JPH04103769A - レーザcvd装置 - Google Patents
レーザcvd装置Info
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- JPH04103769A JPH04103769A JP22107790A JP22107790A JPH04103769A JP H04103769 A JPH04103769 A JP H04103769A JP 22107790 A JP22107790 A JP 22107790A JP 22107790 A JP22107790 A JP 22107790A JP H04103769 A JPH04103769 A JP H04103769A
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザCVD装置に関し、特に試料を走査す
るためのXYステージ及びチャンバの構造に関する。
るためのXYステージ及びチャンバの構造に関する。
し「ザCVD装置では、励起源であるレーザ光を導入す
るためにチャンバ壁面にガラス窓(レーザ光を透過する
材質)が設けられている。また、レーザCVDによる局
所堆積を利用して薄膜のバターニングを行うことを目的
とするレーザCVD装置では、通常レーザ光に対して試
料を走査するための手段としてXYステージが用いられ
ている。
るためにチャンバ壁面にガラス窓(レーザ光を透過する
材質)が設けられている。また、レーザCVDによる局
所堆積を利用して薄膜のバターニングを行うことを目的
とするレーザCVD装置では、通常レーザ光に対して試
料を走査するための手段としてXYステージが用いられ
ている。
従来のレーザCVD装置では、XYステージの設置位置
として次の2通りの方法が採用されていた。
として次の2通りの方法が採用されていた。
(i)XYステージを全てチャンバ内(化合物気体雰囲
気中)に設置するもの(チャンバ内部型と呼ぶ)。例え
ば、特願昭61−220158号に一例がみられる。今
、第3図にこの従来例の構成を示す。第3図においては
XYステージ1は全てチャンバ2内に配置されており、
励起源であるレーザ光を導入するためにチャンバ2の上
壁面にガラス窓3が設けられている。該ガラス窓3の下
側には試料4が、ガラス窓3の上側には対物レンズ5が
配置されている。
気中)に設置するもの(チャンバ内部型と呼ぶ)。例え
ば、特願昭61−220158号に一例がみられる。今
、第3図にこの従来例の構成を示す。第3図においては
XYステージ1は全てチャンバ2内に配置されており、
励起源であるレーザ光を導入するためにチャンバ2の上
壁面にガラス窓3が設けられている。該ガラス窓3の下
側には試料4が、ガラス窓3の上側には対物レンズ5が
配置されている。
(ii)チャンバ全体をXYステージで移動させるもの
で、この場合XYステージは全てチャンバの外部に置か
れる(チャンバ外部型と呼ぶ)。この例としては、文献
(1) J、Vac、Sci、Technol、 85
゜496(1987) (2> Appl、Phy
s、Lett、 43゜946 (1983) 等
にみられる。これらの例における構成を第4図(A)〜
(C)に示す。同図において、XYステージ1はその全
体がチャンバ2の下側外部に設置されており、チャンバ
2全体をXYステージ1で移動させると共に試料4(同
図B)にはガラス窓3を介して対物レンズ5でレーザ光
が集光されるように構成されている。なお、対物レンズ
5の上方にはグイクロイックミラー6が配置されており
、第4図(A)、(C)においてレーザ7からのレーザ
光は光学シャッタ8、レンズ9を経た後、グイクロイッ
クミラー6に導かれるように構成されている。また、第
4図(A)において、符号9aはモニタ、9bはコンピ
ュータ、9Cはインタフェース、37は反射光照明器、
38は透過光照明器、39は反射ミラー 36はカメラ
である。また、第4図(C)において、符号9dはフォ
トダイオード、9eは光導電効果を利用したビジコン、
9fはモニタ、9gはホストコンビコータ、9hは制御
装置、41は受光部、42はアイピース、43は光源、
44は制御信号を示している。
で、この場合XYステージは全てチャンバの外部に置か
れる(チャンバ外部型と呼ぶ)。この例としては、文献
(1) J、Vac、Sci、Technol、 85
゜496(1987) (2> Appl、Phy
s、Lett、 43゜946 (1983) 等
にみられる。これらの例における構成を第4図(A)〜
(C)に示す。同図において、XYステージ1はその全
体がチャンバ2の下側外部に設置されており、チャンバ
2全体をXYステージ1で移動させると共に試料4(同
図B)にはガラス窓3を介して対物レンズ5でレーザ光
が集光されるように構成されている。なお、対物レンズ
5の上方にはグイクロイックミラー6が配置されており
、第4図(A)、(C)においてレーザ7からのレーザ
光は光学シャッタ8、レンズ9を経た後、グイクロイッ
クミラー6に導かれるように構成されている。また、第
4図(A)において、符号9aはモニタ、9bはコンピ
ュータ、9Cはインタフェース、37は反射光照明器、
38は透過光照明器、39は反射ミラー 36はカメラ
である。また、第4図(C)において、符号9dはフォ
トダイオード、9eは光導電効果を利用したビジコン、
9fはモニタ、9gはホストコンビコータ、9hは制御
装置、41は受光部、42はアイピース、43は光源、
44は制御信号を示している。
しかしながら、上述の従来例では、特に大型の試料を扱
う上で、それぞれ次に示すような問題が存在する。
う上で、それぞれ次に示すような問題が存在する。
(1)第3図に示すチャンバ内部型の問題この形式では
XYステージ1全体をチャンバ2内に設置するため、プ
ロセス上必要な空間以上に、チャンバ2の内容積が大き
くなる欠点が存在する。
XYステージ1全体をチャンバ2内に設置するため、プ
ロセス上必要な空間以上に、チャンバ2の内容積が大き
くなる欠点が存在する。
これは、XYステージ1の投影床面積が、試料4の面積
の4倍程度を必要とするためで、避けることができない
。
の4倍程度を必要とするためで、避けることができない
。
また、6インチ角のストロークを考えた場合でも、機構
部品が占有する体積を除いて30〜401の空間が発生
するが、将来の応用が見込まれる450M角のLCD
(液晶デイスプレィ)用ガラス基板を試料として考えた
場合には、その容積は数百1にものぼってしまう。この
ため、チャンバ2の内部雰囲気を置換するための排気時
間、化合物気体の消費量等を考えれば実用的な装置構成
とは言えないことは明らかである。
部品が占有する体積を除いて30〜401の空間が発生
するが、将来の応用が見込まれる450M角のLCD
(液晶デイスプレィ)用ガラス基板を試料として考えた
場合には、その容積は数百1にものぼってしまう。この
ため、チャンバ2の内部雰囲気を置換するための排気時
間、化合物気体の消費量等を考えれば実用的な装置構成
とは言えないことは明らかである。
(ii)第4図(A)〜(C)に示すチャンバ外部型の
問題 この場合は、チャンバ2の容積を最小限に小さくできる
利点はあるが、チャンバ2の壁面に取り付けるガラス窓
3の板厚と対物レンズ5の関係が問題となってくる。通
常、チャンバ2内に試料4を設置した後の雰囲気置換に
は、真空排気系が採用されるため、ガラス窓3は1気圧
の圧力差で破壊されないだけの板厚にしなければならな
い。しかしながら、試料4の面積が大きくなり、これを
カバーするためにガラス窓3の面積を広げていくと、こ
れが急速に厚くなってしまう。例えば、有効エリア40
0市角のガラス窓3の場合十数mmの板厚のガラスが必
要となる。一方で、レーザ光を数μm以下の径で集光で
きるような対物レンズ5ではその作動距離を15玉以上
とることが技術的に困難であり、上述のような厚いガラ
ス窓3を使用した装置は構成できない。
問題 この場合は、チャンバ2の容積を最小限に小さくできる
利点はあるが、チャンバ2の壁面に取り付けるガラス窓
3の板厚と対物レンズ5の関係が問題となってくる。通
常、チャンバ2内に試料4を設置した後の雰囲気置換に
は、真空排気系が採用されるため、ガラス窓3は1気圧
の圧力差で破壊されないだけの板厚にしなければならな
い。しかしながら、試料4の面積が大きくなり、これを
カバーするためにガラス窓3の面積を広げていくと、こ
れが急速に厚くなってしまう。例えば、有効エリア40
0市角のガラス窓3の場合十数mmの板厚のガラスが必
要となる。一方で、レーザ光を数μm以下の径で集光で
きるような対物レンズ5ではその作動距離を15玉以上
とることが技術的に困難であり、上述のような厚いガラ
ス窓3を使用した装置は構成できない。
本発明の目的は上述した問題に2みなされたもので、試
料の外形寸法によらずガラス窓の板厚を比較的薄いもの
に保つことができ、しかもチャンバ内部型の場合よりも
チャンバ容積を小さくでき、装置も小型にできるレーザ
CVD装置を提供するにある。
料の外形寸法によらずガラス窓の板厚を比較的薄いもの
に保つことができ、しかもチャンバ内部型の場合よりも
チャンバ容積を小さくでき、装置も小型にできるレーザ
CVD装置を提供するにある。
本発明は、解離反応により導電性物質を形成する化合物
気体を含む雰囲気中に配置された試料上にレーザ光を集
光照射して、主にこの照射点での局部的な温度上昇によ
る熱CVD作用により、前記照射点近傍に導電性物質を
局所堆積させ、さらに前記レーザ光に対して試料を相対
的に走査することにより、前記試料上に導電性物質を連
続的に堆積して配線を形成するレーザCVD装置におい
て、前記試料をレーザ光に対して相対的に走査する手段
としてXYステージを用い、かつこのXYステージの2
軸のうちの1軸を、試料を前記化合物気体雰囲気中に保
持するために使用するチャンバ内に設置し、他の1軸を
チャンバ全体を動かすようにチャンバ外に設置するよう
に構成したものである。
気体を含む雰囲気中に配置された試料上にレーザ光を集
光照射して、主にこの照射点での局部的な温度上昇によ
る熱CVD作用により、前記照射点近傍に導電性物質を
局所堆積させ、さらに前記レーザ光に対して試料を相対
的に走査することにより、前記試料上に導電性物質を連
続的に堆積して配線を形成するレーザCVD装置におい
て、前記試料をレーザ光に対して相対的に走査する手段
としてXYステージを用い、かつこのXYステージの2
軸のうちの1軸を、試料を前記化合物気体雰囲気中に保
持するために使用するチャンバ内に設置し、他の1軸を
チャンバ全体を動かすようにチャンバ外に設置するよう
に構成したものである。
本発明によれば、XYステージの1軸をチャンバ内に、
もう1軸をチャンバ全体を動かすようにチャンバの外部
に置くことにより、チャンバの外部に置くステージの移
動方向にのみ長さをとった、細長いガラス窓でよいため
板厚が薄くても圧力差に耐えられる。したがって、ガラ
ス窓の板厚を比較的薄くしたままで、大型試料に対応で
きる。さらに、上記構成によりチャンバ内部型の場合よ
りもチャンバ容積を小さくでき、装置も小型化できる。
もう1軸をチャンバ全体を動かすようにチャンバの外部
に置くことにより、チャンバの外部に置くステージの移
動方向にのみ長さをとった、細長いガラス窓でよいため
板厚が薄くても圧力差に耐えられる。したがって、ガラ
ス窓の板厚を比較的薄くしたままで、大型試料に対応で
きる。さらに、上記構成によりチャンバ内部型の場合よ
りもチャンバ容積を小さくでき、装置も小型化できる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明に係るレーザCVD装置の一実施例を示
す全体構成図である。本実施例では、レーザ10として
ArレーザあるいはQスイッチNd:YAGレーザの第
2高調波(SH光)等の可視レーザを、原料化合物とし
てダンゲステンカルボニル(W(CO)6) を使用
して、LSIチップ上又はLCD用基板上にタングステ
ンの配線をCvDにより形成する場合を示している。
す全体構成図である。本実施例では、レーザ10として
ArレーザあるいはQスイッチNd:YAGレーザの第
2高調波(SH光)等の可視レーザを、原料化合物とし
てダンゲステンカルボニル(W(CO)6) を使用
して、LSIチップ上又はLCD用基板上にタングステ
ンの配線をCvDにより形成する場合を示している。
原料化合物のW (Co) aは室温で固体であり、リ
ザーバ11と呼ぶ容器中で加熱されガス化される。
ザーバ11と呼ぶ容器中で加熱されガス化される。
このときの飽和蒸気圧は65°Cで約1.2T。
rrである。ガス化した−(CO) gはキャリアガス
12 (本実施例ではアルゴンを用いた)と混合して1
気圧程度で化合物気体13としてチャンバ14内に送ら
れる。これは、ガス化したW(CO)sの蒸気圧が小さ
いためである。
12 (本実施例ではアルゴンを用いた)と混合して1
気圧程度で化合物気体13としてチャンバ14内に送ら
れる。これは、ガス化したW(CO)sの蒸気圧が小さ
いためである。
チャンバ14内は、化合物気体13で満たされており、
試料15はこのチャンバ14の中に配置され、載物台1
6に内蔵のヒータで雰囲気ガス温度程度に加熱されてい
る。これは、W(CO)6が試料15の表面に再凝集し
ないためである。この状態で、試料15の表面にレーザ
光17を集光することにより、レーザ光照射部近傍にタ
ングステン薄膜が堆積する。
試料15はこのチャンバ14の中に配置され、載物台1
6に内蔵のヒータで雰囲気ガス温度程度に加熱されてい
る。これは、W(CO)6が試料15の表面に再凝集し
ないためである。この状態で、試料15の表面にレーザ
光17を集光することにより、レーザ光照射部近傍にタ
ングステン薄膜が堆積する。
レーザ光の集光径が2μm程度のとき、Arレーザの場
合は10 QmW程度、QスイッチNd:YAGレーザ
のSH光の場合は平均出力1ml程度とすることで、堆
積が行われる。
合は10 QmW程度、QスイッチNd:YAGレーザ
のSH光の場合は平均出力1ml程度とすることで、堆
積が行われる。
配線を形成するには、XYステージ18.19により試
料15を走査すればよい。このようにすれば、タングス
テン堆積が連続して横方向につながっていき、タングス
テンによる配線となる。このときのXYステージ18.
19の移動速度は0゜5μm / s〜5μm/s程度
である。
料15を走査すればよい。このようにすれば、タングス
テン堆積が連続して横方向につながっていき、タングス
テンによる配線となる。このときのXYステージ18.
19の移動速度は0゜5μm / s〜5μm/s程度
である。
第2図は本発明によるXYステージ18.19とチャン
バ14との関係を示す斜視図である。同図に示すように
、X軸のXYステージ18はチャンバ14の下に、一方
Y軸のXYステージ19はチャンバ14内に配置されて
いる。したがって、X軸ストローク方向(矢印A方向)
にはチャンバ14ごと移動させるので、チャンバ14の
上壁面に設けたガラス窓20は試料15の全面を覆う必
要はない。なお、矢印BはY軸ストローク方向を示す。
バ14との関係を示す斜視図である。同図に示すように
、X軸のXYステージ18はチャンバ14の下に、一方
Y軸のXYステージ19はチャンバ14内に配置されて
いる。したがって、X軸ストローク方向(矢印A方向)
にはチャンバ14ごと移動させるので、チャンバ14の
上壁面に設けたガラス窓20は試料15の全面を覆う必
要はない。なお、矢印BはY軸ストローク方向を示す。
ガラス窓20の開口寸法は、短辺側は20市程度、長辺
側は試料15のX方向の寸法と同程度となっている。こ
のように、短辺側の寸法は試料寸法によらず20胚程度
でよいため、450mm角の試料15の場合でも厚み3
〜4 mmのガラス窓20で充分1気圧の差圧に耐えら
れる。また、チャンバ14はY軸にみを覆えばよいので
、XYステージ全体を内蔵する場合に比べて小型にでき
、6インチ角の試料15が対象の場合でチャンバ14の
内部空間は101程度(機構部品の占有体積は除く)と
なる。
側は試料15のX方向の寸法と同程度となっている。こ
のように、短辺側の寸法は試料寸法によらず20胚程度
でよいため、450mm角の試料15の場合でも厚み3
〜4 mmのガラス窓20で充分1気圧の差圧に耐えら
れる。また、チャンバ14はY軸にみを覆えばよいので
、XYステージ全体を内蔵する場合に比べて小型にでき
、6インチ角の試料15が対象の場合でチャンバ14の
内部空間は101程度(機構部品の占有体積は除く)と
なる。
また、第1図に示すように、レーザ光17はビームエキ
スパンダ21で拡大された後、対物レンズ22で試料1
5上に集光されるようになっているが、この対物レンズ
22としては焦点距離11m+++、作動距離14.5
Mのものを使用した。したがって、ガラス窓20の板厚
が3〜4mmであれば、対物レンズ22の上下ストロー
クの余裕を数mI++とることができ、充分実用的なシ
ステムとなる。
スパンダ21で拡大された後、対物レンズ22で試料1
5上に集光されるようになっているが、この対物レンズ
22としては焦点距離11m+++、作動距離14.5
Mのものを使用した。したがって、ガラス窓20の板厚
が3〜4mmであれば、対物レンズ22の上下ストロー
クの余裕を数mI++とることができ、充分実用的なシ
ステムとなる。
対物レンズ22は接眼23あるいはTV左カメラ4での
観察用のレンズを兼ねているため、短焦点(焦点距離1
1■)のものが必要となる。なお、第1図において、符
号25はモニタ、26はヒータ、27はグイクロイック
ミラー、28は排ガス処理部、29は排気ガスを示す。
観察用のレンズを兼ねているため、短焦点(焦点距離1
1■)のものが必要となる。なお、第1図において、符
号25はモニタ、26はヒータ、27はグイクロイック
ミラー、28は排ガス処理部、29は排気ガスを示す。
また、前記チャンバ14の左側壁には開閉i30が設け
られている。
られている。
以上説明したように本発明に係るレーザCVD装置によ
れば、XYステージの2軸のうち、1軸をチャンバ内部
に、もう1軸をチャンバ全体を移動するようにチャンバ
外部に設置した構成とすることにより、対象となる試料
の外形寸法によらず、レーザ光導入用のガラス窓の板厚
を比較的薄いものに保つことができ、光学系の設計・製
作を可能とするばかりでなく、XYステージ全体をチャ
ンバ内に組み込む従来に比べてチャンバ自身の内容積を
格段に小さくすることが可能となり、大型の試料に対し
てレーザCVDによる金属薄膜のパターニング技術の適
用が可能になるという種々の優れた効果を有する。
れば、XYステージの2軸のうち、1軸をチャンバ内部
に、もう1軸をチャンバ全体を移動するようにチャンバ
外部に設置した構成とすることにより、対象となる試料
の外形寸法によらず、レーザ光導入用のガラス窓の板厚
を比較的薄いものに保つことができ、光学系の設計・製
作を可能とするばかりでなく、XYステージ全体をチャ
ンバ内に組み込む従来に比べてチャンバ自身の内容積を
格段に小さくすることが可能となり、大型の試料に対し
てレーザCVDによる金属薄膜のパターニング技術の適
用が可能になるという種々の優れた効果を有する。
第1図は本発明に係るレーザCVD装置の一実施例を示
す全体構成図、第2図は第1図に示す実施例のチャンバ
及びXYステージの関係を示す斜視図、第3図及び第4
図(A)、(C)はそれぞれ従来例の構成を示す模式図
、第4図(B)は第4図(A)のB部の拡大断面図であ
る。 10・・・・・・レーザ、 14・・・・・・チャンバ、 15・・・・・・試料、 17・・・・・・レーザ光、 18.19・・・・・・xYステージ、20・・・・・
・ガラス窓、 21・・・・・・ビームエキスパンダ、22・・・・・
・対物レンズ。 出 願 人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 山内梅雄 第2図 第4図(C,)
す全体構成図、第2図は第1図に示す実施例のチャンバ
及びXYステージの関係を示す斜視図、第3図及び第4
図(A)、(C)はそれぞれ従来例の構成を示す模式図
、第4図(B)は第4図(A)のB部の拡大断面図であ
る。 10・・・・・・レーザ、 14・・・・・・チャンバ、 15・・・・・・試料、 17・・・・・・レーザ光、 18.19・・・・・・xYステージ、20・・・・・
・ガラス窓、 21・・・・・・ビームエキスパンダ、22・・・・・
・対物レンズ。 出 願 人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 山内梅雄 第2図 第4図(C,)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、解離反応により導電性物質を形成する化合物気体を
含む雰囲気中に配置された試料上にレーザ光を集光照射
して、主にこの照射点での局部的な温度上昇による熱C
VD作用により、前記照射点近傍に導電性物質を局所堆
積させ、さらに前記レーザ光に対して試料を相対的に走
査することにより、前記試料上に導電性物質を連続的に
堆積して配線を形成するレーザCVD装置において、前
記試料をレーザ光に対して相対的に走査する手段として
XYステージを用い、かつこのXYステージの2軸のう
ちの1軸を、試料を前記化合物気体雰囲気中に保持する
ために使用するチャンバ内に設置し、他の1軸をチャン
バ全体を動かすようにチャンバ外に設置するようにした
ことを特徴とするレーザCVD装置。 2、レーザ光はビームエキスパンダで拡大された後、対
物レンズで試料上に集光されて成る請求項1記載のレー
ザCVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2221077A JP2546419B2 (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | レーザcvd装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2221077A JP2546419B2 (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | レーザcvd装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04103769A true JPH04103769A (ja) | 1992-04-06 |
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|---|---|---|---|---|
| WO1999052125A1 (de) * | 1998-04-02 | 1999-10-14 | MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Verfahren und vorrichtung zur gezielten teilchenmanipulierung und -deposition |
-
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Cited By (2)
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| WO1999052125A1 (de) * | 1998-04-02 | 1999-10-14 | MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Verfahren und vorrichtung zur gezielten teilchenmanipulierung und -deposition |
| US6616987B1 (en) | 1998-04-02 | 2003-09-09 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Forderung Der Wissenschaften E.V. | Procedure and device for specific particle manipulation and deposition |
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