JPH04100384A - Ｔ・ｄ・ｉ動作固体撮像装置 - Google Patents
Ｔ・ｄ・ｉ動作固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH04100384A JPH04100384A JP2217337A JP21733790A JPH04100384A JP H04100384 A JPH04100384 A JP H04100384A JP 2217337 A JP2217337 A JP 2217337A JP 21733790 A JP21733790 A JP 21733790A JP H04100384 A JPH04100384 A JP H04100384A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vertical
- gate electrode
- potential
- photoelectric conversion
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/152—One-dimensional array CCD image sensors
Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、Ｔ−Ｄ−Ｉ動作を行なう一次元固体撮像装
置に関し、その性能改善を図ったものに関するものであ
る。
置に関し、その性能改善を図ったものに関するものであ
る。
従来、−次元固体撮像装置を用い、高速で移動する物体
を観測する場合、出力信号のＳ／Ｎ比が劣化するという
問題点があった。これは、光電変換部における信号電荷
の蓄積時間が短かすぎ、観測像に対応する信号電荷量が
少なくなってしまうことに原因がある。そこで、この問
題を解決するために、光電変換部上を移動する観測像に
よって生じる信号電荷のうち、同じ観測像に対応する信
号電荷どうしを加え合わせることによって出力信号のＳ
／Ｎ比を向上させようという考えが提案された。このよ
うな動作をＴ−Ｄ ・Ｉ （Ｔｉｍｅ ＤｅｌＡｙＩ
ｎ ｔｅｇｒａ ｔ ｉｏｎ ）動作と呼び、この動作
は一次元固体撮像装置においてのみ有効なものである。
を観測する場合、出力信号のＳ／Ｎ比が劣化するという
問題点があった。これは、光電変換部における信号電荷
の蓄積時間が短かすぎ、観測像に対応する信号電荷量が
少なくなってしまうことに原因がある。そこで、この問
題を解決するために、光電変換部上を移動する観測像に
よって生じる信号電荷のうち、同じ観測像に対応する信
号電荷どうしを加え合わせることによって出力信号のＳ
／Ｎ比を向上させようという考えが提案された。このよ
うな動作をＴ−Ｄ ・Ｉ （Ｔｉｍｅ ＤｅｌＡｙＩ
ｎ ｔｅｇｒａ ｔ ｉｏｎ ）動作と呼び、この動作
は一次元固体撮像装置においてのみ有効なものである。
以下このＴ−Ｄ・Ｉ動作の固体撮像装置を図について説
明する。
明する。
第３図は従来のＴ−Ｄ・１方式の一次元固体撮像装置の
構成図を示し、図において、ｌは撮像装置の入射する光
に応じた信号電荷を蓄積する光電変換部、２は電荷結合
素子（以下、略してＣＣＤと呼ぶ）で構成され、光電変
換部１で生じた信号電荷を垂直方向へ転送する垂直電荷
転送部（以下、略して垂直ＣＣＤと呼ぶ）、３は垂直Ｃ
ＣＤ２と同様にＣＣＤで構成され、垂直ＣＣＤ２で転送
されてきた信号電荷を受は取り水平方法へ転送する水平
電荷転送部（以下略して水平ＣＣＤと呼ぶ）、４は光電
変換部１と垂直ＣＣＤ２との間に設けられ、光電変換部
ｌの信号電荷を垂直Ｃ０Ｄ２へ転送するのを制御するた
めのトランスファーゲート、５は水平ＣＣＤ３で転送さ
れた信号電荷を出力するための出力部である。なお図中
、矢印は撮像装置上に結像された観測像が移動する方向
を示している。またＡ−Ｄは観測像の一部が結像される
領域である。
構成図を示し、図において、ｌは撮像装置の入射する光
に応じた信号電荷を蓄積する光電変換部、２は電荷結合
素子（以下、略してＣＣＤと呼ぶ）で構成され、光電変
換部１で生じた信号電荷を垂直方向へ転送する垂直電荷
転送部（以下、略して垂直ＣＣＤと呼ぶ）、３は垂直Ｃ
ＣＤ２と同様にＣＣＤで構成され、垂直ＣＣＤ２で転送
されてきた信号電荷を受は取り水平方法へ転送する水平
電荷転送部（以下略して水平ＣＣＤと呼ぶ）、４は光電
変換部１と垂直ＣＣＤ２との間に設けられ、光電変換部
ｌの信号電荷を垂直Ｃ０Ｄ２へ転送するのを制御するた
めのトランスファーゲート、５は水平ＣＣＤ３で転送さ
れた信号電荷を出力するための出力部である。なお図中
、矢印は撮像装置上に結像された観測像が移動する方向
を示している。またＡ−Ｄは観測像の一部が結像される
領域である。
今、観測像の一部が領域Ａに結像されているとする。こ
の観測像の一部を０．とすると、領域Ａの光電変換部１
には観測像Ｏ１に応じた電荷が蓄積される。蓄積された
信号電荷は観測像０１が領域Ａから領域Ｂへ移動する間
にトランスファーゲート４がＯＮ状態となり、垂直ＣＣ
Ｄ２へ読み出される。読み出された信号電荷は垂直ＣＣ
Ｄ２内を垂直方向へ転送される。このときの転送速度は
観測像の移動速度に等しい。
の観測像の一部を０．とすると、領域Ａの光電変換部１
には観測像Ｏ１に応じた電荷が蓄積される。蓄積された
信号電荷は観測像０１が領域Ａから領域Ｂへ移動する間
にトランスファーゲート４がＯＮ状態となり、垂直ＣＣ
Ｄ２へ読み出される。読み出された信号電荷は垂直ＣＣ
Ｄ２内を垂直方向へ転送される。このときの転送速度は
観測像の移動速度に等しい。
つづいて、観測像ＯＩが領域Ｂへ達すると、この領域Ｂ
の光電変換部１に観測像０１に対応した信号電荷が蓄積
される。これは領域Ａの光電変換部ｌに蓄積された信号
ｉｉｔ荷に等しい。このとき、領域Ａには次の観測像０
．が結像されている。そして領域Ｂの光電変換部１で蓄
積された信号電荷は、所定の蓄積時間の後に観測像Ｏ２
が領域Ｂから領域Ｃへ移動する間にトランスファゲート
が°゛ＯＮ”状態になり、光電変換部１から垂直ＣＣＤ
２へ読み出され、垂直ＣＣＤ２のこの部分へ転送されて
きたＮ５ｔｉ Ａで読み出された信号電荷と加え合わさ
れる。これにより観測像０．に対応した信号電荷量は２
倍になる。従って、光電変換部ｌを垂直方向にｎ個並べ
てこの動作をｎ回繰り返すと信号電荷量はｎ倍、ショッ
トノイズはＪｎ倍となる。そしてこのようにして垂直Ｃ
０Ｄ２内で積算されｎ倍になった信号電荷は水平ＣＣＤ
３へ移された後、出力部５へ転送され出力される。
の光電変換部１に観測像０１に対応した信号電荷が蓄積
される。これは領域Ａの光電変換部ｌに蓄積された信号
ｉｉｔ荷に等しい。このとき、領域Ａには次の観測像０
．が結像されている。そして領域Ｂの光電変換部１で蓄
積された信号電荷は、所定の蓄積時間の後に観測像Ｏ２
が領域Ｂから領域Ｃへ移動する間にトランスファゲート
が°゛ＯＮ”状態になり、光電変換部１から垂直ＣＣＤ
２へ読み出され、垂直ＣＣＤ２のこの部分へ転送されて
きたＮ５ｔｉ Ａで読み出された信号電荷と加え合わさ
れる。これにより観測像０．に対応した信号電荷量は２
倍になる。従って、光電変換部ｌを垂直方向にｎ個並べ
てこの動作をｎ回繰り返すと信号電荷量はｎ倍、ショッ
トノイズはＪｎ倍となる。そしてこのようにして垂直Ｃ
０Ｄ２内で積算されｎ倍になった信号電荷は水平ＣＣＤ
３へ移された後、出力部５へ転送され出力される。
このようにＴ−Ｄ・Ｉ動作をｎ回繰り返し行うと、垂直
ＣＣＤＺ内の信号電荷のＳ／Ｎ比はＩｎｎ倍善されるこ
とになる。
ＣＣＤＺ内の信号電荷のＳ／Ｎ比はＩｎｎ倍善されるこ
とになる。
従来のＴ−Ｄ・Ｉ動作の一次元固体撮像装置において、
光電変換部をｎ個並べると、垂直ＣＣＤ部分にはＴ−Ｄ
・■動作を行わないものに比べ、ｎ倍の信号電荷が蓄積
されることになるが、もし垂直ＣＣＤの容量が従来の一
次元固体撮像装置のものと同等のままだとすると垂直Ｃ
ＣＤ内で電荷のあふれ出しが生じ、観察像が正しく認識
されないブルーミングという現象が発生する。従って、
Ｔ−Ｄ・■動作を行う場合は垂直ＣＣＤの容量を大きく
しなければならないことになる。ＣＣＤの容量がＣＣＤ
の面積に比例するとすれば、このことは垂直ＣＣＤの面
積を大きくすることに他ならない、ここで上記充電変換
部とそれに対応するトランスファゲート、そして垂直Ｃ
ＣＤで構成される部分を基本セル（以下、略して画素と
呼ぶ）とすると、−射的な固体撮像装置における感度の
基準となる開口率は次のように定義できる。すなわち、
画素面積に対する光電変換部の占める面積の割合が開口
率となる。このことから、画素内部において光電変換部
以外の面積が小さければ小さい程、開口率が大きくなり
、感度も向上することがわかる。従って、従来のＴ−Ｄ
・Ｉ動作を行う装置ではブルーミング防止のために、垂
直ＣＣＤの面積を大きくすることで撮像装置の開口率を
小さくしてしまい、結果的にＴ−Ｄ・１動作を行なう目
的の感度の向上を妨げてしまうという欠点があった。
光電変換部をｎ個並べると、垂直ＣＣＤ部分にはＴ−Ｄ
・■動作を行わないものに比べ、ｎ倍の信号電荷が蓄積
されることになるが、もし垂直ＣＣＤの容量が従来の一
次元固体撮像装置のものと同等のままだとすると垂直Ｃ
ＣＤ内で電荷のあふれ出しが生じ、観察像が正しく認識
されないブルーミングという現象が発生する。従って、
Ｔ−Ｄ・■動作を行う場合は垂直ＣＣＤの容量を大きく
しなければならないことになる。ＣＣＤの容量がＣＣＤ
の面積に比例するとすれば、このことは垂直ＣＣＤの面
積を大きくすることに他ならない、ここで上記充電変換
部とそれに対応するトランスファゲート、そして垂直Ｃ
ＣＤで構成される部分を基本セル（以下、略して画素と
呼ぶ）とすると、−射的な固体撮像装置における感度の
基準となる開口率は次のように定義できる。すなわち、
画素面積に対する光電変換部の占める面積の割合が開口
率となる。このことから、画素内部において光電変換部
以外の面積が小さければ小さい程、開口率が大きくなり
、感度も向上することがわかる。従って、従来のＴ−Ｄ
・Ｉ動作を行う装置ではブルーミング防止のために、垂
直ＣＣＤの面積を大きくすることで撮像装置の開口率を
小さくしてしまい、結果的にＴ−Ｄ・１動作を行なう目
的の感度の向上を妨げてしまうという欠点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、Ｔ−Ｄ・Ｉ動作を行ってもブルーミングを防
止できるとともに、開口率を下げることなく動作感度の
向上を図ることができるＴ・Ｄ・Ｉ動作−次元固体撮像
装置を得ることを目的とする。
たもので、Ｔ−Ｄ・Ｉ動作を行ってもブルーミングを防
止できるとともに、開口率を下げることなく動作感度の
向上を図ることができるＴ・Ｄ・Ｉ動作−次元固体撮像
装置を得ることを目的とする。
この発明に係るＴ−Ｄ・■動作固体撮像装置は、垂直Ｃ
ＣＤ内を転送されなからＴ−Ｄ・Ｉ動作により電荷量が
順次増加していく信号電荷に対して、その信号電荷に含
まれる背景成分に対応した電荷を除去する領域を垂直Ｃ
ＣＤに設けたものであり、これにより垂直ＣＣＤ内を転
送される信号電荷の増加量を効果的に抑え、それにより
ブルーミングを発生することなく垂直ＣＣＤの容量を小
さくすることができ、従って１画素内における垂直ＣＣ
Ｄの占める面積を小さくすることができ、開口率を大き
くして、Ｔ−Ｄ・Ｉ動作感度を向上させることができる
。
ＣＤ内を転送されなからＴ−Ｄ・Ｉ動作により電荷量が
順次増加していく信号電荷に対して、その信号電荷に含
まれる背景成分に対応した電荷を除去する領域を垂直Ｃ
ＣＤに設けたものであり、これにより垂直ＣＣＤ内を転
送される信号電荷の増加量を効果的に抑え、それにより
ブルーミングを発生することなく垂直ＣＣＤの容量を小
さくすることができ、従って１画素内における垂直ＣＣ
Ｄの占める面積を小さくすることができ、開口率を大き
くして、Ｔ−Ｄ・Ｉ動作感度を向上させることができる
。
この発明における固体撮像装置は、垂直ＣＣＤ内を転送
されなからＴ−Ｄ−Ｉ動作により電荷量が順次増加して
いく信号電荷から、この信号電荷に含まれる背景光成分
に対応した電荷を除去する背景信号電荷除去領域を垂直
ＣＣＤに設けたので、光電変換部で読み出された信号電
荷は垂直ＣＣＤ内の背景信号電荷除去領域を通過する毎
に余分な電荷が除去され、垂直ＣＣＤ内の信号電荷の増
加を最低限に抑えることができ、この結果、垂直ＣＣＤ
の容量を大きくすることなしに、即ち開口率を小さくす
ることなく、ブルーミングの発生を伴なわず動作感度の
よいＴ−Ｄ・Ｉ動作固体撮像装置を得るこことができる
。
されなからＴ−Ｄ−Ｉ動作により電荷量が順次増加して
いく信号電荷から、この信号電荷に含まれる背景光成分
に対応した電荷を除去する背景信号電荷除去領域を垂直
ＣＣＤに設けたので、光電変換部で読み出された信号電
荷は垂直ＣＣＤ内の背景信号電荷除去領域を通過する毎
に余分な電荷が除去され、垂直ＣＣＤ内の信号電荷の増
加を最低限に抑えることができ、この結果、垂直ＣＣＤ
の容量を大きくすることなしに、即ち開口率を小さくす
ることなく、ブルーミングの発生を伴なわず動作感度の
よいＴ−Ｄ・Ｉ動作固体撮像装置を得るこことができる
。
［実施例］
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明に一実施例によるＴ−Ｄ・Ｉ動作固体撮
像素子の構成図を示し、第３図と同一符号は同一または
相当部分を示し、６は垂直Ｃ０Ｄ２の適当な場所に複数
個設けられた背景信号電荷引き去り部である。なお図中
矢印は撮像装置上に結像された観測像が移動する方向を
示している。
像素子の構成図を示し、第３図と同一符号は同一または
相当部分を示し、６は垂直Ｃ０Ｄ２の適当な場所に複数
個設けられた背景信号電荷引き去り部である。なお図中
矢印は撮像装置上に結像された観測像が移動する方向を
示している。
また、Ａ−Ｅは観測像の一部が結像される領域である。
また第２図は第１図における背景信号電荷引き去り部６
の詳細な構成図を示し、図において、ｌＯ〜１３は信号
電荷が垂直Ｃ０Ｄ２内を転送するための垂直ＣＣＤゲー
ト電極、１４は上記垂直ＣＣＤｌ０〜１３内の信号電荷
が転送されるｎ型領域、２１は背景信号電荷引き去り部
６に転送されてきた信号電荷を蓄積するための蓄積ゲー
ト電極、２２は背景信号電荷が除去された信号電荷を後
段の垂直ＣＣＤへ転送するのをコントロールするための
電荷転送コントロールゲート電極、２３は垂直ＣＣＤよ
り転送されてきた信号電荷から背景信号電荷を除去する
ための電荷除去コントロールゲート電極、２４は上記第
２のコントロールゲート電極で除去された信号電荷を排
出するためのドレイン（ｎ型領域）である、第２図の断
面図を第４図に示す。
の詳細な構成図を示し、図において、ｌＯ〜１３は信号
電荷が垂直Ｃ０Ｄ２内を転送するための垂直ＣＣＤゲー
ト電極、１４は上記垂直ＣＣＤｌ０〜１３内の信号電荷
が転送されるｎ型領域、２１は背景信号電荷引き去り部
６に転送されてきた信号電荷を蓄積するための蓄積ゲー
ト電極、２２は背景信号電荷が除去された信号電荷を後
段の垂直ＣＣＤへ転送するのをコントロールするための
電荷転送コントロールゲート電極、２３は垂直ＣＣＤよ
り転送されてきた信号電荷から背景信号電荷を除去する
ための電荷除去コントロールゲート電極、２４は上記第
２のコントロールゲート電極で除去された信号電荷を排
出するためのドレイン（ｎ型領域）である、第２図の断
面図を第４図に示す。
この図（ａ）、 （ｂ）はそれぞれ第２図の線１−ＩＩ
、 ＸＹに沿った断面図であり、図において３１はゲ
ート酸化膜、３２は垂直ＣＣＤｎ型領域、３３はｐ型半
導体基板、３４は分離用酸化膜である。
、 ＸＹに沿った断面図であり、図において３１はゲ
ート酸化膜、３２は垂直ＣＣＤｎ型領域、３３はｐ型半
導体基板、３４は分離用酸化膜である。
次に動作について説明する。
今、観測像の一部が領域Ａに結像されているとする。こ
の観測像の一部をＯＩとすると領域Ａの光電変換部１に
は観測像Ｏ３に応じた電荷が蓄積される。この蓄積され
た信号電荷は観測像０．が領域Ａから領域Ｂへ移動する
間にトランスファーゲート４がＯＮ状態となり垂直Ｃ０
Ｄ２へ読み出される。読み出された信号電荷は垂直Ｃ０
Ｄ２内を垂直方向へ転送される。このときの転送速度は
観測像の移動速度に等しい。
の観測像の一部をＯＩとすると領域Ａの光電変換部１に
は観測像Ｏ３に応じた電荷が蓄積される。この蓄積され
た信号電荷は観測像０．が領域Ａから領域Ｂへ移動する
間にトランスファーゲート４がＯＮ状態となり垂直Ｃ０
Ｄ２へ読み出される。読み出された信号電荷は垂直Ｃ０
Ｄ２内を垂直方向へ転送される。このときの転送速度は
観測像の移動速度に等しい。
続いて、観測像０１が領域Ｂへ達すると、この領域Ｂの
光電変換部１に観測像Ｏ１に対応した信号電荷が蓄積さ
れる。これは領域Ａの光電変換部ｌに蓄積された信号電
荷に等しい。このとき、領域Ａには次の観測像０．が結
像されている。そして領域Ｂの光電変換部１で蓄積され
た信号電荷は観測像０．が領域Ｂから領域Ｃへ移動する
間に領域Ａで読み出された信号電荷が、領域Ｂの光電変
換部ｌに対応した垂直Ｃ０Ｄ２の部分へ転送されてくる
タイミングでトランスファーゲートが“ＯＮ”状態にな
り、光電変換部１から垂直ＣＣＤ２へ読み出され、領域
Ａで読み出された信号電荷と加え合わせられる。これに
より観測像ＯＩに対応した信号電荷量は２倍になる。領
域Ｃにおいても領域Ｂと同様なことが起こり、領域Ｃの
光電変換部１に対応した垂直ＣＣＯ２部分で観測像０１
に対応した信号電荷は加え合わされて、もとの３倍の電
荷量になる。この信号電荷は観測像０１が領域Ｃから領
域りへ移動する間に観測像Ｏ２の移動速度と同じ速度で
垂直ＣＣＤＺ内を垂直方向へ転送され、背景信号電荷引
き去り部６にて余分な信号電荷が除去される。
光電変換部１に観測像Ｏ１に対応した信号電荷が蓄積さ
れる。これは領域Ａの光電変換部ｌに蓄積された信号電
荷に等しい。このとき、領域Ａには次の観測像０．が結
像されている。そして領域Ｂの光電変換部１で蓄積され
た信号電荷は観測像０．が領域Ｂから領域Ｃへ移動する
間に領域Ａで読み出された信号電荷が、領域Ｂの光電変
換部ｌに対応した垂直Ｃ０Ｄ２の部分へ転送されてくる
タイミングでトランスファーゲートが“ＯＮ”状態にな
り、光電変換部１から垂直ＣＣＤ２へ読み出され、領域
Ａで読み出された信号電荷と加え合わせられる。これに
より観測像ＯＩに対応した信号電荷量は２倍になる。領
域Ｃにおいても領域Ｂと同様なことが起こり、領域Ｃの
光電変換部１に対応した垂直ＣＣＯ２部分で観測像０１
に対応した信号電荷は加え合わされて、もとの３倍の電
荷量になる。この信号電荷は観測像０１が領域Ｃから領
域りへ移動する間に観測像Ｏ２の移動速度と同じ速度で
垂直ＣＣＤＺ内を垂直方向へ転送され、背景信号電荷引
き去り部６にて余分な信号電荷が除去される。
この背景信号電荷引き去り部６の動作を第５図及び第６
図を用いて詳述する。第５図は第２図における各ゲート
電極に印加されるクロックパルスタイミング図であり、
クロックパルスφ１はゲート電極１０．１２に、クロッ
クパルスφ２はゲート電極１１．１３に、クロックパル
スφ、は蓄積ゲート電極２１に、クロックパルスφ４は
電荷転送コントロール電極２２に、クロックパルスφ５
は電荷除去コントロールゲート電極２３に印加される。
図を用いて詳述する。第５図は第２図における各ゲート
電極に印加されるクロックパルスタイミング図であり、
クロックパルスφ１はゲート電極１０．１２に、クロッ
クパルスφ２はゲート電極１１．１３に、クロックパル
スφ、は蓄積ゲート電極２１に、クロックパルスφ４は
電荷転送コントロール電極２２に、クロックパルスφ５
は電荷除去コントロールゲート電極２３に印加される。
第６図は第２図に対応したポテンシャル図であり、図に
おいてＴ Ｉ””” Ｔ ？は第５図におけるタイミン
グＴ、〜Ｔ、に対応している。また、ａ２ｂ、ｃは信号
電荷を表し、ａはＴ−Ｄ・■動作で増加した信号電荷、
ｂは背景信号電荷、Ｃは背景信号電荷すが引き去られた
後の状態の信号電荷である。
おいてＴ Ｉ””” Ｔ ？は第５図におけるタイミン
グＴ、〜Ｔ、に対応している。また、ａ２ｂ、ｃは信号
電荷を表し、ａはＴ−Ｄ・■動作で増加した信号電荷、
ｂは背景信号電荷、Ｃは背景信号電荷すが引き去られた
後の状態の信号電荷である。
今、タイミングＴ、において、ゲート電極１０゜１１に
印加されるクロックパルスφ１．φ２は高電位なので、
これらのゲート電極下にはポテンシャル開戸が形成され
、この開戸に垂直ＣＣＤ２を転送されてきた信号電荷が
蓄えられる。
印加されるクロックパルスφ１．φ２は高電位なので、
これらのゲート電極下にはポテンシャル開戸が形成され
、この開戸に垂直ＣＣＤ２を転送されてきた信号電荷が
蓄えられる。
タイミングＴ１からＴ２へ変化する時点において、クロ
ックパルスφ１の電位は低下し、クロックパルスφ３の
電位が上昇する。これに伴い、ゲート電極１０下のポテ
ンシャルは上昇し、蓄積ゲート電極２１下のポテンシャ
ルは低下する。これによってポテンシャル開戸は図に示
すように変化し、その結果、信号電位がゲート電極１０
．１１の下からゲート電極１１．２１へ移動する。
ックパルスφ１の電位は低下し、クロックパルスφ３の
電位が上昇する。これに伴い、ゲート電極１０下のポテ
ンシャルは上昇し、蓄積ゲート電極２１下のポテンシャ
ルは低下する。これによってポテンシャル開戸は図に示
すように変化し、その結果、信号電位がゲート電極１０
．１１の下からゲート電極１１．２１へ移動する。
そしてタイミングＴ２からＴ、へ変化する時点において
、クロックパルスφ２の電位は低下し、クロックパルス
φ４の電位は上昇する。これに伴い、ポテンシャル開戸
は図に示すように変化する。
、クロックパルスφ２の電位は低下し、クロックパルス
φ４の電位は上昇する。これに伴い、ポテンシャル開戸
は図に示すように変化する。
このとき、クロックパルスφ４の電位は電荷転送コント
ロールゲート電極２２下のポテンシャルが蓄積ゲート電
極２１のそれより高くなるようコントロールされる。こ
のポテンシャルの差を利用して背景信号電荷を除去する
。
ロールゲート電極２２下のポテンシャルが蓄積ゲート電
極２１のそれより高くなるようコントロールされる。こ
のポテンシャルの差を利用して背景信号電荷を除去する
。
タイミングＴ、からＴ４へ変化する時点において、クロ
ックパルスφ１の電位は上昇し、ゲート電極１２下にポ
テンシャルの開戸が形成され、蓄積ゲート電極２１下と
電荷転送コントロールゲート電極２２下に蓄えられてい
た信号電荷の一部Ｃがゲート電極１２下へ移動する。こ
のとき、蓄積ゲート電極２１下のポテンシャルと電荷転
送コントロールゲート電極２２下のポテンシャルには図
に示すようにその深さに差があるので、蓄積ゲート電極
２１下にはポテンシャルの差に応じた信号電荷すが残さ
れる。
ックパルスφ１の電位は上昇し、ゲート電極１２下にポ
テンシャルの開戸が形成され、蓄積ゲート電極２１下と
電荷転送コントロールゲート電極２２下に蓄えられてい
た信号電荷の一部Ｃがゲート電極１２下へ移動する。こ
のとき、蓄積ゲート電極２１下のポテンシャルと電荷転
送コントロールゲート電極２２下のポテンシャルには図
に示すようにその深さに差があるので、蓄積ゲート電極
２１下にはポテンシャルの差に応じた信号電荷すが残さ
れる。
タイミングＴ４からＴ、へ変化する時点において、クロ
ックパルスφ５の電位が上昇し、クロックパルスφ４の
電位が低下する。これに伴い、電荷除去コントロールゲ
ート電極２３下のポテンシャルは低下し、電荷転送コン
トロールゲート電極２２下のポテンシャルは上昇する。
ックパルスφ５の電位が上昇し、クロックパルスφ４の
電位が低下する。これに伴い、電荷除去コントロールゲ
ート電極２３下のポテンシャルは低下し、電荷転送コン
トロールゲート電極２２下のポテンシャルは上昇する。
この結果、蓄積ゲー）を極２１下に残された信号電荷す
はドレイン２４へ排出される。
はドレイン２４へ排出される。
タイミングＴ５からＴ、へ変化する時点では、クロック
パルスφ、の電位が低下し、蓄積ゲート電極２Ｉ下のポ
テンシャルが上昇する。この結果、蓄積ゲート電極２１
下の信号電荷は完全に排出される。また、このときクロ
ックパルスφオの電位は上昇し、ゲート電極１３下にポ
テンシャル囲戸が形成される。この結果、ゲート電極１
２下に蓄えられていた信号電荷Ｃはゲート電極１３の下
へも移動する。
パルスφ、の電位が低下し、蓄積ゲート電極２Ｉ下のポ
テンシャルが上昇する。この結果、蓄積ゲート電極２１
下の信号電荷は完全に排出される。また、このときクロ
ックパルスφオの電位は上昇し、ゲート電極１３下にポ
テンシャル囲戸が形成される。この結果、ゲート電極１
２下に蓄えられていた信号電荷Ｃはゲート電極１３の下
へも移動する。
タンミングＴ６からＴ７へ変化する時点において、クロ
ックパルスφ、の電位が低下し、電荷除去コントロール
ゲート電極２３下のポテンシャルは上昇する。これによ
り背景信号を排出するゲートが閉じられる。
ックパルスφ、の電位が低下し、電荷除去コントロール
ゲート電極２３下のポテンシャルは上昇する。これによ
り背景信号を排出するゲートが閉じられる。
このように、電荷転送コントロールゲート電極２２に印
加されるクロックパルスφ４の電位をコントロールする
ことで、うまく背景信号電荷を除去することができる。
加されるクロックパルスφ４の電位をコントロールする
ことで、うまく背景信号電荷を除去することができる。
次にこのクロックパルスφ４の電位のコントロール量に
ついて説明する。まず、光検出器の前面を黒い紙でおお
う。次に光検出器を通常に動作させながら、クロックパ
ルスφ４の電位を変化させ、水平〇ＣＤの出力がわずか
たけ出力されるようにする。このときのクロックパルス
φ、の電位の値が背景信号を除去するために電荷転送コ
ントロールゲート電極２２に印加するべき値である。
ついて説明する。まず、光検出器の前面を黒い紙でおお
う。次に光検出器を通常に動作させながら、クロックパ
ルスφ４の電位を変化させ、水平〇ＣＤの出力がわずか
たけ出力されるようにする。このときのクロックパルス
φ、の電位の値が背景信号を除去するために電荷転送コ
ントロールゲート電極２２に印加するべき値である。
このようにして、背景信号電荷を除去された信号電荷は
水平ＣＣＤ２を垂直方向へ転送される。
水平ＣＣＤ２を垂直方向へ転送される。
上記した処理を繰り返された信号電荷は垂直ＣＣＤ２か
ら水平ＣＣＤ３へ移動され、水平ＣＣＤ３を出力部４へ
と転送され出力される。
ら水平ＣＣＤ３へ移動され、水平ＣＣＤ３を出力部４へ
と転送され出力される。
次に本発明の他の実施例について説明する。
この実施例では背景信号電荷除去を電荷除去コントロー
ルゲート電極２３で行なうようにしたもので、第７図な
いし第１０図を用いて詳述すると、この場合、背景信号
電荷引き去り部は６′で示される領域となり、タイミン
グＴ、において、ゲート電極１０．１１に印加されるク
ロックパルスφ３．φ２はともに高電位となっているの
で、ゲート電極１０．１１下にはポテンシャル開戸が形
成され垂直ＣＣＤ２より転送されてきた信号電荷が蓄え
られる。また、電荷除去コントロールゲート電極２３に
は常に一定の電位が印加されており、このゲート電極の
下のポテンシャルは印加された電位に対応した分だけ低
くなっている。
ルゲート電極２３で行なうようにしたもので、第７図な
いし第１０図を用いて詳述すると、この場合、背景信号
電荷引き去り部は６′で示される領域となり、タイミン
グＴ、において、ゲート電極１０．１１に印加されるク
ロックパルスφ３．φ２はともに高電位となっているの
で、ゲート電極１０．１１下にはポテンシャル開戸が形
成され垂直ＣＣＤ２より転送されてきた信号電荷が蓄え
られる。また、電荷除去コントロールゲート電極２３に
は常に一定の電位が印加されており、このゲート電極の
下のポテンシャルは印加された電位に対応した分だけ低
くなっている。
タイミングＴ１からＴ２へ変化する時点において、クロ
ックパルスφ１の電位は低下し、蓄積ゲート２１に印加
されるクロックパルスφ、の電位が上昇する。これに伴
って、ゲート電極下に形成されるポテンシャル開戸はＴ
ｔに示すように変化する。その結果、信号電荷ａはゲー
ト電極１０゜１１の下へ移動する。
ックパルスφ１の電位は低下し、蓄積ゲート２１に印加
されるクロックパルスφ、の電位が上昇する。これに伴
って、ゲート電極下に形成されるポテンシャル開戸はＴ
ｔに示すように変化する。その結果、信号電荷ａはゲー
ト電極１０゜１１の下へ移動する。
タイミングＴ、からＴ、へ変化する時点において、クロ
ックパルスφ２の電位は低下し、ゲート電極１１下にあ
った信号電荷ａは蓄積ゲート電極２１下へ移動する。こ
のとき電荷除去コントロールゲート電極２３のポテンシ
ャルは少し低くなっているので、蓄積ゲート電極２１に
集められた信号電荷の一部はこの電荷除去コントロール
ゲート電極２３のポテンシャルを越えてドレイン２４へ
あふれ出す、あふれ出した信号電荷すはドレイン２４よ
り排出される。
ックパルスφ２の電位は低下し、ゲート電極１１下にあ
った信号電荷ａは蓄積ゲート電極２１下へ移動する。こ
のとき電荷除去コントロールゲート電極２３のポテンシ
ャルは少し低くなっているので、蓄積ゲート電極２１に
集められた信号電荷の一部はこの電荷除去コントロール
ゲート電極２３のポテンシャルを越えてドレイン２４へ
あふれ出す、あふれ出した信号電荷すはドレイン２４よ
り排出される。
従って、上記実施例と同様、この電荷除去コントロール
ゲート電極２３に印加される電位をコントロールするこ
とで、蓄積ゲート電極２１下に蓄えられている信号電荷
ａの一部を除去することができる。除去するべき信号電
荷量を背景信号電荷量に一致させる方法は上記実施例に
示したとおりである。ただしこの実施例において出力を
コントロールするには、電荷除去コントロールゲート電
極２３に印加される電位をコントロールすればよい、こ
のようにして、一部の信号電極を除去された信号電荷Ｃ
は蓄積ゲート電極２１下に蓄えられている（第１０図Ｔ
３−４）。
ゲート電極２３に印加される電位をコントロールするこ
とで、蓄積ゲート電極２１下に蓄えられている信号電荷
ａの一部を除去することができる。除去するべき信号電
荷量を背景信号電荷量に一致させる方法は上記実施例に
示したとおりである。ただしこの実施例において出力を
コントロールするには、電荷除去コントロールゲート電
極２３に印加される電位をコントロールすればよい、こ
のようにして、一部の信号電極を除去された信号電荷Ｃ
は蓄積ゲート電極２１下に蓄えられている（第１０図Ｔ
３−４）。
そしてタイミングＴ、からＴ４へ変化する時点において
、電荷転送コントロールゲート電極２２に印加されるク
ロックパルスφ４の電位が上昇し、第１０図タイミング
Ｔ４に示すように蓄積ゲート電極２１下の信号電荷が電
荷転送コントロールゲート電極２２下への移動する。
、電荷転送コントロールゲート電極２２に印加されるク
ロックパルスφ４の電位が上昇し、第１０図タイミング
Ｔ４に示すように蓄積ゲート電極２１下の信号電荷が電
荷転送コントロールゲート電極２２下への移動する。
タイミングＴ４からＴ、へ変化する時点において、クロ
ックパルスφ、の電位が低下し、ゲート電極１２に印加
されるクロックパルスφ、の電位が上昇する。これに伴
って、ゲート電極１２下のポテンシャルが第１０図タイ
ミングＴ、に示すように変化し、その結果、信号電荷が
ゲート電極２２．１２下へ移動する。
ックパルスφ、の電位が低下し、ゲート電極１２に印加
されるクロックパルスφ、の電位が上昇する。これに伴
って、ゲート電極１２下のポテンシャルが第１０図タイ
ミングＴ、に示すように変化し、その結果、信号電荷が
ゲート電極２２．１２下へ移動する。
タイミングＴ５からＴ、へ変化する時点において、電荷
転送コントロールゲート電極２２に印加されるクロック
パルスφ４の電位が低下する。その結果、第１０図タイ
ミングＴｂに示すようにポテンシャルが変化し、信号電
荷の移動が行われる。
転送コントロールゲート電極２２に印加されるクロック
パルスφ４の電位が低下する。その結果、第１０図タイ
ミングＴｂに示すようにポテンシャルが変化し、信号電
荷の移動が行われる。
以後の信号電荷の処理については、上記実施例と同様で
ある。
ある。
なお、上記実施例は第１図に示されるように、１列の一
次元固体撮像装置の場合について述べたが、第１１図に
示すように広視野を得るために、垂直方向に１列に並ん
だ光電変換部１．垂直ＣＣＤ２．トランスファーゲート
４．電荷引き去り部６０組を複数列並べた一次元固体撮
像装置についても同様のことが可能である。ただし、こ
の場合観測像が装置上に結像される領域は第１１図に示
すように行方向に長くなる。また、信号電荷の読み出し
、転送、背景信号電荷の引き去りは各組とも同時に行わ
れ、各垂直Ｃ０Ｄ２から水平ＣＣＤ３への読み出された
信号電荷は水平ＣＣＤ内を出力部に近い方から順次出力
されていく、これにより高感度の広視野−次元固体撮像
装置を実現している。
次元固体撮像装置の場合について述べたが、第１１図に
示すように広視野を得るために、垂直方向に１列に並ん
だ光電変換部１．垂直ＣＣＤ２．トランスファーゲート
４．電荷引き去り部６０組を複数列並べた一次元固体撮
像装置についても同様のことが可能である。ただし、こ
の場合観測像が装置上に結像される領域は第１１図に示
すように行方向に長くなる。また、信号電荷の読み出し
、転送、背景信号電荷の引き去りは各組とも同時に行わ
れ、各垂直Ｃ０Ｄ２から水平ＣＣＤ３への読み出された
信号電荷は水平ＣＣＤ内を出力部に近い方から順次出力
されていく、これにより高感度の広視野−次元固体撮像
装置を実現している。
また、上記背景信号電荷引き去り部６は画素間の垂直Ｃ
ＣＤの任意の場所に任意の数だけ設けてもよい。
ＣＤの任意の場所に任意の数だけ設けてもよい。
なお、現段階で実際に用いられている素子のサイズは、
画素サイ１３０μｍ×２０μｍ３画素ピッチ（水平）＝
６０μｍ１画素ピッチ（垂直）２３０８ｍである。
画素サイ１３０μｍ×２０μｍ３画素ピッチ（水平）＝
６０μｍ１画素ピッチ（垂直）２３０８ｍである。
〔発明の効果］
以上のように、この発明に係るＴ−Ｄ・Ｉ動作固体盪像
装置によれば、画素間の垂直ＣＣＤに背景信号電荷を除
去する領域を設けたので、垂直ＣＣＤの容量を大きくす
ることな（、したがって開口率を低下させることなく、
ブルーミングの発生を効果的に抑え、より高感度な動作
を行なうことができる固体撮像装置を得ることができる
という効果がある。
装置によれば、画素間の垂直ＣＣＤに背景信号電荷を除
去する領域を設けたので、垂直ＣＣＤの容量を大きくす
ることな（、したがって開口率を低下させることなく、
ブルーミングの発生を効果的に抑え、より高感度な動作
を行なうことができる固体撮像装置を得ることができる
という効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるＴ−Ｄ・Ｉ動作固体
撮像装置の構成図、第２図はこの発明の一実施例による
Ｔ−Ｄ・Ｉ動作固体撮像装置の背景信号引き去り部の構
成図、第３図は従来の固体撮像装置の構成図、第４図（
ａ）、 （ｂ）はそれぞれ第２図の線Ｉ−ＩＩ、Ｘ−Ｙ
に沿った断面図、第５図はこの発明の一実施例によるＴ
−Ｄ・Ｉ動作固体盪像装置のゲート電極に印加されるク
ロックパルスのタイミング図、第６図はこの発明の一実
施例によるＴ−Ｄ・Ｉ動作固体撮像装置の背景信号電荷
引き去り部のポテンシャル図、第７図は本発明の他の実
施例におけるＴ−Ｄ・■動作固体撮像装置の背景信号引
き去り部の構成図、第８図（ａ）、 （ｂ）はそれぞれ
第７図の線１−Ｉ［、Ｘ−Ｙに沿った断面図、第９図は
本発明の他の実施例におけるＴ−Ｄ・Ｉ動作固体撮像装
置のゲート電極に印加されるクロックパルスのタイミン
グ図、第１０図は本発明の他の実施例におけるＴ−Ｄ・
■動作固体撮像装置の背景信号電荷引き去り部のポテン
シャル図、第１１図は本発明の応用例を示す図である。 ■は光電変換部、２は垂直ＣＣＤ、３は水平ＣＣＤ、４
はトランスファーゲート、５は出力部、６．６′は背景
信号電荷引き去り部、１０〜１２は垂直ＣＣＤゲート電
極、１４は垂直ＣＣＤ電荷転送路、２１は蓄積ゲート電
極、２２はコントロールゲート電極（１）、２３はコン
トロールゲート電極（２）、２４はドレイン、３１はゲ
ート酸化膜、３２は垂直ＣＣＤｎ型領域、３３はｐ型半
導体基板、３４は分離用酸化膜である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
撮像装置の構成図、第２図はこの発明の一実施例による
Ｔ−Ｄ・Ｉ動作固体撮像装置の背景信号引き去り部の構
成図、第３図は従来の固体撮像装置の構成図、第４図（
ａ）、 （ｂ）はそれぞれ第２図の線Ｉ−ＩＩ、Ｘ−Ｙ
に沿った断面図、第５図はこの発明の一実施例によるＴ
−Ｄ・Ｉ動作固体盪像装置のゲート電極に印加されるク
ロックパルスのタイミング図、第６図はこの発明の一実
施例によるＴ−Ｄ・Ｉ動作固体撮像装置の背景信号電荷
引き去り部のポテンシャル図、第７図は本発明の他の実
施例におけるＴ−Ｄ・■動作固体撮像装置の背景信号引
き去り部の構成図、第８図（ａ）、 （ｂ）はそれぞれ
第７図の線１−Ｉ［、Ｘ−Ｙに沿った断面図、第９図は
本発明の他の実施例におけるＴ−Ｄ・Ｉ動作固体撮像装
置のゲート電極に印加されるクロックパルスのタイミン
グ図、第１０図は本発明の他の実施例におけるＴ−Ｄ・
■動作固体撮像装置の背景信号電荷引き去り部のポテン
シャル図、第１１図は本発明の応用例を示す図である。 ■は光電変換部、２は垂直ＣＣＤ、３は水平ＣＣＤ、４
はトランスファーゲート、５は出力部、６．６′は背景
信号電荷引き去り部、１０〜１２は垂直ＣＣＤゲート電
極、１４は垂直ＣＣＤ電荷転送路、２１は蓄積ゲート電
極、２２はコントロールゲート電極（１）、２３はコン
トロールゲート電極（２）、２４はドレイン、３１はゲ
ート酸化膜、３２は垂直ＣＣＤｎ型領域、３３はｐ型半
導体基板、３４は分離用酸化膜である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）半導体基板に配列形成された入射光による信号電
荷を蓄積する複数個の光電変換部と、該光電変換部に蓄
積された信号電荷を垂直方向に読み出すために光電変換
部の列に対応して設けられた垂直ＣＣＤと、 上記光電変換部に蓄積された信号電荷を上記垂直ＣＣＤ
へ読み出すゲート回路手段と、 上記垂直ＣＣＤより転送されてきた信号電荷を出力部へ
転送する水平ＣＣＤとを備え、 上記複数の光電変換部上を順次移動する観測像によって
生じた信号電荷のうち、同じ観測像に対応した信号電荷
を前記垂直ＣＣＤ内で順次加え合わせＳ／Ｎ比を向上す
るようにしたＴ・Ｄ・Ｉ（ＴｉｍｅＤｅｌａｙＩｎｔｅ
ｇｒａｔｉｏｎ）動作を行なう一次元固体撮像装置にお
いて、 垂直ＣＣＤ後段の垂直電荷転送部に背景信号を除去する
背景信号電荷除去領域を設け、信号電荷の垂直転送期間
中に背景信号を除去するようにしたことを特徴とする一
次元Ｔ・Ｄ・Ｉ動作固体撮像装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2217337A JPH04100384A (ja) | 1990-08-17 | 1990-08-17 | Ｔ・ｄ・ｉ動作固体撮像装置 |
| EP91307428A EP0471546A1 (en) | 1990-08-17 | 1991-08-13 | One-dimensional T.D.I. operation solid-state imager |
| US07/745,707 US5225694A (en) | 1990-08-17 | 1991-08-16 | One dimensional t.d.i operation solid-state imager |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2217337A JPH04100384A (ja) | 1990-08-17 | 1990-08-17 | Ｔ・ｄ・ｉ動作固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04100384A true JPH04100384A (ja) | 1992-04-02 |
Family
ID=16702598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2217337A Pending JPH04100384A (ja) | 1990-08-17 | 1990-08-17 | Ｔ・ｄ・ｉ動作固体撮像装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5225694A (ja) |
| EP (1) | EP0471546A1 (ja) |
| JP (1) | JPH04100384A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006095903A1 (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-14 | National University Corporation Toyohashi University Of Technology | 累積型化学・物理現象検出装置 |
| WO2007108465A1 (ja) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | National University Corporation Toyohashi University Of Technology | 累積型化学・物理現象検出方法及びその装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8736924B2 (en) | 2011-09-28 | 2014-05-27 | Truesense Imaging, Inc. | Time-delay-and-integrate image sensors having variable integration times |
| CN107018341B (zh) * | 2017-04-14 | 2020-04-03 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种tdi ccd图像传感器以及驱动方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4173772A (en) * | 1977-12-30 | 1979-11-06 | International Business Machines Corporation | Solid state image scanning system for producing a binary output |
| JPS5846068B2 (ja) * | 1978-02-06 | 1983-10-14 | フエアチヤイルド・カメラ・エンド・インスツルメント・コ−ポレ−シヨン | 電荷結合型装置 |
| US4675549A (en) * | 1978-02-06 | 1987-06-23 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | Black and white reference and end-of-scan indicator for charge coupled devices |
| US4264930A (en) * | 1979-12-10 | 1981-04-28 | International Business Machines Corporation | Charge coupled device incorporating Laplacian thresholding with TDI array |
| US4317134A (en) * | 1980-05-12 | 1982-02-23 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus for pattern noise correction |
| JPS5778167A (en) * | 1980-11-04 | 1982-05-15 | Toshiba Corp | Charge transfer area image sensor |
| US4870293A (en) * | 1988-05-20 | 1989-09-26 | General Electric Company | Extended-width CCD imager array capable of time-delay-integration operation |
| US4949172A (en) * | 1988-09-26 | 1990-08-14 | Picker International, Inc. | Dual-mode TDI/raster-scan television camera system |
-
1990
- 1990-08-17 JP JP2217337A patent/JPH04100384A/ja active Pending
-
1991
- 1991-08-13 EP EP91307428A patent/EP0471546A1/en not_active Withdrawn
- 1991-08-16 US US07/745,707 patent/US5225694A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006095903A1 (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-14 | National University Corporation Toyohashi University Of Technology | 累積型化学・物理現象検出装置 |
| US7826980B2 (en) | 2005-03-11 | 2010-11-02 | National University Corporation Toyohashi University Of Technology | Cumulative chemical/physical phenomenon detecting apparatus |
| WO2007108465A1 (ja) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | National University Corporation Toyohashi University Of Technology | 累積型化学・物理現象検出方法及びその装置 |
| JP2013174602A (ja) * | 2006-03-20 | 2013-09-05 | Toyohashi Univ Of Technology | 累積型化学・物理現象検出装置及びその制御方法 |
| JP5335415B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2013-11-06 | 国立大学法人豊橋技術科学大学 | 累積型化学・物理現象検出方法及びその装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5225694A (en) | 1993-07-06 |
| EP0471546A1 (en) | 1992-02-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1732681B (zh) | 固态成像器件 | |
| US20080049128A1 (en) | Solid-state device for high-speed photographing and camera provided with the solid-state imaging device as imaging device | |
| US7145600B2 (en) | Image pickup apparatus having a plurality of CCDs, charge detecting circuits, and A/D conversion circuits | |
| JP2662455B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2000059688A (ja) | 光電変換装置 | |
| US5748232A (en) | Image sensor and driving method for the same | |
| EP1058313B1 (en) | Solid-state imaging device | |
| JPS58210663A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH04281681A (ja) | Ｘ‐ｙアドレス型固体撮像装置 | |
| JPH04100384A (ja) | Ｔ・ｄ・ｉ動作固体撮像装置 | |
| JP3715781B2 (ja) | 撮像装置 | |
| JPS5847378A (ja) | 撮像素子 | |
| JP2000295530A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0446504B2 (ja) | ||
| JP2005303621A (ja) | 高速撮像装置 | |
| JPS63256068A (ja) | Ｃｃｄ型固体撮像素子を用いた撮像方法 | |
| JP4238398B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3241828B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH04134982A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2003324191A (ja) | 光電変換装置及び撮像装置 | |
| JPS61198981A (ja) | 撮像装置 | |
| JPH0225313B2 (ja) | ||
| JP3177072B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2708416B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS59132655A (ja) | 固体撮像装置 |