に近くしておくことで作製することが
望ましい。
【００４０】後者については、接合のための熱処理を短
時間で行うことで、活性層となる第１シリコン基板の熱
負荷を低減することができ、結晶欠陥の発生等を抑える
ことができる。
時間で行うことで、活性層となる第１シリコン基板の熱
負荷を低減することができ、結晶欠陥の発生等を抑える
ことができる。
【００４１】また、上述した第１及び第２の実施例で
は、ＳＯＩ層側に凸状態に反らせる制御の例について説
明したが、図３からも明らかなように、裏面の酸化膜を
埋込み酸化膜よりも厚くすることで、その膜厚差によっ
て同様にＳＯＩ層側に凹状態で反り量を制御することも
できる。
は、ＳＯＩ層側に凸状態に反らせる制御の例について説
明したが、図３からも明らかなように、裏面の酸化膜を
埋込み酸化膜よりも厚くすることで、その膜厚差によっ
て同様にＳＯＩ層側に凹状態で反り量を制御することも
できる。
【００４２】図６は、第３の実施例として、埋込み酸化
膜の膜厚２．０μｍ、ＳＯＩ層の厚み１０μｍの絶縁分
離基板について、反り量をＳＯＩ層側に凹の状態で２０
μｍに制御する場合について示したものである。
膜の膜厚２．０μｍ、ＳＯＩ層の厚み１０μｍの絶縁分
離基板について、反り量をＳＯＩ層側に凹の状態で２０
μｍに制御する場合について示したものである。
【００４３】反り量をＳＯＩ層側に凹の状態で２０μ
ｍ、すなわち反り量を−２０μｍにするためには、上記
関係式（１）から、膜厚差は−０．３４μｍとしなけれ
ばならない。
ｍ、すなわち反り量を−２０μｍにするためには、上記
関係式（１）から、膜厚差は−０．３４μｍとしなけれ
ばならない。
【００４４】したがって、図６（ａ）に示されるよう
に、例えば第１シリコン基板６５に膜厚０．２μｍの酸
化膜６７、６８を、第２シリコン基板６６に膜厚１．８
μｍの酸化膜６９、７０を、酸化性雰囲気中で熱処理を
施すことによって形成する。
に、例えば第１シリコン基板６５に膜厚０．２μｍの酸
化膜６７、６８を、第２シリコン基板６６に膜厚１．８
μｍの酸化膜６９、７０を、酸化性雰囲気中で熱処理を
施すことによって形成する。
【００４５】次いで、図６（ｂ）に示されるように、第
１シリコン基板６５と第２シリコン基板６６を密着させ
る。次に、この状態で、上記第１シリコン基板６５と第
２シリコン基板６６を直接接合をさせるための熱処理を
行う。この熱処理を酸化性雰囲気中で行うことで、第２
シリコン基板６６の他方の面（絶縁分離基板の裏面）の
酸化膜７０の酸化膜厚を増大させて、１．８μｍから
２．３４μｍとする。
１シリコン基板６５と第２シリコン基板６６を密着させ
る。次に、この状態で、上記第１シリコン基板６５と第
２シリコン基板６６を直接接合をさせるための熱処理を
行う。この熱処理を酸化性雰囲気中で行うことで、第２
シリコン基板６６の他方の面（絶縁分離基板の裏面）の
酸化膜７０の酸化膜厚を増大させて、１．８μｍから
２．３４μｍとする。
【００４６】この後、図６（ｃ）に示されるように、第
１シリコン基板６５の他方の面（酸化膜６７′側）を研
削する。次いで、この研削した面を研磨することによ
り、１０μｍのＳＯＩ層７１を得る。
１シリコン基板６５の他方の面（酸化膜６７′側）を研
削する。次いで、この研削した面を研磨することによ
り、１０μｍのＳＯＩ層７１を得る。
【００４７】これにより、埋込み酸化膜７２の膜厚２μ
ｍ、裏面の酸化膜７０′の膜厚２．３４μｍ、膜厚差−
０．３４μｍとなって、絶縁分離基板７３の反りはＳＯ
Ｉ層７１側に凹状で２０μｍとなる。
ｍ、裏面の酸化膜７０′の膜厚２．３４μｍ、膜厚差−
０．３４μｍとなって、絶縁分離基板７３の反りはＳＯ
Ｉ層７１側に凹状で２０μｍとなる。
【００４８】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、素子形
成前の絶縁分離基板の反り量を所望の値に容易に制御可
能な絶縁分離基板及びその製造方法を提供することがで
きる。
成前の絶縁分離基板の反り量を所望の値に容易に制御可
能な絶縁分離基板及びその製造方法を提供することがで
きる。
【図１】この発明の第１の実施例を説明するもので、絶
縁分離基板の製造工程を示した図である。
縁分離基板の製造工程を示した図である。
【図２】絶縁分離基板の反りと、埋込み酸化膜及び基板
裏面の酸化膜との関係を説明するもので、該絶縁分離基
板の製造工程を示した図である。
裏面の酸化膜との関係を説明するもので、該絶縁分離基
板の製造工程を示した図である。
【図３】絶縁分離基板の反りと、埋込み酸化膜及び基板
裏面の酸化膜との関係を説明するもので、（ａ）は該絶
縁分離基板の膜厚差と反り量の関係を示した図、（ｂ）
は基板裏面の酸化膜及び埋込み酸化膜の膜厚をパラメー
タとした基板を表した図である。
裏面の酸化膜との関係を説明するもので、（ａ）は該絶
縁分離基板の膜厚差と反り量の関係を示した図、（ｂ）
は基板裏面の酸化膜及び埋込み酸化膜の膜厚をパラメー
タとした基板を表した図である。
【図４】第１の実施例による絶縁分離基板の反りの制御
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図５】この発明の第２の実施例を説明するもので、絶
縁分離基板の製造工程を示した図である。
縁分離基板の製造工程を示した図である。
【図６】この発明の第３の実施例を説明するもので、絶
縁分離基板の製造工程を示した図である。
縁分離基板の製造工程を示した図である。
【図７】従来の絶縁分離基板の製造工程の一例を示した
図である。
図である。
【図８】従来の絶縁分離基板の製造工程の他の例を示し
た図である。
た図である。
２１…第１基板、２２…第２基板、２３、２４、２５、
２６、３７、３８、３９、４０…酸化膜、２７…貼り合
わせ基板、２８…他方の面、２９、４１…ＳＯＩ層、３
０、４２…埋込み酸化膜、３５…第１シリコン基板、３
６…第２シリコン基板、４３…絶縁分離基板。
２６、３７、３８、３９、４０…酸化膜、２７…貼り合
わせ基板、２８…他方の面、２９、４１…ＳＯＩ層、３
０、４２…埋込み酸化膜、３５…第１シリコン基板、３
６…第２シリコン基板、４３…絶縁分離基板。
Claims (12)
- 【請求項１】 少なくとも一方の面に酸化シリコン膜が
形成された第１シリコン基板と、 上記酸化シリコン膜が形成された面で上記第１シリコン
基板と貼り合わされるもので、その一方の面及び他方の
面に酸化シリコン膜が形成された第２シリコン基板とを
有し、 上記第１シリコン基板を所定の厚みまで研削、研磨して
形成される絶縁分離基板に於いて、 上記第１及び第２シリコン基板間に埋設された上記酸化
シリコン膜の膜厚と、上記第２のシリコン基板の他方の
面に形成された酸化シリコン膜との膜厚差に基いて、該
基板の反り量を制御することを特徴とする絶縁分離基
板。 - 【請求項２】 上記第２シリコン基板は、上記第１シリ
コン基板と貼り合わせる一方の面には酸化シリコン膜は
形成せず、他方の面のみに酸化シリコン膜が形成される
ことを特徴とする請求項１に記載の絶縁分離基板。 - 【請求項３】 上記第１シリコン基板には酸化シリコン
膜は形成せず、上記第２シリコン基板の一方の面及び他
方の面に酸化シリコン膜が形成されることを特徴とする
請求項１に記載の絶縁分離基板。 - 【請求項４】 上記第１シリコン基板及び第２シリコン
基板に形成された酸化シリコン膜の膜厚は、該絶縁分離
基板の直径、厚みによって決定される請求項１乃至３に
記載の絶縁分離基板。 - 【請求項５】 第１シリコン基板の少なくとも一方の面
に、研磨後の基板が所望の反り量となるべく膜厚の酸化
シリコン膜を形成する第１工程と、 上記第１シリコン基板に貼り合わされる第２シリコン基
板の一方及び他方の面に酸化シリコン膜を酸化性雰囲気
中で熱処理を施して形成する第２工程と、 上記第１シリコン基板の酸化シリコン膜を形成した面
と、上記第２シリコン基板の酸化シリコン膜が形成され
た面を洗浄、乾燥した後に密着させる第３工程と、 上記密着された第１及び第２シリコン基板を不活性ガス
雰囲気中で熱処理を施して貼り合わせ基板を形成する第
４工程と、 上記貼り合わせ基板のうち上記第１シリコン基板の他方
の面を研削、研磨する第５工程とを具備し、 上記第１工程は、上記第１シリコン基板に形成する酸化
シリコン膜の膜厚を制御して、該基板の反り量を制御す
ることを特徴とする絶縁分離基板の製造方法。 - 【請求項６】 上記第１工程に於いて、上記第１シリコ
ン基板に形成される酸化シリコン膜は、酸化性雰囲気中
で熱処理を施すことにより形成されるものであることを
特徴とする請求項５に記載の絶縁分離基板の製造方法。 - 【請求項７】 上記第１シリコン基板に形成される酸化
シリコン膜の膜厚は、該絶縁分離基板の直径、厚みによ
って決定される請求項５に記載の絶縁分離基板の製造方
法。 - 【請求項８】 第１シリコン基板の少なくとも一方の面
及びこの第１シリコン基板に貼り合わされるべく第２シ
リコン基板の一方及び他方の面に、酸化シリコン膜を形
成する第１工程と、 上記第１シリコン基板の酸化シリコン膜を形成した面
と、上記第２シリコン基板の酸化シリコン膜が形成され
た一方の面を洗浄、乾燥した後に密着させる第２工程
と、 上記密着された第１及び第２シリコン基板を酸化性雰囲
気中で熱処理を施して貼り合わせ基板を形成する第３工
程と、 上記貼り合わせ基板のうち上記第１シリコン基板の他方
の面を研削、研磨する第４工程とを具備し、 上記第３工程は、絶縁分離基板の裏面となるべく第２シ
リコン基板の他方の面に形成された酸化シリコン膜の膜
厚を制御して該基板の反り量を制御することを特徴とす
る絶縁分離基板の製造方法。 - 【請求項９】 上記第１工程に於いて、上記第１シリコ
ン基板及び第２シリコン基板に形成される酸化シリコン
膜は、酸化性雰囲気中で熱処理を施すことにより形成さ
れるものであることを特徴とする請求項８に記載の絶縁
分離基板の製造方法。 - 【請求項１０】 上記第１工程に於いて、上記第２シリ
コン基板のみに酸化シリコン膜を形成することを特徴と
する請求項８に記載の絶縁分離基板の製造方法。 - 【請求項１１】 上記第１工程に於いて、上記第２シリ
コン基板の一方の面のみに酸化シリコン膜を形成するこ
とを特徴とする請求項８に記載の絶縁分離基板の製造方
法。 - 【請求項１２】 上記第３工程に於いて、上記第２シリ
コン基板の他方の面に形成される酸化シリコン膜の膜厚
は、該絶縁分離基板の直径、厚みによって決定される請
求項８に記載の絶縁分離基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7148849A JPH098124A (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | 絶縁分離基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7148849A JPH098124A (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | 絶縁分離基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH098124A true JPH098124A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15462120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7148849A Pending JPH098124A (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | 絶縁分離基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH098124A (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001093788A (ja) * | 1999-09-21 | 2001-04-06 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 貼り合せｓｏｉウェーハの製造方法 |
| US6614068B1 (en) | 1998-10-28 | 2003-09-02 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | SOI device with reversed stacked capacitor cell and body contact structure and method for fabricating the same |
| JP2004320051A (ja) * | 2004-07-09 | 2004-11-11 | Toppan Printing Co Ltd | ステンシルマスク |
| WO2005027204A1 (ja) * | 2003-09-08 | 2005-03-24 | Sumco Corporation | 貼り合わせウェーハおよびその製造方法 |
| WO2008117509A1 (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-02 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Ｓｏｉウエーハの製造方法 |
| JP2009246389A (ja) * | 2009-07-23 | 2009-10-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2009260369A (ja) * | 2009-07-23 | 2009-11-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| JP2009283974A (ja) * | 2009-08-20 | 2009-12-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US7638805B2 (en) | 1998-09-04 | 2009-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a semiconductor device |
| JP2010016391A (ja) * | 2009-08-20 | 2010-01-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| JP2010153488A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Rohm Co Ltd | Ｓｏｉウエハの製造方法およびｓｏｉウエハ |
| JP2011071193A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Sumco Corp | 貼合せｓｏｉウェーハ及びその製造方法 |
| WO2011158535A1 (ja) * | 2010-06-16 | 2011-12-22 | 住友電気工業株式会社 | 複合基板の製造方法および複合基板 |
| JP2012204810A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Sony Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法。 |
| WO2013046525A1 (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-04 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせｓｏｉウェーハの反りを算出する方法、及び貼り合わせｓｏｉウェーハの製造方法 |
| WO2014091670A1 (ja) * | 2012-12-14 | 2014-06-19 | 信越半導体株式会社 | Ｓｏｉウェーハの製造方法 |
| WO2019012866A1 (ja) * | 2017-07-10 | 2019-01-17 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの製造方法 |
| JP2024062701A (ja) * | 2022-10-25 | 2024-05-10 | 株式会社Sumco | 貼合せｓｏｉウェーハ、および貼合せｓｏｉウェーハの製造方法 |
-
1995
- 1995-06-15 JP JP7148849A patent/JPH098124A/ja active Pending
Cited By (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE42139E1 (en) | 1998-09-04 | 2011-02-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a semiconductor device |
| USRE42097E1 (en) | 1998-09-04 | 2011-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a semiconductor device |
| US7642598B2 (en) | 1998-09-04 | 2010-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a semiconductor device |
| US7638805B2 (en) | 1998-09-04 | 2009-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a semiconductor device |
| USRE42241E1 (en) | 1998-09-04 | 2011-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a semiconductor device |
| US9070604B2 (en) | 1998-09-04 | 2015-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a semiconductor device |
| US6614068B1 (en) | 1998-10-28 | 2003-09-02 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | SOI device with reversed stacked capacitor cell and body contact structure and method for fabricating the same |
| JP2001093788A (ja) * | 1999-09-21 | 2001-04-06 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 貼り合せｓｏｉウェーハの製造方法 |
| WO2005027204A1 (ja) * | 2003-09-08 | 2005-03-24 | Sumco Corporation | 貼り合わせウェーハおよびその製造方法 |
| JPWO2005027204A1 (ja) * | 2003-09-08 | 2007-11-08 | 株式会社Sumco | 貼り合わせウェーハおよびその製造方法 |
| JP4552858B2 (ja) * | 2003-09-08 | 2010-09-29 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
| JP2004320051A (ja) * | 2004-07-09 | 2004-11-11 | Toppan Printing Co Ltd | ステンシルマスク |
| JP2008244019A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ｓｏｉウエーハの製造方法 |
| WO2008117509A1 (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-02 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Ｓｏｉウエーハの製造方法 |
| JP2010153488A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Rohm Co Ltd | Ｓｏｉウエハの製造方法およびｓｏｉウエハ |
| JP2009260369A (ja) * | 2009-07-23 | 2009-11-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| JP2009246389A (ja) * | 2009-07-23 | 2009-10-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2009283974A (ja) * | 2009-08-20 | 2009-12-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2010016391A (ja) * | 2009-08-20 | 2010-01-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| JP2011071193A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Sumco Corp | 貼合せｓｏｉウェーハ及びその製造方法 |
| WO2011158535A1 (ja) * | 2010-06-16 | 2011-12-22 | 住友電気工業株式会社 | 複合基板の製造方法および複合基板 |
| US9472472B2 (en) | 2011-03-28 | 2016-10-18 | Sony Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
| JP2012204810A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Sony Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法。 |
| JP2013077652A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせｓｏｉウェーハの反りを算出する方法、及び貼り合わせｓｏｉウェーハの製造方法 |
| CN103918058A (zh) * | 2011-09-29 | 2014-07-09 | 信越半导体株式会社 | 计算贴合soi晶片的翘曲的方法及贴合soi晶片的制造方法 |
| US8962352B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-02-24 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for calculating warpage of bonded SOI wafer and method for manufacturing bonded SOI wafer |
| WO2013046525A1 (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-04 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせｓｏｉウェーハの反りを算出する方法、及び貼り合わせｓｏｉウェーハの製造方法 |
| WO2014091670A1 (ja) * | 2012-12-14 | 2014-06-19 | 信越半導体株式会社 | Ｓｏｉウェーハの製造方法 |
| US9337080B2 (en) | 2012-12-14 | 2016-05-10 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI wafer |
| WO2019012866A1 (ja) * | 2017-07-10 | 2019-01-17 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの製造方法 |
| JP2019016748A (ja) * | 2017-07-10 | 2019-01-31 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの製造方法 |
| KR20190142383A (ko) * | 2017-07-10 | 2019-12-26 | 가부시키가이샤 사무코 | 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 |
| US10910328B2 (en) | 2017-07-10 | 2021-02-02 | Sumco Corporation | Silicon wafer manufacturing method |
| JP2024062701A (ja) * | 2022-10-25 | 2024-05-10 | 株式会社Sumco | 貼合せｓｏｉウェーハ、および貼合せｓｏｉウェーハの製造方法 |
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