JPH0394478A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0394478A JPH0394478A JP1231102A JP23110289A JPH0394478A JP H0394478 A JPH0394478 A JP H0394478A JP 1231102 A JP1231102 A JP 1231102A JP 23110289 A JP23110289 A JP 23110289A JP H0394478 A JPH0394478 A JP H0394478A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、フォトトランジスタやフォトダイオードなど
の光信号を電気信号に変換するための受光素子を内蔵し
た半導体装置に関するものである．従来の技術 従来、この種の半導体装置は、第２図に示すような楕戒
であった．第２図において、１は半導体回路を＃ｌ戒す
るバイボーラトランジスタであり、２は受光素子を楕戒
するフォトダイオードである．３はこの半導体集積回路
上に形戒されたシリコンナイトライドなどの表面保護膜
である。
の光信号を電気信号に変換するための受光素子を内蔵し
た半導体装置に関するものである．従来の技術 従来、この種の半導体装置は、第２図に示すような楕戒
であった．第２図において、１は半導体回路を＃ｌ戒す
るバイボーラトランジスタであり、２は受光素子を楕戒
するフォトダイオードである．３はこの半導体集積回路
上に形戒されたシリコンナイトライドなどの表面保護膜
である。
発明が解決しようとする課題
このような従来の梢戒では、受光素子を構或するフォト
ダイオード２のＰ型受光領域４上の表面＠護膜３による
入射光の多重干渉効果のため、フォトダイオード２の分
光感度特性に第３図に示すような波立ちが発生する。こ
れは、受光素子間の光電流感度のばらつきの要因となり
、品質の安定化を阻害していた． 本発明は上記問題を解決するもので、受光素子の光感度
のばらつきを低減でき品質を安定にできる半導体装置を
提供することを目的とするものである． 課題を解決するための手段 この問題を解決するために本発明の半導体装置は、フォ
トダイオードなどの受光素子の受光領域上の表面保護膜
の厚さを上記受光領域以外の表面保護膜の厚さよりも薄
くしたものである．作用 この構成により、受光素子の表面保護膜による多重干渉
効果を除去することができ、信頼性を低下させることな
く、受光素子間の光電流感度のばらつきを小さくするこ
とが可能となる．実施例 以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
ダイオード２のＰ型受光領域４上の表面＠護膜３による
入射光の多重干渉効果のため、フォトダイオード２の分
光感度特性に第３図に示すような波立ちが発生する。こ
れは、受光素子間の光電流感度のばらつきの要因となり
、品質の安定化を阻害していた． 本発明は上記問題を解決するもので、受光素子の光感度
のばらつきを低減でき品質を安定にできる半導体装置を
提供することを目的とするものである． 課題を解決するための手段 この問題を解決するために本発明の半導体装置は、フォ
トダイオードなどの受光素子の受光領域上の表面保護膜
の厚さを上記受光領域以外の表面保護膜の厚さよりも薄
くしたものである．作用 この構成により、受光素子の表面保護膜による多重干渉
効果を除去することができ、信頼性を低下させることな
く、受光素子間の光電流感度のばらつきを小さくするこ
とが可能となる．実施例 以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体装置の断面構造
図であり、Ｐ型シリコン基板６上にＮ型エピタキシャル
或長層５を形成し、ＰＮ接合分離により島状に分離され
た二つの領域に、ＮＰＮ型のバイボーラトランジスタ１
とフォトダイオード２を周知のバイボーラＩＣ製造技術
を用いて作り込んだ状態を示している。表面にフィール
ドシリコン酸化ＷＡ７、アルミニウム配ｍ電′！ｆ１８
．９などを形或した後、プラズマＣＶＤ技術を用いて、
表面保護膜として窒化シリコンＩＩ！３を約１，０μｍ
形成し、周知のフォトリソ技術を用いて、フォトダイオ
ードのＰ型受光領域４上の表面保護膜の窒化シリコン膜
１０を約０．３μｍの厚さになるまでドライエッチング
している。
図であり、Ｐ型シリコン基板６上にＮ型エピタキシャル
或長層５を形成し、ＰＮ接合分離により島状に分離され
た二つの領域に、ＮＰＮ型のバイボーラトランジスタ１
とフォトダイオード２を周知のバイボーラＩＣ製造技術
を用いて作り込んだ状態を示している。表面にフィール
ドシリコン酸化ＷＡ７、アルミニウム配ｍ電′！ｆ１８
．９などを形或した後、プラズマＣＶＤ技術を用いて、
表面保護膜として窒化シリコンＩＩ！３を約１，０μｍ
形成し、周知のフォトリソ技術を用いて、フォトダイオ
ードのＰ型受光領域４上の表面保護膜の窒化シリコン膜
１０を約０．３μｍの厚さになるまでドライエッチング
している。
発明の効果
以上のように本発明によれば、半導体回路と受光素子と
を複合化した半導体装置において、半導体装置としての
信頼性を劣化させることなく、受光素子の光感度ばらつ
きを低減させることができるという効果が得られる。
を複合化した半導体装置において、半導体装置としての
信頼性を劣化させることなく、受光素子の光感度ばらつ
きを低減させることができるという効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例による半導体装置を示す断面
構造図、第２図は従来の半導体装置を示す断面構造図、
第３図は従来の半導体装置におけるフォトダイオードの
分光感度特性の一例である．１・・・バイボーラトラン
ジスタ、２・・・フォトダイオード、３・・・窒化シリ
コン表面保護膜、４・・・フォトダイオードのＰ型受光
領域、５・・・Ｎ型エピタキシャル層、６・・・Ｐ型シ
リコン基板、７・・・フィールドシリコン酸化膜、８．
９・・・アルミニウム配線電極、１０・・・フォトダイ
オード受光領域上の窒化シリコン表面保護膜。
構造図、第２図は従来の半導体装置を示す断面構造図、
第３図は従来の半導体装置におけるフォトダイオードの
分光感度特性の一例である．１・・・バイボーラトラン
ジスタ、２・・・フォトダイオード、３・・・窒化シリ
コン表面保護膜、４・・・フォトダイオードのＰ型受光
領域、５・・・Ｎ型エピタキシャル層、６・・・Ｐ型シ
リコン基板、７・・・フィールドシリコン酸化膜、８．
９・・・アルミニウム配線電極、１０・・・フォトダイ
オード受光領域上の窒化シリコン表面保護膜。
Claims (1)
- １、同一基板上に受光素子と半導体回路より構成される
チップの表面保護膜の厚さが、上記受光素子の受光領域
の方が上記受光領域外よりも薄くなるように形成されて
いる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1231102A JPH0394478A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1231102A JPH0394478A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0394478A true JPH0394478A (ja) | 1991-04-19 |
Family
ID=16918333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1231102A Pending JPH0394478A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0394478A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6118165A (en) * | 1997-03-28 | 2000-09-12 | Rohm Co., Ltd. | Photodiode and optical transmitter-receiver |
| US6171882B1 (en) * | 1998-12-11 | 2001-01-09 | United Microelectronics Corp. | Method of manufacturing photo diode |
| US7288825B2 (en) | 2002-12-18 | 2007-10-30 | Noble Peak Vision Corp. | Low-noise semiconductor photodetectors |
| US20150372216A1 (en) * | 2014-06-20 | 2015-12-24 | Robert Bosch Gmbh | Thermodiode Element for a Photosensor for Infrared Radiation Measurement, Photosensor and Method for producing a Thermodiode Element |
-
1989
- 1989-09-06 JP JP1231102A patent/JPH0394478A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6118165A (en) * | 1997-03-28 | 2000-09-12 | Rohm Co., Ltd. | Photodiode and optical transmitter-receiver |
| US6171882B1 (en) * | 1998-12-11 | 2001-01-09 | United Microelectronics Corp. | Method of manufacturing photo diode |
| US7288825B2 (en) | 2002-12-18 | 2007-10-30 | Noble Peak Vision Corp. | Low-noise semiconductor photodetectors |
| US8035186B2 (en) | 2005-08-23 | 2011-10-11 | Infrared Newco, Inc. | Low-noise semiconductor photodetectors |
| US8766393B2 (en) | 2005-08-23 | 2014-07-01 | Infrared Newco, Inc. | Low-noise semiconductor photodetectors |
| US20150372216A1 (en) * | 2014-06-20 | 2015-12-24 | Robert Bosch Gmbh | Thermodiode Element for a Photosensor for Infrared Radiation Measurement, Photosensor and Method for producing a Thermodiode Element |
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