JPH0396234A - 薬液処理装置 - Google Patents

薬液処理装置

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Publication number
JPH0396234A
JPH0396234A JP1233198A JP23319889A JPH0396234A JP H0396234 A JPH0396234 A JP H0396234A JP 1233198 A JP1233198 A JP 1233198A JP 23319889 A JP23319889 A JP 23319889A JP H0396234 A JPH0396234 A JP H0396234A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chemical
concentration
ozone
sensor
tank
Prior art date
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Pending
Application number
JP1233198A
Other languages
English (en)
Inventor
Michiichi Matsumoto
道一 松元
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP1233198A priority Critical patent/JPH0396234A/ja
Publication of JPH0396234A publication Critical patent/JPH0396234A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明1上 半導体製造分野の半導体ウェハー表面の薬
液処理を行う装置に関するものであも従来の技術 従来の薬液処理装置の一例を第2図に示す。 lは薬液
処理を行う薬液槽本体であり、石英製の4面オーバーフ
ロー槽を使用していも 2は被処理物としての半導体ウ
ェハーであり、 3は半導体ウエハーを固定するキャリ
アであも 4は循環する薬液をウエハー2に均一に流す
スノコであり、 5は薬液を昇温する為のヒータであモ
12は薬液を循環させる循環ポンプであり、13は循環
中の薬液のダストを減少させるために設けられたフィル
ターであも 半導体ウエハーの薬液処理は通常1ロット
25枚でバッチ処理が行われていも 以上の様に構威さ
れた従来の薬液処理装置を用いて半導体ウエハーを洗浄
する場合、例えば アンモニア水(NH40H)と過酸
化水素水(N*(h)と純水( He O )の混合液
が用いられも この薬液の濃度と液量LL  混合時に
分量又は重量を所定の割合に調合するζとによって制御
されも 実際に&よ 配合比NHaOH:HtO*:H
*O−1:1二5または1:2:7等が用いられ最も効
果的な液温として70℃〜85℃で使用されていも発明
が解決しようとする課題 上記に示した混合液を70℃〜85℃で使用すると、過
酸化水素水の分解やアンモニアガスの発生により液中の
アンモニア及び過酸化水素水の濃度が低下すも さらに
 水の蒸発東 半導体ウエハーとキャリアからの液の持
ち出しによって液量も変化すも 従って混合液を作った
微 実際のウエハー洗浄に使用できる時間は40分程度
が限界となっていも 処理液がこのように径時変化する
a 安定した処理効果が期待できないばかり力\ 処理
装置も安定稼働できなくなん 更&へ 半導体ウエハー
の大口径化に伴ない使用する薬液量は非常に多くなり、
薬液コストがかかん 課題を解決するための手段 本発明ζ上 水と1成分からなる薬液を混合し充填する
洗浄槽と、前記洗浄槽内にオゾン(O3)を導入する機
構と、前記薬液の成分濃度を測定するセンサa 所定の
成分濃度の変化に対して不足分の薬液を自動供給し薬液
濃度を一定にする機構とを備えた薬液処理装置であも 作用 本発明は 上述の構或により、混合液の濃度の径時変化
を無くし 最適な薬液処理を常時行なえも アンモニア
水と過酸化水素水と純水の混合液による洗浄を例にとる
a 1成分から戒る薬液g!アンモニア水であり、酸化
剤として使用している過酸化水素水の代用としてオゾン
が用いられもオゾンを洗浄槽底部から常時パブリングし
ておくことにより酸化剤としての効果を有し 過酸化水
素水のような分解による濃度変化は無くなも 又l成分
から或る薬液(上述の例の場合アンモニア水)の戊分濃
度をセンサにより常時測定し 所定の戊分濃度の変化に
対して不足分の薬液を自動供給することにより、薬液濃
度の径時変化を無くすことができも 再にオゾンを酸化
剤として使用しているA 例えば過酸化水素水とアンモ
ニア水の様に2種類の薬液濃度を測定する高度な技術あ
るいは高価な測定機器を使用しなくても良く、 l戊分
の濃度測定のみで良L\ 実施例 第1図1友 本発明の一実施例における薬液処理装置の
構戒概略図であも 第1図において、 1は薬液処理を
行う薬液槽本体であり、石英製の4面オーバーフロー槽
であも 2は被処理物としての半導体ウエハーであり、
 3は半導体ウエノ\一を固定する為のキャリアであも
 4は循環される薬液を均一に流す為のスノコであも 
5は薬液を昇温する為のヒータであり、指定した温度に
自動制御することができも 6は石英槽lの底部からオ
ゾンをバプリングする為に設けられたパブリングノズル
であも バプリングノズル6により薬液槽1内に均一に
細かいオゾンの気泡を発生させも 7はオゾンの発生器
であり、純水を電気分解する方式を採用していも この
方式により供給されるオゾンは窒素酸化物や金属不純物
の混入がなも1 又オゾン濃度は18重量%と高く、オ
ゾン発生量は30g/hrであも 8はオーバーフロー
槽の外槽の液面センサであも 9は液面センサ8のON
あるいは0.FFの信号によって、不足分の純水を自動
的に一定量供給させる純水供給制御器であモ10は純水
を供給させる純水ラインであ4  ttは純水供給制御
器9から制御された不足分の純水を導入する純水供給口
であも 純水供給口1 1 11  循環ラインのボン
ブl2とフィルター13の間に設けられていもl2は薬
液を循環させる循環ポンプであり、l3は循環中の薬液
のダストを減少させるフィルターであモ14は薬液濃度
を測定するセンサであり、本実施例においてg1  無
電極の導電率計を用いており、薬液のコンダクタンスを
測定していモ15は薬液濃度測定値により不足分の薬液
量を自動供給する薬液供給制御器であモ16は薬液を供
給させる薬液供給ラインであ,4  17は薬液供給制
御器l5から制御された不足分の薬液を導入する薬液供
給口であり、ボンプl2とフィルターl3の間に設けら
れていも 以上のように構威された本実施例の薬液処理
装置について、以下その動作を説明すも 例えばアンモ
ニア水と過酸化水素水と純水との混合液を本実施例に適
用した場合、過酸化水素水は使用せ哄 オゾンを使用す
ることになん 石英槽1内にアンモニア水と純水との混
合液を秤量装置にて導入すも アンモニア水の濃度は本
例において29±1%であも 槽内混合液の温度は70
℃に温度調整すも 循環ポンプを駆動し混合液を高温循
環してフィルタリングすることによって混合液中のダス
トを取も フィルターは0.1μmのフィルターを採用
している&0.1μm以上のダストは除去されa 一方
オゾン発生器7によって発生したオゾンはパブリングノ
ズル6から混合液中にパブリングされも オゾン濃度は
前述した様に18重量%と高く過酸化水素水の代用とし
ての酸化剤の効果を有す4a  オゾンは水に溶解しに
くい物質であり、混合液の導電率あるいはPH等を大き
く変化させることは無(1 従って、混合液の濃度制御
はアンモニア濃度のみを測定しさえすれば良〜 本実施
例においては アンモニア濃度を無電極の導電率計を用
いてコンダクタンスを測定していも またその他のアン
モニア濃度のセンサとしてPHメー久 イオンメータ等
が使用できも 混合液の混合比がNH40H:ho−1
:5 ”’Q,  液温70℃の場合コンダクタンスI
re  2.60mscm−’となッf42. 60m
scm− ’以下になると、アンモニア水を薬液供給制
御器15から自動供給すも この制御によって常隊 混
合液の濃度を一定に保つことが可能とな7io!  薬
液供給口17力交 循環ボンプ12とフィルター13の
間に設けた理由GEL  供給されたアンモニア水を、
循環されている混合液と十分に速く混合させる為であり
、又 供給されるアンモニア水のダストをフィルターに
よってすぐに除去する目的もあ4  −X  以上の様
に70℃で装置を運転すると、水の蒸発及べキャリア3
の出し入れによって混合液の量が減少すも 従って純水
を供給する必要があん 液面センサ8によって石英槽1
内の混合液の量を測定しその不足分の純水を純水供給制
御器9によって供給すん 純水供給口11も薬液供給口
l7と同微 循環ボンプ12とフィルターl3の間に設
けられており、混合液と純水との混合を容易にすること
ができも以上の様に 本実施例によれば オゾンの導入
機構及べ 高温循環機構と薬液の成分濃度を測定するセ
ンサと、所定の戊分濃度の変化に対して不足分の薬液を
自動供給する機構と、洗浄槽内の混合液の液面を測定す
るセンサと、所定の液面に対して不足分の量の水を自動
供給する機構を設けることにより、薬液濃度の径時変化
を無くすことができも 従って、安定した薬液処理が可
能となり、薬液交換をほとんど行わなくても良く、薬液
コストを低減できるばかり力\ 薬液交換に有する時間
も必要なくなも 又 薬液l成分のみの濃度測定で良く
、安価にしかも安定した装置が実現でき、その信頼性も
高くな&K  本実施例において、使用薬液をアンモニ
ア水と純水にした力t 塩酸と純水等の水と1戊分から
なる薬液にも応用できも発明の効果 以上説明した様紙 本発明によれ(′L 薬液濃度の径
時変化を無くすことができ、安定した薬液処理が可能と
なも 又 薬液交換をほとんど行わなくても良く、薬液
コストを低減できるばかり力\薬液交換に有する時間も
必要なくなり、その実用的効果は大き賎
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明における一実施例の薬液処理装置の構戒
概略は 第2図は従来の薬液処理装置の構或概略図であ
も 1・・・・石英権 2・・・・シリコンウエハー、 3
・・・・キャリア、 4・・・・スノコ、 5・・・・
ヒーター、 6・・・・バプリングノズ/k  7・・
・・オゾン発生銖 8・・・・液面センサ、 9・・・
・純水供給制Ij徴10・・・・純水ライン、l1・・
・・純水供給口12・・・・循環ボンズ 13・・・・
フィルター、14・・・・薬液濃度センサ、15・・・
・薬液供給制御al6・・・・薬液ライン、l7・・・
・薬液供給四

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 水と1成分からなる薬液を混合し充填する洗浄槽と、前
    記洗浄槽内にオゾン(O_3)を導入する機構と、前記
    薬液の成分濃度を測定するセンサと、所定の成分濃度の
    変化に対して不足分の薬液を自動供給し薬液濃度を一定
    にする機構とを備えた薬液処理装置。
JP1233198A 1989-09-08 1989-09-08 薬液処理装置 Pending JPH0396234A (ja)

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JP1233198A JPH0396234A (ja) 1989-09-08 1989-09-08 薬液処理装置

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JPH0396234A true JPH0396234A (ja) 1991-04-22

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000050397A (ko) * 1999-01-08 2000-08-05 윤종용 반도체 세정액 농도 제어장치 및 방법
KR20020028699A (ko) * 2000-10-11 2002-04-17 윤종용 반도체제품 세정장치 및 그 장치의 세정조 내 세정액의농도를 제어하는 방법
KR20030086659A (ko) * 2002-05-06 2003-11-12 삼성전자주식회사 반도체 장비용 세척장치 및 그에 따른 세척방법
JP2023006219A (ja) * 2021-06-30 2023-01-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法

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