JPH04103147A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JPH04103147A
JPH04103147A JP22153290A JP22153290A JPH04103147A JP H04103147 A JPH04103147 A JP H04103147A JP 22153290 A JP22153290 A JP 22153290A JP 22153290 A JP22153290 A JP 22153290A JP H04103147 A JPH04103147 A JP H04103147A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
gnd
power supply
vdd
chip
Prior art date
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Pending
Application number
JP22153290A
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English (en)
Inventor
Soichi Ito
伊藤 荘一
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路に関し、特に電源系配線がチッ
プ内のブロックを矩形状にとり囲んで形成された半導体
集積回路に関する。
〔従来の技術〕
従来の半導体集積回路の電源系配線の布設は、人手設計
によるいわばゲースバイゲースで最適の布設状態をとる
ものを除き、例えばゲートアレイのようにチップ内部全
域に亘って予め人手にて布設固定された“作り付は配線
°′や、或いはスタンダードセルのポリセル列上で、ポ
リセルの個々の構成ブロック内に布設された電源配線が
ポリセル列構成時に自ずとつながる°゛1次元状配線”
などの構成がとられ、これらの領域中の一部に例えばメ
モリなどの大きなマクロブロックを配置する時にはその
マクロブロックの持つ電源系配線と前記“作り付は配線
゛や“1次元状配線”とを人手で互いに接続するか、或
いは第3図に示すようにマクロブロックの外周をとり囲
むようにGND配線と電源配線とを予めマクロブロック
に布設しておき、それらに前記“作り付は配線”や“1
次元状配線”をぶつけてその部分で接続する自動接続方
法が採られている。
ここで、マクロブロックの外周をとり囲むGND配線と
電源配線の相対位置は第4図(a)に示すように、従来
、マクロブロックの矩形状の中心に対して線対称になる
ように布設されており、例えば矩形状のあらゆる辺で外
側がGND配線、内側が電源配線といった構造、或いは
縦方向は外側が横方向は内側がGND配線といった構造
を有していた。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、従来の半導体集積回路では、LSI中に
配列するマクロブロックの種類9個数が増えてくると、
これらマクロブロックが相互に隣接し合う機会が増え、
その隣接部分では、面積効率化のなめ電源系配線を互い
に共用させようとしても、GND配線又は電源配線のい
ずれか一方しか共用させられず、第4図(b)に示すよ
うに隣接部では例えばGND配線、電源配線(共用配!
り、GND配線といっな具合に3本の配線が平行布設さ
れ、電源配線を挟んでGND配線が2本設定されること
になる。
この結果、特にマクロブロックが隣接し合う機会が多い
チップでは、チップサイズの不要な増大を招き、コスト
が増大してしまうという欠点があった。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のマクロブロックをとり囲む電源系配線は、矩形
状の各辺でGND配線と電源配線とが互いに略平行に布
設され、横方向に第1の配線層を使用し、縦方向には第
2の配線層を使用して対を構成し、かつ前記略平行する
GND配線と電源配線とは縦方向に於ては右側(左側)
がいつもGND配線であり、横方向に於ては上側く下側
)がいつもGND配線であってかかる一対の電源系配線
の矩形状が互いに隣接する位置では互いのG N D配
線及び電源配線を共用する配線を有している。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図(a)、(b)は本発明の第1の実施例を説明す
るための半導体チップのレイアウト図である。
第1図(a)に示すように、横方向には第1層配線が用
いられ、平行するGND配線とVDD配線の相対関係は
上がGND配線、下がVDD配線である。縦方向には第
2層配線が用いられ、左が■DD配線、右がGND配線
である。
かかるマクロブロックA、B、Cが互いに隣接し合う場
合、第1図(b)に示すように隣接部では互いのGND
配線及びVDD配線を共用させることができ、隣接部で
もGND配線とVDD配線の夫々1本ずつ合計2本の配
線で済み、第4図(b)の6に示すように3本が平行し
て並ぶことはない 第2図及び第3図は本発明の第2の実施例を説明するた
めの半導体チップのレイアウト図である。
第2図に示すように、トータルチップ12の内部領域(
トータルチップ12から入・出力バッファ部11を除い
た内部の領域)全域を囲む電源系配線と、マクロブロッ
クD、Eの外周電源系配線のオーバーラツプする部分を
共用させたものである。尚同図に於てランダムロジック
部10の内部及びそれとマクロブロックD、Eとの電源
系接続は例えば第3図に示す従来のやり方が適用される
。この場合、特に第3ダでは省略されているが、ランダ
ムロジック部には第3図横方向にポリセル列状にプリミ
ティブな諸機能を持つブロックが配列され、そのブロッ
ク内に作りつけの電源系配線があり、ブロックの配列と
共にそれらが互いに接続され、特に第3図に示す縦方向
の配線と、上位作りつけの配線との交叉するところで互
いの電源系配線が接続される。
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明は、マクロブロックの外周の電
源系配線の相対位置に今までにないルールを与えること
によりそれらマクロブロックが互いに隣接し合う時に互
いの外周電源配線を上・下・左・右のあらゆる場所で共
用させることができ、この結果トータルチップレイアウ
ト面積の使用効率及び集積度をあけることができて、チ
ップコストを低減できるという効果を持つ。
ロジック部、A、 B ロブロック。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  チップ内部領域に設けたブロックをとり囲むように電
    源系配線を設けた半導体集積回路において、前記電源系
    配線はGND配線と電源配線との矩形状の各辺で互いに
    略平行に布設されて横方向に第1の配線層を使用しそれ
    と略直交する縦方向には第2の配線層を使用して対を構
    成し、かつ前記略平行するGND配線と電源配線とは縦
    方向に於ては右側(左側)がいつもGND配線であり、
    横方向に於ては上側(下側)がいつもGND配線であっ
    てかかる一対の電源系配線の矩形状が互いに隣接する位
    置では互いのGND配線及び電源配線を共用する配線を
    有することを特徴とする半導体集積回路。
JP22153290A 1990-08-23 1990-08-23 半導体集積回路 Pending JPH04103147A (ja)

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JP22153290A JPH04103147A (ja) 1990-08-23 1990-08-23 半導体集積回路

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JP22153290A JPH04103147A (ja) 1990-08-23 1990-08-23 半導体集積回路

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JPH04103147A true JPH04103147A (ja) 1992-04-06

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JP22153290A Pending JPH04103147A (ja) 1990-08-23 1990-08-23 半導体集積回路

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