JPH04100049A - Ｘ線露光方法及びｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光方法及びｘ線露光装置Info
- Publication number
- JPH04100049A JPH04100049A JP2217136A JP21713690A JPH04100049A JP H04100049 A JPH04100049 A JP H04100049A JP 2217136 A JP2217136 A JP 2217136A JP 21713690 A JP21713690 A JP 21713690A JP H04100049 A JPH04100049 A JP H04100049A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- ray
- exposure
- rays
- synchrotron radiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
シンクロトロン放射光を利用したＸ線露光方法及び露光
装置に関し、 レジストに照射するＸ線の強度ムラを防止することを目
的とし、シンクロトロン放射光からベリリウム薄膜を透
過したＸ線をレジストの露光に利用するＸ線露光方法に
おいて、露光中に前記ベリリウム薄膜を繰返し左右に往
復微動させるように構成する。
装置に関し、 レジストに照射するＸ線の強度ムラを防止することを目
的とし、シンクロトロン放射光からベリリウム薄膜を透
過したＸ線をレジストの露光に利用するＸ線露光方法に
おいて、露光中に前記ベリリウム薄膜を繰返し左右に往
復微動させるように構成する。
本発明はシンクロトロン放射光を利用したＸ線露光方法
及び露光装置に関する。
及び露光装置に関する。
近年、半導体装置は高密度化が進み、そのパターンは微
細化してきている。このため製造時のホトリソグラフィ
工程において、可視光による露光では解像度に限度があ
るため、最近では可視光よりはるかに波長の短いＸ線が
用いられるようになってきている。Ｘ線露光方法におい
てはシンクロトロン放射光を利用した方法が研究されて
おり、従来のＸ線管を使った方法に比べてＸ線強度が大
きいためスループットが改善されることや、平行外が高
いことから半影ぼけがなくより微細なパターン転写がで
きること等から注目されている。
細化してきている。このため製造時のホトリソグラフィ
工程において、可視光による露光では解像度に限度があ
るため、最近では可視光よりはるかに波長の短いＸ線が
用いられるようになってきている。Ｘ線露光方法におい
てはシンクロトロン放射光を利用した方法が研究されて
おり、従来のＸ線管を使った方法に比べてＸ線強度が大
きいためスループットが改善されることや、平行外が高
いことから半影ぼけがなくより微細なパターン転写がで
きること等から注目されている。
第３図はシンクロトロン放射光発生装置の原理図である
。同図において、１は入射器、２は、偏向磁石３と高周
波空胴４と真空ダクト５とよりなる荷電粒子蓄積リング
、６はシンクロトロン放射光７の取り出し口である。そ
して入射器１から荷電粒子蓄積リング２に入射された荷
電粒子は偏向磁石３によってその進行方向を曲げられ荷
電粒子蓄積リング２内を周回し、且つその荷電粒子の周
回に同期した高周波電圧が印加された高周波空胴４を通
過するたびにエネルギーが与えられ、遂にシンクロトロ
ン放射光が発生されるようになる。
。同図において、１は入射器、２は、偏向磁石３と高周
波空胴４と真空ダクト５とよりなる荷電粒子蓄積リング
、６はシンクロトロン放射光７の取り出し口である。そ
して入射器１から荷電粒子蓄積リング２に入射された荷
電粒子は偏向磁石３によってその進行方向を曲げられ荷
電粒子蓄積リング２内を周回し、且つその荷電粒子の周
回に同期した高周波電圧が印加された高周波空胴４を通
過するたびにエネルギーが与えられ、遂にシンクロトロ
ン放射光が発生されるようになる。
この放射光は磁石による偏向を受けないため、偏向磁石
部３にある放射光取り出し口６から取り出される。この
放射光７はＸ線から遠赤外線の広い波長帯域をもってい
るが、Ｘ線露光に使用するのは５〜１５人の波長帯域で
ある。このたｔこのＸ線を利用するＸ線露光装置には、
第４図に示すように短波長成分を除去するたｔの全反射
ミラー８、及び長波長成分を除去するたｔのベリリウム
薄膜９を有する窓が設けられており、該ベリリウム薄膜
９を透過したＸ線１３が露光ステッパ１０に入りマスク
１１を通してウェハ１２を露光するようになっている。
部３にある放射光取り出し口６から取り出される。この
放射光７はＸ線から遠赤外線の広い波長帯域をもってい
るが、Ｘ線露光に使用するのは５〜１５人の波長帯域で
ある。このたｔこのＸ線を利用するＸ線露光装置には、
第４図に示すように短波長成分を除去するたｔの全反射
ミラー８、及び長波長成分を除去するたｔのベリリウム
薄膜９を有する窓が設けられており、該ベリリウム薄膜
９を透過したＸ線１３が露光ステッパ１０に入りマスク
１１を通してウェハ１２を露光するようになっている。
なおこのＸ線ビーム１３は横方向に細長い形状をしてい
るためマスク１１とウェハー１２は一体となって垂直方
向に動き走査されるようになっている。
るためマスク１１とウェハー１２は一体となって垂直方
向に動き走査されるようになっている。
上記従来のＸ線露光装置では、シンクロトロン放射光が
ベリリウム薄膜９を透過するとき、該ベリリウム薄膜９
の厚さムラ及び表面粗さにより透過したＸ線１３に強度
ムラが生ずる。ウェハー１２はマスク１１と一体で垂直
方向に走査しているためウェハー１２に塗布されたレジ
ストに照射されるＸ線強度は垂直方向には一様である。
ベリリウム薄膜９を透過するとき、該ベリリウム薄膜９
の厚さムラ及び表面粗さにより透過したＸ線１３に強度
ムラが生ずる。ウェハー１２はマスク１１と一体で垂直
方向に走査しているためウェハー１２に塗布されたレジ
ストに照射されるＸ線強度は垂直方向には一様である。
しかし水平方向には走査しないためＸ線の強度ムラはレ
ジストへの照射ムラとなり、水平方向にはドーズのムラ
からくるパターンの変化や残膜量の変化などにより高精
度なパターン形成ができないという問題がある。
ジストへの照射ムラとなり、水平方向にはドーズのムラ
からくるパターンの変化や残膜量の変化などにより高精
度なパターン形成ができないという問題がある。
本発明は上記従来の問題点に鑑み、レジストに照射する
Ｘ線の強度ムラを防止したＸ線露光方法及びＸ線露光装
置を提供することを目的とする。
Ｘ線の強度ムラを防止したＸ線露光方法及びＸ線露光装
置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明のＸ線露光方法では、
シンクロトロン放射光からベリリウム薄膜９を透過した
Ｘ線をレジストの露光に利用するＸ線露光方法において
、露光中に前記ベリリウム薄膜９を繰返し左右に往復微
動させることを特徴とする。
シンクロトロン放射光からベリリウム薄膜９を透過した
Ｘ線をレジストの露光に利用するＸ線露光方法において
、露光中に前記ベリリウム薄膜９を繰返し左右に往復微
動させることを特徴とする。
また本発明のＸ線露光装置では、シンクロトロン放射光
放射光からベリリウム薄膜９を透過したＸ線をレジスト
の露光に利用するＸ線露光装置において、上記ベリリウ
ム薄膜９を、その前後に配置したベローズ１５．１６に
より真空ダクト１４に取着し、支持させると共に、該ベ
リリウム薄膜を左右に微動させることができる駆動手段
を設けたことを特徴とする。
放射光からベリリウム薄膜９を透過したＸ線をレジスト
の露光に利用するＸ線露光装置において、上記ベリリウ
ム薄膜９を、その前後に配置したベローズ１５．１６に
より真空ダクト１４に取着し、支持させると共に、該ベ
リリウム薄膜を左右に微動させることができる駆動手段
を設けたことを特徴とする。
シンクロトロン放射光からＸ線を透過させるベリリウム
薄膜９を左右に繰返し微動させることにより、該ベリリ
ウム薄膜９の厚さムラや表面粗さによる透過Ｘ線の強度
ムラが平均化され、ウェハ１２への照射ムラが解消され
る。
薄膜９を左右に繰返し微動させることにより、該ベリリ
ウム薄膜９の厚さムラや表面粗さによる透過Ｘ線の強度
ムラが平均化され、ウェハ１２への照射ムラが解消され
る。
第１図は本発明のＸ線露光方法を説明するための図であ
る。
る。
同図において、２はシンクロトロン放射光発生装置の荷
電粒子蓄積リング、７は該荷電粒子蓄積リングから取り
出されたシンクロトロン放射光、８は該シンクロトロン
放射光から短波長成分を除くための全反射ミラー ９は
長波長成分を除くＢｅ薄膜、１１はマスク、１２はレジ
ストが塗布されたウェハである。
電粒子蓄積リング、７は該荷電粒子蓄積リングから取り
出されたシンクロトロン放射光、８は該シンクロトロン
放射光から短波長成分を除くための全反射ミラー ９は
長波長成分を除くＢｅ薄膜、１１はマスク、１２はレジ
ストが塗布されたウェハである。
このようなＸ線露光装置において、本発明のＸ線露光方
法は、Ｘ線１３でウェハ１２を露光中に、べＩＪ ＩＪ
ウム（Ｂｅ）薄膜９を左右（矢印ｘ、ｘ’方向）に繰返
し往復微動させるのである。なおその微動条件としては
、例えば、微動幅：約５ ｍｍ、往復周期：ＩＨｚ、露
光時間：１０分で良い。
法は、Ｘ線１３でウェハ１２を露光中に、べＩＪ ＩＪ
ウム（Ｂｅ）薄膜９を左右（矢印ｘ、ｘ’方向）に繰返
し往復微動させるのである。なおその微動条件としては
、例えば、微動幅：約５ ｍｍ、往復周期：ＩＨｚ、露
光時間：１０分で良い。
このようにして露光することにより、′Ｂｅ薄膜９を透
過したＸ線１３に、Ｂｅ薄膜９の厚さムラや表面粗さに
よる強度ムラがあっても、Ｂｅ薄膜の往復運動によって
強度ムラは平均化され、平均した露光となる。これによ
り高精度のパターン形成が可能となる。
過したＸ線１３に、Ｂｅ薄膜９の厚さムラや表面粗さに
よる強度ムラがあっても、Ｂｅ薄膜の往復運動によって
強度ムラは平均化され、平均した露光となる。これによ
り高精度のパターン形成が可能となる。
第２図は本発明のＸ線露光装置の実施例を示す図である
。
。
同図において、７は荷電粒子蓄積リングから取り出され
たシンクロトロン放射光、１４は該シンクロトロン放射
光を露光位置まで導く真空ダクト、８はシンクロトロン
放射光から短波長成分を除くための全反射ミラー、１５
．１６は真空ダクトに設けられたベローズ、９はシンク
ロトロン放射光から長波長成分を除きＸ線（波長５〜１
５人）を透過させるＢｅ薄膜であり、該Ｂｅ薄膜９は２
つのベローズ１５，１６の中間に配置されており、且つ
駆動装置、例えばパルスモータで左右に（矢印Ｘ−Ｘ′
方句）に往復駆動されるようになっている。また１０は
マスク１１及びウェハ１２を収容した露光ステッパであ
り、その筐体は真空ダクト１４に接続されている。
たシンクロトロン放射光、１４は該シンクロトロン放射
光を露光位置まで導く真空ダクト、８はシンクロトロン
放射光から短波長成分を除くための全反射ミラー、１５
．１６は真空ダクトに設けられたベローズ、９はシンク
ロトロン放射光から長波長成分を除きＸ線（波長５〜１
５人）を透過させるＢｅ薄膜であり、該Ｂｅ薄膜９は２
つのベローズ１５，１６の中間に配置されており、且つ
駆動装置、例えばパルスモータで左右に（矢印Ｘ−Ｘ′
方句）に往復駆動されるようになっている。また１０は
マスク１１及びウェハ１２を収容した露光ステッパであ
り、その筐体は真空ダクト１４に接続されている。
このように構成された本実施例は、荷電粒子蓄積リング
から取り出された放射光７は全反射ミラー８で反射され
て短波長成分が除かれ、さらにＥ３ｅ薄膜９で長波長成
分が除去されて波長５〜１５人のＸ線１３のみが透過さ
れる。このＸ線１３を用いてウェハ１２に露光するので
あるが、その露光中はＢｅ薄膜９を左右に往復微動させ
るのである。なおりｅ薄膜９はその前後を２個のベロー
ズ１５．１６で真空ダクト１４に支持されているため、
膜面に対し平行に移動（但し移動幅には制限がある）す
ることは容易である。
から取り出された放射光７は全反射ミラー８で反射され
て短波長成分が除かれ、さらにＥ３ｅ薄膜９で長波長成
分が除去されて波長５〜１５人のＸ線１３のみが透過さ
れる。このＸ線１３を用いてウェハ１２に露光するので
あるが、その露光中はＢｅ薄膜９を左右に往復微動させ
るのである。なおりｅ薄膜９はその前後を２個のベロー
ズ１５．１６で真空ダクト１４に支持されているため、
膜面に対し平行に移動（但し移動幅には制限がある）す
ることは容易である。
このように本実施例では、露光中にＢｅ薄膜９を左右に
往復微動させることにより、Ｂｅ薄膜の厚さムラ及び表
面粗さによるＸ線の強度ムラを少なくし、これにより露
光ムラをなくすることができる。
往復微動させることにより、Ｂｅ薄膜の厚さムラ及び表
面粗さによるＸ線の強度ムラを少なくし、これにより露
光ムラをなくすることができる。
以上説明したように、本発明によれば、露光中にＢｅ薄
膜を往復微動させることにより透過するＸ線の強度ムラ
を少なくすることができ、より高精度なパターン形成に
寄与することができる。
膜を往復微動させることにより透過するＸ線の強度ムラ
を少なくすることができ、より高精度なパターン形成に
寄与することができる。
第１図は本発明のＸ線露光方法を説明するたｔの図、
第２図は本発明のＸ線露光装置の実施例を示す図、
第３ｖ！：Ｉは従来のシンクロトロン放射光発生装置を
示す図、 第４図は従来のＸ線露光装置を示す区である。 図において、 ２は荷電粒子蓄積リング、 ７はシンクロトロン放射光、 ８は全反射ミラー ９はＢｅ薄膜、 １０は露光ステッパ １１はマスク、 １２はウェハ １３はＸ線、 １４は真空ダクト、 １５．１６はベローズ、 を示す。 本発明のＸ線露光方法を説明するだめの図第１図 ８・・・全反射ミラ ９・・・Ｂｅ薄膜 １１・・・マスク １２・・・ウェハ １３・・・Ｘ線 従来のシンクロトロン放射光発生装置を示す図第３図
示す図、 第４図は従来のＸ線露光装置を示す区である。 図において、 ２は荷電粒子蓄積リング、 ７はシンクロトロン放射光、 ８は全反射ミラー ９はＢｅ薄膜、 １０は露光ステッパ １１はマスク、 １２はウェハ １３はＸ線、 １４は真空ダクト、 １５．１６はベローズ、 を示す。 本発明のＸ線露光方法を説明するだめの図第１図 ８・・・全反射ミラ ９・・・Ｂｅ薄膜 １１・・・マスク １２・・・ウェハ １３・・・Ｘ線 従来のシンクロトロン放射光発生装置を示す図第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、シンクロトロン放射光からベリリウム薄膜（９）を
透過したＸ線をレジストの露光に利用するＸ線露光方法
において、 露光中に前記ベリリウム薄膜（９）を繰返し左右に往復
微動させることを特徴とするＸ線露光方法。 ２、シンクロトロン放射光からベリリウム薄膜（９）を
透過したＸ線をレジストの露光に利用するＸ線露光装置
において、 上記ベリリウム薄膜（９）を、その前後に配置したベロ
ーズ（１５、１６）により真空ダクト（１４）に取着し
、支持させると共に、該ベリリウム薄膜を左右に微動さ
せることができる駆動手段を設けたことを特徴とするＸ
線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2217136A JPH04100049A (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | Ｘ線露光方法及びｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2217136A JPH04100049A (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | Ｘ線露光方法及びｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04100049A true JPH04100049A (ja) | 1992-04-02 |
Family
ID=16699421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2217136A Pending JPH04100049A (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | Ｘ線露光方法及びｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04100049A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6351512B1 (en) | 1999-01-27 | 2002-02-26 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray exposure apparatus |
-
1990
- 1990-08-20 JP JP2217136A patent/JPH04100049A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6351512B1 (en) | 1999-01-27 | 2002-02-26 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray exposure apparatus |
| US6603833B2 (en) | 1999-01-27 | 2003-08-05 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray exposure apparatus |
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