JPH04100208A - 荷電粒子ビーム露光装置及び露光方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［概要］ ＬＳＩ製造工程において使用される電子ビーム露光装置
等、荷電粒子ビーム露光装置に関し、ワンショットで形
成できるパターンの種類を増加し、スループットの向上
を図ることができるようにすることを目的とし、 光軸上に、荷電粒子ビーム発生源側から順に、１個の透
過パターンを形成してなる第１のマスク板及び複数の透
過パターンを形成してなる第２、第３・・・第ｎのマス
ク板を配置し、前記荷電粒子ビーム発生源から発生する
荷電粒子ビームを僕向し、前記第１、第２・・・第ｎの
マスク板の透過パターンの種々の重ね合わせを実現する
ことにより、前記荷電粒子ビームを所望の形状に整形す
るように構成される荷電粒子ビーム露光装置において、
前記マスク板のうち、少なくとも２つのマスク板の透過
パターンの重ね合わせにより可変整形ビームを形成し、
更に、この可変整形ビームを他のマスク板の透過パター
ンの所望領域に照射することにより所望の形状に整形す
ることができるように構成する。

［産業上の利用分野コ 本発明は、ＬＳＩ製造工程において使用される電子ビー
ム露光装置等、荷電粒子ビーム露光装置に関する。

［従来の技術］ 従来、電子ビーム露光装置として第２５図にその概念図
を示すようなものが提案されている。

図中、１は電子銃、２は電子ビーム、３．４．５はマス
ク板、６．７は静電偏向器、８は電磁偏向器、９はウェ
ハであり、マスク板３．４．５には、それぞれ正方形の
透過パターン（スリット）３Ａ、４Ａ、５Ａが形成され
ている。但し、透過パターン３Ａと４Ａとは、その対角
線が一致し、透過パターン５Ａは、その対角線が透過パ
ターン３Ａ、４Ａと４５°の傾きを持つように形成され
ている。

かかる電子ビーム露光装置は、電子ビーム２を偏向する
ことにより、透過パターン３Ａ、４Ａ、５Ａの重ね合わ
せを実現し、電子ビーム２の断面を整形するというもの
である。なお、この第２５図では、電子ビーム２を、先
ず透過パターン３Ａにより正方形に形成し、次に、透過
パターン４Ａにより長方形に形成し、最後に、透過パタ
ーン５Ａにより台形に整形している例を示している。

かかる電子ビーム露光装置によれば、可変矩形以外にも
、可変台形や可変三角形を形成することができるので、
いわゆるポイントビーム方式の電子ビーム露光装置より
も高いスループットを得ることができるという利点を有
している。

しかしながら、かかる電子ビーム露光装！は、ＤＲＡＭ
やＳＲＡＭ等の半導体メモリのように、ある基本パター
ンを繰り返してなる、いわゆる繰り返しパターンを持つ
ものの製造に使用する場合には、繰り返しパターンを形
成するにつき、その基本パターンを１回で露光すること
ができず、矩形や三角形を繰り返して露光することによ
り基本パターンを形成し、以後、この操作を連続して行
う必要があり、必ずしも、高いスルーブツトを得ること
ができないという問題点があった。

そこでまた、従来、第２６図にその概念図を示すような
電子ビーム露光装置が提案されている。

図中、１１は電子銃、１２は電子ビーム、１３はマスク
板（矩形整形アパチャー）、１４は電磁レンズ、１５は
後述するブロックパターンを選択するためのブロックパ
ターン選択用偏向器、１６はブロックマスク（ステンシ
ルマスク）、１７は縮小レンズ系、１８はウェハであり
、ブロックマスク１６は、基板１９に種々の透過パター
ン、いわゆるブロックパターン（マスクパターンとも称
される）２０を形成して構成されている。なお、第２７
図はブロックパターン２０の一例の平面図である。

かかる電子ビーム露光装置は、繰り返して使用する頻度
の高い基本パターンを予めブロックマスク１６にブロッ
クパターン２０として形成しておくことにより、繰り返
しパターンの基本パターンを１回の露光で行えるように
し、スルーブツトの向上を図ろうとするものである。確
かに、かかる電子ビーム露光装置によれば、繰り返しパ
ターンを形成する必要があるものに対する露光を行う場
合には、スループットの向上を図ることができる。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、ブロックマスク１６に形成することがで
きるブロックパターン２０の数にはおのずから限界があ
り、また、ブロックマスク１６の大きさにも限界がある
ことから、第２６図従来例のように、光軸上にブロック
マスク１６を１個のみ配置して構成される電子ビーム露
光装置においては、ワンショットで形成できるパターン
として、現在以上の数のパターンが求められているにも
拘らず、これに応えることができないという問題点があ
った。

なお、この場合、複数のブロックマスクを用意し、これ
を差し替えるようにすることによって、ワンショットで
形成できるパターンの種類を増加する方法がある。しか
し、このようにする場合には、ブロックマスクの差し替
えに時間がかかり、かえって、スルーブツトの低下を招
いてしまうという問題点があった。

本発明は、かかる点に鑑み、ワンショットで形成できる
パターンの種類を増加し、スループットの向上を図るこ
とができるようにした電子ビーム露光装置等、荷電粒子
ビーム露光装置を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明による荷電粒子ビーム露光装置は、光軸上に、荷
電粒子ビーム発生源側から順に、１個の透過パターンを
形成してなる第１のマスク板及び複数の透過パターンを
形成してなる第２、第３・・・第ｎのマスク板（但し、
ｎ＝３以上の整数）を配置し、前記荷電粒子ビーム発生
源から発生する荷電粒子ビームを偏向し、前記第１、第
２・・・第ｎのマスク板の透過パターンの種々の重ね合
わせを実現することにより、前記荷電粒子ビームを所望
の形状に整形するように構成される荷電粒子ビーム露光
装置を改良するものであって、上記目的は、次の第１〜
第３の発明のいずれによっても達成することができる。

第１の発明は、前記マスク板のうち、少なくとも２つの
マスク板の透過パターンの重ね合わせにより可変整形ビ
ームを形成し、更に、この可変整形ビームを他のマスク
板の透過パターンの所望領域に照射して所望の形状に形
成することができるように構成するというものである。

第２の発明は、前記第２、第３・・・第ｎのマスク板の
少なくとも１個の透過パターンは、左右対称、上下対称
あるいは回転対称のいずれかのパターンを含むように構
成するというものである。

第３の発明は、第２、第３・・・第ｎのマスク板の少な
くとも１個の透過パターンは、繰り返しパターンの両端
に非繰り返しパターンを有してなるパターンを露光する
ために設け、繰り返しパターンの基本パターンに対応す
る透過パターンの両端に、非繰り返しパターンに対応す
る透過パターンを形成した部分を含むように構成すると
いうものである。

［作用］ 本発明中、第１の発明においては、マスク板のうち、少
なくとも２つのマスク板の透過パターンの重ね合わせに
より可変整形ビームを形成し、更に、この可変整形ビー
ムを他のマスク板の透過パターンの所望領域に照射して
所望の形状に形成することができるように構成される。

即ち、種々の形状、種々のサイズの荷電粒子ビームを前
記他のマスク板の透過パターンの種々の位置に部分的に
照射することにより種々のパターンを形成することがで
きる。したがって、この第１の発明によれば、ワンショ
ットで形成できるパターンの種類の増加を図ることがで
きる。

また、第２の発明においては、第２、第３・第ｎのマス
ク板の少なくとも〕−個の透過パターンは、左右対称、
上下対称あるいは回転対称のいずれかのパターンを含む
ように構成される。ここに例えば、左右対称のパターン
を含んで構成される場合には、１個の基本的なパターン
につき、左右対称の２種の透過パターンを別個独立に形
成する必要がない。上下対称又は回転対称のパターンに
ついても同様のことが言える。また、左右対称、上下対
称及び回転対称のパターンを含んて構成される場合には
、１個の基本的なパターンにつき、基本パターン、左右
対称、上下対称、回転対称の４種の透過パターンを別個
、独立に形成する必要がない。したがって、この第２の
発明によれば、必要なパターンの圧縮を効率的に行うこ
とができ、その分、マスク板に他の形状の透過パターン
を余分に形成することができるので、ワンショットで形
成できるパターンの種類の増加を図ることができる。

また、第３の発明においては、第２、第３・第ｎのマス
ク板の少なくとも１個の透過パターンは、繰り返しパタ
ーンの両端に非繰り返しパターンを有してなるパターン
を露光するために設け、繰り返しパターンの基本パター
ンに対応する透過パターンの両端に、非繰り返しパター
ンに対応する透過パターンを形成した部分を含むように
構成される。即ち、１つのパターンで３種類のパターン
を形成することができる。したがって、この場合にも、
必要なパターンの効率的な圧縮を行うことができ、その
分、マスク板に他の形状の透過パターンを余分に形成す
ることができるので、ワンヨツトで形成できるパターン
の種類の増加を図ることができる。

［実施例コ 以下、第１図〜第２４図を参照して、本発明の一実施例
につき、本発明を電子ビーム露光装置に適用した場合を
例にして説明する。

第１図は本発明の一実施例の要部を示す概念図である。

二二に、図中、２１は電子ビーム発生源である電子銃で
あり、この電子銃２１は、カンード電極２２、グリッド
電極２３、アノード電極２４を設けて構成されている。

また、２５は電子ビーム、２６は電子ビーム２５を矩形
に整形する矩形整形アパーチャ（第１のマスク板）であ
って、その中央部に矩形の透過パターン２６Ａが形成さ
れている。

また、２７は矩形整形された電子ビーム２５を収束する
電磁レンズ、２８は可変矩形整形用の偏向器、２９は電
子ビーム２５を平行ビーム化する電磁レンズである。

また、３０は第１のブロックマスク（第２のマスク板）
、３１は第２のブロックマスク（第３のマスク板）、３
２はマスク移動機構であり、これら第１、第２のブロッ
クマスク３０．３１はマスク移動機構によって水平方向
に移動可能にされている。これら第１、第２のブロック
マスク３０．３１は、第２図に示すように、基板３３上
にエリアと呼ばれる領域３４を設けると共に、このエリ
ア３４に、第２図、第３図に示すようにブロックと呼ば
れる領域３５を設け、このブロック３５に所望の透過パ
ターン、いわゆるブロックパターン３６を形成して構成
されている。ここに、エリア３４は、電子ビーム２５を
偏向できる領域であり、したがって、第１、第２のブロ
ックマスク３０．３１におけるエリア３４の選択は、マ
スク移動機構３２による第１、第２のブロックマスク３
０．３１の移動により行われる。

また、３７．３８は電子ビーム２５を偏向して第１のブ
ロックマスク３０のブロックパターン３６を選択するた
めの偏向器、３９．４０は第１のブロックマスク３０の
ブロックパターン３６を通過した電子ビーム２５を偏向
して第２のブロックマスク３１のブロックパターン３６
を選択するための偏向器、４１．４２は第２のブロック
マスク３１のブロックパターン３６を通過した電子ビー
ム２５の位置を光軸に戻すための偏向器である。

また、４３は電磁レンズ２９により平行ビーム化された
電子ビーム２５を収束する電磁レンズ、４４は電子ビー
ム２５の遮断、通過を制御するブランキング電極、４５
は縮小レンズ、４６は絞りアパーチャ、４７．４８は投
影レンズ、４９は電磁偏向器からなるメインデフレクタ
、５０は静電偏向器からなるサブデフレクタ、５１は試
料であるウェハ、５２はウェハステージである。

かかる本実施例は、偏向器３７．３８．３９．４０によ
る電子ビーム２５の偏向を通して、矩形整形アパーチャ
２６の矩形スリットと、第１のブロックマスク３０のブ
ロックパターン３６と、第２のブロックマスク３１のブ
ロックパターン３６との重ね合わせを実現することによ
り、電子ビーム２５を所望のパターンに整形しようとす
るものである。

ここに、第４図は、いわゆるメモリパターンの一例の一
部を示す平面図であり、図中、５３はメモリセル部、５
４はメモリセル部５３と５３との間を接続する接続部、
５５はメモリセル部５３とセル周辺パターン部とを接続
する接続部である。

なお、メモリパターンには、この第４図で示すパターン
と左右対称、上下対称のパターンが存在するのが一般的
である。

ところで、第４図に示すパターンは、例えば、第５図に
破線で示すように、６個のパターン５６〜６１に分割す
ることができる。なお、６２は繰り返しパターンである
部分を示している。そこで、本実施例においては、第１
のブロックマスク３０には、第６図〜第９図に示すよう
なブロックパターン６３〜６６を形成すると共に、第２
のブロックマスク３１には、第１０図、第１１図に示す
ようなブロックパターン６７．６８を形成する。

ここに、ブロックパターン６７は、その一部に第５図に
示すパターン中、パターン５６．５７．５８に対応する
透過パターン５６Ａ、５７Ａ、５８Ａのみならず、透過
パターン５７Ａと上下対称の関係にある透過パターン５
７Ｃと、透過パターン５８Ａと上下対称の関係にある透
過パターン５８Ｃとを形成して構成されている。

また、ブロックパターン６８は、その一部に、第５図に
示すパターン中、パターン５つ、６０．６１に対応する
透過パターン５９Ａ、６０Ａ、６１Ａのみならず、透過
パターン５９Ａと左右対称の関係にある透過パターン５
９Ｂと、透過パターン６０Ａと左右対称の関係にある透
過パターン６０Ｂと、透過パターン６１．　Ａと左右対
称の関係にある透過パターン６１Ｂと、透過パターン６
１Ａと上下対称の関係にある透過パターン６１Ｃと、透
過パターン６１Ａと回転対称の関係にある透過パターン
６１Ｄとを形成して構成されている。

ここに、第５図に示すメモリパターン中、６個のパター
ン５６〜６１等を形成する場合につき説明する。

まず、パターン５６は、電子ビーム２５を偏向して、矩
形整形アパチャー２６の透過パターン２６Ａ（第１図参
照）と、第１のブロックマスク３０のブロックパターン
６３（第６図参照）と、第２のブロックマスク３１のブ
ロックパターン６７（第１０図参照）とを、第１２図に
示すように重ね合わせることによって形成することがで
きる。

また、パターン５７は、電子ビーム２５を偏向して、矩
形整形アパチャー２６の透過パターン２６Ａ（第１図参
照）と、第１のブロックマスク３０のブロックパターン
６３（第６図参照）と、第２のブロックマスク３１のブ
ロックパターン６７（第１０図参照）とを、第１３図に
示すように重ね合わせることにより形成することができ
る。

また、パターン５８は、電子ビーム２５を偏向して、矩
形整形アパチャー２６の透過パターン２６Ａ（第１図参
照）と、第１のブロックマスク３０のブロックパターン
６３（第６図参照）と、第２のブロックマスク３１のブ
ロックパターン６７（第１０図参照）とを、第１４図に
示すように重ね合わせることにより形成することができ
る。

また、パターン５９は、電子ビーム２５を偏向して、矩
形整形アパチャー２６の透過パターン２６Ａ（第１図参
照）と、第１のブロックマスク３０のブロックパターン
６４（第７図参照）と、第２のブロックマスク３１のブ
ロックパターン６８（第１１図参照）とを、第１５図に
示すように重ね合わせることにより形成することができ
る。

また、パターン６０は、電子ビーム２５を偏向して、矩
形整形アパチャー２６の透過パターン２６Ａ（第１図参
照）と、第１のブロックマスク３０のブロックパターン
６５（第８図参照）と、６８（第１１図参照）とを、第
１６図に示すように重ね合わせることにより形成するこ
とができる。

また、パターン６１は、電子ビーム２５を偏向して、矩
形整形アパチャー２６の透過パターン２６Ａ（第１図参
照）と、第１のブロックマスク３０のブロックパターン
６６（第９図参照）と、第２のブロックマスク３１のブ
ロックパターン６８（第１１図参照）とを、第１７図に
示すように重ね合わせることにより形成することができ
る。

また、パターン５７と上下対称の関係にあるパターンは
、電子ビーム２５を偏向して、矩形整形アパチャー２６
の透過パターン２６Ａ（第１図参照）と、第１のブロッ
クマスク３０のブロックパターン６３（第６図参照）と
、第２のブロックマスク３１のブロックパターン６７（
第１０図参照）とを、第１８図に示すように重ね合わせ
ることにより形成することができる。

また、パターン５８と上下対称の関係にあるパターンは
、電子ビーム２５を偏向して、矩形整形アパチャー２６
の透過パターン２６Ａ（第１図参照）と、第１のブロッ
クマスク３０のブロックパターン６３（第６図参照）と
、第２のブロックマスク３１のブロックパターン６７（
第１０図参照）とを、第１９図に示すように重ね合わせ
ることにより形成することができる。

また、パターン５９と左右対称の関係にあるパターンは
、電子ビーム２５を偏向して、矩形整形アパチャー２６
の透過パターン２６Ａ（第１図参照）と、第１のブロッ
クマスク３０のブロックパターン６４（第７図参照）と
、第２のブロックマスク３１のブロックパターン６８（
第１１図参照）とを、第２０図に示すように重ね合わせ
ることにより形成することができる。

また、パターン６０と左右対称の関係にあるパターンは
、電子ビーム２５を偏向して、矩形整形アパチャー２６
の透過パターン２６Ａ（第１図参照）と、第１のブロッ
クマスク３０のブロックパターン６５（第８図参照）と
、第２のブロックマスク３１のブロックパターン６８（
第１１図参照）とを、第２１図に示すように重ね合わせ
ることにより形成することができる。

また、パターン６１と左右対称の関係にあるパターンは
、電子ビーム２５を偏向して、矩形整形アパチャー２６
の透過パターン２６Ａ（第１図参照）と、第１のブロッ
クマスク３０のブロックパターン６６（第９図参照）と
、第２のブロックマスク３１のブロックパターン６８（
第１１図参照）とを、第２２図に示すように重ね合わせ
ることにより形成することができる。

また、パターン６１と上下対称の関係にあるパターンは
、電子ビーム２５を偏向して、矩形整形アパチャー２６
の透過パターン２６Ａ（第１図参照）と、第１のブロッ
クマスク３０のブロックパターン６６（第９図参照）と
、第２のブロックマスク３１のブロックパターン６８（
第１１図参照）とを、第２３図に示すように重ね合わせ
ることにより形成することができる。

また、パターン６１と回転対称の関係にあるパターンは
、電子ビーム２５を偏向して、矩形整形アパチャー２６
の透過パターン２６Ａ（第１図参照）と、第１のブロッ
クマスク３０のプロ・ンクパターン６６（第９図参照）
と、第２のプロ・ンクマスク３１のブロックパターン６
８（第１１図参照）とを、第２４図に示すように重ね合
わせることにより形成することができる。

このように、本実施例においては、電子ビーム２５を３
種類のサイズの矩形に整形してプロ・ンクパターン６７
に部分的に照射し、パターン５６．５７．５９を形成す
る場合に、電子ビーム２５の３種類のサイズの矩形への
整形を矩形整形アパーチャ２６とブロックパターン６３
との重ね合わせで行うことができ、かかる３種類のサイ
ズの矩形のブロックパターンを形成しておく必要がない
。

また、本実施例においては、ブロックパターン６７（第
１０図参照）は、第５図例における繰り返しパターン６
２を構成する基本パターン５６に対応するパターン５６
Ａの両端に非繰り返しパターン５７．５８に対応するパ
ターン５７Ａ、５８Ａを形成して構成されているので、
これらのパターン５７Ａ、５８Ａを別個独立に形成して
おく必要がない。

また、このブロックパターン６７は、パターン５７Ａ、
５８Ａの部分につき、上下対称の関係にあるパターン５
７Ｃ１５８Ｃを形成して構成されているので、これらの
パターン５７Ｃ１５８Ｃを別個、独立に形成しておく必
要がない。

また、ブロックパターン６８（第１１図参照）は、パタ
ーン５９Ａ、６０Ａの部分につき、左右対称の関係にあ
るパターン５９Ｂ、６０Ｂを形成しているので、これら
のパターン５９Ｂ、６０Ｂを別個、独立に形成する必要
がない、また、パターン６１Ａの部分につき、左右対称
の関係にあるパターン６１Ｂ、上下対称の関係にあるパ
ターン６１Ｃ１回転対称の関係にあるパターン６１Ｄの
部分を有して形成されているので、これらのパターン６
１Ｂ、６１Ｃ１６１Ｄを別個、独立に形成しておく必要
がない。

以上のように、本実施例によれば、電子ビーム２５を可
変矩形に整形し、これを第２のブロックパターンに部分
的に照射できるようにされており、また、ブロックパタ
ーンの効率的な圧縮も行われているので、第２のブロッ
クマスク３１に他の形状の透過パターンを余分に形成す
ることができるようにされている。したがって、ワンシ
ョットで形成できるパターンの種類を増加し、スルーブ
ツトの向上を図ることができる。

［発明の効果コ 本発明中、第１の発明によれば、種々の形状、種々のサ
イズの荷電粒子ビームをマスク板の透過パターンの種々
の位置に部分的に照射することにより種々のパターンを
形成することができるように構成されるので、ワンショ
ットで形成できるパターンの種類の増加を図ることがで
きる。

また、第２の発明によれば、第２、第３・・・第ｎのマ
スク板の少なくとも１個の透過パターンは、左右対称、
上下対称あるいは回転対称のいずれかのパターンを含む
ように構成し、必要な透過パターンの圧縮を効率的に行
うようにしており、その分、マスク板に他の形状の透過
パターンを余分に形成することができるようにされてい
るので、ワンショットで形成できるパターンの種類の増
加を図ることができる。

また、第３の発明によれば、第２、第３・・・第ｎのマ
スク板の少なくとも１個の透過パターンは、繰り返しパ
ターンの両端に非繰り返しパターンを有してなるパター
ンを露光するために設け、繰り返しパターンの基本パタ
ーンに対応する透過パターンの両端に、非繰り返しパタ
ーンに対応する透過パターンを形成した部分を含むよう
に構成し、この場合も、必要なパターンの圧縮を効率的
に行うようにしており、その分、マスク板に他の形状の
透過パターンを余分に形成することができるようにされ
ているので、ワンショットで形成できるパターンの種類
の増加を図ることができる。

したがって、本発明中、第１〜第３の発明のいずれによ
っても、ワンショットで形成することができるパターン
の種類を増加し、スルーブツトの向上を図ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の要部を示す概念図、第２図
はブロックマスクの平面図、 第３図はブロックマスクの１つのエリアを示す平面図、 第４図はメモリパターンの一例の一部を示す平面図、 第５図はメモリパターンの一例の一部を６個のパターン
に分割した例を示す図、 第６図〜第９図は第１のブロックマスクに形成すべきブ
ロックパターンの例を示す平面図、第１０図、第１１図
は第２のブロックマスクに形成すべきブロックパターン
の例を示す平面図、第１２図〜第２４図はメモリパター
ンの一例の一部を構成するパターンを形成する方法を示
す図、第２５図は従来の電子ビーム露光装置の一例の要
部を示す概念図、 第２６図は従来の電子ビーム露光装置の他の例の要部を
示す概念図、 第２７図は第２６図例で使用されているブロックマスク
に形成されているブロックパターンの一例を示す平面図
である。 ２６・・・矩形整形アパーチャ （第１のマスク板） ３０・・・第１のブロックマスク （第２のマスク板） ３１・第２のブロックマスク （第３のマスク板） −へ＼ 代理人　弁理士　井桁貞−−タ） ブロックマスク３０．３１の平面図 第２図 本発明の一部ｍ例の要部 第１図 ブロックマスク父、３１の１つのエリアを示す平面図第
３図 メモリパターンの一例の一部 第１のブロックマスク（資）に形成すべきブロックパタ
ーン第６図 第１のブロックマスク父に形成すべきブロックパターン
第７図 第１のブロックマスク父に形成すべきブロックパターン
第８図 ６個のパターンに分割した例 第１のブロックマスク３０に形成すべきプロ・ｙクツ＜
ターン第９図 第２のブロックマスク３１に形成すべきブロックパター
ン第１０図 第２のブロックマスク３１に形成すべきブロックパター
ン第１１図 パターン５８の形成方法 第１４図 パターン５９の形成方法 第１５図 パターン５６の形成方法 第１２図 パターン５７の形成方法 第１３図 パターン印の形成方法 第１６図 Ｌ−−１−−−−Ｊ’−”−−−−”−Ｊ−−−−”’
−−−パターン６１の形成方法 第１７図 パターン５７と上下対称間係にあるパターンの形成方法
第１８図 パターン５８と上下対称関係にあるパターンの形成方法
第１９図 パターン５９と左右対称関係にあるパターンの形成方法
第２０図 パターン６１と上下対称関係にあるパターンの形成方法
第２３図 パターン６１と回転対称関係にあるパターンの形成方法
第２４図 バター７印と左右対称関係にあるパターンの形成方法第
２１図 パターン６１と左右対称関係にあるパターンの形成方法
第２２図 Ｑ〜１ ト２ 従来の電子ビーム露光装置の一例の要部第２５図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）光軸上に、荷電粒子ビーム発生源側から順に、１
   個の透過パターンを形成してなる第１のマスク板及び複
   数の透過パターンを形成してなる第２、第３・・・第ｎ
   のマスク板（但し、ｎ＝３以上の整数）を配置し、 前記荷電粒子ビーム発生源から発生する荷電粒子ビーム
   を偏向し、前記第１、第２・・・第ｎのマスク板の透過
   パターンの種々の重ね合わせを実現することにより、前
   記荷電粒子ビームを所望の形状に整形するように構成さ
   れる荷電粒子ビーム露光装置において、 前記マスク板のうち、少なくとも２つのマスク板の透過
   パターンの重ね合わせにより可変整形ビームを形成し、
   更に、この可変整形ビームを他のマスク板の透過パター
   ンの所望領域に照射することにより所望の形状に整形す
   ることができるように構成されていることを特徴とする
   荷電粒子ビーム露光装置。
2. （２）光軸上に、荷電粒子ビーム発生源側から順に、１
   個の透過パターンを形成してなる第１のマスク板及び複
   数の透過パターンを形成してなる第２、第３・・・第ｎ
   のマスク板（但し、ｎ＝３以上の整数）を配置し、 前記荷電粒子ビーム発生源から発生する荷電粒子ビーム
   を偏向し、前記第１、第２・・・第ｎのマスク板の透過
   パターンの種々の重ね合わせを実現することにより、前
   記荷電粒子ビームを所望の形状に整形するように構成さ
   れる荷電粒子ビーム露光装置において、 前記第２、第３・・・第ｎのマスク板の少なくとも１個
   の透過パターンは、左右対称、上下対称あるいは回転対
   称のいずれかのパターンを含んで構成されていることを
   特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。
3. （３）光軸上に、荷電粒子ビーム発生源側から順に、１
   個の透過パターンを形成してなる第１のマスク板及び複
   数の透過パターンを形成してなる第２、第３・・・第ｎ
   のマスク板（但し、ｎ＝３以上の整数）を配置し、 前記荷電粒子ビーム発生源から発生する荷電粒子ビーム
   を偏向し、前記第１、第２・・・第ｎのマスク板の透過
   パターンの種々の重ね合わせを実現することにより、前
   記荷電粒子ビームを所望の形状に整形するようになされ
   ている荷電粒子ビーム露光装置において、 前記第２、第３・・・第ｎのマスク板の少なくとも１個
   の透過パターンは、繰り返しパターンの両端に非繰り返
   しパターンを有してなるパターンを露光するために設け
   られており、前記繰り返しパターンの基本パターンに対
   応する透過パターンの両端に、前記非繰り返しパターン
   に対応する透過パターンを形成した部分を含んで構成さ
   れていることを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。
4. （４）請求項１、２又は３記載の荷電粒子ビーム露光装
   置を用いてパターンを描画することを特徴とする荷電粒
   子ビーム露光方法。