JPH0397272A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH0397272A JPH0397272A JP1236695A JP23669589A JPH0397272A JP H0397272 A JPH0397272 A JP H0397272A JP 1236695 A JP1236695 A JP 1236695A JP 23669589 A JP23669589 A JP 23669589A JP H0397272 A JPH0397272 A JP H0397272A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は例えば、太陽電池等の光起電力装置における導
電部材，絶縁部材のパターン形威方法に関する。
電部材，絶縁部材のパターン形威方法に関する。
一般に太陽電池等の光起電力装置は、所要の電圧を得る
ため複数の光起電力素子を直列接続している。
ため複数の光起電力素子を直列接続している。
第４図及び第５図は特開昭６２−３３４７７号公報に開
示された光起電力装置の製造方法を示す模式的断面図で
あり、図中１は絶縁性及び透光性を有するガラス等の基
板を示している。第４図に示すように、まず基板１上に
透明導電材料から成る第１電極膜２をＣＶＤ法等の方法
を用いて被着させ、これに白抜き矢符で示すレーザビー
ム１Ｂを照射して、紙面に対して垂直方向に分離溝Ａを
形成する。このことにより、前記第１電極膜２が複数の
第１電極膜２，２に分離される。次いで、スクリーン印
刷法により、第１電極膜２上の一端側にＡｇペースト等
を用いた帯状の導電部材３、Ｓｔｏｗペースト等を用い
た帯状の絶縁部材４を夫々、分離溝Ａと平行に所定寸法
隔ててパターン形成し、これらを約５５０゜Ｃの温度で
焼成する。
示された光起電力装置の製造方法を示す模式的断面図で
あり、図中１は絶縁性及び透光性を有するガラス等の基
板を示している。第４図に示すように、まず基板１上に
透明導電材料から成る第１電極膜２をＣＶＤ法等の方法
を用いて被着させ、これに白抜き矢符で示すレーザビー
ム１Ｂを照射して、紙面に対して垂直方向に分離溝Ａを
形成する。このことにより、前記第１電極膜２が複数の
第１電極膜２，２に分離される。次いで、スクリーン印
刷法により、第１電極膜２上の一端側にＡｇペースト等
を用いた帯状の導電部材３、Ｓｔｏｗペースト等を用い
た帯状の絶縁部材４を夫々、分離溝Ａと平行に所定寸法
隔ててパターン形成し、これらを約５５０゜Ｃの温度で
焼成する。
さらに、第５図に示すように、導電部材３及び絶縁部材
４を含んで第１電極膜２，２上全体に、アモルファスシ
リコン等の半導体光活性層５を高周波グロー放電．スバ
ッタ等の方法を用いて積層し、半導体光活性Ｎ５上に金
属材料から或る第２電極膜６を真空蒸着等の方法により
積層形戒する。
４を含んで第１電極膜２，２上全体に、アモルファスシ
リコン等の半導体光活性層５を高周波グロー放電．スバ
ッタ等の方法を用いて積層し、半導体光活性Ｎ５上に金
属材料から或る第２電極膜６を真空蒸着等の方法により
積層形戒する。
そして第２電極膜６の上方から、前記導電部材３に対応
する位置の第２ｔ極膜６ヘレーザビームＬＢｘを、また
前記絶縁部材４に対応する位置の第２電極ｌＩ！６ヘレ
ーザビームＬＢ４を夫々照射する。レーザビームＬＢ３
は半導体光活性層５及び第２電極膜６の積層部分を溶融
するのに足りるエネルギ密度を備えており、レーザビー
ムＬｎ４は前記積層部分を除去するのに足りる十分なエ
ネルギ密度を備えている。従って、レーザビームＬＢ＋
の照射により、前記導電部材３に対応する位置の第２電
極膜６が溶融され、溶融により生じた溶融物が、周囲の
半導体光活性層５を貫通した形でその直下に位置する導
電部材３と当接し、第２電柵膜６と第１電極膜２とが電
気的に接続される。また、レーザビームＬＢ．の照射に
より、前記絶縁部材４に対応する位置の第２電極膜６及
び半導体光活性層５が除去され、前記積層部分を電気的
に、物理的に分離する分離溝Ｂが形威されて、導電部材
３を介して電気的に直列接続された複数の光電変換頷域
７ａ，７ｂが形成される。
する位置の第２ｔ極膜６ヘレーザビームＬＢｘを、また
前記絶縁部材４に対応する位置の第２電極ｌＩ！６ヘレ
ーザビームＬＢ４を夫々照射する。レーザビームＬＢ３
は半導体光活性層５及び第２電極膜６の積層部分を溶融
するのに足りるエネルギ密度を備えており、レーザビー
ムＬｎ４は前記積層部分を除去するのに足りる十分なエ
ネルギ密度を備えている。従って、レーザビームＬＢ＋
の照射により、前記導電部材３に対応する位置の第２電
極膜６が溶融され、溶融により生じた溶融物が、周囲の
半導体光活性層５を貫通した形でその直下に位置する導
電部材３と当接し、第２電柵膜６と第１電極膜２とが電
気的に接続される。また、レーザビームＬＢ．の照射に
より、前記絶縁部材４に対応する位置の第２電極膜６及
び半導体光活性層５が除去され、前記積層部分を電気的
に、物理的に分離する分離溝Ｂが形威されて、導電部材
３を介して電気的に直列接続された複数の光電変換頷域
７ａ，７ｂが形成される。
ところで、上述した方法では、スクリーン印刷法を用い
て帯状の導電部材３及び絶縁部材４のパターンニングを
行っているが、スクリーン印刷ではパターンニング精度
が低く、導電部材３及び絶縁部材４を０．１ｍｍ以下の
帯幅でパターンニングするのは困難であった。このため
、基板上の光電変換領域、即ち有効面積が制限されると
いう欠点を有していた。また最近では、光起電力装置を
直接瓦型の基板上に設けたものも開発されつつあるが、
瓦型のような曲面状の基板にスクリーン印刷法を用いて
パターンニングを行うことは非常に困難であった。さら
に、大面積基板の場合には、導電部材３及び絶縁部材４
の焼或時に基板が熱で歪む等の問題があり、特性，歩留
まりの低下の要因の一つとなっていた。
て帯状の導電部材３及び絶縁部材４のパターンニングを
行っているが、スクリーン印刷ではパターンニング精度
が低く、導電部材３及び絶縁部材４を０．１ｍｍ以下の
帯幅でパターンニングするのは困難であった。このため
、基板上の光電変換領域、即ち有効面積が制限されると
いう欠点を有していた。また最近では、光起電力装置を
直接瓦型の基板上に設けたものも開発されつつあるが、
瓦型のような曲面状の基板にスクリーン印刷法を用いて
パターンニングを行うことは非常に困難であった。さら
に、大面積基板の場合には、導電部材３及び絶縁部材４
の焼或時に基板が熱で歪む等の問題があり、特性，歩留
まりの低下の要因の一つとなっていた。
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、エネ
ルギビームを用いることにより、熱による基板の歪みを
防止でき、平面基板，曲面基板のいずれの場合でも導電
部材及び絶縁部材等の材料を精度良くパターン形成でき
る方法の提供を目的とする。
ルギビームを用いることにより、熱による基板の歪みを
防止でき、平面基板，曲面基板のいずれの場合でも導電
部材及び絶縁部材等の材料を精度良くパターン形成でき
る方法の提供を目的とする。
本発明のパターン形成は、基板上に材料を所定の形状に
被着せしめるパターン形成方法において、基板上に材料
を被着せしめ、これにエネルギビームを照射して、所定
の形状に硬化させた後、硬化させなかった部分の前記材
料を除去することを特徴とする。
被着せしめるパターン形成方法において、基板上に材料
を被着せしめ、これにエネルギビームを照射して、所定
の形状に硬化させた後、硬化させなかった部分の前記材
料を除去することを特徴とする。
〔作用］
本発明のパターン形成方法にあっては、基板上に被着せ
しめた材料にエネルギビームを照射して、所定の形状に
硬化させた後、硬化させなかった部分の前記材料を除去
することにより、熱による基板の歪みが防止され、材料
が精度良くパターン形威される。
しめた材料にエネルギビームを照射して、所定の形状に
硬化させた後、硬化させなかった部分の前記材料を除去
することにより、熱による基板の歪みが防止され、材料
が精度良くパターン形威される。
以下、本発明のパターン形威方法をその実施例を示す図
面に基づいて具体的に説明する。第１図〜第３図は本発
明のパターン形成を用いた光起電力装置の製造工程を模
式的に示す断面図であり、図中１はガラス．耐熱ブラス
ティク等の基板を示している。
面に基づいて具体的に説明する。第１図〜第３図は本発
明のパターン形成を用いた光起電力装置の製造工程を模
式的に示す断面図であり、図中１はガラス．耐熱ブラス
ティク等の基板を示している。
まず、第１図に示す如く、基板ｌ上に、ＳｎＯ．，Ｉｎ
ｚ０３， ＩＴＯ等の透明導電材料から或る第１電極膜
２を、ＣＶＤ法等の方法により積層形威し、この第１電
極膜２上の所定位置に例えばスクリーン印刷法により帯
状の導電部材３．帯状の！！！縁部材４を並列形戒する
。前記導電部材３としては、Ａｇぺ一スト又はその他の
金属ペーストが用いられ、前記絶縁部材４としてはＳｉ
（ｈペースト又はその他の無機ペーストが用いられる。
ｚ０３， ＩＴＯ等の透明導電材料から或る第１電極膜
２を、ＣＶＤ法等の方法により積層形威し、この第１電
極膜２上の所定位置に例えばスクリーン印刷法により帯
状の導電部材３．帯状の！！！縁部材４を並列形戒する
。前記導電部材３としては、Ａｇぺ一スト又はその他の
金属ペーストが用いられ、前記絶縁部材４としてはＳｉ
（ｈペースト又はその他の無機ペーストが用いられる。
なお、このとき形成された帯状の導電部材３，絶縁部材
４は、夫々最終的に必要な帯幅を包含する大きさのもの
であれば良く、その帯幅が０．１ｍｍ以上であっても良
い。
４は、夫々最終的に必要な帯幅を包含する大きさのもの
であれば良く、その帯幅が０．１ｍｍ以上であっても良
い。
次いで第２図に示す如く、電子ビーム又はレーザビーム
ＬＢ＋，ＬＢｚを夫々導電部材３，絶縁部材４に照射し
て、パターン形成する部分のみを硬化し、その他の部分
は溶剤を用いて拭き取り、又は洗浄除去を行う。前記レ
ーザビームＬＢ，．ＬＢ．のエネルギ密度は、夫々照射
する導電部材３，絶縁部材４を硬化させるのに十分であ
り、しかも溶融させない程度であれば良く、例えば導電
部材３がＡｇペーストの場合は、エネルギ密度が２ Ｘ
ＩＯ’ Ｗ／ｃｒＭ以下のレーザビームＬＢ＋を、また
絶縁部材４がＳｉＯｚペーストの場合はエネルギ密度が
］ ＸＩＯ” Ｗ／ｃｆｆｌ以下のレーザビームＬＢ！
を夫々照射すれば良い。
ＬＢ＋，ＬＢｚを夫々導電部材３，絶縁部材４に照射し
て、パターン形成する部分のみを硬化し、その他の部分
は溶剤を用いて拭き取り、又は洗浄除去を行う。前記レ
ーザビームＬＢ，．ＬＢ．のエネルギ密度は、夫々照射
する導電部材３，絶縁部材４を硬化させるのに十分であ
り、しかも溶融させない程度であれば良く、例えば導電
部材３がＡｇペーストの場合は、エネルギ密度が２ Ｘ
ＩＯ’ Ｗ／ｃｒＭ以下のレーザビームＬＢ＋を、また
絶縁部材４がＳｉＯｚペーストの場合はエネルギ密度が
］ ＸＩＯ” Ｗ／ｃｆｆｌ以下のレーザビームＬＢ！
を夫々照射すれば良い。
また前記帯幅は、レーザビームＬＢ，，ＬＢ２のスポッ
ト径で決定できるため、導電部材３，絶縁部材４は０．
０１ｍｍオーダで精度良くパターン形成できる．そして
、前記導電部材３を挟んで絶縁部材４と反対側の第１電
極膜２上の位置に、レーザビームＬＲを照射し、導電部
材３と平行に分離溝Ａを形成する。このことにより、前
記第１電極膜２が複数の第１電極膜２．２に分離される
。次いで、第３図に示す如く、従来と同様にして壇電部
材３及び絶縁部材４を含んで第１電極膜２，２上全体に
、アモルファスシリコン等の半導体光活性層５を高周波
グロー放電，スバッタ等の方法により積層し、この半導
体光活性層５上に金属材料から或る第２電極膜６を、真
空蒸着等の方法により積層形威する。そして第２電極膜
６の上方から、前記導電部材３に対応する位置の第２電
極膜６ヘレーザビームＬＢＩを、また前記絶縁部材４に
対応する位置の第２電極膜６ヘレーザビームｔａｇを夫
々照射する。
ト径で決定できるため、導電部材３，絶縁部材４は０．
０１ｍｍオーダで精度良くパターン形成できる．そして
、前記導電部材３を挟んで絶縁部材４と反対側の第１電
極膜２上の位置に、レーザビームＬＲを照射し、導電部
材３と平行に分離溝Ａを形成する。このことにより、前
記第１電極膜２が複数の第１電極膜２．２に分離される
。次いで、第３図に示す如く、従来と同様にして壇電部
材３及び絶縁部材４を含んで第１電極膜２，２上全体に
、アモルファスシリコン等の半導体光活性層５を高周波
グロー放電，スバッタ等の方法により積層し、この半導
体光活性層５上に金属材料から或る第２電極膜６を、真
空蒸着等の方法により積層形威する。そして第２電極膜
６の上方から、前記導電部材３に対応する位置の第２電
極膜６ヘレーザビームＬＢＩを、また前記絶縁部材４に
対応する位置の第２電極膜６ヘレーザビームｔａｇを夫
々照射する。
前記レーザビームＬＢ，は半導体光活性Ｎ５及び第２電
極膜６の積層部分を溶融するのに足りるエネルギ密度を
備えており、レーザビームＬＢ２は前記積層部分を除去
するのに足りる十分なエネルギ密度を備えている。従っ
て、レーザビームＬＢ，の照射により、前記導電部材３
に対応する位置の第２電極膜６が溶融され、溶融により
生じた溶融物が、周囲の半導体光活性層５を貫通した形
でその直下に位置する導電部材３と当接し、第２電極膜
６と第１電極膜２とが電気的に接続される。また、レー
ザビームＬＢｚの照射により、前記絶縁部材４に対応す
る位置の第２電極膜６及び半導体光活性層５が除去され
、前記積層部分を電気的に、物理的に分離する分離溝Ｂ
が形威されて、導電部材３を介して電気的に直列接続さ
れた複数の光電変換領域７ａ，７ｂが形威される． 〔発明の効果〕 以上、詳述した如く本発明のパターン形戒方法にあって
は、基板に被着せしめた材料にエネルギビームを照射し
、所定の形状に硬化させた後、硬化させなかった部分を
除去するので、材料の微細なパターン形戒を精度良く行
うことができ、有効面積の増大及び出力の増大が図れる
。また、このことにより特性が向上し、製品の歩留りが
向上する。さらに、材料のパターン形成する部分のみに
エネルギビームを照射して、そこだけを短時間に昇温さ
せるため、熱による基板の歪みが防止される等、本発明
は優れた効果を奏する。
極膜６の積層部分を溶融するのに足りるエネルギ密度を
備えており、レーザビームＬＢ２は前記積層部分を除去
するのに足りる十分なエネルギ密度を備えている。従っ
て、レーザビームＬＢ，の照射により、前記導電部材３
に対応する位置の第２電極膜６が溶融され、溶融により
生じた溶融物が、周囲の半導体光活性層５を貫通した形
でその直下に位置する導電部材３と当接し、第２電極膜
６と第１電極膜２とが電気的に接続される。また、レー
ザビームＬＢｚの照射により、前記絶縁部材４に対応す
る位置の第２電極膜６及び半導体光活性層５が除去され
、前記積層部分を電気的に、物理的に分離する分離溝Ｂ
が形威されて、導電部材３を介して電気的に直列接続さ
れた複数の光電変換領域７ａ，７ｂが形威される． 〔発明の効果〕 以上、詳述した如く本発明のパターン形戒方法にあって
は、基板に被着せしめた材料にエネルギビームを照射し
、所定の形状に硬化させた後、硬化させなかった部分を
除去するので、材料の微細なパターン形戒を精度良く行
うことができ、有効面積の増大及び出力の増大が図れる
。また、このことにより特性が向上し、製品の歩留りが
向上する。さらに、材料のパターン形成する部分のみに
エネルギビームを照射して、そこだけを短時間に昇温さ
せるため、熱による基板の歪みが防止される等、本発明
は優れた効果を奏する。
第１図〜第３図は本発明のパターン形成方法を用いた光
起電力装置の製造工程を模式的に示す断面図、第４図及
び第５図は特開昭６２−３３４７７号公報に開示された
光起電力装置の製造方法を示す模式的断面図である。 １・・・基板 ２・・・第１電極膜 ３・・・導電
部材４・・・絶縁部材 ５・・・半導体光活性層
６・・・第２電極膜 ＬＢ， ＬＢ＋，ＬＢｉ・・・レーザビーム特 許 出
願人 三洋電機株式会社
起電力装置の製造工程を模式的に示す断面図、第４図及
び第５図は特開昭６２−３３４７７号公報に開示された
光起電力装置の製造方法を示す模式的断面図である。 １・・・基板 ２・・・第１電極膜 ３・・・導電
部材４・・・絶縁部材 ５・・・半導体光活性層
６・・・第２電極膜 ＬＢ， ＬＢ＋，ＬＢｉ・・・レーザビーム特 許 出
願人 三洋電機株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に材料を所定の形状に被着せしめるパターン
形成方法において、 基板上に材料を被着せしめ、これにエネル ギビームを照射して、所定の形状に硬化させた後、硬化
させなかった部分の前記材料を除去することを特徴とす
るパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1236695A JPH0397272A (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1236695A JPH0397272A (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0397272A true JPH0397272A (ja) | 1991-04-23 |
Family
ID=17004400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1236695A Pending JPH0397272A (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0397272A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5019417A (en) * | 1989-08-15 | 1991-05-28 | Northcutt Gerald G | Pipe lining system |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56140694A (en) * | 1980-04-03 | 1981-11-04 | Nippon Telegraph & Telephone | Method of manufacturing circuit board |
| JPS5863151A (ja) * | 1981-10-12 | 1983-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電極配線の形成方法 |
| JPS63261762A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-09-11 JP JP1236695A patent/JPH0397272A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56140694A (en) * | 1980-04-03 | 1981-11-04 | Nippon Telegraph & Telephone | Method of manufacturing circuit board |
| JPS5863151A (ja) * | 1981-10-12 | 1983-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電極配線の形成方法 |
| JPS63261762A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5019417A (en) * | 1989-08-15 | 1991-05-28 | Northcutt Gerald G | Pipe lining system |
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