JPH0398082A - 液晶表示パネル - Google Patents
液晶表示パネルInfo
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- JPH0398082A JPH0398082A JP23644889A JP23644889A JPH0398082A JP H0398082 A JPH0398082 A JP H0398082A JP 23644889 A JP23644889 A JP 23644889A JP 23644889 A JP23644889 A JP 23644889A JP H0398082 A JPH0398082 A JP H0398082A
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- electrode terminal
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- crystal display
- display panel
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野）
本発明はマトリクス形液晶表示パネルに関し、特に電極
端子部の構造に関する。
端子部の構造に関する。
液晶表示パネルの低電圧・低消費電力といった特徴を活
かし、情報端末等にマトリクス形液晶表示パネルが用い
られている。
かし、情報端末等にマトリクス形液晶表示パネルが用い
られている。
このマトリクス形表示パネルは、複数ラインの縦電極が
配設された上基板と複数ラインの横電極が配設された下
基板の構成、または共通電極が配設された上基板と複数
ラインの縦電極と横電極が交叉した下基板とで構成され
ており、表示部の縦電極と横電極に相当する本数の電極
端子部が液晶表示パネルの外周に配置され、マトリクス
表示を緻密にすればする程、その本数も増加し、また微
細パターンとなる。
配設された上基板と複数ラインの横電極が配設された下
基板の構成、または共通電極が配設された上基板と複数
ラインの縦電極と横電極が交叉した下基板とで構成され
ており、表示部の縦電極と横電極に相当する本数の電極
端子部が液晶表示パネルの外周に配置され、マトリクス
表示を緻密にすればする程、その本数も増加し、また微
細パターンとなる。
第３図は従来の液晶表示パネルの電極端子部を示す図で
ある。上電極が形成された上基板３１と下電極および下
電極端子部３４が形成された下基板３２との間をシール
材層３３でシールし、内部に液晶材を封入後、電極端子
部３４の一端に設けてある導通部３５を切断して液晶表
示パネルは完成する。
ある。上電極が形成された上基板３１と下電極および下
電極端子部３４が形成された下基板３２との間をシール
材層３３でシールし、内部に液晶材を封入後、電極端子
部３４の一端に設けてある導通部３５を切断して液晶表
示パネルは完成する。
この電極端子部３４の切断は、下基板３２の切断位置の
裏面にスクライブ線を入れた後、スクライブ線に引っ張
り応力がかかるように折り曲げるか、または下基板３２
の切断位置の表面にスクライブ線を入れた後、スクライ
ブ線に引っ張り応力がかかるように折り曲げて行なわれ
る。しかし、下基板３２を切断する時、電極端子部３４
を形成している金属膜にも応力がかかり、金属膜は切断
位置近傍に剥がれを起す。
裏面にスクライブ線を入れた後、スクライブ線に引っ張
り応力がかかるように折り曲げるか、または下基板３２
の切断位置の表面にスクライブ線を入れた後、スクライ
ブ線に引っ張り応力がかかるように折り曲げて行なわれ
る。しかし、下基板３２を切断する時、電極端子部３４
を形成している金属膜にも応力がかかり、金属膜は切断
位置近傍に剥がれを起す。
上述した従来の液晶表示パネルは、電極端子部を切断す
る時電極端子部を形成している金属膜に剥がれが起こり
、電極端子部を損傷して外部回路との接続不良を起こし
、製品の信頼性に重大な悪影響を与えるという欠点があ
る。
る時電極端子部を形成している金属膜に剥がれが起こり
、電極端子部を損傷して外部回路との接続不良を起こし
、製品の信頼性に重大な悪影響を与えるという欠点があ
る。
本発明の目的は、電極端子部を切断する時、電極端子部
を形成している金属膜に剥れが生じることがない液晶表
示パネルを提供することである。
を形成している金属膜に剥れが生じることがない液晶表
示パネルを提供することである。
本発明の液晶表示パネルは、対向する電極基板間にシー
ル材層を形成し、両電極基板を一定の間隙に保持して接
着後、シール材層から突出している複数本の電極端子部
の一端を切断して形成される液晶表示パネルにおいて、
前記電８ｉ１４子部の切断位置とその近傍の基板表面に
凹凸部か設けられ、該凹凸部を横断して電極端子部が配
設されている。
ル材層を形成し、両電極基板を一定の間隙に保持して接
着後、シール材層から突出している複数本の電極端子部
の一端を切断して形成される液晶表示パネルにおいて、
前記電８ｉ１４子部の切断位置とその近傍の基板表面に
凹凸部か設けられ、該凹凸部を横断して電極端子部が配
設されている。
切断位置とその内側の基板表面に凹凸部を設けた後、金
属膜を形成することで、金属膜と下地表面との密着面積
が増大し、この部分の金属膜の密着強度か高まり、金属
膜の剥れが阻止される。
属膜を形成することで、金属膜と下地表面との密着面積
が増大し、この部分の金属膜の密着強度か高まり、金属
膜の剥れが阻止される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ） ． （ｂ） ， （ｃ）は本発明の第１
の実施例の掖晶表示パネルの電極端子部の電極基板の切
断位置とその内側に凹凸部１３が形成された基板の部分
的模式図である。
の実施例の掖晶表示パネルの電極端子部の電極基板の切
断位置とその内側に凹凸部１３が形成された基板の部分
的模式図である。
第１図（ａ）に示すように下基板１２表面をフォトレジ
スト法でパターニング後、１：１００に希釈したフッ化
水素酸水溶液でエッチングし、電極端子部切断位置に１
μの凹凸部１３を形成する。
スト法でパターニング後、１：１００に希釈したフッ化
水素酸水溶液でエッチングし、電極端子部切断位置に１
μの凹凸部１３を形成する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、下基板１２表面に金
属クロム膜をスパッタ法で１２００Ａ形成、フォトレジ
スト法でパターニング後エッチングして、表示部の縦電
極または横電極（図示せず）と電極端子部１４および導
通部１５を形成する。さらに、ＩＴＯ（酸化インジウム
スズ）膜をスバッタ法で８００入成膜、エッチングして
表示電極（図示せず）を形成する。次に、下基板１２の
表示電極の周辺部に、スベーサ材が混合されたシール材
層１６を配置、上基板１１と重ね合せて圧力をかけ、シ
ール材層１６で上基板１１．１２を接着して形成された
液晶セルに液晶材を充填後、注入孔を封止する。最後に
、第１図（Ｃ）に示すように下基板１２の電極端子部の
一端の切断位置の裏面（表面には凹凸部１３が設けてあ
る）にスクライブ線を入れた後、このスクライブ線に引
っ張り応力をかけて導通部１５を分断し本実施例の液晶
表示パネルが完成する。
属クロム膜をスパッタ法で１２００Ａ形成、フォトレジ
スト法でパターニング後エッチングして、表示部の縦電
極または横電極（図示せず）と電極端子部１４および導
通部１５を形成する。さらに、ＩＴＯ（酸化インジウム
スズ）膜をスバッタ法で８００入成膜、エッチングして
表示電極（図示せず）を形成する。次に、下基板１２の
表示電極の周辺部に、スベーサ材が混合されたシール材
層１６を配置、上基板１１と重ね合せて圧力をかけ、シ
ール材層１６で上基板１１．１２を接着して形成された
液晶セルに液晶材を充填後、注入孔を封止する。最後に
、第１図（Ｃ）に示すように下基板１２の電極端子部の
一端の切断位置の裏面（表面には凹凸部１３が設けてあ
る）にスクライブ線を入れた後、このスクライブ線に引
っ張り応力をかけて導通部１５を分断し本実施例の液晶
表示パネルが完成する。
第２図（ａ） ． （ｂ） ， （ｃ）は本発明の第２
の実施例の液晶表示パネルの電極端子部の電極基板の切
断位置とその内側に凹凸部２３が形成された基板の部分
的模式図である。
の実施例の液晶表示パネルの電極端子部の電極基板の切
断位置とその内側に凹凸部２３が形成された基板の部分
的模式図である。
第２図（ａ）に示すように、下基板２２表面にプラズマ
ＣＶＤ法により窒化シリコンＩＩ５！３０を６０００Ａ
形成、フォトレジスト法でバターニング後エッチングし
て電極端子部２４の切断位置に６００ＯＡの凹凸部２３
を形成する。次に、第１の実施例の第１図（ｂ） ．
（ｃ）と同様にしてシール材層２６で上下基板２１．２
２を接着して形成された液晶セルに液晶材を充填後、下
基板２２の電極端子部の一端の切断位置の裏面（表面に
は窒化シリコン膜で凹凸部２３が設けてある）にスクラ
イブ線を入れた後、このスクライブ線に引っ張り応力を
かけて導通部２５を分断し第２の実施例の液晶表示パネ
ルが完成する。
ＣＶＤ法により窒化シリコンＩＩ５！３０を６０００Ａ
形成、フォトレジスト法でバターニング後エッチングし
て電極端子部２４の切断位置に６００ＯＡの凹凸部２３
を形成する。次に、第１の実施例の第１図（ｂ） ．
（ｃ）と同様にしてシール材層２６で上下基板２１．２
２を接着して形成された液晶セルに液晶材を充填後、下
基板２２の電極端子部の一端の切断位置の裏面（表面に
は窒化シリコン膜で凹凸部２３が設けてある）にスクラ
イブ線を入れた後、このスクライブ線に引っ張り応力を
かけて導通部２５を分断し第２の実施例の液晶表示パネ
ルが完成する。
この第２の実施例における窒化シリコン膜３０の凹凸部
２３の形成は、パターニングエッチングにドライ法が使
用できるため、裏面の損傷が無いことと、基板表面にか
けるアンダーコート膜を利用できる利点がある。
２３の形成は、パターニングエッチングにドライ法が使
用できるため、裏面の損傷が無いことと、基板表面にか
けるアンダーコート膜を利用できる利点がある。
（発明の効果〕
以上説明したように本発明は、電極端子部の一端の切断
位置とその内側の基板表面に凹凸部を設けた基板を用い
て、この凹凸部を横断するように電極端子部用金属膜を
形成することにより、金属膜と下地表面との密着面積を
増大させ、この部分の金属膜の密着強度を高めることで
、電極端子部を切断する時、この部分の剥れを阻止する
ことができ、従って、製作した液晶表示パネルは、外部
回路との接続不良が無く配線の信頼性が高いことから、
表示品位の優れた液晶表示パネルを提供できる効果があ
る。
位置とその内側の基板表面に凹凸部を設けた基板を用い
て、この凹凸部を横断するように電極端子部用金属膜を
形成することにより、金属膜と下地表面との密着面積を
増大させ、この部分の金属膜の密着強度を高めることで
、電極端子部を切断する時、この部分の剥れを阻止する
ことができ、従って、製作した液晶表示パネルは、外部
回路との接続不良が無く配線の信頼性が高いことから、
表示品位の優れた液晶表示パネルを提供できる効果があ
る。
第１図（ａ） ， （ｂ） ． （ｃ）は本発明の第１
の実施例の基板を用いた液晶表示パネルの部分断面図、
第２図（ａ） ． （ｂ） ． （ｃ）は本発明の第２
の実施例の基板を用いた液晶表示パネルの部分断面図、
第３図は従来法による基板を用いた液晶表示パネルの部
分断面図である。 ］１，２１．３１−−−−−−上基板、１２．２２．３
２−−−−下基板、１３．２３・・・・・・・・・凹凸
部、＋４．２４．３４・・・・・・電極端子部１５，２
５．３５・・・・・・導通部、＋６．２６．３３・・・
・・・シール材層３０・・・・・・・・・・・・・・・
窒化シリコン膜。
の実施例の基板を用いた液晶表示パネルの部分断面図、
第２図（ａ） ． （ｂ） ． （ｃ）は本発明の第２
の実施例の基板を用いた液晶表示パネルの部分断面図、
第３図は従来法による基板を用いた液晶表示パネルの部
分断面図である。 ］１，２１．３１−−−−−−上基板、１２．２２．３
２−−−−下基板、１３．２３・・・・・・・・・凹凸
部、＋４．２４．３４・・・・・・電極端子部１５，２
５．３５・・・・・・導通部、＋６．２６．３３・・・
・・・シール材層３０・・・・・・・・・・・・・・・
窒化シリコン膜。
Claims (1)
- １、対向する電極基板間にシール材層を形成し、両電極
基板を一定の間隙に保持して接着後、シール材層から突
出している複数本の電極端子部の一端を切断して形成さ
れる液晶表示パネルにおいて、前記電極端子部の切断位
置とその近傍の基板表面に凹凸部が設けられ、該凹凸部
を横断して電極端子部が配設されていることを特徴とす
る液晶表示パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23644889A JPH0398082A (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | 液晶表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23644889A JPH0398082A (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | 液晶表示パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0398082A true JPH0398082A (ja) | 1991-04-23 |
Family
ID=17000899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23644889A Pending JPH0398082A (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | 液晶表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0398082A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001018596A1 (en) * | 1999-09-08 | 2001-03-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Display device and method of manufacture thereof |
| JP2005128303A (ja) * | 2003-10-24 | 2005-05-19 | Sony Corp | デバイス、半導体デバイスの製造方法及び液晶表示素子の製造方法 |
| WO2006129741A1 (en) * | 2005-05-31 | 2006-12-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
-
1989
- 1989-09-11 JP JP23644889A patent/JPH0398082A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001018596A1 (en) * | 1999-09-08 | 2001-03-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Display device and method of manufacture thereof |
| US6961111B1 (en) | 1999-09-08 | 2005-11-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Display device and method of producing same |
| JP2005128303A (ja) * | 2003-10-24 | 2005-05-19 | Sony Corp | デバイス、半導体デバイスの製造方法及び液晶表示素子の製造方法 |
| WO2006129741A1 (en) * | 2005-05-31 | 2006-12-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8101990B2 (en) | 2005-05-31 | 2012-01-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
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