JPS5863151A - 電極配線の形成方法 - Google Patents
電極配線の形成方法Info
- Publication number
- JPS5863151A JPS5863151A JP56162460A JP16246081A JPS5863151A JP S5863151 A JPS5863151 A JP S5863151A JP 56162460 A JP56162460 A JP 56162460A JP 16246081 A JP16246081 A JP 16246081A JP S5863151 A JPS5863151 A JP S5863151A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- film
- powder
- metal film
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
- H10W72/251—Materials
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電極配線の形成方法に関するものである。さ
らに詳しくは、金属微粉末を含有したペースト、ワック
ス、フラックス、レジン等の粘着物質を塗布あるいは、
金属微粉末を含有するシート状物質を貼り付けした後、
粘着物質上面よりレーザービーム等の光を照射し、粘着
物質中の金属微粉末を溶融・再凝固させて、金属突起物
を形成する方法である。
らに詳しくは、金属微粉末を含有したペースト、ワック
ス、フラックス、レジン等の粘着物質を塗布あるいは、
金属微粉末を含有するシート状物質を貼り付けした後、
粘着物質上面よりレーザービーム等の光を照射し、粘着
物質中の金属微粉末を溶融・再凝固させて、金属突起物
を形成する方法である。
に金属突起物を形成し、これと外部リードとを直接接続
させることにより、金属細線（ボンディングワイヤ）を
用いることなく半導体装置の組立を行う方法が多く用い
られるに至っている。この金属突起物は、半導体基板の
外部導出用金属上に金属膜を形成し、しかるのちメツ千
法にてこの上に作成されるのが一般的である。
させることにより、金属細線（ボンディングワイヤ）を
用いることなく半導体装置の組立を行う方法が多く用い
られるに至っている。この金属突起物は、半導体基板の
外部導出用金属上に金属膜を形成し、しかるのちメツ千
法にてこの上に作成されるのが一般的である。
本発明は、この金属突起物の形成をより簡便に、しかも
確実かつ正確に行う方法を提供し、さらに、金属配線間
の接続方法をも提供するものである。
確実かつ正確に行う方法を提供し、さらに、金属配線間
の接続方法をも提供するものである。
従来の場合、不都合な点を第１図（２Ｌ）〜（（１１に
従って説明する。
従って説明する。
まず、半導体基板１上に形成されたムＥ電極配線は半導
体基板１内に形成した各素子（図示せず）間を接続せし
め、外部導出用電極（いわゆる電極パッドと呼ばれる。
体基板１内に形成した各素子（図示せず）間を接続せし
め、外部導出用電極（いわゆる電極パッドと呼ばれる。
）２に導かれる。次いでＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜等３
の絶縁膜が全面に被着せられ、外部導出用配線上もしく
は近傍は光蝕刻法により開孔され外部導出用配線である
Ａ７１膜が露３、− 出する事になる。しかるのちスパック−法あるいは抵抗
加熱法、電子ビーム法等の蒸着手段に」二って金属膜４
を被着する。一般にこの金属膜４はバリヤーメタルと呼
ばれ、複数層で構成される。例えば第一層の金属膜４・
は外部導出用配線材料あるいはＣＶ Ｄ ＳｉＯ２の如
き絶縁膜と密着の良好な材料Ｃｒ 、 Ｔｉ等で形成さ
れ、第二層の金属膜４“ は次工程の金属突起物が形成
しやずい材１１ Ｃｕ 、 Ｎｉ 。
の絶縁膜が全面に被着せられ、外部導出用配線上もしく
は近傍は光蝕刻法により開孔され外部導出用配線である
Ａ７１膜が露３、− 出する事になる。しかるのちスパック−法あるいは抵抗
加熱法、電子ビーム法等の蒸着手段に」二って金属膜４
を被着する。一般にこの金属膜４はバリヤーメタルと呼
ばれ、複数層で構成される。例えば第一層の金属膜４・
は外部導出用配線材料あるいはＣＶ Ｄ ＳｉＯ２の如
き絶縁膜と密着の良好な材料Ｃｒ 、 Ｔｉ等で形成さ
れ、第二層の金属膜４“ は次工程の金属突起物が形成
しやずい材１１ Ｃｕ 、 Ｎｉ 。
Ａｕ 、ムｇ、Ｐｔ等の材料が単独あるいに、絹合せで
使用される（第１図（ａ））。
使用される（第１図（ａ））。
次に感光性樹脂膜を塗布（−１外部導川用配線近傍を保
護する如きパターン６を形成せ１．ぬる。感光性樹脂パ
ターン６を蝕刻Ｊ’ＩＩマスクと１．て金属膜４“ を
除去する（第１図（ｂｌ）。このエセ１１は所定の金属
膜４“ 上に金属突起物を形成するためになされる。こ
こで、金属膜４′を残しておくのｉｌｌ、たとえばＮ型
半導体基板に形成されたＰ型領域」二にイ、メッキ処理
により金属突起物を形成することを可能とするためであ
る。このことは第２図にて説明する。
護する如きパターン６を形成せ１．ぬる。感光性樹脂パ
ターン６を蝕刻Ｊ’ＩＩマスクと１．て金属膜４“ を
除去する（第１図（ｂｌ）。このエセ１１は所定の金属
膜４“ 上に金属突起物を形成するためになされる。こ
こで、金属膜４′を残しておくのｉｌｌ、たとえばＮ型
半導体基板に形成されたＰ型領域」二にイ、メッキ処理
により金属突起物を形成することを可能とするためであ
る。このことは第２図にて説明する。
名）の如き剥離剤で除去し、新たに第２の感光性樹脂膜
を塗布し、外部導出用配線上近傍のみを露出する如く感
光性樹脂膜パターン６を形成させる。
を塗布し、外部導出用配線上近傍のみを露出する如く感
光性樹脂膜パターン６を形成させる。
しかるのち第一層の金属膜４・をメッキ用電極として、
例えばＡｕを電気メッキし、 Ａｕによる突起物７を
形成する（第１図（Ｃ））。
例えばＡｕを電気メッキし、 Ａｕによる突起物７を
形成する（第１図（Ｃ））。
そして、第２の感光性樹脂膜によるパターン６を除去し
、第三層の金属膜４“ を蝕刻用マスクとして第一層の
金属膜４・を除去すれば、第１図（ｄ）の構造を得る事
が１Ｂ来る。
、第三層の金属膜４“ を蝕刻用マスクとして第一層の
金属膜４・を除去すれば、第１図（ｄ）の構造を得る事
が１Ｂ来る。
この様な従来の製造方法においては本発明者の検討によ
れば次の様な問題が見い出され、半導体装置の製造に大
きな不都合を及ぼすことが判明した。
れば次の様な問題が見い出され、半導体装置の製造に大
きな不都合を及ぼすことが判明した。
（１）第一層の金属膜を除去するのに第二層の金属膜を
マスクとするため、第二層の金属膜も同時に蝕刻が進行
し、第１図ｆｄ）のＡに示した段部より蝕刻液が浸透し
、外部導出用配線２であるｋｌ を消失せしめ、いわゆ
る電気的不良を発生させていた。
マスクとするため、第二層の金属膜も同時に蝕刻が進行
し、第１図ｆｄ）のＡに示した段部より蝕刻液が浸透し
、外部導出用配線２であるｋｌ を消失せしめ、いわゆ
る電気的不良を発生させていた。
（２）又、電気メッキあるいは無電解メッキが適用され
る第二層の金属膜４〃 け、形成メッキ物質との封密強
度を得るために、例えば通常Ｃｕ膜等が用いられる。こ
れらＣｕ膜は溶剤あるいは酸化性雰囲気において容易に
酸化被膜を構成するものである。ところで感光性樹脂６
は、金属膜４” を選択的に除去するに際し金属膜４″
との付着力を増すために１４０℃〜２００ ’Ｃ程
度の温度において、いわゆるポストベーク（熱処理）を
行なっている。このために感光性樹脂５を除去するに際
し、専用の現像液では溶解されず、強い溶解力を有する
溶剤例えばＪ−１００（商品名）を９０〜１００℃に加
熱せしめ、この中に半導体基板を６〜１０分間浸し、感
光性樹脂５を膨潤、溶解せしめなければならない。
る第二層の金属膜４〃 け、形成メッキ物質との封密強
度を得るために、例えば通常Ｃｕ膜等が用いられる。こ
れらＣｕ膜は溶剤あるいは酸化性雰囲気において容易に
酸化被膜を構成するものである。ところで感光性樹脂６
は、金属膜４” を選択的に除去するに際し金属膜４″
との付着力を増すために１４０℃〜２００ ’Ｃ程
度の温度において、いわゆるポストベーク（熱処理）を
行なっている。このために感光性樹脂５を除去するに際
し、専用の現像液では溶解されず、強い溶解力を有する
溶剤例えばＪ−１００（商品名）を９０〜１００℃に加
熱せしめ、この中に半導体基板を６〜１０分間浸し、感
光性樹脂５を膨潤、溶解せしめなければならない。
このよりなＪ −１００の如き強い溶解力を有する剥離
剤ともいうべき溶剤が金属膜４″ に接１〜、金属膜
４“ としてのＣｕ膜を５００ 人７６分間で腐蝕して
しまう。また、Ｊ−１００の如き異面染してしまい、第
１図（Ｃ）のメッキ工程において金属突起物の附着強度
を低下せしめたり、あるいは金属突起物の形成歩留りを
著しるしく低下さすものである。
剤ともいうべき溶剤が金属膜４″ に接１〜、金属膜
４“ としてのＣｕ膜を５００ 人７６分間で腐蝕して
しまう。また、Ｊ−１００の如き異面染してしまい、第
１図（Ｃ）のメッキ工程において金属突起物の附着強度
を低下せしめたり、あるいは金属突起物の形成歩留りを
著しるしく低下さすものである。
′３）更に例えば第２図の如くＮ型基板にＰ型領域１′
が形成されており、このＰ型領域１・上にも金属突起物
７・を形成する場合、金属層４・が必要となる。これを
第２図とともに説明する。すなわち、メッキ処理工程に
おいて、通常半導体基板１側はマイナス電位に接続され
なければならない。第２図でマイナス電位Ｂを半導体基
板１に接続すればＮ型領域上の金属膜４ｇ は順方向
にバイア′スされているから、同電位となり、メッキ電
流が流れ金属突起物７が形成されるが、Ｐ型領域１・は
逆方向で逆バイアスであるから、著じるしく大きい抵抗
を接続した事になるために、Ｐ型領域り′上の金属膜４
″ にはメッキ電流は殆んど流れない。したがって金
属突起物７′の形成が出来ない。そこで他のメッキ電極
の取出し方７、−１ 法として第１図で説明した如く、第１層の金属膜４・を
メッキ電極とし、この金属膜４・にマイナス電位（ム）
を接続する方法が用いられる。この様な方法においては
、Ｐ、Ｎ両方に突起物が作成されるが第１層の金属膜４
′がＣｒ 、 Ｔｉ等の如き比較的抵抗の高い材料を用
いているために、Ｐ型領域１・上のメッキ物質７′の高
さが低くなり、金属突起物の高さの不整が発生し、金属
突起物と外部端子との接続工程において接続不良を発生
するものである。第２図において第１図と同一のものに
は同一番月をイτ］シ、３・Ｖ１酸化膜であるＯ さらに具体的に述べると、例えば第１層の金属膜４・が
Ｃｒで形成される場合、 ｃｒの比抵抗は蒸着速度と
膜厚で変化する。Ｏｒの膜厚が１０００人程鹿の場合、
蒸着速度１人／秒で１０ Ωｃｍ、２人／秒 で１ｏ
Ω（ｍ、５人／秒で・は１．８×１０ Ω側と変化する
。ここで膜厚１０００人、蒸着速度２．２〜２．９人／
秒とすれば、 Ｃｒの比抵抗は約１．７×１００σとな
るデータが実験的に得られる。更に第２図でＮ型領域と
Ｐ型領域間の距離（Ｃｒの露出している領域）が０．４
ｍｍあったとすれば、この間のｃｒの抵抗値は１．７Ω
、１．２ｍｍでは５．１０となる。金属突起物７．７・
とじてムＵをメッキ法で形成する場合、例えば０．０３
５ｍＡ／−の電流密度でメッキを行なうとすれば、半導
体基板１上のＮ型領域ではｏ、ｏ３６１ｎＡ／ＩＩｊの
電流密度でメッキできるが、 ０．４ｍｍ間隔のＰ型領
域１・ではＱ、Ｏ２９ｍム／−１１，２ｍｍ間隔では０
．０２３ ｍム／−となり、メ゛−／’Ｆ速度は０．０
３５ ｍＡ／−１７）時、１１．２μｍ／時間、Ｑ、Ｏ
２９ｍＡ／−の時９．２ μｍ／［時間、０．０２３
ｍム／−の時７μｍ／時間となり、同一半導体基板上で
金属突起物の高さが著しるしく変化する事になる。又、
マイナス電位（ム）が接続されている近傍のみ高い金属
突起物が形成され、この接続部分から遠ざかるに従がい
、抵抗が高くなるから、著じるしく低い金属突起物が形
成される。この様に、半導体基板上の全面にわたって高
さの不拘−供するものである。
が形成されており、このＰ型領域１・上にも金属突起物
７・を形成する場合、金属層４・が必要となる。これを
第２図とともに説明する。すなわち、メッキ処理工程に
おいて、通常半導体基板１側はマイナス電位に接続され
なければならない。第２図でマイナス電位Ｂを半導体基
板１に接続すればＮ型領域上の金属膜４ｇ は順方向
にバイア′スされているから、同電位となり、メッキ電
流が流れ金属突起物７が形成されるが、Ｐ型領域１・は
逆方向で逆バイアスであるから、著じるしく大きい抵抗
を接続した事になるために、Ｐ型領域り′上の金属膜４
″ にはメッキ電流は殆んど流れない。したがって金
属突起物７′の形成が出来ない。そこで他のメッキ電極
の取出し方７、−１ 法として第１図で説明した如く、第１層の金属膜４・を
メッキ電極とし、この金属膜４・にマイナス電位（ム）
を接続する方法が用いられる。この様な方法においては
、Ｐ、Ｎ両方に突起物が作成されるが第１層の金属膜４
′がＣｒ 、 Ｔｉ等の如き比較的抵抗の高い材料を用
いているために、Ｐ型領域１・上のメッキ物質７′の高
さが低くなり、金属突起物の高さの不整が発生し、金属
突起物と外部端子との接続工程において接続不良を発生
するものである。第２図において第１図と同一のものに
は同一番月をイτ］シ、３・Ｖ１酸化膜であるＯ さらに具体的に述べると、例えば第１層の金属膜４・が
Ｃｒで形成される場合、 ｃｒの比抵抗は蒸着速度と
膜厚で変化する。Ｏｒの膜厚が１０００人程鹿の場合、
蒸着速度１人／秒で１０ Ωｃｍ、２人／秒 で１ｏ
Ω（ｍ、５人／秒で・は１．８×１０ Ω側と変化する
。ここで膜厚１０００人、蒸着速度２．２〜２．９人／
秒とすれば、 Ｃｒの比抵抗は約１．７×１００σとな
るデータが実験的に得られる。更に第２図でＮ型領域と
Ｐ型領域間の距離（Ｃｒの露出している領域）が０．４
ｍｍあったとすれば、この間のｃｒの抵抗値は１．７Ω
、１．２ｍｍでは５．１０となる。金属突起物７．７・
とじてムＵをメッキ法で形成する場合、例えば０．０３
５ｍＡ／−の電流密度でメッキを行なうとすれば、半導
体基板１上のＮ型領域ではｏ、ｏ３６１ｎＡ／ＩＩｊの
電流密度でメッキできるが、 ０．４ｍｍ間隔のＰ型領
域１・ではＱ、Ｏ２９ｍム／−１１，２ｍｍ間隔では０
．０２３ ｍム／−となり、メ゛−／’Ｆ速度は０．０
３５ ｍＡ／−１７）時、１１．２μｍ／時間、Ｑ、Ｏ
２９ｍＡ／−の時９．２ μｍ／［時間、０．０２３
ｍム／−の時７μｍ／時間となり、同一半導体基板上で
金属突起物の高さが著しるしく変化する事になる。又、
マイナス電位（ム）が接続されている近傍のみ高い金属
突起物が形成され、この接続部分から遠ざかるに従がい
、抵抗が高くなるから、著じるしく低い金属突起物が形
成される。この様に、半導体基板上の全面にわたって高
さの不拘−供するものである。
以下、第３図ｆａ）〜（ｅ）によって本発明の一実施例
にかかる電極配線の形成方法を説明する。例えば半導体
基板１１上に形成した素子間を電気的に接続するために
金属電極配線（例えばＡｌによる電極配線パターン）が
形成され、この電極配線パターンは外部導出用配線１２
に接がる。次いで低温により形成した絶縁膜１３（例え
ばＣＶ Ｄ ＳｉＯ２膜１ μｍ）を設け、外部導出用
配線１２上を開孔する。すなわちこの外部溝１１１配線
１２の一部が露出した構造になる。しかるのち金属膜１
４を被着する。金属膜１４の構成については第１．２図
の場合と同じく第一層を（３ｒ膜、第２層を（３ｕ膜と
した構成例を説明する。
にかかる電極配線の形成方法を説明する。例えば半導体
基板１１上に形成した素子間を電気的に接続するために
金属電極配線（例えばＡｌによる電極配線パターン）が
形成され、この電極配線パターンは外部導出用配線１２
に接がる。次いで低温により形成した絶縁膜１３（例え
ばＣＶ Ｄ ＳｉＯ２膜１ μｍ）を設け、外部導出用
配線１２上を開孔する。すなわちこの外部溝１１１配線
１２の一部が露出した構造になる。しかるのち金属膜１
４を被着する。金属膜１４の構成については第１．２図
の場合と同じく第一層を（３ｒ膜、第２層を（３ｕ膜と
した構成例を説明する。
第一層のＯｒ膜１＊（１ｏｏｏ人膜厚）および第二層の
Ｃｕ膜１４“、（５０００人 膜厚）は、同−真空内で
、連続して被着されるものである。ここでＣ，ｆ膜１４
・はＡ４およびＳｉＯ２膜に対して強い゛付着力を示し
、Ｃｕ膜１４“ け次工程のメッキエ３図（ａ））。従
って、外部導出用配線が、後述の微粉末金属（例えば、
半田等）に濡れやすい金属（例えば、 Ａｕ 、 Ｃ
ｕ＄）ｆ形成されている場合は、金属膜１４を必要とし
ない。
Ｃｕ膜１４“、（５０００人 膜厚）は、同−真空内で
、連続して被着されるものである。ここでＣ，ｆ膜１４
・はＡ４およびＳｉＯ２膜に対して強い゛付着力を示し
、Ｃｕ膜１４“ け次工程のメッキエ３図（ａ））。従
って、外部導出用配線が、後述の微粉末金属（例えば、
半田等）に濡れやすい金属（例えば、 Ａｕ 、 Ｃ
ｕ＄）ｆ形成されている場合は、金属膜１４を必要とし
ない。
次に一般のホトリソ法を用いて、外部導出用配線１２上
に金属膜１４ａを残すように、不要部をエツチング除去
する（第３図（ｂ））。
に金属膜１４ａを残すように、不要部をエツチング除去
する（第３図（ｂ））。
その後、金属微粉末を混入した粘着物質１５（例えば、
半田ペースト、あるいはムＵを混入したペースト等）を
全面に塗布する（第３図（Ｃ））。
半田ペースト、あるいはムＵを混入したペースト等）を
全面に塗布する（第３図（Ｃ））。
次に、粘着物質上面より集光した赤外線１６（例えばＹ
ＡＧレーザ−ビーム等）を位置合せ後短時間照射し、極
部的に発熱させて、粘着物質中の金愚微粉末を溶融・再
凝固させて金属突起物１ｓａを形成する（第３図（ｄ）
）。
ＡＧレーザ−ビーム等）を位置合せ後短時間照射し、極
部的に発熱させて、粘着物質中の金愚微粉末を溶融・再
凝固させて金属突起物１ｓａを形成する（第３図（ｄ）
）。
最後に、有機溶剤等を用いて、未溶解金属微粉末及び粘
着物質を溶解除去して、金属突起物の形成を終了する（
第３図（ｅ））。
着物質を溶解除去して、金属突起物の形成を終了する（
第３図（ｅ））。
例えば、外部導出用配ｍ１２が１００μｍ角の１１１、
−８１、 場合、金、スス半田粉末（Ａｕ２０％、５ｎ８０％直径
数ミクロン）を４０〜５ｏ容量バーナンド含有するペー
ストを１５０μｍ厚さ程度塗布ｌ〜、直径６０μｍ程度
のＹＡＧレーザ−ビームを位置合せ後（３ｒｓ７．、−
４で１０ ｎ Ｓｅｃ ）パルス照射すると、極部的に
ペーストを３００〜３６０′Ｇまで昇温でき、Ａｕ −
Ｓｎ 半田（ｍｐ、２８０’Ｃ）微粉末を溶解・再凝固
できた。なお、このとき、金属突起物の高さは、４６μ
ｍであった。寸だ、この温度で下地基板あるいは、外部
導出金属が破損されることはなかった。さらに、このと
き外部導出金属は常にペーストに覆われているので、照
射を空気中で行っても酸化されることが無い。
−８１、 場合、金、スス半田粉末（Ａｕ２０％、５ｎ８０％直径
数ミクロン）を４０〜５ｏ容量バーナンド含有するペー
ストを１５０μｍ厚さ程度塗布ｌ〜、直径６０μｍ程度
のＹＡＧレーザ−ビームを位置合せ後（３ｒｓ７．、−
４で１０ ｎ Ｓｅｃ ）パルス照射すると、極部的に
ペーストを３００〜３６０′Ｇまで昇温でき、Ａｕ −
Ｓｎ 半田（ｍｐ、２８０’Ｃ）微粉末を溶解・再凝固
できた。なお、このとき、金属突起物の高さは、４６μ
ｍであった。寸だ、この温度で下地基板あるいは、外部
導出金属が破損されることはなかった。さらに、このと
き外部導出金属は常にペーストに覆われているので、照
射を空気中で行っても酸化されることが無い。
なお、以上述べてきた実施例は、半導体基板上に金属突
起物を形成する場合について述べたが、本発明は、半導
体基板に限定されるものではなくセラミック誓板、ブラ
ステッ２芦板等々でも同じ効果が得られることはあきら
かである。
起物を形成する場合について述べたが、本発明は、半導
体基板に限定されるものではなくセラミック誓板、ブラ
ステッ２芦板等々でも同じ効果が得られることはあきら
かである。
また、第イー図Ｋｌ 、 （ｂｌに示ずように、絶縁基
板２１上に近接して形成された複数本の金属配線２２を
接続したり、部分的に断線２３した金属配線を接続する
場合にも利用することができる。すなわち、第十図（ａ
） 、 （ｂ）に示す如く、金属配線２２及び絶縁基板
２１上に半田ペースト２３を塗布し、ペースト上面より
必要とする部分にビーム２４を合せ、極部的に半田を溶
融・再凝固２３＆させて配線を接続したり、断線を接続
したりできることも明らかである。
板２１上に近接して形成された複数本の金属配線２２を
接続したり、部分的に断線２３した金属配線を接続する
場合にも利用することができる。すなわち、第十図（ａ
） 、 （ｂ）に示す如く、金属配線２２及び絶縁基板
２１上に半田ペースト２３を塗布し、ペースト上面より
必要とする部分にビーム２４を合せ、極部的に半田を溶
融・再凝固２３＆させて配線を接続したり、断線を接続
したりできることも明らかである。
さらにまた、金属微粉末を含有する粘着物質の代りに、
金属微粉末を含有したシート条物質を接着させても良い
。
金属微粉末を含有したシート条物質を接着させても良い
。
以上述べてきたように、本実施例の電極配線の形成方法
の特徴は、 （１）金属突起物１５ａを形成する金属膜１４の表面は
、金属膜１４を形成後ホトリソ法を用いるので感光性樹
脂膜１６が被着されるわけであるが、この状態において
は、金属膜１４は蒸着終了後であるために清浄な表面状
態を有し、この上に第１の感光性樹脂１５を塗布し、９
０℃前後の低い温度で熱処理され、所望のマスクメタ１
３；ニー、 一ンで光蝕刻法により前記第１の感光性樹脂を開孔する
。この開孔は通常現像と呼ばれる工程であって、感光性
樹脂がネガ型であれば、専用の現像液（干シレンあるい
はトリクロエチレン系で非常に純度の高い溶剤）で溶解
させて除去するから、金属膜１４表面は再び清浄な面を
保持する事ができる。すなわち従来の如く強い溶解力を
有するＪ−１００の如き剥離剤ともいうべき溶剤で処理
し、更にトリクロエチレン等で洗浄処理する必要もない
。したがって、前記Ｊ−１００の溶剤による表面の腐６
１１１あるいは汚染がなく、シかも、物理的に一時溶融
して突起物を形成するため、密着力の大きな金属突起物
を得ることができる。
の特徴は、 （１）金属突起物１５ａを形成する金属膜１４の表面は
、金属膜１４を形成後ホトリソ法を用いるので感光性樹
脂膜１６が被着されるわけであるが、この状態において
は、金属膜１４は蒸着終了後であるために清浄な表面状
態を有し、この上に第１の感光性樹脂１５を塗布し、９
０℃前後の低い温度で熱処理され、所望のマスクメタ１
３；ニー、 一ンで光蝕刻法により前記第１の感光性樹脂を開孔する
。この開孔は通常現像と呼ばれる工程であって、感光性
樹脂がネガ型であれば、専用の現像液（干シレンあるい
はトリクロエチレン系で非常に純度の高い溶剤）で溶解
させて除去するから、金属膜１４表面は再び清浄な面を
保持する事ができる。すなわち従来の如く強い溶解力を
有するＪ−１００の如き剥離剤ともいうべき溶剤で処理
し、更にトリクロエチレン等で洗浄処理する必要もない
。したがって、前記Ｊ−１００の溶剤による表面の腐６
１１１あるいは汚染がなく、シかも、物理的に一時溶融
して突起物を形成するため、密着力の大きな金属突起物
を得ることができる。
（２）さらに従来では金属膜４“ の端部すなわち。
第１図（ｄ）の外部からの溶液のしみ込み、あるいは他
の腐蝕性溶液の浸透を許していた。このために最終的に
外部導出用配線を腐蝕してしまうものであった。また第
一層の金属膜４Ｉを除去する際、金属突起物と金属膜と
の境界が露出してあった。しかしながら本実施例におい
ては前述のごとく配線１２上の第２層の金属膜１４”
表面は強い溶液に全く触れることがなく、従って蝕刻用
の溶液のしみこみがなく、第２層の金属膜の損傷や、外
部からの溶液の浸入による外部導出用配線材料が腐蝕さ
れることもない。
の腐蝕性溶液の浸透を許していた。このために最終的に
外部導出用配線を腐蝕してしまうものであった。また第
一層の金属膜４Ｉを除去する際、金属突起物と金属膜と
の境界が露出してあった。しかしながら本実施例におい
ては前述のごとく配線１２上の第２層の金属膜１４”
表面は強い溶液に全く触れることがなく、従って蝕刻用
の溶液のしみこみがなく、第２層の金属膜の損傷や、外
部からの溶液の浸入による外部導出用配線材料が腐蝕さ
れることもない。
（３）更に、本発明の製造方法にあっては、未溶融部の
金属微粉末を含む粘着物質は、トリクレン等の有機溶剤
で容易に溶解除去でき、また、溶液を回収した後も、溶
媒を除去するのみで、再び金属微粉末を含む粘着物とし
て回収利用できるので、大幅なコストダウンが可能であ
る。
金属微粉末を含む粘着物質は、トリクレン等の有機溶剤
で容易に溶解除去でき、また、溶液を回収した後も、溶
媒を除去するのみで、再び金属微粉末を含む粘着物とし
て回収利用できるので、大幅なコストダウンが可能であ
る。
以上述べた如く本発明は、従来の欠点を一掃し、かつ基
板上への金属突起物の形成方法が工程数を大幅に減らし
て容易に行なえると共に、低コストで信頼性の高い半導
体装置を得る事が出来、金属突起物を形成する半導体装
置あるいは、金属配線基板の作成に大きく寄与するもの
である。
板上への金属突起物の形成方法が工程数を大幅に減らし
て容易に行なえると共に、低コストで信頼性の高い半導
体装置を得る事が出来、金属突起物を形成する半導体装
置あるいは、金属配線基板の作成に大きく寄与するもの
である。
す工程断面図、第２図はメッキによる金属突起物を形成
する工程を説明するための半導体装置の要部構造断面図
、第３図ｆａ）〜（θ）は本発明の一実施例にかかる電
極配線の形成方法の工程断面図、第４図ｆａｌは、本発
明の電極配線の形成方法を配線間の接続に用いた場合の
半導体装置の平面図、第４図（ｂｌは第４図（２Ｌｌの
Ａ−Ａ・断面図である。 １１・・・・・・半導体基板、１２・・・・・・外部導
出用配線、１３・・・・・・絶縁膜、１４・・・・・・
金属膜、１６・・・・・・半田ベース）、１６・・・・
・・レーザービーム。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１老込 ｄ μ）−−７−／ へ へθ″′Ｃ０３ 第３図 第３図 ４
する工程を説明するための半導体装置の要部構造断面図
、第３図ｆａ）〜（θ）は本発明の一実施例にかかる電
極配線の形成方法の工程断面図、第４図ｆａｌは、本発
明の電極配線の形成方法を配線間の接続に用いた場合の
半導体装置の平面図、第４図（ｂｌは第４図（２Ｌｌの
Ａ−Ａ・断面図である。 １１・・・・・・半導体基板、１２・・・・・・外部導
出用配線、１３・・・・・・絶縁膜、１４・・・・・・
金属膜、１６・・・・・・半田ベース）、１６・・・・
・・レーザービーム。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１老込 ｄ μ）−−７−／ へ へθ″′Ｃ０３ 第３図 第３図 ４
Claims (1)
- 基板上に形成された金属配線あるいは外部導出電極の一
部分に金属微粉末を含有した粘着物質を塗布する工程と
、前記粘着物質の所定部に光を照射して前記粘着物質中
の金属微粉末を局部的に溶融・再凝固させる工程と、前
記光を照射した部分以外の粘着物質を除去する工程とよ
りなることを特徴とする電極配線の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56162460A JPS5863151A (ja) | 1981-10-12 | 1981-10-12 | 電極配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56162460A JPS5863151A (ja) | 1981-10-12 | 1981-10-12 | 電極配線の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5863151A true JPS5863151A (ja) | 1983-04-14 |
Family
ID=15755032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56162460A Pending JPS5863151A (ja) | 1981-10-12 | 1981-10-12 | 電極配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5863151A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0397272A (ja) * | 1989-09-11 | 1991-04-23 | Sanyo Electric Co Ltd | パターン形成方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51104284A (ja) * | 1975-03-12 | 1976-09-14 | Suwa Seikosha Kk | Handotaisochi |
-
1981
- 1981-10-12 JP JP56162460A patent/JPS5863151A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51104284A (ja) * | 1975-03-12 | 1976-09-14 | Suwa Seikosha Kk | Handotaisochi |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0397272A (ja) * | 1989-09-11 | 1991-04-23 | Sanyo Electric Co Ltd | パターン形成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3131379B2 (ja) | はんだマスクの窓内に多数のはんだダムを備える電子モジュール | |
| TWI246378B (en) | Method of mounting electronic component | |
| JPH08250498A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| KR20000071360A (ko) | 아이씨 칩의 지지기판 본딩 프로세스 | |
| US6905915B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same, and electronic instrument | |
| US4387116A (en) | Conditioner for adherence of nickel to a tin oxide surface | |
| JPH02251145A (ja) | 突起電極形成方法 | |
| JPS5863151A (ja) | 電極配線の形成方法 | |
| JPH0410235B2 (ja) | ||
| JP2895569B2 (ja) | 電気的接続部材および電気回路部材 | |
| JPH0558653B2 (ja) | ||
| JPH03198342A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07201922A (ja) | 基板上へのハンダバンプの形成方法 | |
| JP3087819B2 (ja) | はんだバンプ実装用端子電極形成方法 | |
| JP2895570B2 (ja) | 電気的接続部材および電気回路部材 | |
| JPS63119551A (ja) | パタ−ニングされた金属膜の形成方法 | |
| JP2796872B2 (ja) | 電気的接続部材の製造方法 | |
| US4676864A (en) | Bonding method of semiconductor device | |
| JP2547590B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01238044A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04278542A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH02232947A (ja) | 半導体集積回路装置およびその実装方法 | |
| JP2536506B2 (ja) | バンプ付金属リ―ドおよびその製造方法 | |
| JP3021508B2 (ja) | 導電突起の形成方法 | |
| JPS63166249A (ja) | 金属突起物およびその製造方法 |