JPH039535A - 電荷検出回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は特に高利得の電荷検出を行なう電荷検出回路に
関する。

（従来の技術） 従来のＣＣＤ　（Ｃｈａｒｇｅ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｄｅ
ｖｌｃｅ）等に用いられる電荷検出では同一基板上に浮
遊拡散層を形成しリセットパルスと所定の位相関係を保
ちつつ浮遊拡散層に信号電荷を流入させ、この浮遊拡散
層における電位変化を高入力インピーダンスのバッファ
、例えばソースホロワ回路にて検出するという方法が用
いられている。

電荷検出回路の利得Ｇを、単位信号電荷に対する出力電
圧の比で定義すると、これは浮遊拡散層の容量をＣ、ソ
ースホロワ回路の電圧利得をＡｖとしてＧ””（１／Ｃ
）Ａｖとあられされる。利得Ｇを大きくするためには容
ｆｆ１ｃを小さくするか、あるいはＡｖを大きくするか
をしなければならない。

ところで容′ｍＣはデバイスマスクあわせ等の加工精度
や浮遊拡散層の浮遊容量等の制約により限界があり、又
、電圧利得Ａｙは一般に１を越える値とはならない。こ
のため、電荷検出の利得を大きくするために、オンチッ
プ増幅を付加する方法、すなわちソースホロワ回路の出
力端子にさらに増幅回路を設けることが考えられている
。

以下、従来の電荷検出回路を第２図を用いて説明する。

この回路は、信号電圧を検出するソースホロワ回路（２
１５）　　このソースホロワ回路（２１５）の負荷ＭＯ
Ｓトランジスタ（２１０）に印加する電圧を発生するた
めの電圧発生回路（２０５ａ）、ソースホロワ回路（２
１５）の出力を電圧増幅するインバータ増幅回路（２０
５ｂ）の３つから構成されている。各部分の構成を以下
順次説明する。まずソースホロワ回路（２１５）につい
ては、浮遊拡散層（２０１ａ）はリセットスイッチであ
るＭＯＳトランジスタ（２０２ａ）のソース側に接続さ
れている。リセットスイッチであるＭＯＳ）ランジスタ
（２０２ａ）のドレインはリセットドレイン電圧（２０
３）に接続され、ゲートはリセットパルス印加端子（２
０４ａ）に接続されている。

次に電圧発生回路（２０５ａ）について説明する。浮遊
拡散層（２０１ｂ）は同様にリセットスイ・ソチである
ＭＯＳ）ランジスタ（２０２ｂ）のソース側に接続され
ている。リセットスイッチであるＭＯＳトランジスタ（
２０２ｂ）のドレインはリセットドレイン電圧（２０３
）に接続され、ゲートはリセットパルス印加端子（２０
４ｂ）に接続されている。

この回路は負荷ＭＯＳトランジスタ（２０７）　、及び
ドライバーＭＯＳトランジスタ（２０８）から構成され
ている。負荷ＭＯＳトランジスタ（２０７）のゲートは
浮遊拡散層（２１０ｂ）に接続され、ドレインは電源電
圧（２０Ｂ）に接続されている。ドライバーＭＯＳ）ラ
ンジスタ（２０８）のゲートはドレインと接続され、ま
た、負荷ＭＯ３）ランジスタ（２Ｑ７）のソースにも接
続されている。インバータ回路（２０５ａ）の入力はド
ライバーＭＯＳトランジスタ（２０８）のゲートに入力
され、出力はドライバーＭＯＳトランジスタ（２０ｇ）
のドレインから出力される。

ソースホロワ回路（２１５）はドライバーＭＯＳ）ラン
ジスタ（２０９）　、及び負荷ＭＯＳトランジスタ（２
１０）から構成されている。ソースホロワ（２１５）の
入力はドライバーＭＯＳトランジスタ（２０９）のゲー
トから入力され、出力はドライバーＭＯＳ）ランジスタ
（２０９）のソースから出力される。ドライバーＭＯＳ
トランジスタ（２０９）のゲートは浮遊拡散層（２０１
ａ）に接続され、ドレインは電源電圧（２０Ｂ）に接続
されている。負荷ＭＯＳトランジスタ（２１０）のゲー
トはインバータ回路（２０５ａ）の出力が接続され、ド
レインはドライバーＭＯＳトランジスタ（２０９）のソ
ースに接続されている。

インバータ回路（２０５ｂ）は負荷ＭｏＳトランジスタ
（２１１）　、及びドライバーＭＯ３）ランジスタ（２
１２）から構成されている。インバータ回路（２０５ｂ
）の入力はドライバーＭＯＳトランジスタ（１１２）の
ドレインから入力され、出力は負荷ＭＯＳトランジスタ
（２１１）のソースから出力され出力端子（２１Ｂ）に
接続されている。負荷ＭＯＳトランジスタ（２１１）の
ゲートはドレインと接続されており、ドレインは電源電
圧（２０Ｂ）に接続されている。ドライバーＭＯＳトラ
ンジスタ（２１２）のゲートはソースホロワ回路（２１
５）のドライバーＭＯ３）ランジスタ（２０９）のソー
スに接続されており、ドレインは負荷ＭＯＳトランジス
タ（２１１）のソースに接続されている。

いま、それぞれ回路のＶ　　、Ｖ　　、Ｖ　　におけＣ
Ｄ る電位を等しくするためにＭｏ３）ランジスタの条件を
以下のように設定する。ＭＯＳトランジスタのゲート長
さをり、ゲート幅をＷとしてＭＯＳトランジスタのＷ／
Ｌを求める。例えばインバータ回路（２０５ａ）のＭＯ
Ｓトランジスタ（２０７）の比をＷ、／Ｌ、、ＭＯＳ　
トランジスタ（２Ｈ）の比をＷ２／Ｌ２としてその比（
Ｗｌ　／Ｌｌ　）　／（Ｗ２　／Ｌ２　）　　（形成比
）を求める。同様にソースホロワ回路（２１５）　、及
びインバータ回路（２０５ｂ）の比を求める。いまこの
値をすべて等しくしてＶ、Ｖ、Ｖ、における電位を等し
くする。

Ｃ 次に動作を説明する。まず、電源電圧（２０６）とリセ
ットドレイン電圧（２０３）は同一電圧に設定する。電
荷転送装置（図示せず）から得られた信号電荷はリセッ
トパルスと所定の位相関係を保ちつつ浮遊拡散層（２０
１ａ）に流入し、この浮遊拡散層（２０１ａ）における
電位変化がソースホロワ回路（２１５）のドライバーＭ
ＯＳトランジスタ（２０９）に流れる電流を変化させて
電圧の信号として検出される。もう一方の浮遊拡散層（
２０１ｂ）はリセットパルス印加端子（２０４ａ）、（
２０４ｂ）に発生するリセットノイズを軽減するために
設けられており電荷は流入されず、はとんど変動せずに
リセットドレイン電圧（２０３）の値をとっている。

いま、リセットパルス印加端子（２０４ａ）にリセット
パルスを印加（このとき、リセットパルス印加端子＜２
０４ｂ）も同時にリセットパルスが印加−される）して
リセットスイッチであるＭＯＳ）ランジスタ（２０２ａ
）、（２０２ｂ）をオン（ＯＮ）状態にすると浮遊拡散
層（２０１ａ）、（２０１ｂ）の電位は電源電圧（２０
Ｇ）と等しくなる。オン状態であるとドライバーＭＯＳ
トランジスタ（２０９）のゲートに電源電圧（２０８）
及び負荷ＭＯＳトランジスタ（２１０’）のゲートに電
位ＶＢがかかるためソースホロワ回路（２１５）の出力
における電位Ｖｃとインバータ回路（２０５ａ）の出力
における電位ＶＢとが等しくなる。そしてインバータ回
路（２０５ｂ）の出力における電位ＶＤも負荷ＭＯＳト
ランジスタ（２１１）のゲートに電源電圧。

トイバーＭＯ３ｈランジスタ（２１２）のゲートにＶ　
の電位がかかるため電位Ｖｃと等しくなる。

このとき、インバータ回路（２０５ａ）、（２０５ｂ）
、及びソースホロワ回路（２１５）の形状比をすべて等
しくしているためｖ　、■　及びＶＤの電位が等しくＣ なりソースホロワ回路（２１５）の出力をインバータ回
路（２０５ｂ）の入力ダイナミックレンジ内に入れるこ
とができる。このため、インバータ回路（２０５ｂ）の
入出力特性を第３図に示した特性とすれば入出力が等し
いため入力と出力とが比例して増加を示している直線領
域におけるある値をとる。

次にリセットスイッチであるＭＯＳ）ランジスタ（２０
２ａ）、（２０２ｂ）をオフ（ＯＦＦ）状態にする。

このとき電位ｖ　、■　はリセットノイズ分だけＣ 変動するがこの電位変動は小さいとすればインバータ回
路（２０５ｂ）の動作点を設定することができる。

オフ状態であると、信号電荷が流入した浮遊拡散層（２
０１ａ）における電位は電荷量の増加に対して低下しソ
ースホロワ回路（２１５）のドライバーＭＯＳトランジ
スタ（２０９）のゲートにかかる。このドライバーＭＯ
Ｓトランジスタ（２０９）のゲート電圧が変化すること
によりソースホロワ回路（２１５）に流れる電流が変化
しＶ。の電位が変化する。Ｖｃの電位はインバータ回路
（２０５ｂ）のドライバーＭＯＳトランジスタ（２１２
）のゲートにかかり、インバータ回路（２０５ｂ）に流
れる電流を変化させ、■、の電位が変化して出力端子（
２１Ｂ）に出力される。

上記の構成によれば、増幅段としてインバータ回路（２
０５ｂ）を設けて高利得の電荷検出を行なうこができる
が、インバータ回路（２０５ｂ）の負荷ＭＯＳトランジ
スタ（２１１）のゲートに電源電圧（２０Ｂ）を印加し
ているため、電源電圧（２０Ｂ）が変動を起こすと、■
、の電位が変動してしまう。電源電圧（２０Ｂ）はノイ
ズ等が混入される場合がありこれにより電源変動が起こ
る。このため、浮遊拡散層（２０１ａ）に流入した信号
電荷による電位変化に、この電源電圧（２０Ｂ）の変動
が加わる場合があり安定した電位を得ることができなく
なるという問題が起こる。

また、この問題を解決するためにインバータ回路（２０
５ｂ）の負荷ＭＯＳトランジスタ（２１１）のゲートに
接続される電源と、ドレインに接続される電源とを別に
する方法が考えられるが、電源をさらに別に設けなけれ
ばならないということや、またそれの製造コストがかか
つてしまう。尚、ＭＯＳトランジスタ（２０７）、（２
０９）、（２１１，）　（７）しきい値”Ｔｌ＋は各々
同一とし、ｖＴＨの極めて小さいＥトランジスタとする
。ＭＯＳトランジスタ（２０８）　、　（２１０）　。

（２１２）のしきい値ｖＴＨは各々同一とじＶＴ■１が
中程度（２〜３Ｖ）のＥトランジスタとする。ＭＯＳト
ランジスタ（２０１ａ）、（２０１ｂ）はＤトランジス
タとする。

（発明が解決しようとする課題） 従来の電荷検出回路においては、増幅段の動作点設定が
自動的に行なわれるが、増幅段とじて設けた第１の反転
型増幅器の負荷ＭＯＳ）ランジスタのゲートに電源電圧
を印加しているため、この電源電圧に変動がある場合、
出力にこの変動が現われ、安定した電荷検出ができくな
るという問題があった。

本発明においては、第１の反転型増幅器の後段に第２の
反転型増幅器を付加することにより、増幅段の動作点設
定を自動的に行ない、さらに電源電圧による出力の変動
を軽減させ、安定した電荷検出を行なうことを目的とす
る。

［発明の構成コ （課題を解決するための手段） 本発明においては半導体基板上に形成された浮遊拡散層
と、 前記浮遊拡散層の電位をリセットするリセットスイッチ
と、 前記浮遊拡散層の電位を第１のドライバーＭＯＳトラン
ジスタのゲート側から入力とするソースホロワ回路と、 このソースホロワ回路の出力を第２のドライバーＭＯＳ
トランジスタのゲート側から入力とする第１の反転型増
幅器と、 前記第１の反転型増幅器の出力を第３のドライバーＭＯ
Ｓトランジスタのゲート側から入力とする第２の反転型
増幅器と、 前記ソースホロワ回路の負荷ＭＯ３）−ランジスタのゲ
ート側を入力及び出力とする第３の反転型増幅器とを具
備したことを特徴とする電荷検出回路を提供する。

（作　用） 本発明の電荷検出回路においては増幅段の動作点設定を
自動的に行ない、さらに第１の反転型増幅器の後段に第
２の反転型増幅器を設けたことにより、第１の反転型増
幅器の負荷ＭＯ３）ランジスタのゲートに電荷電圧を印
加しているために起こる第１の反転型増幅器の出力の変
動を反転させて電源電圧の変動に対して安定した出力を
得られるようにする。

（実施例） 以下、本発明の実施例を第１図を用いて説明する。浮遊
拡散層（１０１ａ）はリセットスイッチであるＭＯＳ）
ランジスタ（１０２ａ）のソース側に接続されている。

リセットスイッチであるＭＯＳ）ランジスタ（ＬＯ２ａ
）のドレインはリセットドレイン電圧（１０３）に接続
され、ゲートはリセットパルス印加端子（１０４ａ）に
接続されている。又、一方の浮遊拡散層（＋ｏｔｂ＞は
同様にリセットスイッチであるＭＯＳトランジスタ（１
０２ｂ）のソース側に接続されている。リセットスイッ
チであるＭＯＳ）ランジスタ（１，０２ｂ）のドレイン
はリセットドレイン電圧（ｉｏａ）に接続され、ゲート
はリセットパルス印加端子（１０４ｂ）に接続されてい
る。

インバータ回路（１０５ａ）は負荷ＭＯＳ）ランジスタ
（１０７）　、及びドライバーＭＯＳトランジスタ（１
０ｇ）から構成されている。負荷ＭＯＳトランジスタ（
１０７）のゲートは浮遊拡散層（ｌＯｌｂ）に接続され
、ドレインは電源電圧（１０６）に接続されている。

ドライバーＭＯＳトランジスタ（１０８）のゲートはド
レインと接続され、また、負荷ＭＯＳトラジスタ（１０
７）のソースにも接続されている。インバータ回路（１
０５ａ）の入力はドライバーＭＯＳトランジスタ（１０
ｇ）のゲートから人力され、出力はドライバーＭＯＳト
ランジスタ（１０１ｉ）のドレインから出力される。

ソースホロワ回路（１１５）はドライバーＭＯＳトラン
ジスタ（１０９）　、及び負荷ＭＯＳトランジスタ（１
１０）から構成されている。ソースホロワ回路（１１５
）の入力はドライバーＭＯＳトランジスタ（１０９）の
ゲートから入力され、出力はドライバーＭＯＳトランジ
スタ（１０９）のソースから出力される。ドライバーＭ
ＯＳトランジスタ（１口９）のゲートは浮遊拡散層（ｌ
Ｏｌａ）に接続され、ドレインは電源電圧（１０Ｂ）に
接続されている。負荷ＭＯ３）ランジスタ（１１０）の
ゲートはインバータ回路（１０５ａ）の出力に接続され
、ドレインはドライバーＭＯＳトランジスタ（１０９）
のソースに接続されている。

インバータ回路（１０５ｂ）は負荷ＭＯＳトランジスタ
（１１１）、及びドライバーＭＯＳトランジスタ（１１
２）から構成されている。インバータ回路（１０５ｂ）
の入力はドライバーＭＯＳトランジスタ（１１２＞のド
レインから入力され、出力は負荷ＭＯＳトランジスタ（
ｉｌｌ、）のソースから出力されている。負荷ＭＯＳト
ランジスタ（１１１）のゲートはドレインと接続されて
おり、ドレインは電源電圧（１０６）に接続されている
。ドライバーＭＯＳトランジスタ（１１２）のゲートは
ソースホロワ回路（Ｈ５）のドライバーＭＯＳ）ランジ
スタ（１０９）のソースに接続されており、ドレインは
負荷ＭＯＳトランジスタ（ｌ１１）のソースに接続され
ている。

付加インバータ回路（１０５ｃ）は付加ＭＯＳトランジ
スタ（１１３）　、及びドライバーＭＯＳトランジスタ
（１１４）から構成されている。付加インバータ回路（
１０５ｃ）の入力はドライバーＭＯＳトランジスタ（１
１４）のゲートから入力され、出力は負荷ＭＯＳトラン
ジスタ（１１３）のソースから出力され、出力端子（ｔ
ｔｅ）に接続されている。負荷ＭＯＳトランジスタ（１
１３）のゲートは電源電圧（１０Ｂ）に接続され、また
ドレインも同様に電源電圧（１０Ｂ）に接続されている
。ドライバーＭＯＳトランジスタ（１１４）のゲートは
インバータ回路（１０５ｂ）の負荷ＭＯ３）ランジスタ
（ＩＬＬ）のソースに接続されドレインは負荷ＭＯ３）
ランジスタ（１１３）のソースに接続されている。

いま、それぞれの回路のＶ　　、Ｖ　　、Ｖ　　におり
ＣＤ ける電位を等しくするためにＭＯＳ）ランジスタの条件
を以下のように設定する。ＭＯＳ）ランジスタのゲート
長さをり、ゲート幅をＷとしてＭＯＳトランジスタのＷ
／Ｌを求める。例えばインバータ回路（１０５ａ）のＭ
ＯＳトランジスタ（１０７）の比をＷ３　／Ｌ３　、Ｍ
ＯＳ　）う：／ジスタ（１０８）　（７）比をＷ４／、
［，４としてその比（Ｗ３／Ｌ３）／（Ｗ４　／　Ｌ　
４　）を求める。同様にソースホロワ回路（１１５）　
、及びインバータ回路（１０５ｂ）の比を求める。いま
、この値をすべて等しくしてＶ　　、　　Ｖｃ■、にお
ける電位を等しくする 次に動作を説明する。まず電源電圧（１０Ｂ）とリセッ
トドレイン電圧（１０３）は同一電圧に設定する。

電荷転送装置（図示せず）から得られた信号電荷はリセ
ットパルスと所定の位相関係を保ちつつ浮遊拡散層（１
０１ａ）に流入し、この浮遊拡散層（ｉｏｔａ）におけ
る電位変化がソースホロワ回路（１１５）のドライバー
ＭＯ３）ランジスタ（１０９）に流れる電流を変化させ
て電圧の信号とし、て検出される。もう一方の浮遊拡散
層（ｌＯＬｂ）はリセットパルス印加端子（１０４ａ）
、（１０４ｂ）に発生するリセットノイズを軽減するた
めに設けられており電荷は流入されず、はとんど変動せ
ずにリセットドレイン電圧（１０３）の値をとっている
。

いま、リセットパルス印加端子（１０４ａ）にリセット
パルスを印加（このとき、リセットパルス印加端子（Ｌ
Ｏ４ｂ）も同時にリセットパルスが印加される）してリ
セットスイッチであるＭＯＳ）ランジスタ（ＬＯ２ａ）
、（１０２ｂ）をオン（ＯＮ）状態にすると浮遊拡散層
（１０１ａ）、（１０１ｂ）の電位は電源電圧（１０Ｂ
）と等しくなる。オン（ＯＮ）状態であるとドライバー
ＭＯ３）ランジスタ（１０９）のゲートに電源電圧（１
０Ｂ）　、及び負荷ＭＯＳ）ランジスタ（１１０）のゲ
ートに電位ＶＢがかかるためソースホロワ回路（ｌ１５
）の出力における電位Ｖ。とインバータ回路（１０５ａ
）の出力における電位ＶＢとが等しくなる。

このとき、インバータ回路（Ｌ（１５ａ）、（１０５ｂ
）、及びソースホロワ回路（１１５）の形状比をすべて
等しくしているためＶ　、■　及びＶＤの電位が等しく
Ｃ なりソースホロワ回路（１１５）の出力をインバータ回
路（１０５ｂ）の入力ダイナミックレンジ内に入れるこ
とができる。このため、インバータ回路（１０５ｂ）の
入出力特性を第３図に示した特性とすれば入出力が等し
いため人力と出力とが比例して増加を示している直線領
域におけるある値をとる。

次にリセットスイッチであるＭＯＳ）ランジスタ（１０
２ａ）、（１０２ｂ）をオフ（ＯＦＦ）状態にする。

このとき電位Ｖ　、■　はリセットノイズ分だけＧ 変動するがこの電位変動は小さいとすればインバータ回
路（１０５ｂ）、（１０５ｃ）の動作点を設定すること
ができる。

オフ状態であると、信号電荷が流入した浮遊拡散層（１
０１ａ）における電位は電荷量の増加に対して低下しソ
ースホロワ回路（１１５）のドライバーＭＯＳ）ランジ
スタ（１０９）のゲートにかかる。このドライバーＭＯ
Ｓトランジスタ（１０９）のゲ−ト電圧が変化すること
によりソースホロワ回路（１１５）に流れる電流が変化
しＶ。の電位が変化する。Ｖｃの電位はインバータ回路
（ＬＯ５ｂ）のドライバーＭＯＳトランジスタ（ＩＬ２
）のゲートにかかり、インバータ回路（１０５ｂ）に流
れる電流を変化させ、■　の電位を変化させる。Ｖｐの
電位はインバータ回路（１０５ｅ）によりＶ、の電位が
反転された電位となり、これが出力端子（１１Ｂ）に出
力される。

上記の構成によれば、増幅段としてインバータ回路（１
０５ｂ）を設けて高利得の電荷検出を行なうこができる
が、インバータ回路（１０５ｂ）の出力であるＶＤの電
位は負荷ＭＯ３）ランジスタ（ｉｉｔ）のゲートに電源
電圧（ｔＯａ）を印加しているため、電源電圧（ｔｏｅ
）が変動を起こすと、Ｖ、の電位が変動してしまう。し
かしながら、インバータ回路（１０５ｂ）の後段に付加
インバータ回路（１０５ｃ）を設けたことによりＶＤの
電位の変動が反転される。そして、付加インバータ回路
（ｔｏｓｃ）の負荷ＭＯＳトランジスタ（１１３）のゲ
ート及びドレインにかかる電圧にインバータ回路（１０
５ｂ）と同じ電源を用いているため、ＶＢの電位も同様
に変動する。

いま、インバータ回路（１０５ｂ）の電圧利得を０１、
付加インバータ回路（ＬＯ５ｃ）電圧利得を０２Ｍ０８
）ランジスタのゲート下のポテンシャル井戸の印加電圧
に対する比（変調度）をｍ１電源電圧をＶ　　、Ｅ−型
ＭＯ３）ランジスタのしきいＶＤ 値をｖ　ＳＳ−型ＭＯＳトランジスタのしきい値１１ を０とすると、第３図に示すようなＶ　　、Ｖ　　。

ＶＤ ＶＥの特性における関係は線型動作範囲内で、ｖ　　−
ｍＶｃ）ｏ−Ｇｌ　　（Ｖｃ　−ｖＴＨ）　−−−−−
−−−・−・−Ｃ１）Ｖ　−ｍＶｏＤ−０２（ＶＤ−ｖ
ＴＨ）・・・・・・・・・・・・（２）と表わすここと
ができる。（１）式、（２）式からＶ、を消去すると ＶＥ−ｍ　（１−Ｇ２　）　ＶｏＤ＋ＧＩ　Ｇ２　（Ｖ
Ｃ−ＶＴ、、）　＋Ｇ２　ＶＴｌ、−（３）となる。こ
のため、電源電圧変動がΔＶあるとすると、その変動は
ｍ（１−０２）ΔＶとなるが付加インバータ回路（１０
５ｃ）の電圧利得Ｇ２を１に近い値と設定することによ
り変動を十分小さくすることができる。

従って、電源電圧の変動による出力の変動を軽減するこ
とができ安定して高利得の電荷検出を行なうことができ
る。また、電源を別に設ける必要がなくなる。尚、ＭＯ
Ｓ）ランジスタ（１０７）　。

（１０９）、（１１１）、（１１３）　ノしきい値ｖＴ
Ｈは各々同一とし、ｖＴＨの極めて小さいＥトランジス
タとする。

ＭＯＳトランジスタ（１０８）、（１１０）、（Ｈ２）
、（１１４）のしきい値ＶＴＨは各々同一としＶＴＨが
中程度（２〜３Ｖ）のＥトランジスタとする。ＭＯＳ）
ランジスタ（１０２ａ）、（１０２ｂ）はＤトランジス
タとする。

［発明の効果］ 本発明によれば増幅段の動作点設定を自動的に行なうこ
とができ、さらに増幅段の後段に反転型増幅器を設ける
ことにより、電源電圧の変動による出力の変動を軽減し
安定した電荷検出を行なうことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例における電荷検出回路を示す回
路図、第２図は従来例の電荷検出回路を示す回路図、第
３図は電荷検出回路を説明するためのインバータ回路の
特性図である。 浮遊拡散層・・・・・・・・・・・・・・・・・・１０
１ａ、１０１ｂ、２０１ａ、２０１ｂ　。 リセットスイッチであるＭＯＳトランジスタ−−−−−
−・・−・−−−−・−１（１２ａ、　１（１２ｂ、　
２０２ａ、　２０２ｂ　。 リセットドレイン電圧・１０３．２０３、リセットパル
ス印加端子 −−−−−−１０４ａ、１０４ｂ、２０４ａ、２０４ｂ
　。 インバータ回路−−−−・・−・−１０５ａ、　１０５
ｂ、　２０５ａ、　２０５ｂ　。 電源電圧・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
１０６，２０８、ＭＯＳトランジスタ・・・・・・１０
７．１（１８，１０９，１１０，１１１゜Ｌ１２．１１
３，１１４，２０７．２０８，２０９，２１０，２１１
，２１２、ソースホロワ回路・・・・・・・・・１１５
，２１５、出力端子・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・ｌｉＢ、２１Ｂ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 半導体基板上に形成された浮遊拡散層と、 前記浮遊拡散層の電位をリセットするリセットスイッチ
   と、 前記浮遊拡散層の電位を第１のドライバーＭＯＳトラン
   ジスタのゲート側から入力とするソースホロワ回路と、 このソースホロワ回路の出力を第２のドライバーＭＯＳ
   トランジスタのゲート側から入力とする第１の反転型増
   幅器と、 前記第１の反転型増幅器の出力を第３のドライバーＭＯ
   Ｓトランジスタのゲート側から入力とする第２の反転型
   増幅器と、 前記ソースホロワ回路の負荷ＭＯＳトランジスタのゲー
   ト側を入力及び出力とする第３の反転型増幅器とを具備
   したことを特徴とする電荷検出回路。