JPH0397239A - ボンディング方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はＴＡＢ（Ｔａｐｅ　　Ａｕｔｏｍａｔｅ−ｄ　
　Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式の半導体装置におけるボンディ
ング方法及びその装置に関し、特にフィルム状のテープ
の１ごまごとにインナーリードを形成し、これら各こま
に種々のチップサイズのＩＣチップやまたは複数のＩＣ
チップを搭載し、これらＩＣチップのバンプ電極とイン
ナーリードとを接続するボンディング方法及びその装置
に関する。

〔従来の技術〕

一般に、ＴＡＢ方式による半導体装置は、ポリイミド樹
脂や、ポリエステル樹脂製のフイルム状テープに、丁度
映画フイルムと同じように、テープの両側に送り用のス
ブロケット穴を設け、中央に矩形状にテープを切り抜き
、そしてこれを■こまとして長手方向に多数のこまを並
べて形成する。

また、これら各こま毎に、その切り抜きの周囲から中央
に向って伸びるように印刷法により複数本の導電体であ
るインナーリードを形成する。さらに、これらのこま内
に半導体チップであるＩＣチップを搭載し、インナーリ
ードとＩＣチップのバンプ電極を接続し、これら１こま
ごと分離し、これをプリント基板や、セラミック基板へ
取り付けるか、あるいはＩＣチップ部を樹脂封止して半
導体装置として完成していた。

また、この種の半導体装置の製造過程で、特に問題にな
るのが、前述のインナーリードとＩＣチップのバンプ電
極との接続方法である。近年、ＩＣチップの大型化に伴
ない、そのビン数が増加する傾向にある。すなわち、こ
の接続すべくバンプ電極とインナーリードの数が益々増
加してきた、このため、ビン数の対策としてテープを多
層構造にしたりして対処してきたが、それ以外の接続上
の問題がある。この接続の問題については種種の改善工
夫が施されてきた。

第７図は従来のボンディング装置のボンディングツール
とＩＣチップ及びテープの一例を示す部分断面図、第８
図は第７図のＩＣチップ及びテープの部分平面図である
。従来、この種のボンディング装置は、図面には示さな
いが、例えば、第７図に示すようなボンディングツール
６を保持し、このボンディングツール６に加熱するヒー
タを内蔵するとともに押圧力を与える押圧力出力機構を
もつボンディングヘッドと、ＩＣチップ及びテープを保
持し、これらの相対位置を合せる機構をもつステージ部
と、ＩＣチップ及びテープをステージに供給するＩＣチ
ップ供給部及びテープ供給部と、前記ヒータに電源を供
給する電源部と、これら各部をシーケンス制御する制御
装置とから構成されていた。

このようなボンディング装置を用いたボンディング方法
は、例えば、第７図及び第８図に示すようなＩＣチップ
２をテーブ４のこま内に搭載し、バンプ電極２１とイン
ナーリード３をボンディングする場合について説明する
。まず、テープ４をテープ供給部より送り、ステージ面
にその１こまを位置決めする。引続き、ＩＣチップ供給
部よりＩＣチップを供給し、テーブ４の一こま内にある
切り抜き穴に挿入し、ステージ上に載置する。次に、ス
テージを移動してＩＣチップ２のバンプ電極２１とイン
ナーリード３と位置合せを行なう。

次に、第８図に示すように、ボンディングツール６とＩ
Ｃチップの全てのバンプ電極２ｌを含む領域と位置合せ
し、ボンディングッールを下降し、第１０図のボンディ
ング領域５２を押圧することにより全数のバンプ電極２
１とインナーリード３とを一度に接続していた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来のボンディング方法及びその装置では、第
７図のボンディングッール６の押圧面は、一度で、ボン
ディング領域５２を押すことにより、全てのインナーリ
ード３及びバンプ電極２］をボンディングしているため
、これらに全てのインナーリード３及びバンプ電極２１
に対して均一な押圧力を与える必要がある。しかしなが
ら、ボンディングッール６の押圧面が平坦であっても、
このインナーリード３とバンプ電！２１の高さが全て同
じでなく、このため、ボンディングッール６の押圧面と
バンプ電極２１を乗せたインナーリード３との面が平行
でなければならない。従って、このボンディング作業を
始める前には、これら面が平行にする平行度調整には、
多大な調整工数を必要としていた。特に、最近は、３０
０ピンあるいは５００ピンといった接続するバンプ電極
が増加すると、この問題は深刻な問題となった。

一方、ボンディングツールの押圧力に関しては、例えば
、一つのバンプ電極当り１００ｇ程度とすると、３００
の電極のあるＩＣチップでは、３０ｋｇ、５００の電極
のあるＩＣチップでは、５０ｋｇとなり、もし、前述の
調整が不十分であると、ボンディングツールの所謂片当
り現象を起し、出張りのあるバンプ電極に必要以上の押
圧力が集中し、ついには、バンプ電極に座屈を起し破壊
される問題が起る。また、バンプ電極の高さが低い場合
は、接続されなく、均一な接続が得られないという問題
もある。

また、最近、一つのテープに異なるチップサイズのＩＣ
チップを搭載し、ハイブリット化の傾向があり、このよ
うに、ＩＣチップの形状及び寸法が変更される場合は、
それぞれのボンディングツールを用意しなければならな
いばかりか、前述したような各々のボンデイングスール
の調整を必要とし、さらに、交換時毎にも調整し直すと
いった交換工数及び交換後の調整工数が益々増大すると
いったさらに大きな問題となる。さらに、このような問
題は、ひいては設備稼働率にもつながり、例えば、装置
の稼働率２０〜５０％と低下することもある。

本発明の目的は、かかる問題を解消して、異種のＩＣチ
ップに切換えても、ボンディングツールの交換や、交換
後の平行度の調整を行なうこととないボンデイング装置
と、バンプ電極を破壊することなく、より早く、安定し
て、しかも均一に全てのインナーリードとバンプ電極と
が接続することの出来るボンデイング方法を提供するこ
とである。

〔課題を解決するための手段〕

１．本発明の第１のボンデイング装置は、樹脂製のテー
ブの一こま毎の切抜き穴にＩＣチップを挿入搭載し、こ
のＩＣチップの一生面に形成された複数のバンプ電極と
前記テープの表面に形成されるとともに前記バンプ電極
と対応するインナーリードとを接続するボンデイング装
置において、前記ＩＣチップの全ての前記バンプ電極を
含む領域の外形より小さい押圧面をもつボンディングツ
ールを有している。

２，本発明の第１のボンデイング方法は、前記ＩＣチッ
プの全てのバンプ電極を含む領域を等分の面積の複数の
バンプ電極領域に分割し、これら分割された領域の面積
で設定される押圧力でボンディングツールで押圧する工
程を含んで構成される。

３　本発明の第２のボンデイング装置は、前記丁Ｃチッ
プの全てのバンプ電極を含む領域より小さく、かつ押圧
面の面積の異なる複数のボンディングツールとを有して
いる。

４．本発明の第２のボンデイング方法は、前記ＩＣチッ
プの全てのバンプ電極を含む領域を異なる面積の複数の
バンプ電極領域に分割し、これら分割されたバンプ電極
領域をその領域の面積に応じた押圧力でボンディングツ
ールで押圧する工程を含むことを特徴とするボンデイン
グ方法。

５．本発明の第３のボンディング方法は、前記テーブの
一こまに挿入搭載された複数の形状及び寸法の異なるＩ
Ｃチップと前記インナーリードとを接続するボンディン
グ方法において、前記２項に記載されている工程もしく
は前記４項に記載されている工程と、前記分割された領
域にあるそれぞれの前記バンプ電極及びインナーリード
に応じて異なる温度で接続する工程とを含んで横成され
る。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の第１の実施例を示すボンディング装置
のブロック図である。このボンディング装置は、第１図
に示すように、ＩＣチップ２を搭載するとともにＸ．Ｙ
及びＺ方向の移動と回転が出来るステージ１と、ＩＣチ
ップのチップ面積より小さい押圧面２０をもつとともに
加熱ヒータ５を内蔵するボンディングツール６ａと、こ
のボンディングツール６ａを押圧力検出器８を介して保
持するとともにＩＣチップ面を撮像するカメラ７をもつ
ボンディングヘッド９と、このボンデイングヘッド９を
上下方向（Ｚ方向）に移動させる機構をもつコラム■０
と、このコラム１０をＸ及びＹ方向に移動させる移動機
構１１を介して搭載するベースｌ２と、ボンディングツ
ール６ａに押圧力を与える圧力タンク１４と圧力調整器
１３及び圧力源を配管２１で接続してなる押圧機構との
機構部で構成されている。

また、このボンデイング装置の機構部には、押圧力を押
圧力検出器８により検出し圧力調整器１３を調整する押
圧力制御装置１５と、カメラ７の映像情報によりボンデ
ィングツール６ａとＩＣチップ２との相対位置を検出す
る画像位置検出装置ｌ６と、ボンディングツールを加熱
するヒータ５の温度を制御するツール加熱制御装置１７
と、これら制御装置のシーケンス動作及びステージ１、
移動機構１１、ボンディングヘッド９の動作制御を全体
的に制御する制御装置１８と、ボンデイング条件に係わ
るデータとボンディングツール６ａの位置データ等の情
報を記憶する記憶装置とが配線で接続されている。

この実施例のボンディング装置と従来のボンディング装
置との違いは、その第１の相異点は、ボンディングツー
ル６ａの押圧面の面積をＩＣチップのボンディング領域
の外形より小さくしたことである。これば、従来、この
ボンディングツールの押圧面はＩＣチップのボンディン
グ領域と同じか、やや大きめにしたが、この実施例では
、その大きさを、例えば、ボンディング領域の１／４程
度の面積となる等分のボンディング領域の外形と同じ面
積の押圧面をもつボンディングツール６ａにしたことで
ある。例えば、具体的な数値として、ＩＣチップの大き
さが２５ｍｍｚもある大きなＩＣチップをボンディング
する場合には、押圧面の面積を６〜７　ｍ　ｍ　２とい
った小さい面積にすることである。このことにより、従
来、ボンディングツールとＩＣチップのバンプ電極面と
の平行度調整は、最初の簡単な調整のみで、その後の調
整がほとんど不要になった． また、第２の相異点は、第１の相異点に伴いボンディン
グ方法が異なる点である．すなわち、ＩＣチップの全て
のバンプ電極を含むボンデイング領域をいくつかの小さ
いボンデイング領域に分割し、その分割された領域に順
にボンディングツールを押圧し、一つのＩＣチップを数
回に分けてボンディングすることである。

さらに、このボンデイング方法を実現するために、第１
図に示したボンデイング装置に、分割されたボンディン
グ領域のボンディングツール６ａの位置情報及びボンデ
イング条件データを記憶する記憶装置１つと、これら位
置及び条件データを取り組み、各ボンディング領域を同
一条件でボンディング出来るように各制御装置及び機構
部の動作制御するをシーケンス制御機構を有する制御装
置１８を設けたことである。

次に、このボンディング装置の動作及び本発明のボンデ
ィング方法の第１の実施例を具体的に図面を参照して説
明する。

第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１図のボンディング
装置及びこの装置によるボンデイング方法の第１の実施
例を説明するためのＩＣチップとインナーリードを示す
平面図、第３図（ａ）及び（ｂ）は第２図（ａ＞及び（
ｄ）に示すＩＣチップとインナーリードの断面図である
。これらの図面は解り易いようにテープを省略してある
。

まず、このボンディング装置の動作及びボンディング方
法は、第１図及び第２図（ａ）に示すように、ステージ
１に搭載されたＩＣチップ２を、ステージ１をＸあるい
はＹ方向に移動し、インナーリード３とバンプ電極２１
とが互いに一致するように位置合せをする。次に、この
ときの位置データをＸＹ軸の原点とし、例えば、ＣＯＤ
カメラであるカメラ７で撮像し、位置データとして記憶
装置１９に記憶する。次に、あらかじめ記憶されていた
ボンディングツール６ａの位置データと、前述の原点位
置とのオフセット量をもとに、ボンディングツール６ａ
をＩＣチップ２上のＸＹ座標の第２象限の中心に移動さ
せる。勿論、この位置決めプログラムシーケンスは制御
装置１８により移動機横１１を作動して行なわれる。次
に、あらかじめ記憶装置１９に記憶された押圧カデータ
を制御装置１８が取り込み、そのデータにより圧力調整
器１３を調節し、例えば、使用している圧縮空気の空圧
を調節してボンディングツール６ａの押圧力を設定する
。一方、あらかじめ、ＩＣチップ２はステージ■に内蔵
されたヒータ（図示せず）により、例えば、１５０〜３
００℃程度に加熱し、ボンディングツールも、ツール加
熱制御装置により制御されるヒータ５で、例えば、４０
０〜５００℃程度に加熱する。次に、ボンディングヘッ
ド９がコラム１０を活動しながら下降し、ボンディング
ッール６ａの押圧面２０は、ボンディング領域５０ａを
押圧し、バンプ電極２１とインナーリード３と熱圧着し
て接続する。

次に、ボンディング領域５０ａにあるバンプ電極２１と
インナーリード３とを接続した後、ボンディングヘッド
９が上昇し、ステージ１に搭載されたＩＣチップとテー
プは位置を固定した状態で、あらかじめ、記憶装置ｌ９
に記憶された前述のボンディングツール６ａの位置と次
に移動すべき第２図（ｂ）の第３象限の中心点へのオフ
セット量のデータを制御装置１８が取り込み、移動機構
１１を、例えば、Ｙ方向に移動させ、ボンディングツー
ル６ａの押圧面２０の位置を、ＩＣチップ２の第３象限
にあるボンディング領域５０ｂ上に位置決めする。次に
、前述と同じ押圧条件で、ボンディング領域５０ｂにあ
るバンプ電極２１とインナーリード３を接続する。

なを、この接続する際には、ボンディングツール６ａの
押圧力は、押圧力検出器８により、常に、押圧力を検出
し、押押圧力制御装置にフィードバックして、圧力調整
器１３を動作させ、押圧力を所定値に維持している。

次に、同様な動作を繰返して、第２図（Ｃ）及び第２図
（ｄ）のボンディング領域５０ｃ、５０ｄをボンディン
グツール６ａで押圧し、これら領域にあるバンプ電極２
１とインナーリード３を、第３図（ｂ）に示すように、
接続し、テープの一こまにあるＩＣチップのボンデイン
グ作業を完了する。次に、図面には示していないが、テ
ープ供給装置のスブロケットホイールで、テープを一こ
ま送り、ＩＣチップ供給装置で、新たなＩＣチップを供
給し、ステージ１に搭載する。

第４図は本発明の第２の実施例を示すボンデイング装置
の部分斜視図である。このボンデイング装置は、第１図
に示したボンデイング装置のコラム１０に上下に摺動す
る一つのボンデイングヘッドの代りに、二つの押圧面の
大きさの異るボンディングツール６ｂ及び６Ｃをそれぞ
れもつ二つボンディングヘッド９ａを設けたことである
。勿論、図面には示さないが、これらボンデイングヘッ
ド９ａには、ボンディングツール６ｂ及び６Ｃの押圧力
を設定する押圧力検出器、圧力調整器及び押圧力制御装
置もそれぞれに独立して設けられている。

このボンデイング装置は、ＩＣチップのボンディング領
域を大小二種類のボンデイング領域に分割し、これら領
域を押圧するボンディングツールを設けたことである。

第５図（ａ）〜（Ｃ）は本発明のボンディング方法の第
２の実施例と第４図のボンディング装置の動作を説明す
るためのＩＣチップとインナーリードを示す平面図であ
る。この図面も、理解し易いようにテープは図示されて
いない。まず、前述の実施例と同様に、第１図及び第４
図並びに第５図（ａ）を参照して、ステージ１上のＩＣ
チップ２のバンプ電極２１ａとインナーリード３との位
置合せをする。次に、第５図（ａ）に示すＩＣチップ２
のボンディング領域５１ａの中心と第４図に示すボンデ
ィングツール６ｂの中心とを合せる。このときの位置デ
ータを原点とし、第１図の記憶装置ｌ９に記憶させる。

次に、あらかじめ、ボンディングッール６ｂを所定の温
度に加熱し、ＩＣチップ２の温度も、ステージ１に内蔵
するヒータにより加熱し設定し、さらに、ボンディング
ッール６ｂの押圧面の面積に応じて押圧力制御装置■５
により設定しておく。次に、ボンディングヘッド９ａを
下降させ、ボンデイング領域５１ａを押圧し、ボンディ
ング領域５１ａにあるバンプ電極２１とインナーリード
３とを接続する。

次に、テープ及びＩＣチップをそのまま固定維持してお
き、ボンディングヘッド９ａを移動し、第５図（ｂ）に
示す示すボンディング領域５ｌｂの中心に位置決めする
。次に、あらかめ、設定された押圧力でボンディング領
域５ｌｂを押圧し、このボンディング領ｆ４５ｌｂにあ
るバンプ電極２１とインナーリード３とを接続する。そ
して、ボンディングヘッド９ａは上昇し、第４図に示す
状態になる。

次に、第５図（Ｃ）のボンディング領域５１ｃにボンデ
ィング領域５１ｃの中心に、ボンディングツール９Ｃが
位置合せ出来るように、あらかじめ位置データが記憶さ
れた記憶装置１つより、位置データを制御装置工８が取
り込み、この位置データにより移動機構１１を動作させ
る。次に、あらかじめ、ボンディングツール６Ｃの押圧
する押圧力ずなわち、この押圧面の面積に応じた押圧力
を設定するとともにこのボンディングツールの温度も所
定の温度に設定する。次に、このボンディングツール６
Ｃの押圧面でボンディング領域５ｌＣを押圧し、このボ
ンディング頭域５１ｃにあるバンプ電極２工とインナー
リード３とを接続する。引き続き、もう一つのボンディ
ング領域５１ｃも、ボンディングツール６ｃで押圧し、
テープのこまの全てのバンプ電極２１とインナーリード
３との接続を完了する。

この実施例では、二つの異なるボンディングツールを使
用したが、二つ以上のボンディングッールを設けても良
い。また、この実施例では、上台のボンディング装置に
大小二つのボンディングツールを設け、この大小のボン
ディングッールを使い分けることにより、押圧面の比較
的に小さいボンディングツールを数回に分けて押圧して
接続する前述の第１の実施例に比べ、より押圧回数を低
減出来るので、ボンディング作業をより早く出来る利点
がある。

第６図（ａ）〜（ｆ）は本発明のボンディング方法の第
３の実施例を説明するためのテープ上に装置されたＩＣ
チップのボンディングｊ頃に示した平面図である。この
ボンディング方法は、テーブ４ａのーこまに二つのＩＣ
チップ２ｂ及び２Ｃを搭載した半導体装置に適用する方
法である。また、このボンディング方法には、第１の実
施例のボンディング装置を用いても、第２の実施例のボ
ンディング装置を用いてもボンディングすることが出来
る。この実施例では、第４図に示す第２の実施例のボン
ディング装置を使用してボンディングする場合について
説明する． まず、第６図（ａ）に示すように、テープ４ａ上に二つ
の寸法の異なるＩＣチップ２ｂ及び２Ｃをテーブ４ａの
抜け穴に挿入し、ステージ１に載置する。第１図に示す
ステージｌに搭載する。次に、ステージ１を移動し、そ
れぞれのＩＣチップのバンプ電１２　ｌ　ｂとインナー
リード３ａ及びバンプ電極２１ｃとインナーリード３ｂ
が一致するように位置合せをする。このときの、ＩＣチ
ップ２ｂの中心位置データをＸＹ座標の原点とする。

次に、第４図に示す比較的に大きなボンディングツール
６ｂを前記原点を基準にしてボンディング領域５２ａの
中心までの位置に、移動機ｔｉＩ１１によってコラム１
０を移動して、ボンディングツール６ｂをこのボンディ
ング領域５２ａの上に位置決めする。次に、あらかじめ
、この【Ｃチップ２ｂのバンプ電極２ｌｂとインナーリ
ード３ａを熱圧着するのに必要の温度にボンディングツ
ール６ｂを加熱する。また、このボンディングツール６
ｂに必要な押圧力を設定する。次に、ボンディングツー
ル６ｂを下降し、ボンディング領域５２ａのバンプ電極
２ｌｂとインナーリード３ａと接続する。次に、ボンデ
ィングヘッド９ａを上昇させ、第６図（ｂ）から第６図
（ｄ）まで、前述と同様にボンディングツール６ｂでそ
れぞれボンディング領域５２ｂから５２ｄまで押圧し、
ＩＣチップ２ｂのバンプ電極２ｌｂとインナーリード３
ａとの接続を完了する。

一方、もう一つのＩＣチップ２Ｃのバンプ電極２１ｃと
インナーリード３ｂの接続に際しては、このＩＣチップ
２Ｃのバンプ電極２１ｃの容量が前述のＩＣチップ２ｂ
のバンプ電極２ｌｂの容量より小さいので、ボンディン
グツール６ｃの温度の設定を変える必要がある。このよ
うな場合は、あらかじめ、ボンディングツール６ｃの温
度を変えて設定しておくことである。まず、既に、前述
したように、ＩＣチップ２ｂのボンディング作業が完了
しているので、第６図（ｅ）に示すようにＩＣチップ２
ｂのＸＹ軸の原点からＩＣチップのボンディング領域５
３ａの中心点までの距離とボンディングツール６ｂと６
Ｃとの間の距離を演算し、求められたボンディング領域
５３ａの中心座標とボンディングツール６Ｃの中心座標
を求め、この座標値から移動すべきＸ及びＹ方向の移動
距離を算出し、制御装置１８により移動ＩＮ横１１を作
動させ、ボンディングツール６ｃをボンディング領域５
３ａの上に位置決めする。

次に、あらかじめ押圧力及び温度が設定されたボンディ
ングツール６Ｃを下降し、ボンディング領域５３ａを押
圧して、この領域のバンプ電極２１ｃとインナーリード
３ｂとの接続を行なう。次に、前述と同様に、第６１１
Ｚ（ｆ）にボンディングツールを位置決めし、押圧して
、このボンディング領域５３ｂにあるバンプ電極２１ｃ
とインナーリード３ｂの接続を行なう。このようにして
、テーブのーこまに二つのＩＣチップが搭載された場合
でも、ボンディングツールの交換を行なうことなく、ボ
ンデイング出来る利点がある。また、このために、ボン
ディングツールの交換に伴う平行度調整も不要になると
いう利点もある。

なお、この実施例では、二つのＩＣチップを別々にボン
デイングしたが、二つのボンディングツールの相対位置
と二つのＩＣチップの相対位置を一致させ、さらに、二
つのボンディングツールの移動距離を同じにすれば、こ
の二つのボンディングツールを同期してボンディング動
作を行なうことによって、同時に二つのＩＣチップのボ
ンディング作業が出来るという利点もある。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば以下に述ベる効果
が得られる。

１．ＩＣチップの全てのバンプ電極を含む領域より小さ
い押圧面をもつボンディングツールを設けることによっ
て、バンプ電様の先端を含む平面と押圧面の平行度調整
といった準備作業が不要で、バンプ電極とインナーリー
ドと均一な熱圧着による接続が出来るボンディング装置
が得られという効果がある。

２．ＩＣチップの全てのバンプ電極を含む領域を等分の
面積の複数のバンプ電極領域に分割し、これらの領域を
その面積で設定される一定の押圧力でボンディングツー
ルで押圧することにより、均一なバンプ電極とインナー
リードとの接続が出来るボンディング方法が得られると
いう効果がある． ３、ＩＣチップの全てのバンプ電極を含む領域より小さ
く、かつ押圧面積の異なる複数のボンディングツールを
備えることによって、一ＩＣチップ当りのボンディング
回数を低減し、ＩＣチップが変更されても、ボンディン
グツールの交換が不要で、かつ交換後の平行度調整が不
要なボンディング装置が得られるという効果がある。

４．ＩＣチップの全てのバンプ電極を含む領域を異なる
面積の複数のバンプ電極領域に分割し、これら分割され
たバンプ電極領域をその領域の面積に応じた押圧力て押
圧する工程を設けることによって、よりボンディング作
業速度の早い、また、異なる形状及び寸法のＩＣチップ
でも、ボンディングツールを交換することなくボンディ
ング作業が出来るボンデイング方法が得られるという効
果がある。

５、テープの一こまに複数の形状及び寸法の異なる丁Ｃ
チップが搭載された半導体装置のボンディング作業に際
しても、ボンディングツールに種種のボンディング条件
を設定出来る制御機構を設けることによって、ＩＣチッ
プの品種切り換えてもボンディング交換が不要とするこ
とが出来、稼働率の高いボンディング装置が得られると
いう効果がある。

【図面の簡単な説明】

第■図は本発明の第１の実施例を示すボンディング装置
のブロック図、第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１図
のボンディング装置及びこの装置によるボンディング方
法の第１の実施例を説明するためのＩＣチップとインナ
ーリードを示す平面図、第３図（ａ）及び（ｂ）は第２
図（ａ）及び（ｄ）に示すＩＣチップとインナーリード
の断面図、第４図は本発明の第２の実施例を示すボンデ
ィング装置の部分斜視図、第５図（ａ）〜（Ｃ）は本発
明のボンディング方法の第２の実施例と第４図のボンデ
ィング装置の動作を説明するためのＩＣチップとインナ
ーリードを示す平面図、第６図（ａ）〜（ｆ）は本発明
のボンディング方法の第３の実施例を説明するためのテ
ープ上に装置されたＩＣチップのボンディング順に示し
た平面図、第７図は従来のボンディング装置のボンディ
ングツールとＩＣチップ及びテープの一例を示す部分断
面図、第８図は第７図のＩＣチップ及びテープの部分平
面図である． １　・−・ステージ、２、２ａ、２ｂ、２　ｃ−・Ｉ　
Ｃチップ、３、３ａ、３　ｂ　・・・インナーリード、
４、４ａ・・・テープ、５・・・ヒータ、６、６ａ、６
ｂ、６Ｃ・・・ボンディングツール、７・・・カメラ、
８・・・押圧検出器、９、９ａ・・・ボンディングヘッ
ド、１０・・−コラム、１１・・・移動機構、１２・・
・ベース、■３・・・圧力調整・器、１４・・・圧カタ
ンク、１５・・・押圧力制御装置、１６・・・画像位置
検出装置、ｌ７・・・ツール加熱制御装置、ｌ８・・一
制御装置、１９・・・記憶装置、２０・・・押圧面、２
１、２ｌｂ、２１ｃ・・・バンプ電極、２　２−・・ス
プロケット穴、５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄ、５１
ａ、５ｌｂ、５１ｃ、５２、５２ａ、５２ｂ、５２ｃ、
５２ｄ、５３ａ、５３ｂ・・・ボンディング領域。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、樹脂製のテープの一こま毎の切抜き穴にＩＣチップ
   を挿入搭載し、このＩＣチップの一主面に形成された複
   数のバンプ電極と前記テープの表面に形成されるととも
   に前記バンプ電極と対応するインナーリードとを接続す
   るボンディング装置において、前記ＩＣチップの全ての
   前記バンプ電極を含む領域の外形より小さい押圧面をも
   つボンディングツールを有することを特徴とするボンデ
   ィング装置。 ２、前記ＩＣチップの全てのバンプ電極を含む領域を等
   分の面積の複数のバンプ電極領域に分割し、これら分割
   された領域の面積に設定される一定の押圧力でボンディ
   ングツールで押圧する工程を含むことを特徴とするボン
   ディング方法。 ３、前記ＩＣチップの全てのバンプ電極を含む領域より
   小さく、かつ押圧面の面積の異なる複数のボンディング
   ツールを備えることを特徴とする請求項１のボンディン
   グ装置。 ４、前記ＩＣチップの全てのバンプ電極を含む領域を異
   なる面積の複数のバンプ電極領域に分割し、これら分割
   されたバンプ電極領域をその領域の面積に応じた押圧力
   でボンディングツールで押圧する工程を含むことを特徴
   とするボンディング方法。 ５、前記テープの一こまに挿入搭載された複数の形状及
   び寸法の異なるＩＣチップと前記インナーリードとを接
   続するボンディング方法において、前記分割された領域
   にあるそれぞれの前記バンプ電極及びインナーリードに
   応じて異なる温度で接続する工程と、請求項２もしくは
   請求項４を含むことを特徴とするボンディング方法。