JPS62183177A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS62183177A JPS62183177A JP61025109A JP2510986A JPS62183177A JP S62183177 A JPS62183177 A JP S62183177A JP 61025109 A JP61025109 A JP 61025109A JP 2510986 A JP2510986 A JP 2510986A JP S62183177 A JPS62183177 A JP S62183177A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- collector
- region
- periphery
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プレーナ型トランジスタ構造を含む半導体装
置の高耐圧品種に係り、特にベース領域周縁のベース・
コレクタ間の耐圧を改善した構造に関する。
置の高耐圧品種に係り、特にベース領域周縁のベース・
コレクタ間の耐圧を改善した構造に関する。
従来、プレーナ型高耐圧トランジスタ構造を含む半導体
装置は、ベース領域周縁部の耐圧を大きくする方法とし
て前記周縁部にフィールドプレート構造（第２図）また
はフィールドリング拡散構造（第３図）を形成し、ベー
ス・コレクタ接合および表面部分の電界強度を弱めるよ
うにしていた。
装置は、ベース領域周縁部の耐圧を大きくする方法とし
て前記周縁部にフィールドプレート構造（第２図）また
はフィールドリング拡散構造（第３図）を形成し、ベー
ス・コレクタ接合および表面部分の電界強度を弱めるよ
うにしていた。
上記周縁部の耐圧構造は、ベース・コレクタ接合の主と
して主面近傍の電界を弱めようとするものである。第２
図のフィールドプレート構造は、ベース領域２とコレク
タ領域の周縁部を図示し友ものであるが、ベース電極４
に連結したフィールドプレート８が主面表面の絶縁酸化
ｌｉ！３上で、ベース周縁に延びているようにしている
。ベース・コレクタ間に逆電圧が印加されると、点線で
示した空乏層１ｏが、主面付近においてはベース領域２
の周縁よシ一段と広がる。
して主面近傍の電界を弱めようとするものである。第２
図のフィールドプレート構造は、ベース領域２とコレク
タ領域の周縁部を図示し友ものであるが、ベース電極４
に連結したフィールドプレート８が主面表面の絶縁酸化
ｌｉ！３上で、ベース周縁に延びているようにしている
。ベース・コレクタ間に逆電圧が印加されると、点線で
示した空乏層１ｏが、主面付近においてはベース領域２
の周縁よシ一段と広がる。
この構造はベース領域２の拡散層がその周縁部で彎曲が
大きいので、この部分の電界が強くなシ耐圧劣化の原因
となることを防ぐことを意図している。
大きいので、この部分の電界が強くなシ耐圧劣化の原因
となることを防ぐことを意図している。
しかし、図にみるようにＰＮ接合近傍では確かに電界を
弱めているが、フィールドプレート８の端部下方では電
界集中がおきる。
弱めているが、フィールドプレート８の端部下方では電
界集中がおきる。
またフィールドリング拡散構造は、第３図に示すように
フィールドリング９を基板内に設けたものであるが、同
じように、フィールドリング９の周縁の空乏層１０にお
いて、図の右側にあるペース領域２の側では電界を弱め
るが、左側では電界集中を緩和する効果がない。
フィールドリング９を基板内に設けたものであるが、同
じように、フィールドリング９の周縁の空乏層１０にお
いて、図の右側にあるペース領域２の側では電界を弱め
るが、左側では電界集中を緩和する効果がない。
本発明の目的は、ブレーナ型トランジスタ構造のベース
領域周縁に設けた電界緩和構造が、その端部においても
有効であるような前記トランジスタ構造を含む半導体装
置を提供することにある。
領域周縁に設けた電界緩和構造が、その端部においても
有効であるような前記トランジスタ構造を含む半導体装
置を提供することにある。
本発明では、ブレーナ型トランジスタ構造の主面に接す
るベース領域周縁において、ベース・コレクタ接合をお
おう絶縁膜上に高比抵抗ポリシリコン族を形成するとと
もに、前記ポリシリコン膜がその端部でペース電極とコ
レクタ領域に接続する外周部電極とに接触するような構
造としたものである。
るベース領域周縁において、ベース・コレクタ接合をお
おう絶縁膜上に高比抵抗ポリシリコン族を形成するとと
もに、前記ポリシリコン膜がその端部でペース電極とコ
レクタ領域に接続する外周部電極とに接触するような構
造としたものである。
以下、図面を参照して、本発明の一実施例につき説明す
る。第１図はＮＰＮ型ブレーナトランジスタの断面図を
示したもので、ペース領域２の周縁部は絶縁酸化膜３で
おおわれている。
る。第１図はＮＰＮ型ブレーナトランジスタの断面図を
示したもので、ペース領域２の周縁部は絶縁酸化膜３で
おおわれている。
絶縁酸化膜３上には高抵抗を有するポリシリコン膜７を
設け、この２重膜はコレクタ領域１の表面に、外周部電
極６（Ｎ＋部分を介してコレクタ領域１と接続している
）まで延長され、ペース電極４と外周部電極６とを高抵
抗で電気的に接続しである。
設け、この２重膜はコレクタ領域１の表面に、外周部電
極６（Ｎ＋部分を介してコレクタ領域１と接続している
）まで延長され、ペース電極４と外周部電極６とを高抵
抗で電気的に接続しである。
ベース・コレクタ間に逆バイアスを印加すると、ＰＮ接
合降伏電圧に達するまでは、高抵抗ポリシリコン膜７を
通じて、微弱電流が流れ、電圧降下がほぼ直線的に生じ
、その結果ベース・コレクタ間の逆バイアスをベースか
ら外周部に向って距離に比例して分圧していく。ポリシ
リコン族７の各部の電位は絶縁酸化ａ３を介して半導体
主面に影響を与え、空乏層１０の広がシを延長させる方
向に働き、図示のよう電界集中を防ぐことができる。
合降伏電圧に達するまでは、高抵抗ポリシリコン膜７を
通じて、微弱電流が流れ、電圧降下がほぼ直線的に生じ
、その結果ベース・コレクタ間の逆バイアスをベースか
ら外周部に向って距離に比例して分圧していく。ポリシ
リコン族７の各部の電位は絶縁酸化ａ３を介して半導体
主面に影響を与え、空乏層１０の広がシを延長させる方
向に働き、図示のよう電界集中を防ぐことができる。
以上、詳細に説明したように、高抵抗ポリシリコン膜を
ペース領域周縁部の絶縁酸化膜上に設けることにより、
ベース・コレクタ間に逆バイアスを印加したときに前記
ポリシリコン族に微弱電流が流れ、前記絶縁酸化膜下の
半導体表面の電界集中を防ぐことができた。これによっ
てベース・コレクタ間耐圧の高い半導体装置を得ること
ができる。
ペース領域周縁部の絶縁酸化膜上に設けることにより、
ベース・コレクタ間に逆バイアスを印加したときに前記
ポリシリコン族に微弱電流が流れ、前記絶縁酸化膜下の
半導体表面の電界集中を防ぐことができた。これによっ
てベース・コレクタ間耐圧の高い半導体装置を得ること
ができる。
第１図は本発明の一実施例の、第２図、第３図は従来例
のそれぞれの断面図である。 １・・・コレクタ領域、 ２・・・ペース領域、３・
・・絶縁酸化膜、 ４・・・ペース電極、５・・・
コレクタ電極、 ６・・・外周部電極、７・・・ポリ
シリコン族、８・・・フィールドプレート９・・・フィ
ールドリング。
のそれぞれの断面図である。 １・・・コレクタ領域、 ２・・・ペース領域、３・
・・絶縁酸化膜、 ４・・・ペース電極、５・・・
コレクタ電極、 ６・・・外周部電極、７・・・ポリ
シリコン族、８・・・フィールドプレート９・・・フィ
ールドリング。
Claims (1)
- プレーナ型トランジスタ構造の主面に接するベース領域
周縁において、ベース・コレクタ接合をおおう絶縁膜上
に高比抵抗ポリシリコン膜を形成するとともに、前記ポ
リシリコン膜がその端部でベース電極とコレクタ領域に
接続する外周部電極とに接触するような構造を含むこと
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61025109A JPS62183177A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61025109A JPS62183177A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62183177A true JPS62183177A (ja) | 1987-08-11 |
Family
ID=12156758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61025109A Pending JPS62183177A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62183177A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01231367A (ja) * | 1988-03-11 | 1989-09-14 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02170469A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-07-02 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-02-06 JP JP61025109A patent/JPS62183177A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01231367A (ja) * | 1988-03-11 | 1989-09-14 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02170469A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-07-02 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
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