JPH039365A - 電子写真用感光体 - Google Patents

電子写真用感光体

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JPH039365A
JPH039365A JP1143523A JP14352389A JPH039365A JP H039365 A JPH039365 A JP H039365A JP 1143523 A JP1143523 A JP 1143523A JP 14352389 A JP14352389 A JP 14352389A JP H039365 A JPH039365 A JP H039365A
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昌美 黒田
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天野 雅世
Noboru Kosho
古庄 昇
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Fuji Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は電子写真用感光体に係り、特に新世、な電荷
発生物質を利用する電子写真用感光体に関−4る1、 〔従来の技術〕 従来より電子写真用感光体く以下感光体とも称する)の
感光材料としてはセレンまたはセレン合金などの無機光
導電性物質、酸化亜鉛あるいは硫化カドミウムなどの無
機光導電性物質を樹脂結着剤中に分散させたもの、ポリ
−N−ビニルカルバゾールまたはポリビニルアントラセ
ンなどの有機光導電性物質、フタロシアニン化合物ある
いはビスアゾ化合物などの有機光導電性物質を樹脂結着
剤中に分散させたものや真空蒸着させたものなどが利用
されている。
また感光体には暗所で表面電荷を保持する機能、光を受
容して電荷を発生する機能、同じく光を受容して電荷を
輸送する機能とが必要であるが、つの層でこれらの機能
をあわせもったいわゆる単層型感光体と、主として電荷
発生に寄与する層と暗所での表面電荷の保持と光受容時
の電荷輸送に寄与する層とに機能分離した層を積層した
いわゆる積層型感光体がある。これらの感光体を用いた
電子写真法による画像形成には、例えばカールソン方式
が適用される。この方式での画像形成(ま暗所での感光
体へのコロナ放電による帯電、帯電された感光体表面上
への原稿の文字や絵などの静電潜像の形成、形成された
静電潜像のトナーによる現像、現像されたトナー像の紙
などの支持体への定着により行われ、トナー像転写後の
感光体は除電、残留トナーの除去、光除電などを行った
後、再使用に供される。
近年、可とう性、熱安定性、膜形成性などの利点により
、有機材料を用いた電子写真用感光体が実用化されてき
ている。例えば、ポリ−N−ビニルカルバゾールと2.
4.’l−)リニトロフルオレンー9−オンとからなる
感大体(米国特許第3484237号明りIl書に記載
)、有機顔料を主成分とする感光体(特開昭47−37
543号公報に記載)、染料と樹脂とからなる共晶錯体
を主成分とする感光体く特開昭47−10785号公報
に記載)などである。さらに、新規ヒドラゾン化合物、
ビスアゾ化合物など数多く実用化されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述のように、有機材料は無機材料にない多くの長所を
持つが、また同時に電子写真用感光体に要求されるすべ
ての特性を充分に満足するものがまだ得られていないの
が現状であり、特に光感度および繰り返し連続使用時の
特性に問題があった。
本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであって、感
光層に電荷発生物質として今まで用いられたことのない
新しい有機材料を用いることにより、高感度で繰り返し
特性に優れた複写機用およびブリンク用の電子写真用感
光体を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上述の目的はこの発明によれば、 1ン一般式(1)で示されるビスアゾ化合物のうちの少
なくとも一種を含む感光層20.21.22を有するこ
と、 AI  N””N%CH−N8N−CHノ2N−N  
AI〔式(1)中へ、は、−船人(IX)ヘー(XFJ
)で表されるカップラー残基である。
式(LX)〜(Xll’)において、Zはベンゼン環と
縮合し、て芳香族多環あるいは複素環を形成する残基、
X冒まorb、もしくはNR2R3(R1,R2および
173は、それぞれ水素原子、置換さねてもよいアルキ
ル基、アIJ +−ル基、または複素環基を表す)、x
2およびXsはそれぞれ置換されてもよいアルキル基、
アリール基、または複素環基を表し、 X、およびXs
は水素原子、シアノ基、カルバモイル基。
カルボキシル基、エステル基またはアシル基を表し、x
4またはX、は水素原子、置換されてもよいアルキル基
、シクロアルキル基。アルケニル基。
アラルキル基、アリール基または複素環基を表し、X?
およびxaはそれぞれ水素原子、ハロゲン原子。
ニトロ基、置換されてもよいアルキル基またはアルコキ
シ基を表し、 X、は置換さねてもよいアルキル基、ア
リール基、カルボキシル基、エステル基を表し、X、。
は置換されてもよいアリール基または複素環艇を表し、
Yは芳香族環あるいは複素環を形成する残基を表す。〕 2)−船人(II)で示されるビスアゾ化合物のうちの
少なくとも一種を含む感光層20.21.22を有する
こさ、 (TI) 〔式(II)中へ、は、 −・船人(+、X) −(Xli’)で表されろカップ
ラー残基である。
2・ (IX) (X) Xへ 式(IV)〜(XIV目こおいて、2はベンゼンL3と
縮合して芳香族多環あるいは複素環を形成する残基、x
lはOR,もしくI;!NR2R3(R,、R21;J
、びR。
は、それぞれ水素原子、置換されてもJいアルキル基、
 7 !J −ル基、 、t タハ*iil基ヲ表t)
、X。
およびXsはそれぞれ置換されてもよいアルキル基、ア
リール基、または複sya基を表し、 X、およびXl
ま水素原子、シアノ基、カルバモイル基。
カルボキシル基、エステル基またはアシル基を表し、X
、またはXllは水素原子、置換されてもよいアルキル
基、シクロアルキル基2 アルケニル基。
アラルキル基、アリール基または複素環基を表し、X、
およびX、はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子。
ニトロ基、置換されてもよいアルキル基またはアルコキ
シ基を表し、x9は置換されてもよいアルキル基、アリ
ール基、カルボキシル基、エステル基を表し、xloは
置換されてもよいアリール基または複素環基を表し、Y
は芳香族環あるいは複素環を形成する残基を表す。〕 3〉−船人(Ill)で示されるビスアゾ化合物のうち
の少なくとも一種を含む感光層20.21.22を有す
ること、 〔式([1)中、R4およびRsは水素原子、ハロゲン
原子または置換されてもよいアルキル基もしくはアルコ
キシ基、R6およびR7は水素原子または置換されても
よいアルキル基もしくはアリールレバ、A、は−船人(
X)〜(刈)で表されるカップラー残基である。
式(X)〜(XM)においで、Zはベンゼン環と縮合し
てyJ香族多環あるいは複素環を形成する残基、X l
@は水素f皇子。coorンtit:たはC:0NR−
Nぐ(R,。R,および1<、。は、それぞれ水素原子
、置(灸され了、゛もよいアルキル基、アリ・−ル基。
1:たIJL11基4・表す)  X、およびX、はぞ
わぞわ置換されても、土1ργ刀・キル基、了り−)L
hη、または橋a XI)7A 咥 e  t−、)1
3、iへ上 rF  、X 、にt  水 4′1.原
子 。  9 7 .7基、カルベ壬イ、+1. M、
カルボd−゛′ル入(、エステIIM i lニー1.
t 7 シル基4表し2、 X 4 i:; d−びX
ll、X12X13は水f;1λ了[接さJlでも、1
、いアルキル基。
シ、り1ニア 7g−B、、、 :+、 、、11基、
  −y t+、、 )r :月・に、γ′ラルキハ八
へアリール基また1!複J、ル基を表し、X 、 、i
)JひX、1はそれぞわ水素原子、 ハDゲン16■子
、二) o基1庁換されτもよいアルキル基または了ル
ニ“」キ・・桔を表し、 ×9は置換さ′i′7でもJ
(ハアルー1)1−基5 アリ−・ルハ、9 カルボキ
シル基、エステル基を表1、XIOは置換さねでもよい
アリール基またIJ複J Uり基を表1、Yは芳香旅規
あろいはドヱ累用うJ「成“)る残基を表壊0、〕 4)−船人(1v)て、示さ才1イ)ビス1゛ゾ什合物
の・)机・ζ・、)少なくとも一柿4合む感光j[i:
:f1.21.22を有−Iにと、 〔式(IV)中、Rilは水素原子、ハロノどン1ヴ十
、−r゛ノvキルに。、゛rリール基4.た(、Jシア
、)基、 △4!ま船人(IX)〜・(Xr/)で表さ
れるt7ツプラ・−残1% ”6 (払2:・、2・ 
   (IX)          x4      
(X)X鳳 式、(■)−・(XIV)において、Zはベンゼン環と
縮合して芳香族多環あるいは複素環を形成する残基、X
 Il、tOR+も(,7くはNR3Ra([イ、、R
3お、!、(ドl<、1lIJ1.イれぞれ水素原子、
[ig換さイ′;て“もよいアノ1斗、ル基1,1゛リ
ー井厚;゛、j、へ1;孔召I毒lり八(、り表す)、
X。
および X、はそれぞれ置換さ第1てもよいアルキに基
2了す−ル基、また!;1′複累環複素表j2、 X3
1、よびX6は水素原子、シアノ基7 カルバ千イ+1
7ij。
j)ルボキシル基、エフデル基または丁パ5ノーレ基を
+7し、 X、1寸たはXllは水志原子装置(9さt
1ζも91−いアルキル、\、シクリ丁川!Hp用71
桔、 T 71、?r″、rl、、、 14アラルキル
基、アリール基1′J′、 i、i5素環2式を表1x
 、、 h;よびX6はぞれぞ才]水jミ;[〔子。ハ
首′−゛ン原−4)。
= l−o基 ff1p@!さit、 cも、p、イ”
)’ ル”t’ H基’j二:r、= 11−)−ルコ
キシ基・・2−表し、 X81よ置(QさオじIr 1
) 、Jlい’、’i” 、+1゜キル基、“J′リー
ル基、カルド1−ンル、lX8.を入うを巳基を表し、
XI(+は置模さ41、ζ・<) −11L+ ”−、
’リール3に1、たは複累膵基を表し1、Yは芳香族、
川あ一〕いは複jrS環を形成する残基を表す。」 11)−船人(V)で示されるビスrゾ化合物のうj、
 (7,)少なくとも一種を含む感光層2(’ = 2
1−22. ’5.fj゛’#−’1、こと、 Cv) ’ i (V )中、 As1J−1’lD戊(IX)
=(XI’ハマ−表i”” 21 ;b)、jツプラー
残基である5゜ 式(IX)〜(XN)において、Zはベンゼン環と縮合
1.7て芳各族多mあるいは複素環をフに成する残基、
入口、t o rぜ1もしくはNR2R3(R1、R、
お、↓2びTぜ、。
は、そ:fl、イ゛ね水薬1Ω子装置1句されζ、もよ
いアルキル基1 アリール基、または複素環基を表づ)
、X。
および x5はそれぞイ1胃摸さ11てもよいアルキル
基、アリール基、“または複素環基を表17、X、およ
びX、は水素原子、シアノp、カルバモイル基2カルボ
キシル基、ニスデル基または゛rシル基を表し1、 X
、またはx、1は水素原イー、置換されてもよいアルキ
ル基、シクロアルミル基、アル、x+−、;、ル基。
アラ7トキルr、アリ〜・−ル基また(よ複素環基4表
13、X「支iよびXl、1j、そオl ’cf 、f
l、、ズ(素原子、ハ11ゲ〕、・原子。
ニトロ原、置接され47.6 、;いアルキル基または
アルコキシ基を表し、 xいは置換されてもよい゛fル
キル基、アリール基、カルボキシル基、1−スザル基を
表し、X、。は置換されでもよいアリール基J:たは複
素環基を表し、)′は芳り旋用あ、5いは複ぶ環を形成
する残基を表オ。1 6)−飲薬(Vl>で示されるビスアゾ化合物の・うち
の少なくとも一種を含む感光層20.21.22を11
才で)ごLl :I式(vr i中、L2゜Rl 3は七れぞ扛水朱原
了、ハr]ゲン・爪丸了、アルキル (よ−飲薬(■)〜(X1%”)ひ表されるカップラー
残址である。
(IXン ×4 (X) Xへ 式( IX) − (XN) ニi; イーC、Z l
;i ヘン−t” ンlj3 l−縮りし2で芳香族多
環あZ)いは甚!素環を形成t′イ)残基、X,はo 
R iもし,くはNh’<wT?.、+<iぐ.。n.
L.上び【<、、は、それぞれ水素原子、置換されても
よいj′ル・tル基9アリール基、または複素環基を表
す)、X。
およびX,はそれぞれ置換されてもよいアルキル基,ア
リール基.または複素環基を表し、 X,およびxF.
は水素原子,ンアノ基,カルバモイル基。
カルボキシル基.エステル基1、たはアシル基苓表し、
x4tたはX.は水素原子。置換されても91゛いアル
4−ル基。シクロ゛γル1ル基、”rルケニル基9アラ
ルキル基,アリール基」:たは複S1環基を表し、X 
、 jj 、J:びXI]はそれぞれ水素原子.ハロゲ
ン原子。
−]・τJ基.置換装れてもよい゛rアルキル基た(3
(アル:″′+キジ基を表し,、 メロは置換されでも
よい丁ルキル基,アリールへ〇カルボ」−シル基,エス
テ)l・基を表し、X、。は置換されてもよいアリール
基または複素環基を表し、Yは芳香族環あるいは複素環
を形成する残基を表す。〕 7)一般式(■1)で示されるビスアゾ化合物のうちの
少なくとも一種を含む感光層20.21.22を有する
こと、 (■) 〔式(■1)中、Δ、は一般式(TX) −(XN)で
表されるカップラー残基である。
′・Z”’   (IX)        x4   
  (X、)淘 式(1x)〜(XN)において、2はベンゼン環と縮合
して芳香族多環あるいは複素環を形成する残基、X口!
OR+もしくはNR2R3(R,、R2およびr< 。
は、それぞ才1水素原子、置換されてもよいアルキル基
、アリール基、またはm1Ll基を表す)、X2および
X、はそれぞれ置換されてもよいアルキル基、アリール
基、またはvJ、素環基を表し、X3およびxGは水素
原子、シアノ基、カルバモイル基。
カルボキシル基5 エステル基またはアシル基を表し、
 x4またはX、は水素原子、置換さt17もよいアル
キル基。シクロアルキル基、アルケニル1λ。
アラルキル基、アリール基または複素環基を表し2、x
lおよびX11はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子。
ニトロ基、置換されてもよいアルキル基またはアルコキ
シ基を表し、 X、は置換されてもよいアルキル基、ア
リール基、カルボキシル基、エステル基を表し、X、。
は置換されてもよいアリール基または複si!基を表し
、Yは芳香族環あるいは複素環を形成する残基を表す。
〕 8)一般式(■)で示されるビスアゾ化合物のうちの少
なくとも一種を含む感光E20.21.22を有するこ
と、 (■) 〔式(■)中、nは1−3の整数、八〇は一般式(IX
)〜(XF/)で表されるカップラー残基である。
・2 (IX) (X) 式(IX)〜(XN)において、Zはベンセン環と縮合
して芳香族多環あるいは複素環を形成する残基、Xdま
OR,もしくはNR2R3(R1,R,およびIン3は
、それぞれ水素原子、V換されてもよいアル斗ル基、ア
リール基、または複91!!基を表す)、X。
および X、はそれぞれ置換されてもよいアルキッド基
、アリール基、または複素環基を表し、 X、およびx
6は水素原子、シアノ基、カルノ<千イJl−基カルボ
キシル基、エステル基または゛rシル基を表し、 X、
またはX 11は水素原子、置換されてもよいアルキル
基、シクロアルキル基、アルケニル基。
アラルキル基、アリール基または複素環基を表し、X、
およびX8はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子。
=トロ基、 ff1lされてもよいアルキル基またはア
ルコキシ基を表し、 X、は置換されてもよいアルキル
基、アリール基、カルボキシル基、エステル基を表し、
χ10は置換されてもよい了り−ル基または複素環基を
表17、Yは芳香族環あるいは複素環を形成する残基を
表す。〕 により達成される、。
前記−飲薬(1)で示される化合物は、下記−飲薬(X
’a)で示されるアミン化合物を常法によりジアゾ化し
、それぞれ対応するカップラーと、アルカリ存在下適当
な溶媒(例えばN、Nジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド等)中でカップリング反応させることにJ
゛す、容易に合成する、−このようにして得られた一般
式(1)で示されるビスアゾ化合物の具体例は次の通り
である。
とができる。
01ノ記−飲薬(II)て示される化合物は、下Ae、
−8’)式(潜)で示されるアミノ化合物を悼法に、1
リジノ。
ゾ化し、それぞれ対応するカップラーと、アルカリ存在
下適当な溶媒(例えばN、Nジメチルボルムアミド、ジ
メチルスル4・キンド等)中でカップリング反応させる
ことにより、容易に合成することができる。
(潜) この上・うにして得られた一般式(II )で示される
ビスアゾ化合物の具体例は次の通りである。
/′ /″′ /′ 前記へ一般式(川)て小さ第1る化合物は、下記−飲薬
(X[X)で示されるアミノ化合物を鹿法に、Lリジア
ゾ化し、それぞれ対応するカンブラ・−と、アルカリ存
在下適当な溶媒(例えばNNジメチノ【ホルムアミド、
ジメチルスルホキンド等)中でカップリング反応させる
ことにより、容易に合成することができる。
このようにしで得られた一般式CI+ )で示さ第1乙
ビスアゾ化合物の具体例は次の辿りである。
/′ //′ 前記一般式(IV)で示される化合物は、下記一般式(
XX)で示されるアミノ化合物を常法によりジアゾ化し
、それぞれ対応するカップラーと、アルカリ存在下適当
な溶媒(例えばN、Nジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド等)中でカンブリング反応させることによ
り、8昌に′合成することができる。
このようにして得られた一般式(IV)で示されるビス
アゾ化合物の具体例は次の通りである。
〜N峠(ンN舎N−N−44 ^8゜ 前記−飲薬(V)で示される化合物は、下記−飲薬(双
)で示されるアミノ化合物を常法によりジアゾ化し、そ
れぞれ対応するカップラーと、アルカリ存在下適当な溶
媒(例えばN、Nジメチルボルムアミド、ジメチルスル
ホキシド等)中でカップリング反応させることにより、
容品に合成することができる。
(■) このようにして得られた一般式(V)で示されるビスア
ゾ化合物の具体例は次の通りである。
、/′ 前記−飲薬(Vl)で示される化合物は、下記−飲薬1
1)で示されるアミノ化合物を常法によりジアゾ化し、
それぞれ対応するカップラーと、アルカリ存在下適当な
溶媒(例えばN、Nジメチルホルムアミド、ジメチルス
ルホキシド等)中でカップリング反応させることにより
、容品に合成することができる。
このようにして得られた一般式(vl)で示されるビス
アゾ化合物の具体例は次の通りである。
01ノ記−飲薬いり1)で示されろ化合物は、]記一般
式(罵)で示されるアミノ化合物を常法によりジ°Tゾ
化し2、それぞれ対応するカップラーと、アルカリ存在
下適当な溶媒(例えばN、Nジメチルポルムアミド、ジ
メづルスノL・ホキシト等)中でカップリング反応させ
ることにより、容易に合成することができる。
(知) このようにして得られた一般式(X’ll)て示されン
゛、ビスアゾ化合物の具体例は次の通りである。
//′ /′ 前記−飲薬(■)で示される化合物は、下記−飲薬(短
)で示されるアミノ化合物を常法によりジアゾ化し、そ
れぞれ対応するカップラーと、アルカリ存在下適当な溶
媒く例えばN、Nジメチルホルムアミド、ジメチルスル
ホキシド等)中でカップリング反応させることにより、
容易に合成することができる。
(ylN) このようにして得られた一般式(■)で示されるビスア
ゾ化合物の具体例は次の通りである。
本発明の感光体は前記一般式(1)〜(■)で示される
化合物を感光層中に含有させたものであるが、これら化
合物の応用の仕方によって、第1図、第2図、あるいは
第3図に示したごとくに用いることができる。
第1図〜第3図は本発明の感光体の概念的断面図で、1
は導電性基体、20.21.22は感光層、3は電、何
発生物質、4は電荷発生層、5は電荷輸送物質、6は電
荷輸送層、7は被覆層である。
第1Binは、導電性基体1上に電荷発生物質3である
前記一般式(1)〜(■)の化合物と電荷輸送物質5を
樹脂バインダー中に分散した感光層20(通常単層型感
光体と称せられる構成)が設けられたものである。
第2図は、導電性基体1上に電荷発生物質3である前記
一般式(I)〜(■)の化合物を含有する電荷発生層4
と、電荷輸送物質5を主体とする電荷輸送層6との積層
からなる感光層21(通常積層感光体と称せられる)が
設けられたものである。
第3図は、第2図の逆の層構成のものである。
この場合には、電荷発生層4を保8!するためさらに被
覆層7を設けるのが一般的である。
第2図および第3図に示す2種類の層構成とする理由は
、負帯電方式として通常用いられろ第2図の層構成で正
帯電方式で用いようとしても、これに適合する電荷輸送
物質が見つかっておらず、したがって、正帯電方式の感
光体として現段階では第3図に示す層構成が必要なため
である。
第1図の感光体は、電荷発生物質を電荷輸送物質および
樹脂バインダーを溶解した溶液中に分散せしめ、この分
散液を導電性基体」−に塗布することによって作製でき
る。
第2図の感光体は、導電性基体」−に電荷発生物質の粒
子を溶剤または樹脂バインダー中に分散して得た分散液
を塗布、乾燥し、その上に電荷輸送物質および樹脂バイ
ンダーを溶解した溶液を塗布。
乾燥することにより作製できる。
第3図の感光体は、電荷輸送物質および樹脂バインダー
を溶解した溶液を導電性基体、」二に塗布。
乾燥し、その」二に電荷発生物質の粒子を溶剤または樹
脂バインダー中に分散12で得た分散液を塗布。
乾燥L2、さらに被覆層を形成、することにより作製で
きる。
導電性基体1は感光体の電極とし、ての役目と同時に他
の各層の支持体、−一な、っでおり、円筒状、板状、フ
ィルム状のいずれでも良く、材質的にはアルミニウム、
ステンレス鋼、ニッケルなどの金属、あるいはガラス、
樹脂などの」−に導電処理をほどこし7たものでも良い
。
電荷発生層4は、−飲薬(1)−(■)で示される化合
物であられされる電荷発生物質30粒子を樹脂バインダ
・−中に分散させた材料を塗布して形成され、光を受容
して電荷を発生する。また、その電荷発生効率が高いこ
とと同時に発生した電荷の電荷輸送層6および被覆層7
への注入性が重要で、電場依存性が少なく低電場でも注
入の良いことが望ましい、、@荷発生層は電荷発生物質
を主体としてこれに電荷輸送物質などを添加;7.て使
用することも可能である。樹脂バインダーとしては、ポ
リカーボネー1− 、 ポリコルヌチル、ポリアミド。
ポリウレタン、塩化ビニJ1・、エポキシ、ンリフン樹
朋ジアリルフタl、−)樹脂、ブチラール樹脂、メタク
リル酸エステルの重合体および:14:重合体などを適
宜組み合わせで使用すZlことが可能である1、電荷輸
送層6は樹脂バインダー中に有機電荷◆巧送性物質とし
て、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン化合物、スチルベン
化合物、トリフェニル7′ミン化合物、オキサゾール化
合物、オキザジアゾール化合物などを溶解・分散させた
材料を塗布してl’+成され、暗所では絶縁体層として
感光体の電荷を保持し、光受容時には電、荷発生層から
注入される電荷を輸送する機能を発揮する。樹脂バイン
ダーとしては、ポリカーボネーt・、  ポリエステル
、 ′:I:リアミド、ポリウレタン、エポキシ、シリ
コン樹脂、メタクリル酸エステルの重合体および共重合
体などを用いることができる。
被覆層7は暗所ではコロナ放電の電荷を受容して保持す
る機能を有しており、かつ電、荷発生層が感応する光を
透過する性能を有し、霧光時に光を透過し、電荷発生層
に到達させ、発生した電荷の注入を受けて表面電荷を中
和消にさt′Iることが8智′て;ある。被覆材料とし
ては、ポリエステル。ポリアミドなどの有機絶縁性皮膜
形成材料が適用できる。また、これら有機材料とガラス
樹脂、 Sin。
などの無機、材料、膜形成能を有する金属アルコキシ化
合物やさらには金属、金属酸化物などの電気抵抗を低減
せj7める材料とを混合して用いることもできる。被覆
材料としては有機絶縁性皮膜形成材料に限定されるごと
はな(Sin、などの無機材料さらには金属、金属酸化
物などを蒸着、スパッタリングなどの方法により形成す
ることも可能である。被覆材料は前述の通り電荷発生物
質の光の吸収極大の波長領域においてできるだけ透明で
あることが望ましい。
被覆層自体の膜厚は被覆層の配合組成ζごも依存するが
、繰り返し連続使用したとき残留電位が増大4−るなど
の悪影響が出ない範囲で任意に設定できる。
〔作用1 前記−飲薬(1)〜(V)II)で示されろじスアゾ化
合物を感光層に用いた例は知られていない。本発明者ら
は、前記目的を達成するために各種有機材木′)につい
て鋭意検討を進める中で、これらビスアゾ化合物につい
て数多くの実験を行った結果、その技術的解明はまだ充
分なされていないが、このような前記−飲薬(1)〜(
■)で示される特定のビスアゾ化合物を電荷発生物質と
して使用することが、電子写実特性の向上に極めて有効
であること苓見出し、高感度で繰り返し特性の優れた感
光体を得るに至2)だのである、。
〔実施、例〕
以下、本発明の実施例に゛ついて説明す2、。
実施例1 前記化合物No、 1で示される化合物50重量部をポ
リニスデル樹脂(商品名バイロン200;東洋結髪)1
00重量部と1−7エニルー3−(p−ジーチルアミノ
スチリl1)−5−(r)−ジエチルアミノツー1ニル
)−2−ピラゾリン(ΔS P P ) 100箪聞部
ごテトラ]−ド1−1フラン(THF)溶剤とともに3
時間混合機、に、J:り混練して塗布液を調う!(12
、導電性基体であるアルミ蒸着ポリエステルフィルム(
^1PET)上に、ワイヤーバー法にて塗布して、乾燥
後の膜厚が15μmになるように感光体を作製した。
実施例2 まず、p−ジエチルアミノベンズアルデヒド−ジフェニ
ルヒドラゾン(A B P H) 100重量部とポリ
カーボネート樹脂(商品名パンライトL−1250:帝
人製)100重量部を塩化メチレンで溶解してできた塗
液をアルミ蒸着ポリエステルフィルム基体上にワイヤー
バー法にて塗布し、乾燥後の模りが15μmになるよう
に電荷輸送層を形成した。このようにして得られた電荷
輸送層上に前記化合物胆2で示される化合物50重1部
、ポリエステル樹脂(商品名バイロン200:東洋結髪
)501量部とTHE溶剤とともに3%間混合機により
混練して塗布液を調製しワイヤーバー法にて塗布し、乾
燥後の膜厚が0.5μ釦になるように電荷発生層を形成
した。
実施例3 実施例2において、電荷輸送物質を、ABPHに変えて
、スチルベン化合物である、α−フ、ニルー4’−N、
N−ジメチルアミノスヂルベンを用い実施例2と同様に
電荷輸送層を形成【2、さらに電荷発生層を形成し感光
体を作製した。
実施例4 実施例2において、電荷輸送物質を、ABPHに変えて
、トリフェニルアミン化合物である、ト’J(p−)!
Iル)アミンを用い実施例2と同様に電荷輸送層を形成
し、さらに電荷発生層を形成し感光体を作製した。
実施例5 実施例2において、電荷輸送物質を、A B P )i
に変えて、オキサジアゾール化合物である、2゜5−ビ
ス(p−ジエチルアミノフェニル)−1,3゜4−オキ
サジアゾールを用い実施例2と同様に電荷輸送層を形成
し、さらに電荷発生層を形成し感光体を作製した。
このようにして得られた感光体の電子写真特性を川口電
機製静電記録紙試験装置r S P−428Jを用いて
測定した。
感光体の表面電位VS(ボルト)は暗所で+6. Ok
&のコロナ放電を10秒間行って感光体表面を正帯電せ
しめたときの初期の表面電位であり、続いてコロナ放電
を中止した状態で2秒間暗所保持したときの表面電位v
d(ボルト)を測定し、さらに続いて感光体表面に照度
2ルツクスの白色光を照射してv、、が半分になるまで
の時間(秒)を求め半減衰露光量Er/z(ルックス・
秒)とした、才だ、照度2ルツクスの白色光を10秒間
照射したときの表面電位を残留電位vr(ボルト〉とし
た。
第1表に見られるように、実施例1,2゜3.4゜5は
半減衰露光量、残留電位ともに良好であった。
実施例6 前記化合物胤3からNα22で示される化合物100重
量部をそれぞれポリエステル樹脂(商品名バイロン20
0:東洋紡!l!り100重量部とT HF溶剤ととも
に3時間覆合機により混練して塗布液をa製し、アルミ
ニウム支持体上に約0.5μmになるように塗布し電荷
発生層をそれぞれ形成した。この上に、実施例2で作製
したのと同じ方法で得られた八BPHの塗布液を約15
μmになるように塗布し感光体を作製した。
このようにして得られた感光体の電子写真特性を川口電
機製静電記録紙試験装置!f r S P−428Jを
用いて測定した。この結果を第2表に示す。
感光体の表面電位VS(ポルl−)  は暗所で−6,
0kVのコロナ放電を10秒間行って感光体表面を負帯
電せしめたときの初期の表面電位であり、続いてコロナ
放電を中止した状態で2秒間暗所保持したときの表面電
位vd(ボルト)を測定し、さらに続いて感光体表面に
照度2ルツクスの白色光を照射してV、が半分になるま
での時間(秒)を求め半減衰露光量El/2(ルックス
・秒)、!ニジた。
第2表に見られるように、前記ビスアゾ化合物No、 
3〜22を電荷発生物質としで用いた感光体についても
半減衰露光量E 、/2は良好であった。
第  2  表 実施例7 前記化合物胤31で示される化合物50重量部をポリエ
ステル樹脂(商品名バイロン200:東洋結髪)100
重量部と1−フェニル−3−(p−ジエチルアミノスチ
リル)−5−(p−ジエチルアミノフェニル) −2−
ピラゾリン(A S P P) 100重量部とテトラ
ヒドロフラン(T HF )溶剤とともに3時間混合機
により混練して塗布液を調製し、導電性基体であるアル
ミ蒸着ポリエステルフィルム(^βPET)上に、ワイ
ヤーバー法にて塗布して、乾燥後の膜厚が15μmにな
るように感光体を作製した。
実施例8 まず、ρ−ジエヂルアミノベンズアルデヒドジフェニル
ヒドラゾン(A B P H) 100重量部とポリカ
ーボネート樹脂(商品名パンライトL−1250:音大
製)100重量部を塩化メチレンで溶解してできた塗液
をアルミ蒸着ポリエステルフィルム基体上にワイヤーバ
ー法にて塗布し、乾燥後の膜厚が15μ鋼になるように
電荷輸送層を形成した。 このようにして得られた電荷
輸送層上に前記化合物N。
32で示される化合物50重量部、ポリエステル樹脂(
商品名バイロン200:東洋結髪)50重量部とTHF
溶剤とともに3時間混合機により混練して塗布液を調製
しワイヤーバー法にて塗布し、乾燥後の膜厚が065μ
組になるように電荷発生層を形成した。
実施例9 実施例8において、電荷輸送物質を、ABPHに変えて
、スヂルベン化合物である、α−フェニル−4’−N、
N−Iメヂルアミノスチルペンを用い実施例8と同様に
電荷輸送層を形成し、さらに電荷発生層を形成し感光体
を作製した。
実施例10 実施例8において、電荷輸送物質を、八BPHに変えて
、トリフェニルアミン化合物である、ト!J(p−)!
Iル)アミンを用い実施例8と同様に電荷輸送層を形成
し、さらに電荷発生層を形成し感光体を作製した。
実施例11 実施例8において、電荷輸送物質を、ARPHに変えて
、オキサジアゾール化合物である、2゜5−ビス(p−
ジエチルアミノフェニル)−1,3゜4−オキサジアゾ
ールを用い実施例8と同様に電荷輸送層を形成し、さら
に電荷発生層を形成し感光体を作製した。
このようにして得られた感光体の電子写真特性を川口電
機製静電記録紙試験装置r S P−428Jを用いて
測定した。
感光体の表面電位VS(ボルト)は暗所で+6.0にν
のコロナ放電を10秒間行って感光体表面を正帯電せし
めたときの初期の表面電位であり、続いてコロナ放電を
中止した状態で2秒間暗所保持したときの表面電位V、
(ボルト)を測定し、さらに続いて感光体表面に照度2
ルツクスの白色光を照射(7てvdが半分になるまでの
時間(秒)を求め半減衰露光IEI/2(ルックス・わ
っとした。また、照度2ルツクスの白色光を10秒間照
射したときの表面電位を残留電位V、(ボルト)とした
。
第  3 表 第3表に見らノするように、実施例7.8゜9゜10゜
11は半減衰露光量、残留電位ともに良好であった3、
実施例12 前記化合物に33からNα52で示される化合物100
重量部をそれぞれポリエステル樹脂(商品名バイロン2
00:東洋紡製)100重量部とTHF溶剤とともに3
時間混合機により混練17.で塗布液を調製111、ア
ルミニウム支持体上に約0.5μlになるように塗布し
電荷発生層をそれぞれ形成した。、この上に、実施例8
で作製したのと同じ方法で得られた八BPHの塗布液を
約15μmこなるように塗布し感光体を作製した。
このようにし2で慴らねた感光体の電子写真特性を川口
電機製静電記録紙試験父@ r S P−428J4用
いて測定した。この結果を第4表に示す、3感光体の表
面電位v S (ボルト)は暗所で−6,Ok%’のコ
ロナ放電を10秒lie行−って感光体表面を負帯電1
ノし、めたときの初期の表面電位であり、続いて、JD
す放電を中止した状態で2秒間暗所保持したときの表面
1位vd(ポル)□ )を測定し、さらに続いて感光体
表面に照度2ルツクスの白色光を照射し。
でV、が半分1こなろ寸ヤの時間(秒)を求め半減衰露
光!tEi72<ルックス・秒)とした。
第4表に見られるJうに、前記ビスアゾ化合物島33〜
52を電荷発生物質さして用いゾ:感光体についても半
減衰霧光fnE−y2は良IFであった。
第  4  表 実施例13 前記化合物に6mで示される化合物50重量部をポリエ
ステル樹脂(商品名バイロン200:東洋結髪)100
重量部と1−フェニル−3−(I)−ジエチルアミ/ス
チリル)−1−(p−ジエチルTミノフェニル)−2−
ピラゾリン(Δ5PP)100重量部とテトうも−Vロ
フラ゛、−(THF>溶剤ととも1:″3時聞混合機に
より混練して塗布液を調製し、導電性へ体であるアルミ
蒸着ポリエステルフィルム(A 7!−PET)上に、
ワイヤーバー法にて塗布して、乾燥後のMWが15μl
f1になる。ように感光体を作製した。
実施例14 まず1、p−ジエチルアミノベンズアルデヒドジフェニ
ルヒドラゾン(ABP)1)100重量部Lポリカーボ
ネート樹脂(商品名パンライトL−1250:電入製>
 100重量部を塩化メチレンで溶解してできた塗液を
Tルミ蒸着ポリエステルフィルム基体上lJ゛ワイヤー
バー法にて塗布し、乾燥後の膜犀が15μrn l;、
、:なるように電荷輸送層を形成した。このようにして
得られた電荷輸送物質に前記化合物Nα62で示される
化合物50重量部、ポリエステル樹脂(商品名バイロン
200:東洋結髪)50重M部とTHE溶剤とともに3
時間混合機により混練して塗布液t−m1st、ワイヤ
ーバー法にて塗布し、乾燥後の膜厚が0.5μr11:
mなるように電檀発付、層庖形成した。。
実施(列15 実施例141rよζいて1、電荷輸送物質を、A B 
P Hに変えて、スチルベン化合物−Qある、/r−フ
ェニル−4’−N、N−ジメチルアミノスチルベンを用
い実施例14と同様に電荷輸送層を形成し、さらに電荷
発生層を形成し感光体を作製(7た。
実施例16 実施例14において、電荷輸送物質を、八BPHに変え
て、トリフSニルアミン化合物である、ト!J(p−4
’)ル)アミンを用い実施例14と同様に電荷輸送層を
形成し、さらに電荷発生層を形成4し感光体を作製した
。
実施例17 実施例14において、電荷輸送物質を、ABPHに変え
て、オキサジアゾール化合物である、2゜5−ビス(p
−ジエチルアミノフェニル)−1,3゜4−オキサジア
ゾールを用い実施例14と同様に電荷輸送層を形成し2
、さらに電荷発生層を形成し感光体を作製した。
このようにして得らt′また感光体の電子写真特性を川
口電機製静電記録紙試験袋fil、 r S P−42
8、、iを用いで測定した。
感光体の表面電位VS(ポルi)は暗所で(−6旧く(
のコI′:lす放電を10秒間行つ′?−感光体表面を
正帯1jせしめたときの初期の表面電位であり、続いて
コロナ放電を中止した状態で2秒間暗所保持1.たlき
の表面電位V、(ボルト)を測定17、さらに続いて威
光体表面に照度2ルツクスの白色光を照射(、てv、、
が半分になるまでの時間(秒)を求め半減衰を光11E
i72<ルックス・秒)とした。また、照度2ルツクス
の白色光を10秒間照射したときの表面電位を残留電位
V、(ボルト)とし、た。
第5表に見られろように、実施例13.14.1516
、17は半減衰露光量。残留電位ともに良好であっ1こ
。
実施例18 前記化合物No、 63からNo、 114で示される
化合物100重量部をそれぞれポリエステル樹脂(商品
名バイロン200:東洋結髪)100重量部とTI(F
溶剤とともに3時間混合機により混練して塗布液を調製
し、アルミニウム支持体上に約0.5μmになるように
塗布し電荷発生層をそれぞれ形成した。この上に、実施
例14で作製したのと同じ方法で得られたABPHの塗
布液を約15μ―になるように塗布し感光体を作製した
1゜ このようにして得られた感光体の電子写真特性を川口電
機製静電記録紙試験装置r S P−428Jを用いて
測定した。この結果を第6表に示す。
感光体の表面電位Vs(ボルト) は暗所で−6,0k
Vのコロナ放電を10秒間行って感光体表面を負帯電せ
しめたときの初期の表面電位であり、続いてコロナ放電
を中止した状態で2秒間暗所保持したときの表面電位V
d(ボルト)を測定し、さらに続いて感光体表面に照度
2ルツクスの白色光を照射してVdが半分になるまでの
時間〈秒)を求め半減り露光量E、/2(ルックス・秒
)とした。
第6表に見られろように、前記ビスアゾ化合物No、 
63〜114を電荷発生物質として用いた感光体につい
ても半減衰露光IE4z2は良好であった、3j!R6
表 (その1) 第  6 表 (その2) 実施例19 前記化合物No、 121で示される化合物50重量部
をポリエステル樹脂(商品名バイロン200:東洋結髪
)100重量部と1−フェニル−a−cp−ジエチルア
ミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフェニル)
−2−ピラゾリン(ΔS P P ) 100重量部と
テトラヒドロフラン(THF)溶剤とともに3時間混合
機により混練(9,て塗布液を調製し、導電性基体であ
るアルミ蒸着ポリエステルフィルム(^1PET)上に
、ワイヤーバー法にて塗布して、乾燥後の膜厚が15μ
ft+になるように感光体を作製した。
実施例20 tf、p−ジエチルアミノベンズアルデヒドシフ5ニル
ヒドラゾン(ABPH)100重量部とポリカーボネー
ト樹脂(商品名パンライトL−1250:帝人製)10
0重量部を塩化メチレンで溶解してできた塗液をアルミ
蒸着ポリエステルフィルム基体上にワイヤーバー法にて
塗布し、乾燥後のW厚が15μmになるように電荷輸送
層を形成した。このようにして得られた電荷輸送層上に
前記化合物N。
122で示される化合物50L1部、ポリエステル樹脂
(商品名バイYJン200;東洋紡製)50重量部とT
HF溶剤とともに3時間混合機により混練して蛤布液を
誠製しワイヤーバー法にて塗布し、乾is後の膜厚が0
45μmになるように電荷発生層を形成した。
実施例21 実施例20において、電荷輸送物質を、A B P H
に変えて、スチルベン化合物である、α−フェニル−4
“−N、N−ジメチルアミノスチルベンを用い実施例2
0と同様に電荷輸送層を形成し、さらに電荷発生層を形
成し感光体を作製した。
実施例22 実施例20において、電荷輸送物質を、ABPHに変え
て、トリフェニルアミン化合物である、ト!J(p−)
!lル)アミンを用い実施例20と同様に電荷輸送層を
形成し、さらに電荷発生層を形成し感光体を作製した。
実施例23 実施例20において、電荷輸送物質を、ABPHに変え
て、オキサジアゾール化合物である、2゜5=ビス(p
−ジエチルアミノフェニル)−u、3゜4−オキサジア
ゾールを用い実施例20と同様に電荷輸送層を形成し、
さらに電荷発生層を形成し感光体を作製した。
このようにして得られた感光体の電子写真特性を川口電
機製静電記録紙試験装置r S P−428Jを用いて
測定した。
感光体の表面電位VS(ボルト)は暗所で+6. Ok
Vのコロナ放電を10秒間行って感光体表面を正帯電せ
しめたときの初期の表面電位であり、続いてコロナ放電
を中止した状態で2秒間暗所保持したときの表面電位V
d(ボルト)を測定し、さらに続いて感光体表面に照度
2ルツクスの白色光を照射(7てv6が半分になるまで
の時間(秒)を求め半減衰露光lEI/2(ルックス・
秒)とした。また、照度2ルツクスの白色光を10秒間
照射したときの表面電位を残留電位Vr(ボルト)とし
た。
第  7 表 第7表に見られるように、実施例19.20.21゜2
2、23は半減衰霞光量、残留電位ともに良好であった
。
実施例24 前記化合物N01123からNo、 165で示される
化合物100重量部をそれぞれポリエステル樹脂(商品
名バイロン200:東洋結髪)100重量部とT HF
溶剤とともに3時間混合機により混練して塗布液を調製
し、アルミニウム支持体上に約0.5 peaになるよ
うに塗布し電荷発生層をそれぞれ形成した。この上に、
実施例20で作製したのと同じ方法で得られた八BPH
の塗布液を約15μ鎖になるように塗布し感光体を作製
[7た。
このようにして得られた感光体の電子写真特性を川口電
機製静電記録紙試11!装置r S P−428Jを用
いて測定し、た。この結果を第8表に示す。
感光体の表面電位Vs(ボルト) は暗所で−6,Ok
Vのコロナ放電を10秒nn行って感光体表面を負帯電
せしめたときの初期の表面電位であり、続いてコロナ放
電を中止した状態で2秒間暗所保持したときの表面電位
V、(ボルト)を測定し、さらに続いて感光体表面に照
度2ルツクスの白色光を照射してvdが半分になるまで
の時間(秒)を求め半減衰露光量EI/、(ルックス・
秒)とした。
第8表に見られるように、前記ビスアゾ化合物No、1
23〜165を電荷発生物質として用いた感光体につい
ても半減衰露光量E172は良好であった。
第  8  褒 (その1) 第  8  表  (その2ン 実施例25 前記化合物No、171で示される化合物50重j1部
をポリエステル樹脂(商品名バイロン200:東洋結髪
)100重量部と1−フェニル−3−(p−ジエチルア
ミノスチリル?−5ip−ジエチルアミノフェニル)−
2−ピラゾリン(A S P P) 100重IBとテ
トラヒドロフラン(THF)溶剤とともに3時間混合機
により混練して塗布液を調製し、導電性基体であるアル
ミ蒸着ポリエステルフィルム(^1−PET)上に、ワ
イヤーバー法にて塗布して、乾燥後の膜厚が15μmに
なるように感光体を作製した。
実施例26 t[’、p−ジエヂルアミノベンズアルデヒドジフ、ニ
ルヒドラソ゛ン(八BPH)100重量部とボ11カー
ボネート樹脂(商品名パンライトL−1250+帝人製
)100重量部を塩化メチレンで溶解してできた塗液を
アルミ蒸着ポリエスヴルフィルム基体上にワイヤーバー
法にて塗布し、乾燥後の膜厚が15μmになるように電
荷輸送層を形成した。 ζ二のようにして得られた電荷
輸送N 11に前記化合物1゜172で示される化合物
50重量部、ポリエステル樹脂(商品名バイロン200
:東洋結髪)501ult部とi’HF溶剤とともに3
時間混合機1により混練して塗布液を調製しワイヤーバ
ー法に〔塗布し、乾燥後の膜厚が0,5μlになるよう
に電荷発生層を形成(2゜た。
実施例27 実施例261:おいて、電荷輸送物質を、八BP)il
、テ変えて、スチルベン化合物−Cあろ、α−ンエ;−
ルー 4’−N、N−ジメチルアミノスチルベ〉′4用
い実施例26と同様に電荷輸送層を形、成I51.さC
・に電荷発生層を3tツ戚し感光体を作製lまた。
実施例28 実施例26において、電荷輸送物質を、八B P 14
に変えて、1リフ工ニルアミン化合物である、トリ (
p−トリル>’T’i、ンを用い実施例26と同様6ご
電荷輸送層を形成し、さらに電荷発生層を形成l。
感光体を作製した。
実施例29 実施例26において、電荷輸送物質を、ΔF3 P H
に変えて、オキサジアゾール化合物である、2゜5−ビ
ス(p−ジエチルアミノフ!ニル)−1,:1゜4−オ
キサジアゾールを用い実施例26と同様に電荷輸送層を
形成し、さらに電荷発生層を形成(7感光体を作製した
。
このようにして得られた感光体の電了写真特す94川ロ
電機製静電記録祁:試験装置r S P−428、、:
 ’f用いて測定した。
感光体の表面電位V・、(ボルト)は暗所び+6. (
lkV□′の二」ロナ放電を10秒間行って感光体表面
イ゛□ ’iE帯坏せし、めたときの初期り・1“&面
笛、位であり、続い〔コロナ放電を中Jした状態で2秒
間暗所保持した2−きの表面電位Vd(ボルト)を測定
し、さら1:続いて感光体表面に照度2ルツクスの白色
光を照射i5てV、が半分になるまでの時間(秒)を求
め半減衰露光!jE+7z(ルックス・秒)とした、ま
た、照度2ルツクスの白色光を10秒間照射したときの
表面電位を残留電位V、(ボルト・)とした。
第9表に見られるように、実施例25.26.27゜2
8、29は半減衰露光量、残留電位ともに良好であ。−
2た。
実施例30 前記化合物No、 173からNo、214で示される
化合物10(11債部+不イ7ぞれポリエステル樹脂(
商品名バイロン200:東汀#製)100重量部とT 
HF溶解とともに3時間混合機により混練して塗布液イ
ー卵製し、アルミニウム支持体上に約0.5μnになる
。Lうに塗布し電荷発生層をそれぞれ形成した。この上
に、実施例2Gで作! +−だのと同じ方法で得ら第1
たA B P Hの塗布液を約15/Jl11になるよ
うに塗布し、感光体を作製1.た。
このようにして得られた感光体の電子写真¥S1σを川
口電機製DNIIil!師1紙試験装@ I−S N”
428 、Jを用いて測定した。この結果を第10表に
示す。
感光体の表面電位VS(ボルト〉 は暗所で−(i、0
い゛のコロナ放電を10秒間行って感光体表面を負4R
M’=せしめたときの初期の表@電494であり、続い
て一10ナ放’144中止した状態で2秒間暗所保持し
、たときの表面電位V 、、 (ボルト)を測定し、さ
らじ続いて感光体表面に照度2ルツクスの白色光を照射
j。
てv、Iが半分になる°までの時間(秒)を求と)半減
駅露光IF、、2()i・・2クス・秒)とした、。
第10表1: 、Qらかて)ように、前記ビス了ゾ仕伶
物Nα173〜214を電荷発生物質として用いた感光
体についても半減衰露光量El/2は良好1・あった。
第 10  表  (その1) 第  1. [1表 (その2) 実施例31 前記化合物層22で示される化合物50重量部をポリ1
ステル樹脂(商品名バイロン200:東洋結髪)100
重量部と1−フェニル−3−(p−ジエヂルアミノスチ
リル)−5−(p−ジエチルアミノファーニル)−2−
ピラゾリン(Δ5PP)100重λ部とテトラヒドロフ
ラン(THF)溶剤とともに3時間混合機により混練し
て塗布液を調製し、導電性基体であるアルミ蒸着ポリエ
ステルフィルム(AA−PET)土に、ワイヤーバー法
にて塗布j5て9、乾燥後の膜厚が15μmになるよう
に感光体を作製した。
実施例32 まず、p−ジエヂルアミノベンズrルデヒドージフェニ
ルヒドラソ′ニノ(ABPH) 1001[111Nト
ポリカーボネート樹脂(商品名パンライトLi250+
帝人製)100重it部(塩化メチlノンで溶解しでで
きた塗液をアルミ蒸着ポリエステルフィルム基体上にワ
イヤーバー法にて塗布し、乾燥後の膜厚が15μmにな
るように電荷輸送層を形成した。このようにして得られ
た電荷輸送層上に前記化合物層222で示される化合物
50重量部、ポリエステル樹脂(商品名バイロン200
:東洋結髪)50重量部とTHF溶剤とともに3時間混
合機により氾、練り、て塗布液を調製しワイヤーバー法
にで塗布し、乾燥後の膜厚が0.5μmになるように電
荷発生層を形成した。
実施例33 実施例32において、電荷輸送物質を、ABPHに変え
て、スヂルベン化合物である、α〜フ2ニルー4’−N
、N−ジメチルアミノスチルベンを用い実施例32と同
様に電荷輸送層を形成し、さらに電荷発生層を形成し感
光体を作製した。
実施例34 実施例32において、電荷輸送物質を、八B P Hに
変えて、]・リフ工ニルアミン化合物である、ト!J(
p−)!Iル)7−ミンを用い実施例32と同様感ご電
荷輸送層を形成(5、さらに電荷発生層を形成し感光体
を作製した。
実施例35 実施例32において、電荷輸送物質を、AI> p ■
−xに変えて、オキツジアゾール化合物である、2゜5
−ビス(p−ジエチルアミノフェニル)−1゜3゜4〜
オキザジアゾールを用い実施例32と同様に電荷輸送層
を形成し、さらに電荷発生層を形成し感光体を作製した
。
このようにして得られた感光体の電子写真特性を川口電
機製rp電記録紙試験装@ r s P−428Jを用
いて測定した。
感光体の表面電位V S (ボルト)は暗所で+6. 
OkVのコロカ放電を10秒間行−7て感光体表面を正
相電ポしめたときの初期の表面電位であり、続いてコロ
ナ放電を中止した状態で2秒間暗所保持したときの表面
電位V、(ボルト)を測定し、さらに続いて感光体表面
に照度2ルツクスの白色光を照射l。
て■6が半分になるまでの時間(秒)を求め半減衰露光
IREI/2(ルックス・秒)とした。また、照度2ル
ツクスの白色光を10秒間照射したときの表面電位を残
留電位V、(ボルト)とした。
第11表に見られるように、実施例31.32.33゜
34、35は半減衰露光量、残留電位ともに良好であっ
た。
実施例36 前記化合物No、 223からNo、 264で示され
ろ化合物100重量部をそれぞれポリエステル樹脂(商
品名バイロン200:東洋結髪)100重量部とTHF
溶剤とともに3時間混合機により混練して塗布液を調製
し、アルミニウム支持体上に約0.5μのになるように
塗布し電荷発生層をそれぞれ形成した。この十に、実施
例32で作製したのと同じ方法で得られたABPHの塗
布液を約15μlになるように塗布し感光体を作製した
。
このようにして得られた感光体の電子写真特性を川口電
機製静電記録紙試験装置r S P−428Jを用いて
測定した。この結果を第12表に示す。
感光体の表面電位VS(ボルト)は暗所で−6,Okν
のコロナ放電を10秒間行って感光体表面を負帯電せし
めたときの初期の表面電位であり、続いてコロナ放電を
中止した状態で2秒間暗所保持したときの表面電位V、
(ボルト)を測定し、さらに続いて感光体表面に照度2
ルツクスの白色光を照射してvdが半分になるまでの時
間(秒)を求を半減衰露光IE、/2(ルックス・秒)
とした。
第12表に見られるように、前記ビスアゾ化合物漱22
3〜264を電荷発生物質として用いた感光体について
も半減衰露光量El/2は良好であった。
第 12  表 (その1) 第 12  表 (その2) 実施例37 前記化合物No、271で示される化合物50重量部を
ポリ1ステル樹脂(商品名バイロン200:東洋結髪)
ioo 重a部と1−フェニル−3−(p−ジエチルア
ミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフェニル)
−2−ピラゾリン(八spp>ioo重量部とテトラヒ
ドロフラン(THF)溶剤とともに3時間混合機により
混練して塗布液を調製し、導電性基体であるアルミ蒸着
ポリエステルフィルム(^pPET)上に、ワイヤーバ
ー法にて塗布して、乾燥後の膜厚が15μmになるよう
に感光体を作製し7 た 。
実施例38 まf、p−ジエチルアミノベンズアルデヒドジフェニル
ヒドラゾン(A B P H) 100重量部とポリカ
ーボネート樹脂(商品名パンライトl、−1250+帝
人製)100重量部を塩化メチレンで溶解してできた塗
液をアルミ蒸着ポリエステルフィルム基体上にワイヤー
バー法にて塗布し、乾燥後の膜厚が15μnになるよう
に電荷輸送層を形成した。このようにして得られた電荷
輸送層」二に前記化合物N。
272で示される化合物50重量部、ポリエステル樹脂
(商品名バイロン200:東洋結髪)50重量部とTH
F溶剤とともに3時間混合機により混練して塗布液を調
製しワイヤーバー法にて塗布し、乾燥後の膜厚が0.5
μmになるように電荷発生層を形成した。
実施例39 実施例38において、電荷輸送物質を、ABPHに変え
て、スチルベン化合物である、α−フェニル−4°−N
、N−ジメヂルアミノスチルベンを用い実施例38と同
様に電荷輸送層を形成し、さらに電荷発生層を形成し感
光体を作製した。
実施例40 実施例38において、電荷輸送物質を、ABPHに変え
て、トリフェニルアミン化合物である、1・TJ(p−
)!Iル)アミンを用い実施例38と同様に電荷輸送層
を形成し、さらに電荷発生層を形成し感光体を作製した
。
実施例41 実施例38において、電荷輸送物質を、ABPHに変え
て、オキサジアゾール化合物である、2゜5−ビス(p
−ジエチルアミノフェニル)−1,3゜4−オキサジア
ゾールを用い実施例38と同様に電荷輸送層を形成し、
さらに電荷発生層を形成り、感光体を作製した。
このようにして得られた感光体の電子写真特性を川口電
機製静電記録紙試験装置r S P−428、、、+を
用いて測定した。
感光体の表面電位Vs(ボルト)は暗所で16.OkV
のコロナ放電を10秒間行って感光体表面を正帯電せし
めたときの初期の表面電位であり、続いてコロナ放電を
中肚した状態で2秒間暗所保持したときの表面電位V、
(ボルト)を測定し、さらに続いて感光体表面に照度2
ルツクスの白色光を照射してvdが半分になるまでの時
間(秒)を求め半減衰露光IEI/2(ルックス・秒)
とした。また、照度2ルツクスの白色光を10秒間照射
したときの表面電位を残留電位V、(ボルト)とした。
第13表に見られるように、実施例37.38.39゜
40、41は半減衰露光量、残留電位ともに良好であっ
た。
実施例42 前記化合物No、 273からN01314で示される
化合物100重量部をそれぞれポリエステル樹脂〈商品
名バイロン200:東洋結髪)100重量部とT HF
溶剤とともに3時間混合機により混練して塗布液を調製
し、アルミニウム支持体上に約0,5μmになるように
塗布し電荷発生層をそれぞれ形成した。この上に、実施
例38で作製したのと同じ方法で得られた八BPHの塗
布液を約15μmになるように塗布し感光体を作製した
。
このようにして得られた感光体の電子写真特性を川口電
機製静電記録紙試験装@ r S P−428Jを用い
て測定した。この結果を第14表に示す。
感光体の表面電位VS(ボルト) は暗所で−6,Ok
Vのコロナ放電を10秒間行って感光体表面を負帯電せ
しめたときの初期の表面電位であり、続いてコロナ放電
を中止した状態で2秒間暗所保持したときの表面電位V
、(ボルト)を測定し、さらに続いて感光体表面に照度
2ルツクスの白色光を照射してvdが半分になるまでの
時間(秒)を求め半減衰露光ff1Elz2(ルックス
・秒)とした。
′@14表に見られるように、前記ビスアゾ化合物No
、273〜314を電荷発生物質と1.で用いた感光体
についても半減りh光IE−zaは良好であ、った。
第 J4  表 (その1) 第  14  表 (その2) 実施例43 前記化合物No、 321で示される化合物50叶量部
をポリニスデル樹脂(商品名バイロン200:東洋統制
)ioo重量部とi−フェニル−3−(p−ジエチル”
rミノスチリル)−5−(p−ジエチル丁ミノフェニル
)−2−ピラゾリン(A S P P> 100重量部
とテトラヒドロフラン(THF)溶剤とともに3時間混
合機により混練して唆布液を調製【71、導電性基体で
あるアルミ蒸着ポリエステルフイルl、(^β−PET
)上に、ワイヤーバー法にて塗布し、て、乾燥後の膜厚
が1511mになるように感光体を作製した。
実施例44 まず、p−ジエチルアミノベンズアルデヒド−ジフェニ
ルヒドラゾン(A B P )() )00重を部とポ
リカーボネート樹脂(商品名パンライトL−1250:
帝人製)100重量部を塩化メヂレンで溶解しCできた
塗液をアルミ蒸着ポリコースチルフィルム基体上にワイ
ヤーバー法にて塗布し、乾燥後の膜厚が15μmになる
ように電荷輸送層を形成した。このよ・うにし2で書ら
れた電荷輸送層上δご前記化合物面322で示される化
合物50重量部、ポリエステル樹脂(商品名バイロン2
00:東洋統制)50重量部とTHF溶剤とともに3時
間混合機により混練して塗布液を調製しワイヤーバー法
にて塗布し、乾燥後の膜厚が0.5μmになるように電
荷発生層を形成した。
実施例45 実施例44において、電荷輸送物質を、八BPHに変え
て、スヂルベン化合物である、α−フェニル−4’−N
、N−ジメチルアミノスチルベンを用い実施例44と同
様に電荷輸送層を形成し、さらに電荷発生層を形成し感
光体を作製した。
実施例46 実施例44において、電荷輸送物質を、A B P H
17変えて、トリフェニル“Tミン化合物である、ト!
I(p−)リル)アミンを用い実施例44と同様に電荷
輸送層を形成し、さらに電荷発生層を形成9し感光体を
作製した。
実施例47 実施例441.:おいて、電荷輸送物質を、八F3 P
 Hに変えて、オキサジアゾール化合物である、25−
ビス(p−ジエチルアミノフSニル)−1,3゜4−4
ベサジアゾールを用い実施例44と同様に重荷輸送層を
形成し、さらに電荷発生層を形成1.、 Ff<光体を
作製した。
このようにして得られた感光体の電子写真特性を川口電
機製静電記録に試験装置r S P−428−+を用い
て測定した。
感光体の表面電位V s (ボルト・)は暗所で+[i
、OkVのコロナ放電を1. (1秒間行って感光体表
面を正帯電せしめたときの初期の表面電位であり、続い
てコ1」す放電を中11コし2だ状態で2秒間暗所保持
したときの表面電位V、(ボルト)を測定)2、さらに
続いて感光体表面に照度2ルツクスの白色光を照射し。
てV、が半分(こなるまでの時間(秒)を求め半減衰露
光W’i x> 1.、’z (ルックス・秒)とした
0、また、照度2ルツクスの白色光を10秒間照射り、
たときの表面電位を残留電位Vr(ポルl−)とした。
第15表 46.4“tは¥、減衰訪光量、残留電位とも17良好
であ実施例48 前記化合物No、 323からNo、 386で示され
る化合物100重1部をそれぞれポリエステル樹脂(商
品名バイロン20[]:東洋紡結髪100!li情部と
T HF溶剤とともに3時間混合機により混練して塗布
液を調製し、アルミニウム支持体UI I’::約0.
5μmになるJうに塗布し電荷発生層をそれぞれ形成し
、た。この4J−に、実施例44で作製したのと同じ方
法で得られたABPHの塗布液を約15ノ(になるよう
に塗布し感光体を作製(,7た。
このようにして得られた感光体の電子写真特性を川口電
機製静電記録紙試験装置r S P−428Jを用いて
測定した。この結果を第16表に示す。
感光体の表面電位V、(ボアp))  は暗所で−6,
OkVのコl〕す放電を10秒間行−2で感光体表面を
負帯電せしめたときの初期の表面電位゛eあり、続いて
コロナ放電を中止した状態で2秒間暗所保持し、たとき
の表面電位V、+(ボルト〉を測定し、さらに続いて感
光体表面4に照度2ルツクスa)白色光を照射し7rV
、、が半分になるまでの時間(秒)を求め半減衰G R
量E+/a(ルックス・秒)と11.た。
第16表に見られるように、前記ビスアゾ化合物& 3
23〜386を電荷発生物質として用いた感光体に−)
いても半減衰露光量El/21;l良好であった。
第 16  表 〈その1) 第  16  表 (その2) 第 表 (その3) 被覆層、20゜ 感光層。
〔発明の効果〕
本発明によれば、導電性基体上に電荷発生物質として前
記−飲薬(1)〜(■)で示される化合物を用いること
としたため、正帯電および負帯電においても高感度でし
かも繰り返し特性の優れた感光体を得ることができる。
さらに、必要に応じて表面に被覆層を設置して耐久性を
向上することが可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図および第3図は本発明の感光体のそれぞ
れ異なる実施例を示す概念的断面図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)一般式( I )で示されるビスアゾ化合物のうちの
    少なくとも一種を含む感光層を有することを特徴とする
    電子写真用感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・( I ) 〔式( I )中A_1は、一般式(IX)〜(XIV)で表
    されるカップラー残基である。 ▲数式、化学式、表等があります▼(IX)▲数式、化学
    式、表等があります▼(X) ▲数式、化学式、表等があります▼(X I )▲数式、
    化学式、表等があります▼(XII) ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
    式、表等があります▼(XIV) ▲数式、化学式、表等があります▼(XIV) 式(IX)〜(XIV)において、Zはベンゼン環と縮合し
    て芳香族多環あるいは複素環を形成する残基、X_1は
    OR_1もしくはNR_2R_3(R_1、R_2およ
    びR_3は、それぞれ水素原子、置換されてもよいアル
    キル基、アリール基、または複素環基を表す)、X_2
    およびX_5はそれぞれ置換されてもよいアルキル基、
    アリール基、または複素環基を表し、X_3およびX_
    6は水素原子、シアノ基、カルバモイル基、カルボキシ
    ル基、エステル基またはアシル基を表し、X_4または
    X_1_1は水素原子、置換されてもよいアルキル基、
    シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリ
    ール基または複素環基を表し、X_7およびX_8はそ
    れぞれ水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、置換されて
    もよいアルキル基またはアルコキシ基を表し、X_9は
    置換されてもよいアルキル基、アリール基、カルボキシ
    ル基、エステル基を表し、X_1_0は置換されてもよ
    いアリール基または複素環基を表し、Yは芳香族環ある
    いは複素環を形成する残基を表す。〕 2)一般式(II)で示されるビスアゾ化合物のうちの少
    なくとも一種を含む感光層を有することを特徴とする電
    子写真用感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・(II) 〔式(II)中A_2は、一般式(IX)〜(XIV)で表さ
    れるカップラー残基である。 ▲数式、化学式、表等があります▼(IX)▲数式、化学
    式、表等があります▼(X) ▲数式、化学式、表等があります▼(X I )▲数式、
    化学式、表等があります▼(XII) ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
    式、表等があります▼(XIII) ▲数式、化学式、表等があります▼(XIV) 式(IX)〜(XIV)において、Zはベンゼン環と縮合し
    て芳香族多環あるいは複素環を形成する残基、X_1は
    OR_1もしくはNR_2R_3(R_1、R_2およ
    びR_3は、それぞれ水素原子、置換されてもよいアル
    キル基、アリール基、または複素環基を表す)、X_2
    およびX_5はそれぞれ置換されてもよいアルキル基、
    アリール基、または複素環基を表し、X_3およびX_
    6は水素原子、シアノ基、カルバモイル基、カルボキシ
    ル基、エステル基またはアシル基を表し、X_4または
    X_1_1は水素原子、置換されてもよいアルキル基、
    シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリ
    ール基または複素環基を表し、X_7およびX_8はそ
    れぞれ水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、置換されて
    もよいアルキル基またはアルコキシ基を表し、X_9は
    置換されてもよいアルキル基、アリール基、カルボキシ
    ル基、エステル基を表し、X_1_0は置換されてもよ
    いアリール基または複素環基を表し、Yは芳香族環ある
    いは複素環を形成する残基を表す。〕 3)一般式(III)で示されるビスアゾ化合物のうちの
    少なくとも一種を含む感光層を有することを特徴とする
    電子写真用感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・(III) 〔式(III)中、R_4およびR_5は水素原子、ハロ
    ゲン原子または置換されてもよいアルキル基もしくはア
    ルコキシ基、R_6およびR_7は水素原子または置換
    されてもよいアルキル基もしくはアリール基、A_3は
    一般式(X)〜(XVI)で表されるカップラー残基であ
    る。 ▲数式、化学式、表等があります▼(X)▲数式、化学
    式、表等があります▼(X I ) ▲数式、化学式、表等があります▼(XII) ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
    式、表等があります▼(XIII) ▲数式、化学式、表等があります▼(XIV)▲数式、化
    学式、表等があります▼(XV)▲数式、化学式、表等
    があります▼(XVI) 式(X)〜(XVI)において、Zはベンゼン環と縮合し
    て芳香族多環あるいは複素環を形成する残基、X_1_
    4は水素原子、COOR_8またはCONR_9R_1
    _0(R_8、R_9およびR_1_0は、それぞれ水
    素原子、置換されてもよいアルキル基、アリール基、ま
    たは複素環基を表す)、X_2およびX_5はそれぞれ
    置換されてもよいアルキル基、アリール基、または複素
    環基を表し、X_3およびX_6は水素原子、シアノ基
    、カルバモイル基、カルボキシル基、エステル基または
    アシル基を表し、X_4およびX_1_1、X_1_2
    、X_1_3は水素原子、置換されてもよいアルキル基
    、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、ア
    リール基または複素環基を表し、X_7およびX_8は
    それぞれ水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、置換され
    てもよいアルキル基またはアルコキシ基を表し、X_9
    は置換されてもよいアルキル基、アリール基、カルボキ
    シル基、エステル基を表し、X_1_0は置換されても
    よいアリール基または複素環基を表し、Yは芳香族環あ
    るいは複素環を形成する残基を表す。〕 4)一般式(IV)で示されるビスアゾ化合物のうちの少
    なくとも一種を含む感光層を有することを特徴とする電
    子写真用感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・(IV) 〔式(IV)中、R_1_1は水素原子、ハロゲン原子、
    アルキル基、アリール基またはシアノ基、A_4は一般
    式(IX)〜(XIV)で表されるカップラー残基である。 ▲数式、化学式、表等があります▼(IX)▲数式、化学
    式、表等があります▼(X) ▲数式、化学式、表等があります▼(X I )▲数式、
    化学式、表等があります▼(XII) ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
    式、表等があります▼(XIII) ▲数式、化学式、表等があります▼(XIV) 式(IX)〜(XIV)において、Zはベンゼン環と縮合し
    て芳香族多環あるいは複素環を形成する残基、X_1は
    OR_1もしくはNR_2R_3(R_1、R_2およ
    びR_3は、それぞれ水素原子、置換されてもよいアル
    キル基、アリール基、または複素環基を表す)、X_2
    およびX_5はそれぞれ置換されてもよいアルキル基、
    アリール基、または複素環基を表し、X_3およびX_
    6は水素原子、シアノ基、カルバモイル基、カルボキシ
    ル基、エステル基またはアシル基を表し、X_4または
    X_1_1は水素原子、置換されてもよいアルキル基、
    シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリ
    ール基または複素環基を表し、X_7およびX_8はそ
    れぞれ水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、置換されて
    もよいアルキル基またはアルコキシ基を表し、X_9は
    置換されてもよいアルキル基、アリール基、カルボキシ
    ル基、エステル基を表し、X_1_0は置換されてもよ
    いアリール基または複素環基を表し、Yは芳香族環ある
    いは複素環を形成する残基を表す。〕 5)一般式(V)で示されるビスアゾ化合物のうちの少
    なくとも一種を含む感光層を有することを特徴とする電
    子写真用感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・(V) 〔式(V)中、A_5は一般式(IX)〜(XIV)で表さ
    れるカップラー残基である。 ▲数式、化学式、表等があります▼(IX)▲数式、化学
    式、表等があります▼(X) ▲数式、化学式、表等があります▼(X I )▲数式、
    化学式、表等があります▼(XII) ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
    式、表等があります▼(XIII) ▲数式、化学式、表等があります▼(XIV) 式(IX)〜(XIV)において、Zはベンゼン環と縮合し
    て芳香族多環あるいは複素環を形成する残基、X_1は
    OR_1もしくはNR_2R_3(R_1、R_2およ
    びR_3は、それぞれ水素原子、置換されてもよいアル
    キル基、アリール基、または複素環基を表す)、X_2
    およびX_5はそれぞれ置換されてもよいアルキル基、
    アリール基、または複素環基を表し、X_3およびX_
    6は水素原子、シアノ基、カルバモイル基、カルボキシ
    ル基、エステル基またはアシル基を表し、X_4または
    X_1_1は水素原子、置換されてもよいアルキル基、
    シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリ
    ール基または複素環基を表し、X_7およびX_8はそ
    れぞれ水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、置換されて
    もよいアルキル基またはアルコキシ基を表し、X_9は
    置換されてもよいアルキル基、アリール基、カルボキシ
    ル基、エステル基を表し、X_1_0は置換されてもよ
    いアリール基または複素環基を表し、Yは芳香族環ある
    いは複素環を形成する残基を表す。〕 6)一般式(VI)で示されるビスアゾ化合物のうちの少
    なくとも一種を含む感光層を有することを特徴とする電
    子写真用感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・(VI) 〔式(VI)中、R_1_2、R_1_3はそれぞれ水素
    原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアリール基、A
    _6は一般式(IX)〜(XIV)で表されるカップラー残
    基である。▲数式、化学式、表等があります▼(IX)▲
    数式、化学式、表等があります▼(X) ▲数式、化学式、表等があります▼(X I )▲数式、
    化学式、表等があります▼(XII) ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
    式、表等があります▼(XIII) ▲数式、化学式、表等があります▼(XIV) 式(IX)〜(XIV)において、Zはベンゼン環と縮合し
    て芳香族多環あるいは複素環を形成する残基、X_1は
    OR_1もしくはNR_2R_3(R_1、R_2およ
    びR_3は、それぞれ水素原子、置換されてもよいアル
    キル基、アリール基、または複素環基を表す)、X_2
    およびX_5はそれぞれ置換されてもよいアルキル基、
    アリール基、または複素環基を表し、X_3およびX_
    6は水素原子、シアノ基、カルバモイル基、カルボキシ
    ル基、エステル基またはアシル基を表し、X_4または
    X_1_1は水素原子、置換されてもよいアルキル基、
    シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリ
    ール基または複素環基を表し、X_7およびX_8はそ
    れぞれ水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、置換されて
    もよいアルキル基またはアルコキシ基を表し、X_9は
    置換されてもよいアルキル基、アリール基、カルボキシ
    ル基、エステル基を表し、X_1_0は置換されてもよ
    いアリール基または複素環基を表し、Yは芳香族環ある
    いは複素環を形成する残基を表す。〕 7)一般式(VII)で示されるビスアゾ化合物のうちの
    少なくとも一種を含む感光層を有することを特徴とする
    電子写真用感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・(VII) 〔式(VII)中、A_7は一般式(IX)〜(XIV)で表
    されるカップラー残基である。 ▲数式、化学式、表等があります▼(IX)▲数式、化学
    式、表等があります▼(X) ▲数式、化学式、表等があります▼(X I )▲数式、
    化学式、表等があります▼(XII) ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
    式、表等があります▼(XIII) ▲数式、化学式、表等があります▼(XIV) 式(IX)〜(XIV)において、Zはベンゼン環と縮合し
    て芳香族多環あるいは複素環を形成する残基、X_1は
    OR_1もしくはNR_2R_3(R_1、R_2およ
    びR_3は、それぞれ水素原子、置換されてもよいアル
    キル基、アリール基、または複素環基を表す)、X_2
    およびX_5はそれぞれ置換されてもよいアルキル基、
    アリール基、または複素環基を表し、X_3およびX_
    6は水素原子、シアノ基、カルバモイル基、カルボキシ
    ル基、エステル基またはアシル基を表し、X_4または
    X_1_1は水素原子、置換されてもよいアルキル基、
    シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリ
    ール基または複素環基を表し、X_7およびX_8はそ
    れぞれ水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、置換されて
    もよいアルキル基またはアルコキシ基を表し、X_9は
    置換されてもよいアルキル基、アリール基、カルボキシ
    ル基、エステル基を表し、X_1_0は置換されてもよ
    いアリール基または複素環基を表し、Yは芳香族環ある
    いは複素環を形成する残基を表す。〕 8)一般式(VIII)で示されるビスアゾ化合物のうちの
    少なくとも一種を含む感光層を有することを特徴とする
    電子写真用感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・(VIII) 〔式(VIII)中、nは1〜3の整数、A_■は一般式(
    IX)〜(XIV)で表されるカップラー残基である。 ▲数式、化学式、表等があります▼(IX)▲数式、化学
    式、表等があります▼(X) ▲数式、化学式、表等があります▼(X I )▲数式、
    化学式、表等があります▼(XII) ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
    式、表等があります▼(XIII) ▲数式、化学式、表等があります▼(XIV) 式(IX)〜(XIV)において、Zはベンゼン環と縮合し
    て芳香族多環あるいは複素環を形成する残基、X_1は
    OR_1もしくはNR_2R_3(R_1、R_2およ
    びR_3は、それぞれ水素原子、置換されてもよいアル
    キル基、アリール基、または複素環基を表す)、X_2
    およびX_5はそれぞれ置換されてもよいアルキル基、
    アリール基、または複素環基を表し、X_3およびX_
    6は水素原子、シアノ基、カルバモイル基、カルボキシ
    ル基、エステル基またはアシル基を表し、X_4または
    X_1_1は水素原子、置換されてもよいアルキル基、
    シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリ
    ール基または複素環基を表し、X_7およびX_8はそ
    れぞれ水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、置換されて
    もよいアルキル基またはアルコキシ基を表し、X_9は
    置換されてもよいアルキル基、アリール基、カルボキシ
    ル基、エステル基を表し、X_1_0は置換されてもよ
    いアリール基または複素環基を表し、Yは芳香族環ある
    いは複素環を形成する残基を表す。〕
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