JPH04103649U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH04103649U
JPH04103649U JP1991003721U JP372191U JPH04103649U JP H04103649 U JPH04103649 U JP H04103649U JP 1991003721 U JP1991003721 U JP 1991003721U JP 372191 U JP372191 U JP 372191U JP H04103649 U JPH04103649 U JP H04103649U
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体装置の電流容量を大きくする。 【構成】 半導体領域１ｂとこの主面上に形成された電
極３とを有し、この電極３にリード細線４を接続する時
に、離間させて少なくとも２つの接続部４ａ、４ｂを設
ける。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本考案はトランジスタやサイリスタ等の半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及び考案が解決しようとする課題】
トランジスタやサイリスタでは、半導体基板の一方の主面に絶縁膜が形成され 、主電極はこの絶縁膜に形成された開口を通じて半導体基板に接続されている。 また、主電極にはリード細線の一端が接続されて外部リード等と電気的に接続さ れている。ところで、近年これらの半導体装置の大電力化はめざましいものがあ り、このため装置の大電流容量化が急務となっている。
【０００３】 そこで、本考案は、大電流容量化を実現できる新規な構造の半導体装置を提供 することを目的としている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本考案は、半導体領域と、前記半導体領域の主面に 形成された電極とを有し、同一のリード細線が前記電極に対して互いに離間した ２箇所以上で接続されていることを特徴とする半導体装置に係わるものである。
【０００５】
【作用】
本考案の半導体装置によれば、電極に対して同一のリード細線が２箇所以上で 接続されているので、リード細線及びリード細線に達する半導体領域及び電極内 の電流通路の電流密度を低減できる。
【０００６】
【実施例】
以下、図１及び図２を参照して本考案の一実施例に係わる半導体装置を説明す る。
【０００７】 本実施例の半導体装置は、半導体基板１と絶縁膜２と金属電極３とリード細線 ４とを有する。半導体基板１はＰ形領域１ａと、半導体基板１の一方の主面にそ の上面を露出させてＰ形領域１ａに隣接包囲されているＮ+ 形領域１ｂとを有す る。絶縁膜２はシリコン酸化膜等から成り、これに形成された開口５からはＮ+ 形領域１ｂの上面が露出する。金属電極３は、相対的に薄い第１の金属膜６と相 対的に厚い第２の金属膜７から成る。第１の金属膜６は、Ｐ形領域１ａとＮ+ 形 領域１ｂとのＰＮ接合８が半導体基板１の上面に露出している部分よりも外側ま で延在し、周知のフィールドプレートとして機能する。第２の金属膜７は平面的 に見てＮ+ 形領域１ｂの内側に形成されている。
【０００８】 リード細線４は、約４００μｍの直径を有するＡｌ（アルミニウム）線であり 、金属電極３の第２の金属膜７に対して互いに離間した２箇所で接続されている 。更に詳述すると、リード細線４は、図２から明らかなように平面形状四角形の 第２の金属膜７の対角線上に配設されており、第２の金属膜７に対する第１の接 続部４ａ及び第２の接続部４ｂはこの対角線上に位置する。リード細線４の延在 する方向における第１の接続部４ａの長さＬ1 、第１の接続部４ａと第２の接続 部４ｂとの間の長さＬ2 及び第２の接続部４ｂの長さＬ3 はそれぞれ約９５０μ ｍに設定されている。リード細線４はキャピラリによってその径方向に押圧され て第２の金属膜７に接続されるので、第１及び第２の接続部４ａ、４ｂは図１の ように扁平化してその幅Ｗはリード細線４の径の約２．５倍となる。本実施例で は、第２の金属膜７は２．５ｍｍ×２．５ｍｍの略正方形の平面形状を有し、そ の対角線方向にボンディング領域９を設けるので、このボンディング領域９に幅 Ｗの接続部４ａ、４ｂを収めることができる。ボンディング領域９の長さはＬ1 とＬ2 とＬ3 の和よりも勿論長い。
【０００９】 本実施例の半導体装置によれば、リード細線４が電極３に対して互いに離間し た２箇所で接続されているので、従来のようにリード細線が電極に対して一点で 接続されている場合に比べて電流容量を増大することができた。この理由は第１ にリード細線４と電極３との接続部の面積が増大し、電流密度が低くなるためで あり、第２にリード細線４の接続部４ａ、４ｂが電極３の両側に離間して配設さ れているので、Ｐ形領域１ａとＮ+ 形領域１ｂと電極３からリード細線４に達す る主たる電流通路が左右に分れ、それぞれの電流密度が小さくなるためと考えら れる。特に、本実施例ではリード細線４が電極３の対角線方向に張られており、 第１の接続部４ａと第２の接続部４ｂとの間隔Ｌ2 を長くとれるので有利である 。また、第１の接続部１ａと第２の接続部１ｂがこの間のリード部分も含めて一 直線上にあるので、スティッチボンディングを良好に行うことができる。
【００１０】
【変形例】
本考案は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば次の変形が可能なもの である。
【００１１】 電極３の面積が大きい場合には電極３の辺に平行にボンディング領域９を設け ることができる。
【００１２】 電極３の面積が大きい時には、Ｌ2 をＬ1 及びＬ3 よりも大きくして電流集中 を更に緩和することができる。
【００１３】 電極３は第１の金属膜６を肉厚に形成して、第２の金属膜７を省いた構成にす ることもできる。また第２の金属膜７を絶縁膜２の上側まで延在させて第１の金 属膜６の上面を完全に被覆するようにすることもできる。しかしながら、実際の 半導体装置では、この電極３の周囲にＥＱＲ（等電位リング）や他の電極の金属 層が形成されるので、これとの分離がエッチングによって良好に行えるよう、電 極３を二層以上とする。この場合、下側にエッチングが容易な相対的に薄い金属 膜を形成し、上側に電流容量の増大に寄与する相対的に厚い金属膜を形成する。
【００１４】
【発明の効果】
以上のように、本考案の半導体装置によれば電流容量が増大する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案の実施例に係わる半導体装置の一部を示
すための図２の１−１線に相当する部分の断面図であ
る。
【図２】図１の一部を示す平面図である。
【符号の説明】
１ 半導体基板 ２ 絶縁膜 ３ 電極 ４ リード細線 ４ａ 第１の接続部 ４ｂ 第２の接続部

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体領域と、前記半導体領域の主面に
    形成された電極とを有し、同一のリード細線が前記電極
    に対して互いに離間した２箇所以上で接続されているこ
    とを特徴とする半導体装置。
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Cited By (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009283965A (ja) * 2009-07-23 2009-12-03 Suzuka Fuji Xerox Co Ltd 半導体装置およびワイヤボンディング方法
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