JPH0395667U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0395667U JPH0395667U JP251290U JP251290U JPH0395667U JP H0395667 U JPH0395667 U JP H0395667U JP 251290 U JP251290 U JP 251290U JP 251290 U JP251290 U JP 251290U JP H0395667 U JPH0395667 U JP H0395667U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cross
- section
- amorphous semiconductor
- electrode
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
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- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
第1図は、本考案の一実施例における非晶質半
導体光起電力素子を示す図であつて、同図aは、
斜視図、同図bは同図aのA−A′線に沿つた素
子断面図である。第2図および第3図は、本考案
の別の実施態様を示す斜視図であつて第2図は素
子の基板断面を被覆した断面保護膜が基板背面部
にも及んだ場合の例、第3図は、断面保護膜とし
てテープ状ポリエチレンが用いられた例を示すも
のである。第4図は、従来のガラスを基板とする
非晶質半導体光起電力素子の構造を示す図であつ
て、同図aはその模式断面図、同図bはその集積
型素子の平面図である。第5図は大型基板上に形
成された集積型素子の集合体の斜視図である。第
6図は集合体から分割された個々の素子を示す斜
視図である。 符合の説明、1……ガラス基板、2……下部電
極、3……非晶質半導体層、4……上部電極、5
a……下部電極出力パツド、5b……上部電極出
力パツド、6……背面保護層、7……ガラス基板
分割断面、8……分割断面保護膜。
導体光起電力素子を示す図であつて、同図aは、
斜視図、同図bは同図aのA−A′線に沿つた素
子断面図である。第2図および第3図は、本考案
の別の実施態様を示す斜視図であつて第2図は素
子の基板断面を被覆した断面保護膜が基板背面部
にも及んだ場合の例、第3図は、断面保護膜とし
てテープ状ポリエチレンが用いられた例を示すも
のである。第4図は、従来のガラスを基板とする
非晶質半導体光起電力素子の構造を示す図であつ
て、同図aはその模式断面図、同図bはその集積
型素子の平面図である。第5図は大型基板上に形
成された集積型素子の集合体の斜視図である。第
6図は集合体から分割された個々の素子を示す斜
視図である。 符合の説明、1……ガラス基板、2……下部電
極、3……非晶質半導体層、4……上部電極、5
a……下部電極出力パツド、5b……上部電極出
力パツド、6……背面保護層、7……ガラス基板
分割断面、8……分割断面保護膜。
Claims (1)
- アルカリ成分を含有するガラスを主体とする基
板上に、下部電極、非晶質半導体層及び上部電極
を順次積層し、かつ上部電極及び下部電極からそ
れぞれ引き出した少なくとも一対の電極出力パツ
ドを形成してなる非晶質半導体光起電力素子であ
つて、上記ガラス基板の断面部、または断面部と
その付近をも含む領域に保護膜を形成したことを
特徴とする非晶質半導体光起電力素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP251290U JPH0395667U (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP251290U JPH0395667U (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0395667U true JPH0395667U (ja) | 1991-09-30 |
Family
ID=31506385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP251290U Pending JPH0395667U (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0395667U (ja) |
-
1990
- 1990-01-16 JP JP251290U patent/JPH0395667U/ja active Pending