JPH0397248A - 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置とその製造方法Info
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- JPH0397248A JPH0397248A JP1232961A JP23296189A JPH0397248A JP H0397248 A JPH0397248 A JP H0397248A JP 1232961 A JP1232961 A JP 1232961A JP 23296189 A JP23296189 A JP 23296189A JP H0397248 A JPH0397248 A JP H0397248A
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、樹脂封止型半導体装置に関するものである．
（従来の技術）
−Ｉｎに、ＩＣ（集積回路）等の樹脂封止型半導体装置
は、リードフレームの素子搭載部である素子基板部上に
半導体素子を固着マウントし、半導体素子の表面に形威
された電極パッドと前記素子基板部の近傍まで延びてい
るリードとを金属ｌｉｉ線（ワイヤ）で接続して樹脂モ
ールド成形するようにしている． 第５図はかかる従来の樹脂封止型半導体装置の外観図で
あり、第５図（ａ）はその平面図、第５図（ｂ）゜はそ
の正面図である．また、第６図は従来の樹脂封止型半導
体装置の内部構威図であり、第６図（ａ）はその平ｒＭ
図、第６図（ｂ）はその断面図である． これらの図において、１は金属からなり、吊りビン３で
支持された素子搭載部分である素子基板部、２は素子基
板部１の近傍まで延びる複数のリードである．４は前記
素子基板部１の中央部分にマウント材５を介して固着マ
ウントされた半導体素子であり、この表面周辺部には、
複数の電極バ７ド６が形威されている．７は前記半導体
素子４の各電極バンド６とリード２の先端部とを電気的
に接続するＡｕ線等のワイヤである．このワイヤ７によ
るボンディング後、エボキシ樹脂等の熱硬化性を有する
外装樹脂材８でモールド或形することにより個々のＩＣ
を得る． モールド戒形後ＩＣは、第７図に示すようにイジェクタ
ピン１０によって突き上げられ、金型１１から離型され
るようになっている．この場合、イジエクタビン１０は
、第７図（ａ）に示すように２本の場合、或いは第８図
（ａ）に示すように１本の場合がある．第７図（ａ）の
方法で離型された樹脂封止型半導体装置は、第７図（ｂ
）に示すように、その裏面に２箇所のイジェクタピン跡
９が現れる．一方、第８図（ａ）の方法で離型された樹
脂封止型半導体装置は、第８図（ｂ）に示すように、そ
の裏面に１箇所のイジェクタピン跡９が現れる．このよ
うにして、取り出されたモールド威形品にリード処理を
行うことにより、樹脂封止型半導体装置が得られる． （発明が解決しようとするｔｉ題） しかしながら、上記した従来の樹脂封止型半導体装置の
製造においては、第９図に示すように、イジェクタピン
ｌＯが金型ｌ１より少し突出しているため、外装樹脂材
８を注入した際に樹脂詰まり１５が生じ、モールド成形
を損なう恐れがある．また、第１０図に示すように、イ
ジエクタビンの周辺部の外装樹脂材８が薄くなっている
ことから、パッケージにクラック１２が生じるといった
問題があった．こうした問題は、特に、Ｔ Ｓ Ｏ Ｐ
（ＴｈｉｎＳｍａｌｌ ＯｕｔｌｉｎｅＰａｃｋａｇ
ｅ） 、つまり厚さが１．２７ａｍ以下に代表される超
薄型パッケージに起こり易い．ＴＳＯＰはＩＣカード等
の発展に伴い、近年注目されている、パッケージ厚が１
．０Ｗ前後の超薄型パッケージである．従って、チップ
厚、リードフレーム厚から考えると、素子基板部の底面
からパッケージ外形までの寸法が０．１〜０．２鶴、場
合によっては、０．１ａｍ以下ということもある．一方
、イジェクタピンによって形威されるイジエクタビン跡
は少なくともパッケージの内側（外に突き出してはいけ
ない〉にあり、０．０１〜０．０２ｍｍの深さを持つ．
つまり、イジエクタビンを下げるとパフケージの外面に
パリが生じ、パッケージの実装時に、アウタリードが基
板面より浮いてしまうことになるので、イジェクタピン
の位置を下げることはできないのが現状である．このた
め、素子基板部からパッケージ外形までは、更に狭くな
り、その戒形性、パッケージクラックが問題となる。
は、リードフレームの素子搭載部である素子基板部上に
半導体素子を固着マウントし、半導体素子の表面に形威
された電極パッドと前記素子基板部の近傍まで延びてい
るリードとを金属ｌｉｉ線（ワイヤ）で接続して樹脂モ
ールド成形するようにしている． 第５図はかかる従来の樹脂封止型半導体装置の外観図で
あり、第５図（ａ）はその平面図、第５図（ｂ）゜はそ
の正面図である．また、第６図は従来の樹脂封止型半導
体装置の内部構威図であり、第６図（ａ）はその平ｒＭ
図、第６図（ｂ）はその断面図である． これらの図において、１は金属からなり、吊りビン３で
支持された素子搭載部分である素子基板部、２は素子基
板部１の近傍まで延びる複数のリードである．４は前記
素子基板部１の中央部分にマウント材５を介して固着マ
ウントされた半導体素子であり、この表面周辺部には、
複数の電極バ７ド６が形威されている．７は前記半導体
素子４の各電極バンド６とリード２の先端部とを電気的
に接続するＡｕ線等のワイヤである．このワイヤ７によ
るボンディング後、エボキシ樹脂等の熱硬化性を有する
外装樹脂材８でモールド或形することにより個々のＩＣ
を得る． モールド戒形後ＩＣは、第７図に示すようにイジェクタ
ピン１０によって突き上げられ、金型１１から離型され
るようになっている．この場合、イジエクタビン１０は
、第７図（ａ）に示すように２本の場合、或いは第８図
（ａ）に示すように１本の場合がある．第７図（ａ）の
方法で離型された樹脂封止型半導体装置は、第７図（ｂ
）に示すように、その裏面に２箇所のイジェクタピン跡
９が現れる．一方、第８図（ａ）の方法で離型された樹
脂封止型半導体装置は、第８図（ｂ）に示すように、そ
の裏面に１箇所のイジェクタピン跡９が現れる．このよ
うにして、取り出されたモールド威形品にリード処理を
行うことにより、樹脂封止型半導体装置が得られる． （発明が解決しようとするｔｉ題） しかしながら、上記した従来の樹脂封止型半導体装置の
製造においては、第９図に示すように、イジェクタピン
ｌＯが金型ｌ１より少し突出しているため、外装樹脂材
８を注入した際に樹脂詰まり１５が生じ、モールド成形
を損なう恐れがある．また、第１０図に示すように、イ
ジエクタビンの周辺部の外装樹脂材８が薄くなっている
ことから、パッケージにクラック１２が生じるといった
問題があった．こうした問題は、特に、Ｔ Ｓ Ｏ Ｐ
（ＴｈｉｎＳｍａｌｌ ＯｕｔｌｉｎｅＰａｃｋａｇ
ｅ） 、つまり厚さが１．２７ａｍ以下に代表される超
薄型パッケージに起こり易い．ＴＳＯＰはＩＣカード等
の発展に伴い、近年注目されている、パッケージ厚が１
．０Ｗ前後の超薄型パッケージである．従って、チップ
厚、リードフレーム厚から考えると、素子基板部の底面
からパッケージ外形までの寸法が０．１〜０．２鶴、場
合によっては、０．１ａｍ以下ということもある．一方
、イジェクタピンによって形威されるイジエクタビン跡
は少なくともパッケージの内側（外に突き出してはいけ
ない〉にあり、０．０１〜０．０２ｍｍの深さを持つ．
つまり、イジエクタビンを下げるとパフケージの外面に
パリが生じ、パッケージの実装時に、アウタリードが基
板面より浮いてしまうことになるので、イジェクタピン
の位置を下げることはできないのが現状である．このた
め、素子基板部からパッケージ外形までは、更に狭くな
り、その戒形性、パッケージクラックが問題となる。
本発明は、以上述べたモールド樹脂詰まりや、パッケー
ジクラックが発生するという問題点を除・去し、イジェ
クタピンに対向する素子搭載部に開孔或いはハーフエッ
チ部を設け、素子搭載部からパッケージ外形までの寸法
を大きくとることができる樹脂封止型半導体装置を提供
することを目的とする． （課題を解決するための手段） 本発明は、上記目的を達威するために、素子搭載部に半
導体素子を固着し、該半導体素子とリードとをワイヤに
て配線し、樹脂封止してなる樹脂封止型半導体装置にお
いて、前記素子搭載部の裏面に位置し、下金型のイジエ
クタビンに対向する該素子搭載部に開札或いはハーフエ
ッチ部を形成するようにしたものである． （作用） 本発明によれば、上記したように、樹脂封止型半導体装
置において、素子搭載部の裏面で、イジェクタピンの対
向する位置に開孔（１３）或いはハーフエッチ部（１４
）を設けるようにしたので、モールド゛樹脂の注入時の
詰まり、威形後のパッケージクラックの発生を防止する
ことができる．（実施例） 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する． 第１図は本発明の実施例を示す樹脂封止型半導体装置の
要部断面図である． この実施例においては、素子搭載部２１に半導体素子２
５をマウント材２６を介して固着し、該半導体素子２５
とリード２３とをワイヤ２７にて配線し、外装樹脂材２
８を用いて樹脂封止し、樹脂封止型半導体装置を得る．
その場合、素子搭載部２１の裏面に位置するイジェクタ
ピンに対向する素子搭載部２１に開孔２２を形威する． 従って、イジェクタピンが存在することによるイジェク
タピン跡２９部分において、外装樹脂材２８の実質的な
厚みを低減させることがない。また、バンケージ厚が１
．０閣前後と超薄型の場合、素子搭載部２１の底面から
パッケージ外形までの寸法が０．１〜０、２ｍ、時には
０．ＩＭ以下になることもあが、このような超薄型パッ
ケージにおいて、本実施例の装置は特に有効である． 第２図は本発明の他の実施例を示す樹脂封止型半導体装
置の要部断面図である。
ジクラックが発生するという問題点を除・去し、イジェ
クタピンに対向する素子搭載部に開孔或いはハーフエッ
チ部を設け、素子搭載部からパッケージ外形までの寸法
を大きくとることができる樹脂封止型半導体装置を提供
することを目的とする． （課題を解決するための手段） 本発明は、上記目的を達威するために、素子搭載部に半
導体素子を固着し、該半導体素子とリードとをワイヤに
て配線し、樹脂封止してなる樹脂封止型半導体装置にお
いて、前記素子搭載部の裏面に位置し、下金型のイジエ
クタビンに対向する該素子搭載部に開札或いはハーフエ
ッチ部を形成するようにしたものである． （作用） 本発明によれば、上記したように、樹脂封止型半導体装
置において、素子搭載部の裏面で、イジェクタピンの対
向する位置に開孔（１３）或いはハーフエッチ部（１４
）を設けるようにしたので、モールド゛樹脂の注入時の
詰まり、威形後のパッケージクラックの発生を防止する
ことができる．（実施例） 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する． 第１図は本発明の実施例を示す樹脂封止型半導体装置の
要部断面図である． この実施例においては、素子搭載部２１に半導体素子２
５をマウント材２６を介して固着し、該半導体素子２５
とリード２３とをワイヤ２７にて配線し、外装樹脂材２
８を用いて樹脂封止し、樹脂封止型半導体装置を得る．
その場合、素子搭載部２１の裏面に位置するイジェクタ
ピンに対向する素子搭載部２１に開孔２２を形威する． 従って、イジェクタピンが存在することによるイジェク
タピン跡２９部分において、外装樹脂材２８の実質的な
厚みを低減させることがない。また、バンケージ厚が１
．０閣前後と超薄型の場合、素子搭載部２１の底面から
パッケージ外形までの寸法が０．１〜０、２ｍ、時には
０．ＩＭ以下になることもあが、このような超薄型パッ
ケージにおいて、本実施例の装置は特に有効である． 第２図は本発明の他の実施例を示す樹脂封止型半導体装
置の要部断面図である。
この実施例のように、イジェクタピン跡２９に面する素
子搭載部３１の一部に、ハーフエッチ部３２を形成する
ようにしてもよい。
子搭載部３１の一部に、ハーフエッチ部３２を形成する
ようにしてもよい。
第３図及び第４図は本発明の樹脂封止型半導体装置の裏
面図である。
面図である。
ここで、イジェクタピンを２本用いる場合には、第３図
に示すように、樹脂封止型半導体装置の裏面において、
前記したように、素子搭載部２１の開孔２２或いは素子
搭載部３１のハーフエッチ部３２に対応した位置に２個
のイジェクタピン跡２９が形威される．また、イジエク
タピンを１本用いる場合には、第４図に示すように、樹
脂封止型半導体装置の裏面において、前記したように、
素子搭載部２１の開孔２２或いは素子搭載部３１のハー
フエッチ部３２に対応した位置に１個のイジエクタビン
跡２９が形戒されることになる．なお、２３はリード、
２４は素子搭載部２１． ３１の吊りピンである．この
ように構戒することにより、モールド樹脂の注入時の詰
まり、戒形後のパッケージのクランクの発生を防止する
ことができ、信頼性の高い超薄型パッケージを容易に製
造することができる。
に示すように、樹脂封止型半導体装置の裏面において、
前記したように、素子搭載部２１の開孔２２或いは素子
搭載部３１のハーフエッチ部３２に対応した位置に２個
のイジェクタピン跡２９が形威される．また、イジエク
タピンを１本用いる場合には、第４図に示すように、樹
脂封止型半導体装置の裏面において、前記したように、
素子搭載部２１の開孔２２或いは素子搭載部３１のハー
フエッチ部３２に対応した位置に１個のイジエクタビン
跡２９が形戒されることになる．なお、２３はリード、
２４は素子搭載部２１． ３１の吊りピンである．この
ように構戒することにより、モールド樹脂の注入時の詰
まり、戒形後のパッケージのクランクの発生を防止する
ことができ、信頼性の高い超薄型パッケージを容易に製
造することができる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない． （発明の効果） 以上、詳細に説明したように、本発明によれば、素子搭
載部の裏面に位置するイジエクタピンに対向する素子搭
載部に、開孔或いはハーフエッチ部を形戒するようにし
たので、モールド樹脂の注入時の詰まり、戒形後のパッ
ケージのクランクの発生を防止することができる． また、素子搭載部の一部を変更するのみの簡単な構或で
あるにもかかわらず、その効果は著大である．
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない． （発明の効果） 以上、詳細に説明したように、本発明によれば、素子搭
載部の裏面に位置するイジエクタピンに対向する素子搭
載部に、開孔或いはハーフエッチ部を形戒するようにし
たので、モールド樹脂の注入時の詰まり、戒形後のパッ
ケージのクランクの発生を防止することができる． また、素子搭載部の一部を変更するのみの簡単な構或で
あるにもかかわらず、その効果は著大である．
第１図は本発明の実施例を示す樹脂封止型半導体装置の
要部断面図、第２図は本発明の他の実施例を示す樹脂封
止型半導体装置の要部断面図、第３図は本発明の第１の
樹脂封止型半導体装置の裏面図、第４図は本発明の第２
の樹脂封止型半導体装置の裏面図、第５図は従来の樹脂
封止型半導体装置の外観図、第６図は従来の樹脂封止型
半導体装置の内部構戒図、第７図は従来の樹脂封止型半
導体装置のイジェクト状態図、第８図は従来の他の樹脂
封止型半導体装置のイジエクト状態図、第９図は従来の
樹脂封止型半導体装置の樹脂封止中の断面図、第１０図
は従来技術の問題点説明図である． ２１． ３１・・・素子搭載部、２２・・・開孔、２３
・・・リード、２４・・・吊りピン、２５・・・半導体
素子、２６・・・マウント材、２７・・・ワイヤ、２８
・・・外装樹脂材、２つ・・・イジェクタピン跡、３２
・・・ハーフエッチ部。
要部断面図、第２図は本発明の他の実施例を示す樹脂封
止型半導体装置の要部断面図、第３図は本発明の第１の
樹脂封止型半導体装置の裏面図、第４図は本発明の第２
の樹脂封止型半導体装置の裏面図、第５図は従来の樹脂
封止型半導体装置の外観図、第６図は従来の樹脂封止型
半導体装置の内部構戒図、第７図は従来の樹脂封止型半
導体装置のイジェクト状態図、第８図は従来の他の樹脂
封止型半導体装置のイジエクト状態図、第９図は従来の
樹脂封止型半導体装置の樹脂封止中の断面図、第１０図
は従来技術の問題点説明図である． ２１． ３１・・・素子搭載部、２２・・・開孔、２３
・・・リード、２４・・・吊りピン、２５・・・半導体
素子、２６・・・マウント材、２７・・・ワイヤ、２８
・・・外装樹脂材、２つ・・・イジェクタピン跡、３２
・・・ハーフエッチ部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 素子搭載部に半導体素子を固着し、該半導体素子とリー
ドとをワイヤにて配線し、樹脂封止してなる樹脂封止型
半導体装置において、 前記素子搭載部の裏面に位置し、下金型のイジェクタピ
ンに対向する該素子搭載部に開孔或いはハーフエッチ部
を形成することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1232961A JP2862585B2 (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1232961A JP2862585B2 (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0397248A true JPH0397248A (ja) | 1991-04-23 |
| JP2862585B2 JP2862585B2 (ja) | 1999-03-03 |
Family
ID=16947586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1232961A Expired - Fee Related JP2862585B2 (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2862585B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5447888A (en) * | 1993-04-13 | 1995-09-05 | Fujitsu Limited | Process of ejecting an encapsulated semiconductor device from a mold by directly contacting exterior leads with ejector pins |
| WO2004084317A3 (en) * | 2003-03-20 | 2005-02-17 | Firecomms Ltd | An optical sub-assembly for a transceiver |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6426837U (ja) * | 1987-08-10 | 1989-02-15 | ||
| JPH01157559A (ja) * | 1988-07-29 | 1989-06-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-09-11 JP JP1232961A patent/JP2862585B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6426837U (ja) * | 1987-08-10 | 1989-02-15 | ||
| JPH01157559A (ja) * | 1988-07-29 | 1989-06-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5447888A (en) * | 1993-04-13 | 1995-09-05 | Fujitsu Limited | Process of ejecting an encapsulated semiconductor device from a mold by directly contacting exterior leads with ejector pins |
| WO2004084317A3 (en) * | 2003-03-20 | 2005-02-17 | Firecomms Ltd | An optical sub-assembly for a transceiver |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2862585B2 (ja) | 1999-03-03 |
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