JPH039329Y2 - - Google Patents
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- JPH039329Y2 JPH039329Y2 JP1158486U JP1158486U JPH039329Y2 JP H039329 Y2 JPH039329 Y2 JP H039329Y2 JP 1158486 U JP1158486 U JP 1158486U JP 1158486 U JP1158486 U JP 1158486U JP H039329 Y2 JPH039329 Y2 JP H039329Y2
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- JP
- Japan
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- nozzle
- gland
- sleeve
- gas
- reaction tube
- Prior art date
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- Expired
Links
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
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Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本考案は半導体基板（ウエハ）上に薄膜を生成
させるに用いられる減圧CVD装置のガス導入部
の改良に関するものである。
させるに用いられる減圧CVD装置のガス導入部
の改良に関するものである。
（従来の技術）
従来の減圧CVD装置において、ウエハに種々
な材料の薄膜を生成させるために反応管内部へガ
スを導入するノズルには、加工に便利な金属製の
ものが使用されているが、例えばシリコン窒化膜
の生成の場合には反応管内は約800℃の高温にな
るためノズルは酸化を起こし、この金属酸化物が
ウエハ上に付着して薄膜の性能に悪影響を与えて
いる。またこの欠点を除くためノズルの材質を透
明石英ガラス製にすることも考えられたが、継手
などに問題があつてまだ実用されていない。また
透明石英ガラスのノズルは破損し易く、これでは
危険なガスが大気中に放出されるおそれがあり、
危険であることは明白である。（なお第２図によ
つて後に説明する） （考案の具体的な目的） 本考案は前記のように薄膜成長に好ましくない
金属製ノズルを透明石英ガラス製のものに置換え
ながら、安全な継手装置を設けることによつて膜
質の向上とCVD装置の安全性の確保を得ること
を目的とするものである。
な材料の薄膜を生成させるために反応管内部へガ
スを導入するノズルには、加工に便利な金属製の
ものが使用されているが、例えばシリコン窒化膜
の生成の場合には反応管内は約800℃の高温にな
るためノズルは酸化を起こし、この金属酸化物が
ウエハ上に付着して薄膜の性能に悪影響を与えて
いる。またこの欠点を除くためノズルの材質を透
明石英ガラス製にすることも考えられたが、継手
などに問題があつてまだ実用されていない。また
透明石英ガラスのノズルは破損し易く、これでは
危険なガスが大気中に放出されるおそれがあり、
危険であることは明白である。（なお第２図によ
つて後に説明する） （考案の具体的な目的） 本考案は前記のように薄膜成長に好ましくない
金属製ノズルを透明石英ガラス製のものに置換え
ながら、安全な継手装置を設けることによつて膜
質の向上とCVD装置の安全性の確保を得ること
を目的とするものである。
（考案の構成と作用）
第３図は従来の減圧CVD装置の一例の構成概
要を示す断面図で、本考案に関係のある部分を説
明すると１はノズル、１４と１５は内側と外側の
反応管、１２はウエハ、１３はウエハホルダ、１
１はウエハ搭載用石英ボート、１６はヒータコイ
ル、１０はウエハボート出し入れ用ドア、１７は
排気口、９はオーリング、１８と１９はガス流入
口であるが、１８は薄膜材料のガス（例えば
SiH4）入口、１９は１８のガスと直接反応しな
いように別の入口より導入するガス（例えばO2
など）入口である。この図にはノズル１はSiH4
ガスがO2ガスと直接反応するのを避けるため、
高温部まで導入されていることが示されている。
要を示す断面図で、本考案に関係のある部分を説
明すると１はノズル、１４と１５は内側と外側の
反応管、１２はウエハ、１３はウエハホルダ、１
１はウエハ搭載用石英ボート、１６はヒータコイ
ル、１０はウエハボート出し入れ用ドア、１７は
排気口、９はオーリング、１８と１９はガス流入
口であるが、１８は薄膜材料のガス（例えば
SiH4）入口、１９は１８のガスと直接反応しな
いように別の入口より導入するガス（例えばO2
など）入口である。この図にはノズル１はSiH4
ガスがO2ガスと直接反応するのを避けるため、
高温部まで導入されていることが示されている。
第１図は本考案によるガス導入部の構造例断面
図で、１はノズル、９はオーリング、１０はド
ア、１５は反応管であるがその他は順に説明す
る。反応管内（図の１５より左側）は減圧雰囲気
にあり、石英ノズル１はその高温部まで導入され
る。反応管１５とドア１０の間のガス導入部７は
金属円筒で、この部分にノズルを挿入する穴を設
けてあるが、ノズルとガス導入部との間のシール
部には、すべて円筒形または円筒状中空を有する
金属製のグランド（gland）５、ナツト４、スリ
ーブ３が使用され、グランド５はその一端がガス
導入部７に溶接されている。ノズル１のシールは
ナツト４とグランド５それぞれの内面と外面に設
けてあるねじ８によるはめ合いによりスリーブ３
を介してオーリング２を押しつぶし、ノズル外面
とグランド５に押しつけることによつて行う。な
おノズルの先端はスリーブを介して外気（大気）
につらなるが、直接ノズルが大気に触れることは
ない。スリーブ３の外径は５〜10mmで、外部ガス
６の導入はスリーブ３にガス供給用管などを接続
して行う。
図で、１はノズル、９はオーリング、１０はド
ア、１５は反応管であるがその他は順に説明す
る。反応管内（図の１５より左側）は減圧雰囲気
にあり、石英ノズル１はその高温部まで導入され
る。反応管１５とドア１０の間のガス導入部７は
金属円筒で、この部分にノズルを挿入する穴を設
けてあるが、ノズルとガス導入部との間のシール
部には、すべて円筒形または円筒状中空を有する
金属製のグランド（gland）５、ナツト４、スリ
ーブ３が使用され、グランド５はその一端がガス
導入部７に溶接されている。ノズル１のシールは
ナツト４とグランド５それぞれの内面と外面に設
けてあるねじ８によるはめ合いによりスリーブ３
を介してオーリング２を押しつぶし、ノズル外面
とグランド５に押しつけることによつて行う。な
おノズルの先端はスリーブを介して外気（大気）
につらなるが、直接ノズルが大気に触れることは
ない。スリーブ３の外径は５〜10mmで、外部ガス
６の導入はスリーブ３にガス供給用管などを接続
して行う。
スリーブ３は金属製であるから、少しの取扱い
ミスで破損することはない。
ミスで破損することはない。
第２図は市販の継手を使用した場合のガス導入
部の一例の断面図で、石英ノズルが大気中に露出
しており、透明石英ガラス製であるため少しの取
扱いミスでも破損のおそれがあり、破損による危
険は大きい。
部の一例の断面図で、石英ノズルが大気中に露出
しており、透明石英ガラス製であるため少しの取
扱いミスでも破損のおそれがあり、破損による危
険は大きい。
（考案の効果）
本考案の実施によつてノズル透明石英ガラス製
のものを使用しても安全にガス導入部（チユー
ブ、ホース等）を接続することができること、お
よびノズルに透明石英ガラスを使用するため成長
膜質の向上が得られるという効果が期待できる。
のものを使用しても安全にガス導入部（チユー
ブ、ホース等）を接続することができること、お
よびノズルに透明石英ガラスを使用するため成長
膜質の向上が得られるという効果が期待できる。
第１図は本考案によるCVD装置のガス導入部
の構造例断面図、第２図は市販の継手を使用した
場合のガス導入部の構造例断面図、第３図は従来
の減圧CVD装置の構成例断面図である。 １……ノズル、２，９……オーリング、３……
スリーブ、４……ナツト、５……グランド（ぱつ
きんおさえ）、６……導入ガス、７……ガス導入
部、８……ねじ部分、１０……ドア。
の構造例断面図、第２図は市販の継手を使用した
場合のガス導入部の構造例断面図、第３図は従来
の減圧CVD装置の構成例断面図である。 １……ノズル、２，９……オーリング、３……
スリーブ、４……ナツト、５……グランド（ぱつ
きんおさえ）、６……導入ガス、７……ガス導入
部、８……ねじ部分、１０……ドア。
Claims (1)
- 減圧CVD装置の反応管に、気密に接続された
金属のガス導入部から反応管内に達するように設
けられ、反応管内に反応ガスを導入するノズルを
透明石英ガラス製とし、このノズルと装置外部の
ガス供給管などとの接続を前記ガス導入部に一端
を溶接され、金属製で内部に前記ノズルを貫挿さ
せ外面にねじ切つたグランド、前記グランドを貫
通したノズルの先端にはめ合う内径をもつスリー
ブ、および前記グランドとスリーブの接合部分の
外側でグランドのねじにはめ合わせ、グランドと
スリーブに挾まれたオーリングを締めつけること
によつてノズル、グランド、スリーブ間の気密を
保持させるナツトによつて構成したことを特徴と
する減圧CVD装置ガス導入部。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1158486U JPH039329Y2 (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1158486U JPH039329Y2 (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62126833U JPS62126833U (ja) | 1987-08-12 |
| JPH039329Y2 true JPH039329Y2 (ja) | 1991-03-08 |
Family
ID=30798932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1158486U Expired JPH039329Y2 (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH039329Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-01-31 JP JP1158486U patent/JPH039329Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62126833U (ja) | 1987-08-12 |
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