JPH0399521A - 比較回路 - Google Patents

比較回路

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JPH0399521A
JPH0399521A JP23628389A JP23628389A JPH0399521A JP H0399521 A JPH0399521 A JP H0399521A JP 23628389 A JP23628389 A JP 23628389A JP 23628389 A JP23628389 A JP 23628389A JP H0399521 A JPH0399521 A JP H0399521A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
comparator
comparators
output
circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP23628389A
Other languages
English (en)
Inventor
Akio Yanagase
柳川瀬 顕夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Kyoei Sangyo Co Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Kyoei Sangyo Co Ltd
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp, Kyoei Sangyo Co Ltd filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は並列型に構成されたA/D変換器において、
一部の比較器のオフセットがA/D変換器の分解能を越
える可能性のある場合に適応できる比較回路に関するも
のである。
〔従来の技術〕
第3図は従来の比較回路の回路図を示す。この比較回路
の構成はバイポーラ構造の並列型A/D変換器によく利
用されるものである。第4図は第3図の比較器を複数個
(図は4個)接続した場合の回路図である。
図において、Ql、Q2は入力トランジスタ対で、それ
ぞれのベースには信号人力VIN入カバカバイアスBが
それぞれ加えられる。Q3.Q4は保持用トランジスタ
対で、それぞれのコレクタが他方のベースに互いに接続
されるとともに、入力トランジスタQl、Q2のコレク
タにもそれぞれ接続されている。Q5.Q6はクロック
用トランジスタ対で、これは入力トランジスタ対又は保
持用トランジスタ対を交互に動作させるためのもので、
トランジスタQ5のコレクタがトランジスタQ3.Q4
のエミッタに、トランジスタQ6のコレクタがトランジ
スタQl、Q2のエミッタにそれぞれ接続されている。
また、抵抗R1,R2は差動対トランジスタの負荷で前
段および自段のベース接地のマルチエミッタトランジス
タQ7のエミッタに接続されている。またR3は比較回
路出力の負荷でトランジスタQ8を介して出力VOUT
に接続されている。
工1.工2はバイアス用の電流源である。
次に動作について説明する。第3図において、クロック
CLKが@H1の時、即ちトランジスタQ6が導通状態
にある場合を一般的にサンプリングモードと呼び、入力
トランジスタ対Q1.Q2が動作状態に入り得る。この
入力トランジスタ対は信号人力VIN又は入力バイアス
VIBのレベルに応じて動作し、VIN>VIBの場合
を考えるとトランジスタQ1が導通状態となる。従って
、a、b点の電位Va 、 VbはVa < Vbとな
る。この時、クロックCLK の状態が反転してクロッ
クCLKが1L”になると、今度は保持用トランジスタ
対Q3.Q4が動作状態に入り得る。この状態をホール
ドモードと呼ぶ。ここで、Va<Vbの状態を考えると
トランジスタQ3のベース(b点)がトランジスタQ4
のベース(a点)より高いために先にトランジスタQ3
が導通状態になる。即ち、トランジスタQ1の導通状態
をトランジスタQ3が導通ずることでa点はb点に対し
Va < Vbを保持する。また、この場合、電流理工
1は抵抗R1を介して前段のマルチエミッタトランジス
タのエミッタより電流を引き込むことになり、前段の負
荷抵抗に工1×R3の電圧降下が生じ、前段の比較回路
出力VOUT一 はローレルとなる。VIN < VIEの場合はこれと
逆の場合となるのは明白で、電流理工1は抵抗R2を介
して自段のマルチエミッタトランジスタQ7のエミッタ
より電流を引き込むことになり、負荷抵抗R3に工1×
R3の電圧降下が生じ、自段の比較回路出力VOUTは
ローレベルとなる。このように、トランジスタ対の信号
人力VIN及び入力バイアスVIBのレベルに応じ自段
のバイアス用電流源11の電流を前段または自段の負荷
抵抗R3に流すよう1こしたものである。
また、実際のA / D変換器では第4図のように接続
され、入力バイアスは、 LSB= VIB 2− VIB 1 =VIB 3−
VIB2=VIB4− VIB 3と、分解能(LSB
)ずつの差で与えられる。ここでVH>Vxr3+7)
場合を“1” としVIN < VIB (7)場合を
°0” とすると、比較器の判定の配列は・・1110
00・・・”となり、境目の”1”となる比較器だけは
、負荷抵抗R3に電流が流れないため出力はハイレベル
となる。このようにベース接地トランジスタQ7をマル
チエミッタ化することでワイヤードOR回路が簡単に構
成され、並列型A/D変換器に必要な次段の禁止ゲート
が簡単に構成できるものである。
即ち、通常の並列型A/D変換器は第3図のように構成
された比較回路をその分解能と同数有し、入力電圧と各
比較回路ごとに異なる基準電圧とを比較して2進コード
を出力するものであるが、通常の2進コードを出力する
ものでは比較器次段のロジックが大規模化しエンコード
に時間がかかるものである。しかるに、グレイコードを
出力するものでは、比較器次段のロジックつまり複数の
比較回路の比較出力の1つのみを“1”にするための禁
止ゲートを簡単に構成でき、このロジックを第3図のワ
イヤードOR回路を用いて簡単に構成できる。従って、
エンコード回路が簡素化でき、ひいては並列型のA/D
変換器の回路規模を縮小できるものである。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の比較回路は以北のように構成されていたので、比
較回路のオフセットが分解能を越えた場合、即ち比較回
路の判定の配列が°・・・110100・・・及び1・
・・1100100・・・、・・・1101100・・
・ 等となった場合に比較回路の出力の複数がハイレベ
ルになり、次段のエンコーダで加算され大きな誤差を含
んだ変換結果を得ることとなる。
そのため従来の構成では比較回路のオフセットが分解能
を越えないような設定をしなければならず、高ビットの
A/D変換器の場合、信号入力レンジを大きく設定する
などの配慮が必要で、また、上記のような対策を施した
場合においても、製造上のばらつきなどにより比較回路
のオフセットが分解能を越えた場合に、A/D変換後の
変換結果に大きな変換誤差を生じてしまうなどの問題点
があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、比較回路のオフセットが分解能を越えた場合
においても、次段のエンコーダにはエラーを含まないグ
レイコードが出力できるために、エンコーダ回路を複雑
にすることなく誤差の少ない変換のできるA / D変
換器を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る比較回路は、出力部エミッタフォロワを
差動型回路構成とすることにより、比較器次段のロジッ
クつまり複数の比較回路の比較出力の1つのみを@1”
にするための禁止ゲートを2つの比較器のみの比較出力
だけでゲーティングするのではなく、多数の比較器の比
較出力でゲーティングできるようにしたものである。
〔作 用〕
この発明における比較回路は、出力部エミッタフォロワ
を差動型回路構成とすることにより一部の比較器のオフ
セットがA/D変換器の分解能を越えた場合に発生する
複数のハイレベルとなった比較回路出力のうち1つだけ
を残し、残りは強制的にローレベルにされ1次段のエン
コーダには1つだけの比較回路出力のハイレベルのデー
タが入力される。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図はこの発明の一実施例による比較回路図を示す。なお
、前記従来のものとの相違点は出力用トランジスタQ8
をトランジスタQ9を追加することにより差動型回路構
成とし、ベース接地側のトランジスタQ9のバイアスV
Cを新たに設けたことと、バイアス用の電流理工1及び
■2の設定を11=I2 としている点である。
次に動作について説明する。
今、一部の比較器のオフセットが原因で比較回路の判定
の配列が1・・・110100・・・1となった場合を
考えると、負荷抵抗R3にバイアス電流の流れない比較
器が2つ発生する。また、この比較器に挾まれた比較器
では負荷抵抗R3に2つの比較器のバイアス電流11が
流れることになるため、負荷抵抗R3には2XIIXR
3の電圧降下が生じることとなる。この時の0点の電位
をVLLとする。
次に、通常のローレベルを出力している状態、即ち、負
荷抵抗R3に1つの比較器のバイアス電流工1が流れる
場合の0点の電位をVLとする。
ここで、トランジスタQ9のバイアスVCをVL > 
VC> VLL ニ設定すると、0点の電圧がVLLと
なる比較器ではトランジスタQ9が導通状態になり、次
段の負荷抵抗よりバイアス電流I2を引き込む。そのた
め、次段の比較器の負荷抵抗には12XR3の電圧降下
が生じることとなる。また。
11=I2と設定しているため、次段の出力は通常のロ
ーレベルと同じ電圧になる。このように、比較回路の出
力は1つの比較器のみがハイレベルになる。
なお、比較回路の判定の配列が1・・・1100100
・・・及び°・・・1101100・・・”等となった
場合も上記の場合と同様に比較回路の出力は1つの比較
器のみがハイレベルになる。また、比較回路のオフセッ
トが分解能を越えない場合の動作は従来のものと同じで
ある。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、出力部エミッタフォロ
ワを差動型回路構成とすることにより、比較器次段のロ
ジックつまり複数の比較回路の比較出力の1つのみを@
1”にするための禁止ゲートを2つの比較器のみの比較
出力だけでゲーティングするのではなく、多数の比較器
の比較出力でゲーティングできるようにしたので、一部
の比較器のオフセットがA/D変換器の分解能を越えた
場合に発生する複数のハイレベルとなった比較回路出力
のうち1つだけを残し、残りは強制的にローレベルにさ
れ1次段のエンコーダには1つだけの比較回路出力のハ
イレベルのデータが入力される。
そのため、エンコーダ内でエラーを含んだグレイコード
を加算することはなく、誤差の少ない変換結果が得られ
る効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による比較回路の回路図、
第2図は第1図の比較回路を複数個接続した場合の回路
図、また、第3図は従来の比較回路の回路図、第4図は
承第3図の比較回路を複数個接続した場合の回路図であ
る。 因において、Ql、Q2は入力トランジスタ対、Q3.
Q4は保持用トランジスタ対、Q5.Q6はクロック用
トランジスタ対、Q7はベース接地のマルチエミッタト
ランジスタ、R1,R2は作動対トランジスタの負荷抵
抗、R3は比較回路出力の負荷抵抗を示す。 なお、図中、同一符号は同一 または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)大小関係を保持すべき2つの信号がベースに入力
    される信号入力差動対トランジスタと、比較回路の動作
    モードを上記2つの信号をサンプルするためのサンプリ
    ングモードと上記2つの信号の大小関係を保持するため
    の保持モードとの間で切り替えるためのクロックが入力
    されるクロック入力差動対トランジスタと、一方のコレ
    クタが他方のベースに交互に接続された保持用差動対ト
    ランジスタと、この保持用差動対トランジスタの一方の
    コレクタ側に接続され比較回路の出力を取り出すための
    ベース接地のマルチエミッタトランジスタと、このマル
    チエミッタトランジスタのコレクタ側に接続され比較回
    路の出力を取り出すためのトランジスタと、このトラン
    ジスタと差動対となるベース接地トランジスタとを備え
    、上記ベース接地のマルチエミッタトランジスタのもう
    一方のエミッタは前段または次段の保持用差動対トラン
    ジスタの一方のコレクタ側に接続され、また、比較回路
    の出力を取り出すためのトランジスタと差動対となるベ
    ース接地トランジスタのコレクタは前段または次段のマ
    ルチエミッタトランジスタのコレクタ側に接続されてい
    ることを特徴とする比較回路。
JP23628389A 1989-09-12 1989-09-12 比較回路 Pending JPH0399521A (ja)

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