JPH0396200A - スピーカ用振動板 - Google Patents
スピーカ用振動板Info
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- JPH0396200A JPH0396200A JP23412389A JP23412389A JPH0396200A JP H0396200 A JPH0396200 A JP H0396200A JP 23412389 A JP23412389 A JP 23412389A JP 23412389 A JP23412389 A JP 23412389A JP H0396200 A JPH0396200 A JP H0396200A
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- JP
- Japan
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- titanium
- diaphragm
- diamond film
- intermediate coating
- coating layer
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; ELECTRIC HEARING AIDS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R7/00—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones
- H04R7/02—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones characterised by the construction
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; ELECTRIC HEARING AIDS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R2307/00—Details of diaphragms or cones for electromechanical transducers, their suspension or their manufacture covered by H04R7/00 or H04R31/003, not provided for in any of its subgroups
- H04R2307/027—Diaphragms comprising metallic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; ELECTRIC HEARING AIDS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R7/00—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones
- H04R7/02—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones characterised by the construction
- H04R7/12—Non-planar diaphragms or cones
- H04R7/127—Non-planar diaphragms or cones dome-shaped
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- Multimedia (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、高音域の周波数特性が優れたダイヤモンド
膜を有するスピーカ用振動板に関するものである。
膜を有するスピーカ用振動板に関するものである。
最近、高音スピーカ（トウイーク）の高音域での周波数
特性の改善を目的として、チタン（チタニウム）の薄膜
からなる振動板基材（以下、チタン振動板基材という）
の表面に気相合或法のひとつであるプラズマＣＶＤ法に
よってダイヤモンド状炭素膜をコーティングしてなる高
音スピーカ用振動板が開発されている。このような高音
スビー力用振動板については、既に文献に記載されてい
る（ＮＥＷＤ ＩＡ．ＭＯＮＤ，１ ９８ ７年、３巻
、１号、２０〜２５頁）。
特性の改善を目的として、チタン（チタニウム）の薄膜
からなる振動板基材（以下、チタン振動板基材という）
の表面に気相合或法のひとつであるプラズマＣＶＤ法に
よってダイヤモンド状炭素膜をコーティングしてなる高
音スピーカ用振動板が開発されている。このような高音
スビー力用振動板については、既に文献に記載されてい
る（ＮＥＷＤ ＩＡ．ＭＯＮＤ，１ ９８ ７年、３巻
、１号、２０〜２５頁）。
〔発明が解決しようとする課題］
上記紹介した従来のスピーカ用振動板はそれなりに優れ
てはいるが、チタン振動板基材の表面にコーティングす
るものとしては、周知のようにダイヤモンド状炭素膜に
比較してダイヤモンドの方がこれを伝わる音の伝達速度
が速いため、ダイヤモンドが望まれている。
てはいるが、チタン振動板基材の表面にコーティングす
るものとしては、周知のようにダイヤモンド状炭素膜に
比較してダイヤモンドの方がこれを伝わる音の伝達速度
が速いため、ダイヤモンドが望まれている。
しかしながら、気相合戒法によってチタン振動板基材の
表面に直接、ダイヤモンド膜を生威させようとしても、
原料ガスの主成分である水素がチタン振動板基材のチタ
ンと反応するため、ダイヤモンド膜がこの基材表面に析
出、生威しないとともに、チタン振動板基材自体が水素
を吸蔵して劣化するという問題がある。
表面に直接、ダイヤモンド膜を生威させようとしても、
原料ガスの主成分である水素がチタン振動板基材のチタ
ンと反応するため、ダイヤモンド膜がこの基材表面に析
出、生威しないとともに、チタン振動板基材自体が水素
を吸蔵して劣化するという問題がある。
この発明は、上記のような事情に鑑みてなされたもので
あり、チタン振動板素材表面に形成した所定の中間コー
ティング層を介在させてダイヤモンド膜を生成させた構
戒とすることにより、従来より高音域での周波数特性に
優れたスピーカ用振動板を提供することを目的とする． 〔課題を解決するための手段〕 上記の目的を達戒するために、この発明によるスピーカ
用振動板は、チタンの薄膜からなる振動板基材と、この
チタン振動板基材表面に形戊したＭｏ，Ｓ ｔ，ｗ，Ｔ
ａＳＳ ｉｓ Ｎａ 、Ａｌｉ ０３から選ばれた１種
からなる単層又はこれらの材料のそれぞれ単独種類から
なる複数層の中間コーティング層と、この中間コーティ
ング層表面に生成させたダイヤモンド膜とを有すること
を特徴としている。
あり、チタン振動板素材表面に形成した所定の中間コー
ティング層を介在させてダイヤモンド膜を生成させた構
戒とすることにより、従来より高音域での周波数特性に
優れたスピーカ用振動板を提供することを目的とする． 〔課題を解決するための手段〕 上記の目的を達戒するために、この発明によるスピーカ
用振動板は、チタンの薄膜からなる振動板基材と、この
チタン振動板基材表面に形戊したＭｏ，Ｓ ｔ，ｗ，Ｔ
ａＳＳ ｉｓ Ｎａ 、Ａｌｉ ０３から選ばれた１種
からなる単層又はこれらの材料のそれぞれ単独種類から
なる複数層の中間コーティング層と、この中間コーティ
ング層表面に生成させたダイヤモンド膜とを有すること
を特徴としている。
〔作 用］
気相合威法において原料ガスの主戒分である水素とチタ
ン振動板基材のチタンとの反応を防ぎ、ダイヤモンド膜
を生成させるために、チタン振動板基材表面に中間コー
ティング層を形戒する。この中間コーティング層の条件
としては、（ａ）チタンとの密着が可能であること、（
ｂｌダイヤモンド膜の生成が可能であること、が必要で
ある。これらの条件を満たすものとして、Ｍｏ，Ｓ ｉ
．Ｗ，Ｔａ、ＳｉｘＮａ、及びＡ ｌ ｚ Ｏｓを選択
した．これら材料のいずれかを用いてチタン振動板基材
表面に単層の中間コーティング層を形戒することにより
、チタン振動板基材の劣化が防止され、かつダイヤモン
ド膜を有するスピーカ用振動板を得ることができる。
ン振動板基材のチタンとの反応を防ぎ、ダイヤモンド膜
を生成させるために、チタン振動板基材表面に中間コー
ティング層を形戒する。この中間コーティング層の条件
としては、（ａ）チタンとの密着が可能であること、（
ｂｌダイヤモンド膜の生成が可能であること、が必要で
ある。これらの条件を満たすものとして、Ｍｏ，Ｓ ｉ
．Ｗ，Ｔａ、ＳｉｘＮａ、及びＡ ｌ ｚ Ｏｓを選択
した．これら材料のいずれかを用いてチタン振動板基材
表面に単層の中間コーティング層を形戒することにより
、チタン振動板基材の劣化が防止され、かつダイヤモン
ド膜を有するスピーカ用振動板を得ることができる。
また、上記の材料のうち、Ｍｏ，Ｗ、及びＴａは、チタ
ンとの密着性はより優れてはいるが、気相合成法により
その表面にダイヤモンド膜を析出・生威させるに際して
、ダイヤモンド膜の戒長速度が遅いものである。これに
対して、ＳｔｚＮａ、ＡＩ．Ｏ，及びＳｉは、上記のＭ
ｏ等に比較して、チタンとの密着性はあまり良くないが
、ダイヤモンド膜の戒長速度が早いものである。したが
って、中間コーティング層としては、チタン振動板基材
表面にＭｏ，Ｗ、及びＴａのいずれかからなるコーティ
ング層を形成したのち、さらに、この表面にＳｔｓＮ４
、Ａｈｏｓ及びＳｉのいずれかからなる次のコーティン
グ層を形成し、２層構造としても良い。
ンとの密着性はより優れてはいるが、気相合成法により
その表面にダイヤモンド膜を析出・生威させるに際して
、ダイヤモンド膜の戒長速度が遅いものである。これに
対して、ＳｔｚＮａ、ＡＩ．Ｏ，及びＳｉは、上記のＭ
ｏ等に比較して、チタンとの密着性はあまり良くないが
、ダイヤモンド膜の戒長速度が早いものである。したが
って、中間コーティング層としては、チタン振動板基材
表面にＭｏ，Ｗ、及びＴａのいずれかからなるコーティ
ング層を形成したのち、さらに、この表面にＳｔｓＮ４
、Ａｈｏｓ及びＳｉのいずれかからなる次のコーティン
グ層を形成し、２層構造としても良い。
以下、この発明の実施例を因面を参照しながら説明する
。
。
且上尖嵐明
まず、この発明によるスピーカ用振動板の製作手順を説
明すると、ドーム型に戒形した膜厚２５μｍのチタンか
らなる振動板基材の片側表面に電子ビーム蒸着装置を用
いて膜厚１ｌｌｍのＭｏからなる中間コーティング層を
形戒する．そして、このコーティング層表面を、ダイヤ
モンドの核発生を可能とするために、粒径１／４ μｍ
のダイヤモンドペーストで３０分間、パフ研磨する。
明すると、ドーム型に戒形した膜厚２５μｍのチタンか
らなる振動板基材の片側表面に電子ビーム蒸着装置を用
いて膜厚１ｌｌｍのＭｏからなる中間コーティング層を
形戒する．そして、このコーティング層表面を、ダイヤ
モンドの核発生を可能とするために、粒径１／４ μｍ
のダイヤモンドペーストで３０分間、パフ研磨する。
次いで、このようにして得られたＭｏ中間コーティング
層を有するチタンＫ動板基材１に対し、Ｍｏ中間コーテ
ィング層の表面に、その構或説明図の第ＩＵ；４に示す
ＥＡＣＶＤ装置（Ｅｌｅｃｔ−ｒｏｎ Ａｓｓｉｓｔ
ｅｄ ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ装置、電子線利用ＣＶＤ装置）を用いてダイヤ
モンド膜を形成をさせる． すなわち、真空容器２内に設けられた基板ホルダ３上に
上記のＭｏ中間コーティング層が形戒されたチタン振動
板基材１をセ・ントし、図示しないポンプを作動させて
真空容器２内を１０〜”Ｔｏｒｒまで排気する．そして
、水素に対するメタン濃度がＩＶｏｌ％の混合ガスを、
ガス導入管４から流速１００ｍｌ／分の条件で、真空容
器２内に導入する．次いで排気側に設けられた主バルプ
５を閉じ、流Ｗｉｌｌ節弁６にて真空容２″４２内の圧
力を３０Ｔｏｒｒに調節する．また、フィラメント電源
７からフィラメント８に通電してこのフィラメント８を
２０００℃に加熱すると共に、バイアス電源９から上記
のチタン振動板基材１がセットされている基板ホルダ３
に９０Ｖの正電位を印加する。
層を有するチタンＫ動板基材１に対し、Ｍｏ中間コーテ
ィング層の表面に、その構或説明図の第ＩＵ；４に示す
ＥＡＣＶＤ装置（Ｅｌｅｃｔ−ｒｏｎ Ａｓｓｉｓｔ
ｅｄ ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ装置、電子線利用ＣＶＤ装置）を用いてダイヤ
モンド膜を形成をさせる． すなわち、真空容器２内に設けられた基板ホルダ３上に
上記のＭｏ中間コーティング層が形戒されたチタン振動
板基材１をセ・ントし、図示しないポンプを作動させて
真空容器２内を１０〜”Ｔｏｒｒまで排気する．そして
、水素に対するメタン濃度がＩＶｏｌ％の混合ガスを、
ガス導入管４から流速１００ｍｌ／分の条件で、真空容
器２内に導入する．次いで排気側に設けられた主バルプ
５を閉じ、流Ｗｉｌｌ節弁６にて真空容２″４２内の圧
力を３０Ｔｏｒｒに調節する．また、フィラメント電源
７からフィラメント８に通電してこのフィラメント８を
２０００℃に加熱すると共に、バイアス電源９から上記
のチタン振動板基材１がセットされている基板ホルダ３
に９０Ｖの正電位を印加する。
そして、熱電対ＩＯにより基板ホルダ３の温度を計り、
フィラメント電ａ７の出力を再調整して、いわゆる基板
温度を８００゜Ｃに保持させる。
フィラメント電ａ７の出力を再調整して、いわゆる基板
温度を８００゜Ｃに保持させる。
このようなダイヤモンド膜の合威条件で３時間合成を行
った，Ｍｏ中間コーティング層表面に生成されたダイヤ
モンド膜の厚みはｌμｍで、表面をＳ Ｅ Ｍ （ Ｓ
ｃａｎｎｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｉｃｒｏｇｒａ
ｐｈｙ）観察したところ、第３同に示すように、ダイヤ
モンドの自形而が硯察され、ダイヤモンド膜の生成が確
認された。また、チタンの薄膜からなる振動板基材の劣
化は認められなかった。
った，Ｍｏ中間コーティング層表面に生成されたダイヤ
モンド膜の厚みはｌμｍで、表面をＳ Ｅ Ｍ （ Ｓ
ｃａｎｎｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｉｃｒｏｇｒａ
ｐｈｙ）観察したところ、第３同に示すように、ダイヤ
モンドの自形而が硯察され、ダイヤモンド膜の生成が確
認された。また、チタンの薄膜からなる振動板基材の劣
化は認められなかった。
そして、得られたスピーカ用振動板を通常の高音スピー
カに取り付け、その再生出力の周波数特性をθり定した
。結果を第２図に示す。
カに取り付け、その再生出力の周波数特性をθり定した
。結果を第２図に示す。
同図に示すように、この実施例になるスピーカ用振動板
を適用したスピーカにおいては、図に示す従来のチタン
振動板（Ａ）、及びチタン振動板基材表面にダイヤモン
ド状炭素膜を形成した従来の振動板（Ｂ）を用いた場合
に比較して、共振周波数が高周汲敵側に移行し、高城再
生周波数域が拡大できた。
を適用したスピーカにおいては、図に示す従来のチタン
振動板（Ａ）、及びチタン振動板基材表面にダイヤモン
ド状炭素膜を形成した従来の振動板（Ｂ）を用いた場合
に比較して、共振周波数が高周汲敵側に移行し、高城再
生周波数域が拡大できた。
菓１夫施員
第１実施例におけるＭｏに代えて、チタン振動板基材表
面に膜厚１μｍのＡＩ．Ｏ．からなる中間コーティング
層を形成した後、第１実施例と同様の手順にて振動板を
製作した。この振動板によれば、ＡＩｔＯｓはＭｏより
も音の伝達速度が速いため、高音域でのより良好な周波
数特性が得られた． 星主夫益班 第１実施例と同様にしてチタン振動板基材表面にＭｏを
膜厚１μｍでコーティングした後、その表面にＳｉを膜
厚１ｕｍでコーティングし、Ｍｏの層とＳｉの層とから
なる２Ｎの中間コーティング層を形戒した．以後、第ｌ
実施例と同様の手順に従って振動板を製作した。その結
果、Ｓｉ層表面にはＭＯ層でのそれに比較してより短時
間に膜厚１μｍのダイヤモンド膜を生成させることがで
き、得られたスピーカ用振動板によれば、従来より高音
域の周波数特性を改善できた。
面に膜厚１μｍのＡＩ．Ｏ．からなる中間コーティング
層を形成した後、第１実施例と同様の手順にて振動板を
製作した。この振動板によれば、ＡＩｔＯｓはＭｏより
も音の伝達速度が速いため、高音域でのより良好な周波
数特性が得られた． 星主夫益班 第１実施例と同様にしてチタン振動板基材表面にＭｏを
膜厚１μｍでコーティングした後、その表面にＳｉを膜
厚１ｕｍでコーティングし、Ｍｏの層とＳｉの層とから
なる２Ｎの中間コーティング層を形戒した．以後、第ｌ
実施例と同様の手順に従って振動板を製作した。その結
果、Ｓｉ層表面にはＭＯ層でのそれに比較してより短時
間に膜厚１μｍのダイヤモンド膜を生成させることがで
き、得られたスピーカ用振動板によれば、従来より高音
域の周波数特性を改善できた。
なお、上記第１、第２実施例では、膜厚１μｍの単層の
中間コーティング層としてＭＯＳＡｌ２０３の場合を示
したが、この中間コーティング層としての材料としては
、上記のＭＯ、ＡＩ．Ｏ＋の他にＳ ｉ，ｗ，Ｔａ，Ｓ
ｉｓ Ｎ４のいずれかを用いても良く、これらの表面
にダイヤモンド膜を生成させることにより、従来より高
音域の周波数特性を改善できる。
中間コーティング層としてＭＯＳＡｌ２０３の場合を示
したが、この中間コーティング層としての材料としては
、上記のＭＯ、ＡＩ．Ｏ＋の他にＳ ｉ，ｗ，Ｔａ，Ｓ
ｉｓ Ｎ４のいずれかを用いても良く、これらの表面
にダイヤモンド膜を生成させることにより、従来より高
音域の周波数特性を改善できる。
また、２ヒ記第３実施例では、ＭｏＪｉとＳｉ層の２層
からなる中間コーティング層の場合を示したが、この場
合、チタン振動板基材表面にコーティングする第ｌ層の
材料してはＭＯ、ＷＳＴａのいずれかを用い、また、次
の第２層の材料してはＳｉａ Ｎ４ 、ＡｈＯ．及びＳ
ｉのいずれかを用いるようにすることにより、チタン振
動板基材に対し第１層をより密着性良く形成でき、さら
に、第２層の表面にダイヤモンド膜をより容易に析出・
生成させることができる。
からなる中間コーティング層の場合を示したが、この場
合、チタン振動板基材表面にコーティングする第ｌ層の
材料してはＭＯ、ＷＳＴａのいずれかを用い、また、次
の第２層の材料してはＳｉａ Ｎ４ 、ＡｈＯ．及びＳ
ｉのいずれかを用いるようにすることにより、チタン振
動板基材に対し第１層をより密着性良く形成でき、さら
に、第２層の表面にダイヤモンド膜をより容易に析出・
生成させることができる。
さらに、上記の実施例ではいずれも気相合成法のうちＥ
ＡＣＶＤ法にてダイヤモンド膜を生或させるようにした
が、従来公知のマイクロ波プラズマＣＶＤ法、高周波プ
ラズマＣＶＤ法、ＤＣプラズマ法等を用いてもよい。
ＡＣＶＤ法にてダイヤモンド膜を生或させるようにした
が、従来公知のマイクロ波プラズマＣＶＤ法、高周波プ
ラズマＣＶＤ法、ＤＣプラズマ法等を用いてもよい。
〔発明の効果］
以上述べたように、この発明によれば、チタンの′ｇＪ
膜からなる振動板基材の表面にＭｏ，Ｓｉ、Ｗ，Ｔａ，
Ｓ ｉｚ Ｎ４、Ａｌｉ ０３から選ばれた１種からな
る単層又はこれらの材料のそれぞれ単独種類からなる複
数層の中間コーティング層を形戒する構或としたので、
気相合威法によってダイヤモンド膜を生成する際には、
原料ガスの水素とチタン振動板基材のチタンとの反応が
抑制され、チタン振動板基材の劣化が防止されるととも
に、この中間コーティング層の表面にダイヤモンド膜を
生成させることができ、チタン振動板基材の劣化が防止
され、かつダイヤモンド膜を有するスピーカ用振動板が
得られる。
膜からなる振動板基材の表面にＭｏ，Ｓｉ、Ｗ，Ｔａ，
Ｓ ｉｚ Ｎ４、Ａｌｉ ０３から選ばれた１種からな
る単層又はこれらの材料のそれぞれ単独種類からなる複
数層の中間コーティング層を形戒する構或としたので、
気相合威法によってダイヤモンド膜を生成する際には、
原料ガスの水素とチタン振動板基材のチタンとの反応が
抑制され、チタン振動板基材の劣化が防止されるととも
に、この中間コーティング層の表面にダイヤモンド膜を
生成させることができ、チタン振動板基材の劣化が防止
され、かつダイヤモンド膜を有するスピーカ用振動板が
得られる。
これにより、この発明によるスピーカ用振動１反によれ
ば、高音スピーカでの高城再生周波数域がｌＩ′ｊ：来
より拡大でき、音響特性の向−１二を１：Ａ１ることか
ｊ″：きる。
ば、高音スピーカでの高城再生周波数域がｌＩ′ｊ：来
より拡大でき、音響特性の向−１二を１：Ａ１ることか
ｊ″：きる。
第１目はこの発明に係るＥ Ａ Ｃ Ｖ Ｄ装評の構或
レ１、第２間はこの発明による振動板を用いたスピーカ
の再生出力の周波数特Ｐ１′を従来のそれと比較して示
す特性図、第３図はこの発明による振動板σ）ダイヤモ
ンｌ’ｌｌ’ＪのＳＥＭ写真である。 １−Ｍｏ中間コーティング層が形成されたチタン振動板
基月、２ 真空容器、３一基板ホルダ、４ ガス導入管
、５−主バルブ、 Ｆｉ 流増調１！１１弁、７・フィラメント電源、８
プイラメン１・、９ バイアス電源、ｌ０ 熱電対。 第１図 第２図
レ１、第２間はこの発明による振動板を用いたスピーカ
の再生出力の周波数特Ｐ１′を従来のそれと比較して示
す特性図、第３図はこの発明による振動板σ）ダイヤモ
ンｌ’ｌｌ’ＪのＳＥＭ写真である。 １−Ｍｏ中間コーティング層が形成されたチタン振動板
基月、２ 真空容器、３一基板ホルダ、４ ガス導入管
、５−主バルブ、 Ｆｉ 流増調１！１１弁、７・フィラメント電源、８
プイラメン１・、９ バイアス電源、ｌ０ 熱電対。 第１図 第２図
Claims (1)
- （１）チタンの薄膜からなる振動板基材と、このチタン
振動板基材表面に形成したＭｏ、Ｓｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ
＿３Ｎ＿４、Ａｌ＿２Ｏ＿３から選ばれた１種からなる
単層又はこれらの材料のそれぞれ単独種類からなる複数
層の中間コーティング層と、この中間コーティング層表
面に生成させたダイヤモンド膜とを有することを特徴と
するスピーカ用振動板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23412389A JPH0396200A (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | スピーカ用振動板 |
| GB9019476A GB2236541B (en) | 1989-09-08 | 1990-09-06 | Speaker diaphragm |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23412389A JPH0396200A (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | スピーカ用振動板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0396200A true JPH0396200A (ja) | 1991-04-22 |
Family
ID=16965996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23412389A Pending JPH0396200A (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | スピーカ用振動板 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0396200A (ja) |
| GB (1) | GB2236541B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4861993B2 (ja) * | 2005-01-14 | 2012-01-25 | エレメント シックス リミテッド | 被覆された剛い３次元構成部材 |
| JP2014233829A (ja) * | 2013-06-04 | 2014-12-15 | 正 太田 | 厚物及び硬質打ち抜き型製作法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0638295A (ja) * | 1992-07-15 | 1994-02-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | スピ−カ−用振動板及びその製造方法 |
| GB201102547D0 (en) * | 2011-02-14 | 2011-03-30 | Element Six Ltd | Coated speaker dome and coated diamond products |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0757039B2 (ja) * | 1988-05-09 | 1995-06-14 | 株式会社ケンウッド | 音響用振動板及びその製造法 |
| JPH02175694A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-06 | Aisin Seiki Co Ltd | ダイヤモンドコーティング方法 |
-
1989
- 1989-09-08 JP JP23412389A patent/JPH0396200A/ja active Pending
-
1990
- 1990-09-06 GB GB9019476A patent/GB2236541B/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4861993B2 (ja) * | 2005-01-14 | 2012-01-25 | エレメント シックス リミテッド | 被覆された剛い３次元構成部材 |
| JP2014233829A (ja) * | 2013-06-04 | 2014-12-15 | 正 太田 | 厚物及び硬質打ち抜き型製作法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2236541B (en) | 1993-07-14 |
| GB9019476D0 (en) | 1990-10-24 |
| GB2236541A (en) | 1991-04-10 |
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