JPH04102073A - 電波暗室における測定機器等の移送機構 - Google Patents
電波暗室における測定機器等の移送機構Info
- Publication number
- JPH04102073A JPH04102073A JP22041590A JP22041590A JPH04102073A JP H04102073 A JPH04102073 A JP H04102073A JP 22041590 A JP22041590 A JP 22041590A JP 22041590 A JP22041590 A JP 22041590A JP H04102073 A JPH04102073 A JP H04102073A
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- Japan
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- slit
- anechoic chamber
- ceiling
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は電波暗室の改良に関し、詳しくは電波暗室内で
の実験に供する測定機器、測定対象物等々の必要備品を
利用目的に応じて搬出入することができる電波暗室にお
ける測定機器等の移送機構に関する。
の実験に供する測定機器、測定対象物等々の必要備品を
利用目的に応じて搬出入することができる電波暗室にお
ける測定機器等の移送機構に関する。
（従来の技術）
電波暗室或は電波無響室と呼ばれる施設は、内壁に電波
吸収体を貼り巡らせた部屋であり、この部屋内で各種の
実験を行なう場合には天候、外来電波、建物等の障害物
の影響を受けることがなく、しかも電波が壁面で吸収さ
れて反射波を生じないことから、アンテナの指向性実験
や、電子機器等が放射する電磁波雑音の評価試験に用い
られる。
吸収体を貼り巡らせた部屋であり、この部屋内で各種の
実験を行なう場合には天候、外来電波、建物等の障害物
の影響を受けることがなく、しかも電波が壁面で吸収さ
れて反射波を生じないことから、アンテナの指向性実験
や、電子機器等が放射する電磁波雑音の評価試験に用い
られる。
ところで、電波暗室を用いた実験において測定機器や、
測定対象たるアンテナや電子機器を別のものと入替える
場合には、先ず電波暗室の天井、側壁等の電波吸収体ブ
ロックを一旦取外して大面積の開口を形成した後、床面
に敷詰めた電波吸収体の一部を除去し、然る後前記開口
からクレーン等を暗室内に差入れて測定機器等の入替え
作業を行なうと共にその入替え完了後は再び当該電波吸
収体ブロックを元の位置に戻す必要があった。
測定対象たるアンテナや電子機器を別のものと入替える
場合には、先ず電波暗室の天井、側壁等の電波吸収体ブ
ロックを一旦取外して大面積の開口を形成した後、床面
に敷詰めた電波吸収体の一部を除去し、然る後前記開口
からクレーン等を暗室内に差入れて測定機器等の入替え
作業を行なうと共にその入替え完了後は再び当該電波吸
収体ブロックを元の位置に戻す必要があった。
しかしながら、大型クレーン等を用いた搬出入作業を要
する従来の電波暗室は、搬出入時における作業性が悪い
ばかりか、前記大面積の開口を完全にシールドする為に
は複雑な機構を必然とする故かなりのコストを要し、こ
のコストはほぼ開口面積に比例するものであった。
する従来の電波暗室は、搬出入時における作業性が悪い
ばかりか、前記大面積の開口を完全にシールドする為に
は複雑な機構を必然とする故かなりのコストを要し、こ
のコストはほぼ開口面積に比例するものであった。
このようなところから、側壁に設けた搬出入口と床面上
の機器接地箇所との間を結ぶ線上にレールを敷設し、当
該線上に位置する複数の吸収体ブロックを該レールに沿
って該搬出入口から出入れすることにより、機器の搬出
入作業を容易化したものが提案されている（特公昭６３
−６４０８０号公報）。
の機器接地箇所との間を結ぶ線上にレールを敷設し、当
該線上に位置する複数の吸収体ブロックを該レールに沿
って該搬出入口から出入れすることにより、機器の搬出
入作業を容易化したものが提案されている（特公昭６３
−６４０８０号公報）。
また、実公昭５８−１２４７９号公報には、電波暗室の
床面の下方に機器搬出入路を設け、床面の機器接地箇所
に設けた開口からエレベータ式に機器を出入れする構成
が開示されている。
床面の下方に機器搬出入路を設け、床面の機器接地箇所
に設けた開口からエレベータ式に機器を出入れする構成
が開示されている。
しかしながら、上記公報記載のいずれの電波暗室にあっ
ても側壁に形成した搬出入用開口を測定機器等の出し入
れに十分な面積を有したものとする必要があるため、当
該開口を閉止する際のシールドが容易でなく、シールド
のための機構の複雑化に伴うコストアップを回避するこ
とができなかった。
ても側壁に形成した搬出入用開口を測定機器等の出し入
れに十分な面積を有したものとする必要があるため、当
該開口を閉止する際のシールドが容易でなく、シールド
のための機構の複雑化に伴うコストアップを回避するこ
とができなかった。
また、床面を構成する電波吸収体をいくつかのブロック
に分割して搬出入用開口から出入れするための搬送経路
の構成も複雑大型化することは明らかであった。
に分割して搬出入用開口から出入れするための搬送経路
の構成も複雑大型化することは明らかであった。
（発明の目的）
本発明は一卜述した如き従来の電波暗室の有する欠陥に
鑑みてなされたものであって、測定機器笠の搬出入用大
面積開口にシールドを要せず、従つてシールドに伴うコ
ストを低減し得る電波暗室に於ける測定機器等の移送機
構を提供することを目的とする。
鑑みてなされたものであって、測定機器笠の搬出入用大
面積開口にシールドを要せず、従つてシールドに伴うコ
ストを低減し得る電波暗室に於ける測定機器等の移送機
構を提供することを目的とする。
（発明の概要）
上記目的を達成するため本発明は内壁を電波吸収体で被
覆した電波暗室本体一側壁の外側に導電材によって構成
した測定機器等収納室を連接するとともに、的記−側壁
に搬出入用扉を設け、該電波暗室本体の天井から該測定
機器等収納室の天井にかけて形成したスリットの天井裏
面に沿って測定機器等の懸吊装置を移動可能に支持し、
更に該スリット及び該移送装置を含む空間を導体シール
ド材により密封したものである。
覆した電波暗室本体一側壁の外側に導電材によって構成
した測定機器等収納室を連接するとともに、的記−側壁
に搬出入用扉を設け、該電波暗室本体の天井から該測定
機器等収納室の天井にかけて形成したスリットの天井裏
面に沿って測定機器等の懸吊装置を移動可能に支持し、
更に該スリット及び該移送装置を含む空間を導体シール
ド材により密封したものである。
（発明の実施例）
以下、添付図面に示した好適な実施例に基づいて本発明
の詳細な説明する。
の詳細な説明する。
第１図は本発明の測定機器等の移送機構を適用した電波
暗室の構成例を示す縦断面図及びＡ−Ａ線における拡大
断面図である。
暗室の構成例を示す縦断面図及びＡ−Ａ線における拡大
断面図である。
本図（ａ）に於いて、符号ｌは電波暗室本体であって大
面を導体にて構成した箱の天井２、側壁３及び床４に電
波吸収体５を貼り巡らせたものである。
面を導体にて構成した箱の天井２、側壁３及び床４に電
波吸収体５を貼り巡らせたものである。
断る電波暗室本体ｌの一側壁３の外側には電波暗室本体
Ｉ内で使用する各種測定機器を収納する為の電磁シール
ドされた部屋（以下、測定機器等収納室と称する）６を
連接し、これら両室１及び６の境界壁３の一部を所要面
積の扉７とする。
Ｉ内で使用する各種測定機器を収納する為の電磁シール
ドされた部屋（以下、測定機器等収納室と称する）６を
連接し、これら両室１及び６の境界壁３の一部を所要面
積の扉７とする。
前記測定機器等収納室６は金属の箱体であり。
その側壁８適所には作業員が出入りするのに最低限必要
なサイズの出入口ｒＲ９を設けそのシールドを充分に行
う。
なサイズの出入口ｒＲ９を設けそのシールドを充分に行
う。
又、前記測定機器等搬出入用ｒＲ，７はその暗室本体側
内壁に電波吸収体５を敷詰めておくことはいうまでもな
く、測定機器等１０及びこれらを載置する台座１１を床
面４上の電波吸収体５を越える高さまで吊上げた状態で
通過させ得べく、前記側壁３中の然るべき位置に於いて
十分な高さと幅を備えたものとする。
内壁に電波吸収体５を敷詰めておくことはいうまでもな
く、測定機器等１０及びこれらを載置する台座１１を床
面４上の電波吸収体５を越える高さまで吊上げた状態で
通過させ得べく、前記側壁３中の然るべき位置に於いて
十分な高さと幅を備えたものとする。
上述した如く構成した電波暗室に於いて前記側壁３の前
記測定機器等搬出入用扉７の上縁部に相当する部分を介
して暗室本体１から機器等収納室６の天井にかけてスリ
ット１２を形成し、該スリット１２を貫通して電波暗室
本体１及び測定機器等収納６内に前記測定機器等を載置
した台座１１を懸吊する為のケーブル１３及びその先端
に設けたフック１４を垂下せしめる。前記ケーブル１３
の他端は詳細な図示を省略したホイスト１５のケーブル
巻回機構に接続し、当該ホイスト１５は電波暗室本体】
から測定機器等収納室６の天井裏面に於いて前記スリッ
ト１２に沿って配置したレール１６上を走行し得るよう
構成する。
記測定機器等搬出入用扉７の上縁部に相当する部分を介
して暗室本体１から機器等収納室６の天井にかけてスリ
ット１２を形成し、該スリット１２を貫通して電波暗室
本体１及び測定機器等収納６内に前記測定機器等を載置
した台座１１を懸吊する為のケーブル１３及びその先端
に設けたフック１４を垂下せしめる。前記ケーブル１３
の他端は詳細な図示を省略したホイスト１５のケーブル
巻回機構に接続し、当該ホイスト１５は電波暗室本体】
から測定機器等収納室６の天井裏面に於いて前記スリッ
ト１２に沿って配置したレール１６上を走行し得るよう
構成する。
尚、１７は前記レール１６及びこれに沿って走行するホ
イスト１５を風雨から守る為の単なる屋根である。
イスト１５を風雨から守る為の単なる屋根である。
又、前記測定機器等収納室６の天井に設けた電波吸収体
５は当該室６の天井のスリット１２からの電磁波の侵入
を防止する為当該スリットの両側に沿って所要列だけ配
置したものである。
５は当該室６の天井のスリット１２からの電磁波の侵入
を防止する為当該スリットの両側に沿って所要列だけ配
置したものである。
以上の如く構成した電波暗室に於いては図からも明らか
な如く測定機器等１０を載置した台座ｌｌを電波暗室本
体ｌと測定機器等収納室６との間で移動する場合には単
に前記両室間の境界を構成する扉７を開放し、前記ホイ
スト１５から垂下するフック１４にて前記台座１１を所
要の高度まで吊り上げ然る後にホイスト１５を所定の位
置まで移動すればよく、この移動には殆んど人力を要し
ないことが理解されよう。
な如く測定機器等１０を載置した台座ｌｌを電波暗室本
体ｌと測定機器等収納室６との間で移動する場合には単
に前記両室間の境界を構成する扉７を開放し、前記ホイ
スト１５から垂下するフック１４にて前記台座１１を所
要の高度まで吊り上げ然る後にホイスト１５を所定の位
置まで移動すればよく、この移動には殆んど人力を要し
ないことが理解されよう。
ところでこのような電波暗室の電磁シールドの完全性に
ついて検討するに、先ず電波暗室本体１から測定機器等
収納室６にかけてこれら両室に天井に設けたスリット１
２から電磁波が侵入する虞れがあるように思われるが、
該スリット１２の両側に電波吸収体５が密植されている
ので前記の危虞は実質的に問題とならない程度に押える
ことが可能であるし、前記測定機器等収納室に設ける人
孔程度の扉９のシールドを完璧に行えば電波暗室本体ｌ
との境界壁を構成する大面積の扉７に対しては格別のシ
ールドは不要であるからシールドの完壁を期す為膨大な
コストを要しない。
ついて検討するに、先ず電波暗室本体１から測定機器等
収納室６にかけてこれら両室に天井に設けたスリット１
２から電磁波が侵入する虞れがあるように思われるが、
該スリット１２の両側に電波吸収体５が密植されている
ので前記の危虞は実質的に問題とならない程度に押える
ことが可能であるし、前記測定機器等収納室に設ける人
孔程度の扉９のシールドを完璧に行えば電波暗室本体ｌ
との境界壁を構成する大面積の扉７に対しては格別のシ
ールドは不要であるからシールドの完壁を期す為膨大な
コストを要しない。
以上本発明の基本的実施例について説明したがより一層
厳密な電磁シールドを要求される場合には第２図に示す
如く前記ホイスト】５が走行する空間を導体カヴァ１８
で密閉すればよい。
厳密な電磁シールドを要求される場合には第２図に示す
如く前記ホイスト】５が走行する空間を導体カヴァ１８
で密閉すればよい。
この際当該導体カヴァ１８は例えば前記測定機器等収納
室６の天井裏面の一部に於いては、ネジ化めするように
しホイスト１５のメンテナンスに便ならしむるようにし
た方がよかろう。
室６の天井裏面の一部に於いては、ネジ化めするように
しホイスト１５のメンテナンスに便ならしむるようにし
た方がよかろう。
以上本発明をその一実施例を以って説明したが本発明が
この実施例にのみ限定されるものでないことは自明であ
る。
この実施例にのみ限定されるものでないことは自明であ
る。
即ち、図示した電波吸収体５はもっとも一般的な中空コ
ーン状樹脂中にフェライト粉を分散すると共にその基底
部にフェライト板を設けたものであるが、これは板状或
はその他の形状の電波吸収体であってもよい。
ーン状樹脂中にフェライト粉を分散すると共にその基底
部にフェライト板を設けたものであるが、これは板状或
はその他の形状の電波吸収体であってもよい。
又、上述の説明中にある測定機器等とは特性を測定すべ
きアンテナ等の被測定装置を含む概念であることも自明
である。
きアンテナ等の被測定装置を含む概念であることも自明
である。
（発明の効果）
本発明に係る電波暗室の測定機器等移送機構は上述した
如く構成するものであるから電波暗室本体に設ける必要
がある測定機器等搬出入用の大面８Ｉ！Ｒに格別の電磁
シールドを施こす必要がない故電波暗室全体の建設コス
トを大幅に低減することが可能となるのみならず、電波
暗室本体から測定機器等収納室に亙りホイストを移動自
在に設けたので測定機器等の移動に殆んど人力を要せず
作業の能率と安全性とを向上する上でも極めて効率的で
ある。
如く構成するものであるから電波暗室本体に設ける必要
がある測定機器等搬出入用の大面８Ｉ！Ｒに格別の電磁
シールドを施こす必要がない故電波暗室全体の建設コス
トを大幅に低減することが可能となるのみならず、電波
暗室本体から測定機器等収納室に亙りホイストを移動自
在に設けたので測定機器等の移動に殆んど人力を要せず
作業の能率と安全性とを向上する上でも極めて効率的で
ある。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図はその
電磁シールドを改善した実施例を示す部分断面図である
。 ｌ・・・電波暗室本体、２・・・天井、３・・・側壁、
４・・・床、５・・・電波吸収体、６・・・測定機器等
収納室、７・・・扉、】０．１１・・・測定機器等、１
２・・・スリット、１３・・・懸吊具、１５・・・移送
装置、１８・・・導体力バー
電磁シールドを改善した実施例を示す部分断面図である
。 ｌ・・・電波暗室本体、２・・・天井、３・・・側壁、
４・・・床、５・・・電波吸収体、６・・・測定機器等
収納室、７・・・扉、】０．１１・・・測定機器等、１
２・・・スリット、１３・・・懸吊具、１５・・・移送
装置、１８・・・導体力バー
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）天井、側壁及び床を電波吸収体で被覆した電波暗室
本体と、該電波暗室本体一側壁の外側に連設し、導体に
てシールドした測定機器等の収納室とを備え、前記電波
暗室と測定機器等の収納室との境界を構成する一側壁に
は測定機器搬出入用扉を、又前記電波暗室の天井から前
記測定機器等の収納室天井にかけてスリットを形成する
と共に上記両室天井裏面に於いて前記スリットに沿つて
測定機器等を懸吊するホイストを備えた移送装置を移動
自在に配置し、前記ホイストから前記スリットを介して
前記両室内に垂下する懸吊具によって測定機器等を懸吊
移動し得るようにしたことを特徴とする電波暗室におけ
る測定機器等の移送機構。 （２）前記スリット及びこれに沿って移動する移送装置
を前記両室の天井裏面に於いて全体的に覆う導体カヴァ
でシールトドしたことを特徴とする請求項（１）記載の
電波暗室における測定機器等の移送機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22041590A JPH04102073A (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 電波暗室における測定機器等の移送機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22041590A JPH04102073A (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 電波暗室における測定機器等の移送機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04102073A true JPH04102073A (ja) | 1992-04-03 |
Family
ID=16750756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22041590A Pending JPH04102073A (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 電波暗室における測定機器等の移送機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04102073A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5407853A (en) * | 1988-11-09 | 1995-04-18 | Hitachi, Ltd. | Method of making semiconductor integrated circuit device having single-element type non-volatile memory elements |
| US5532704A (en) * | 1993-06-15 | 1996-07-02 | Siepel-Societe Industrielle D'etudes Et Protection Electroique | Device for positioning antennas inside a measurment chamber of the anechoic or of the semi-anechoic type |
-
1990
- 1990-08-21 JP JP22041590A patent/JPH04102073A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5656522A (en) * | 1986-05-26 | 1997-08-12 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device having single-element type non-volatile memory elements |
| US5656839A (en) * | 1986-05-26 | 1997-08-12 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device having single-element type nonvolatile memory elements |
| US5407853A (en) * | 1988-11-09 | 1995-04-18 | Hitachi, Ltd. | Method of making semiconductor integrated circuit device having single-element type non-volatile memory elements |
| US5629541A (en) * | 1988-11-09 | 1997-05-13 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor memory device constituted by single transistor type non-volatile cells and facilitated for both electrical erasing and writing of data |
| US5904518A (en) * | 1988-11-09 | 1999-05-18 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor IC device having single transistor type nonvolatile memory cells |
| US6255690B1 (en) | 1988-11-09 | 2001-07-03 | Hitachi, Ltd. | Non-volatile semiconductor memory device |
| US6451643B2 (en) | 1988-11-09 | 2002-09-17 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device having non-volatile memory cell portion with single transistor type memory cells and peripheral portion with MISFETs |
| US6777282B2 (en) | 1988-11-09 | 2004-08-17 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing a semiconductor memory device having a memory cell portion including MISFETs with a floating gate and a peripheral circuit portion with MISFETs |
| US6960501B2 (en) | 1988-11-09 | 2005-11-01 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing a semiconductor memory device having a non-volatile memory cell portion with single misfet transistor type memory cells and a peripheral circuit portion with misfets |
| US7071050B2 (en) | 1988-11-09 | 2006-07-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device having single-element type non-volatile memory elements |
| US7399667B2 (en) | 1988-11-09 | 2008-07-15 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device having single-element type non-volatile memory elements |
| US5532704A (en) * | 1993-06-15 | 1996-07-02 | Siepel-Societe Industrielle D'etudes Et Protection Electroique | Device for positioning antennas inside a measurment chamber of the anechoic or of the semi-anechoic type |
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