JPS6318330A - 液晶素子のパタ−ン形成方法 - Google Patents
液晶素子のパタ−ン形成方法Info
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- JPS6318330A JPS6318330A JP16078486A JP16078486A JPS6318330A JP S6318330 A JPS6318330 A JP S6318330A JP 16078486 A JP16078486 A JP 16078486A JP 16078486 A JP16078486 A JP 16078486A JP S6318330 A JPS6318330 A JP S6318330A
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- crystal element
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
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- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液晶素子のパターン形成方法に関し、特に均一
なモノドメイン配向を得る液晶素子のパターン形成方法
に関するものである。
なモノドメイン配向を得る液晶素子のパターン形成方法
に関するものである。
［従来の技術］
従来、液晶素子のパターン形成方法としては、基板上に
フォトレジストを塗布し、露光、現像。
フォトレジストを塗布し、露光、現像。
エツチングおよびレジスト剥離の各工程をＩ’ｌｉ次行
うフォトリソグラフィー技術が一般的に用いられている
。
うフォトリソグラフィー技術が一般的に用いられている
。
しかし、この方法では工程数が多く、大基板でしかも微
細なパターンを形成する場合、現像不良あるいはエツチ
ング不良などによる隣接電極間のショートが発生し易く
、歩留り低下の大きな要因となっていた。
細なパターンを形成する場合、現像不良あるいはエツチ
ング不良などによる隣接電極間のショートが発生し易く
、歩留り低下の大きな要因となっていた。
また、フォトリソグラフィー技術は現像液、エツチング
液あるいは剥離液に浸漬すると言う様な、いわゆるウェ
ットの工程が多く、前記各溶液中にまぎれ込んだゴミあ
るいは該フォトレジストのカスなどが基板表面に付着し
易く、製品の品質劣化につながっていた。
液あるいは剥離液に浸漬すると言う様な、いわゆるウェ
ットの工程が多く、前記各溶液中にまぎれ込んだゴミあ
るいは該フォトレジストのカスなどが基板表面に付着し
易く、製品の品質劣化につながっていた。
特に、セル厚を極端に薄くした場合、これらは大きな問
題となっていた。
題となっていた。
［発明か解決しようとする問題点］
本発明は前記の様な従来技術の欠点を解決し、工程を簡
略化し、また隣接電極間のショートが生しにくく、さら
にゴミの発生しにくい液晶素子のパターン形成方法を提
供すること、さらには液晶素子の歩留りの向上とコスト
ダウンを計ることを目的とするものである。
略化し、また隣接電極間のショートが生しにくく、さら
にゴミの発生しにくい液晶素子のパターン形成方法を提
供すること、さらには液晶素子の歩留りの向上とコスト
ダウンを計ることを目的とするものである。
［問題点を解決するための手段］
即ち、本発明は少なくとも片面にストライプ状の電極群
を形成した２枚の基板とその間に挟持された液晶材を有
する液晶素子の製造工程において、基板上に被着された
導電性被膜に真空中てレーザー光を照射して被照射部分
を除去し、ストライプ状の電極群を形成することを特徴
とする液晶素子のパターン形成方法である。
を形成した２枚の基板とその間に挟持された液晶材を有
する液晶素子の製造工程において、基板上に被着された
導電性被膜に真空中てレーザー光を照射して被照射部分
を除去し、ストライプ状の電極群を形成することを特徴
とする液晶素子のパターン形成方法である。
以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明する。
第１図は本発明の方法を用いて形成されたドツトマトリ
クス型の液晶素子における片側基板の電極パターンの一
例を示す部分平面図である。
クス型の液晶素子における片側基板の電極パターンの一
例を示す部分平面図である。
また、第２図は第１図におけるＡＡ’線断面図である。
図中、１は例えば、ガラスなどの基板、２はインジウム
チンオキサイド（ＩＴＯ）からなる透明電極群（ＩＴＯ
）を示す。
チンオキサイド（ＩＴＯ）からなる透明電極群（ＩＴＯ
）を示す。
また、図中に示す様に基板ｌの上に透明電極群２がスト
ライプ状に形成されている。
ライプ状に形成されている。
本発明は、この様に微細ではあるが単純なパターンを大
面積にわたって形成する場合に特にその効果がある。
面積にわたって形成する場合に特にその効果がある。
第３図は、第１図及び第２図に示すパターンを形成する
方法の一例を示す説明図である。
方法の一例を示す説明図である。
同第３図において１本発明の液晶素子のパターン形成方
法は、真空容器内において、基板ｌの上に成膜されたＩ
ＴＯ膜からなる導電性被膜２ａの上方にレーザー光の光
源３が配置され、該光源３より照射されたレーザー光４
がレンズ５によって集積され、前記導電性被膜２ａに当
たり、照射部分の導電性被膜を消失させる。
法は、真空容器内において、基板ｌの上に成膜されたＩ
ＴＯ膜からなる導電性被膜２ａの上方にレーザー光の光
源３が配置され、該光源３より照射されたレーザー光４
がレンズ５によって集積され、前記導電性被膜２ａに当
たり、照射部分の導電性被膜を消失させる。
さらに、基板１はローラー６上を図中の矢印Ｂの方向へ
移動し、これによって第１図及び第２図に示すストライ
プ状の電極パターンを形成することかできる。
移動し、これによって第１図及び第２図に示すストライ
プ状の電極パターンを形成することかできる。
この時、レーザーとしては、発振波長１ 、０６１ｈａ
のＹＡＧレーザーなどの赤外線発振レーザーを用いるこ
とができる。
のＹＡＧレーザーなどの赤外線発振レーザーを用いるこ
とができる。
なお、この工程は真空中で行われるが、真空状態は約１
０−”Ｔｏｒｒ以下、好ましくは１０−’ 〜１Ｏ−２
Ｔｏｒｒが望ましい。
０−”Ｔｏｒｒ以下、好ましくは１０−’ 〜１Ｏ−２
Ｔｏｒｒが望ましい。
次に、第４図は本発明の方法によりパターン形成された
基板の電極パターンの他の例を示す断面図である。同第
４図において、７は透明電極群２の配線抵抗を低下させ
るためのＡｊ）あるいはＣｒ等の金属電極である。
基板の電極パターンの他の例を示す断面図である。同第
４図において、７は透明電極群２の配線抵抗を低下させ
るためのＡｊ）あるいはＣｒ等の金属電極である。
このパターンを形成する方法は基板１上にＩＴＯの導電
性被膜な被着し、さらにその上にＡｊ＞あるいはＣｒ等
の金属膜を形成した積層膜にＡｐあるいはＣｒ等のパタ
ーン形成のために、第３図に示す方法と同様の方法で赤
外線のレーザー光を照射することにより、ＩＴＯの導電
性被膜を傷つけることなく、パターニングを行い、次い
で前記導電性被膜のバターニングを行うことにより金属
電極パターンを形成することができる。
性被膜な被着し、さらにその上にＡｊ＞あるいはＣｒ等
の金属膜を形成した積層膜にＡｐあるいはＣｒ等のパタ
ーン形成のために、第３図に示す方法と同様の方法で赤
外線のレーザー光を照射することにより、ＩＴＯの導電
性被膜を傷つけることなく、パターニングを行い、次い
で前記導電性被膜のバターニングを行うことにより金属
電極パターンを形成することができる。
また、第４図のＡｐあるいはＣｒ等の金属電極７の様に
、隣接電極間隔が広い場合は、第３図におけるレンズ５
の位置を調整することによって所望のパターンが得られ
る。
、隣接電極間隔が広い場合は、第３図におけるレンズ５
の位置を調整することによって所望のパターンが得られ
る。
さらに、光源３を複数個適当な間隔に配置することによ
り、−度に複数本のパターン形成が可能である。
り、−度に複数本のパターン形成が可能である。
以上述べた様に、本発明はフォトリソグラフィー技術と
比べ、非常に簡単な工程でストライプパターンを隣接電
極間のショート無しに歩留り良く得ることがてき、しか
も真空中で完全にドライな工程なのでゴミの発生も極め
て少なく、セル厚を極端に薄くした場合でも製品の品質
を下げることなく、歩留り良く液晶素子を製造でき、ひ
いてはコストダウンが可能である。
比べ、非常に簡単な工程でストライプパターンを隣接電
極間のショート無しに歩留り良く得ることがてき、しか
も真空中で完全にドライな工程なのでゴミの発生も極め
て少なく、セル厚を極端に薄くした場合でも製品の品質
を下げることなく、歩留り良く液晶素子を製造でき、ひ
いてはコストダウンが可能である。
［作用］
本発明は全面に、例えばＩＴＯの様な導電性被膜が被着
された基板に、真空中で選択的にレーザー光を照射する
という簡単な工程で、レーザー光が照射された被照射部
分の導電性被膜が熱により消失して除去され、ストライ
プ状の電極群を形成するだめに、隣接電極間のショート
かほとんど発生せず、また完全にトライな状態で、しか
も真空中て行うため、ゴミの発生率を最小限に押えるこ
とができる。
された基板に、真空中で選択的にレーザー光を照射する
という簡単な工程で、レーザー光が照射された被照射部
分の導電性被膜が熱により消失して除去され、ストライ
プ状の電極群を形成するだめに、隣接電極間のショート
かほとんど発生せず、また完全にトライな状態で、しか
も真空中て行うため、ゴミの発生率を最小限に押えるこ
とができる。
［実施例］
以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１
ガラス基板上にスパッタ法により厚さ ９００ＡのＩＴ
Ｏ膜を被着した。
Ｏ膜を被着した。
該基板を、第３図に示す装置を設けた真空容器内に導入
し、約１０−’Ｔｏｒｒの真空状態に保った真空中で、
２ｍＪ、波長１．０６経■、ビーム径１０牌■、ｌパル
ス２０ｎ ｓｅｅのＹＡＧレーザーをＩＴＯ膜に照射し
、基板をローラーで５０ｍｍ／ｓｅｃの速さて移動して
、レーザー光の被照射部分のｒＴｏ ［を消失して、巾
１００μｍのストライプ状の電極群パターンを形成した
。
し、約１０−’Ｔｏｒｒの真空状態に保った真空中で、
２ｍＪ、波長１．０６経■、ビーム径１０牌■、ｌパル
ス２０ｎ ｓｅｅのＹＡＧレーザーをＩＴＯ膜に照射し
、基板をローラーで５０ｍｍ／ｓｅｃの速さて移動して
、レーザー光の被照射部分のｒＴｏ ［を消失して、巾
１００μｍのストライプ状の電極群パターンを形成した
。
得られた基板の電極群パターンはゴミの付着はなく、エ
ツジが鋭く、隣接するストライプ電極間でショートを発
生していない良好なパターンを形成していた。
ツジが鋭く、隣接するストライプ電極間でショートを発
生していない良好なパターンを形成していた。
実施例２
実施例１と同様の方法でＩＴＯ膜を被着したガラス基板
に、さらに厚さ １００ＡのＡＪ）の被膜を蒸着法によ
り設けた。
に、さらに厚さ １００ＡのＡＪ）の被膜を蒸着法によ
り設けた。
次いで、該基板を真空容器に収容し、まず１．５ｍＪ、
波長１．０６１Ｌｍ、ビーム径１０ｇｍ、１パルス２０
ｎｓｅｃのＹＡＧレーザーを５０＋ａｍ／ｓｅｅの速度
で走査しながら照射して＾ρの被膜を巾１０４ｍのスト
ライプ状のパターン（金属電極７）とした後、実施例１
と同様の方法て巾１００１のＩＴＯ膜のストライプ状の
パターン２を形成し、第４図に示すパターンを有する基
板を得た。
波長１．０６１Ｌｍ、ビーム径１０ｇｍ、１パルス２０
ｎｓｅｃのＹＡＧレーザーを５０＋ａｍ／ｓｅｅの速度
で走査しながら照射して＾ρの被膜を巾１０４ｍのスト
ライプ状のパターン（金属電極７）とした後、実施例１
と同様の方法て巾１００１のＩＴＯ膜のストライプ状の
パターン２を形成し、第４図に示すパターンを有する基
板を得た。
得られた基板の電極群パターンはゴミの付着はなく、エ
ツジが鋭く、隣接するストライプ電極間でショートを発
生していない良好なパターンを形成していた。
ツジが鋭く、隣接するストライプ電極間でショートを発
生していない良好なパターンを形成していた。
［発明の効果］
以上説明した様に本発明の液晶素子のパターン形成方法
によれば、液晶素子の微細パターンを、大面積にわたっ
て隣接電極間のショートあるいはゴミの発生を最小限に
押えた状態で形成することが可能であり、製品の品質改
善及び歩留り向上、ひいてはコストダウンが達成できる
優れた効果を得ることができる。
によれば、液晶素子の微細パターンを、大面積にわたっ
て隣接電極間のショートあるいはゴミの発生を最小限に
押えた状態で形成することが可能であり、製品の品質改
善及び歩留り向上、ひいてはコストダウンが達成できる
優れた効果を得ることができる。
第１図は、本発明の方法により形成された電極パターン
の一例を示す部分平面図、第２図は第１図のＡＡ’線断
面図、第３図は第１図及び第２図に示すパターンを形成
する方法の一例を示す説明図および第４図は本発明の方
法により形成された電極パターンの他の例を示す断面図
である。
の一例を示す部分平面図、第２図は第１図のＡＡ’線断
面図、第３図は第１図及び第２図に示すパターンを形成
する方法の一例を示す説明図および第４図は本発明の方
法により形成された電極パターンの他の例を示す断面図
である。
Claims (6)
- （１）少なくとも片面にストライプ状の電極群を形成し
た２枚の基板とその間に挟持された液晶材を有する液晶
素子の製造工程において、基板上に被着された導電性被
膜に真空中でレーザー光を照射して被照射部分を除去し
、ストライプ状の電極群を形成することを特徴とする液
晶素子のパターン形成方法。 - （２）前記導電性被膜がインジウムチンオキサイドの被
膜からなる特許請求の範囲第１項記載の液晶素子のパタ
ーン形成方法。 - （３）波長１．０６μｍのＹＡＧレーザーの照射により
パターン形成を行う特許請求の範囲第１項又は第２項記
載の液晶素子のパターン形成方法。 - （４）前記導電性被膜がインジウムチンオキサイドの被
膜とＡｌあるいはＣｒの金属膜との積層膜である特許請
求の範囲第１項記載の液晶素子のパターン形成方法。 - （５）波長１．０６μｍのＹＡＧレーザーの照射により
ＡｌあるいはＣｒの金属膜のパターン形成を行った後、
インジウムチンオキサイドの被膜のパターン形成を行う
特許請求の範囲第１項又は第４項記載の液晶素子のパタ
ーン形成方法。 - （６）前記電極群のパターン形成に複数個のレーザー光
照射口を使用し、基板あるいは照射口を移動することに
よって複数本の電極群のパターンを同時に形成する特許
請求の範囲第１項乃至第５項のいずれかの項記載の液晶
素子のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16078486A JPS6318330A (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 | 液晶素子のパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16078486A JPS6318330A (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 | 液晶素子のパタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6318330A true JPS6318330A (ja) | 1988-01-26 |
Family
ID=15722372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16078486A Pending JPS6318330A (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 | 液晶素子のパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6318330A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05303916A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Futaba Corp | 透明導電膜配線基板の製造方法 |
| JP2009122565A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-04 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
-
1986
- 1986-07-10 JP JP16078486A patent/JPS6318330A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05303916A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Futaba Corp | 透明導電膜配線基板の製造方法 |
| JP2009122565A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-04 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
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