JPH04105232A - 光磁気ディスク - Google Patents
光磁気ディスクInfo
- Publication number
- JPH04105232A JPH04105232A JP22380390A JP22380390A JPH04105232A JP H04105232 A JPH04105232 A JP H04105232A JP 22380390 A JP22380390 A JP 22380390A JP 22380390 A JP22380390 A JP 22380390A JP H04105232 A JPH04105232 A JP H04105232A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- interference
- dielectric
- films
- magneto
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光ビームを用いて情報の記録、再生および消
去される光磁気ディスクの誘電体膜に関するものである
。
去される光磁気ディスクの誘電体膜に関するものである
。
光ビームを用いて情報の記録、再生および消去される光
磁気ディスクは、書き換え可能な情報を高密度に記録す
ることができるので、幅広い分野への用途が見込まれて
いる。
磁気ディスクは、書き換え可能な情報を高密度に記録す
ることができるので、幅広い分野への用途が見込まれて
いる。
従来、光磁気ディスクの構造としては、ガラスやポリカ
ーボネイトなどの透明基板上に、第１層としてＳｉｎ、
Ｓｉｎ、などの金属酸化物、／ＩＮ、ＳｉＮなどの金属
窒化物、ＺｎＳなどの金属硫化物、５ｉＡｊ！ＯＮなど
の金属混合物を含めた誘電体膜、第２層として光磁気記
録媒体膜、第３層として前記誘電体膜が形成されたもの
や、第１層として前記誘電体膜、第２層として光磁気記
録媒体膜、第３層として前記誘電体膜および第４層とし
てＡＩ、Ｂｉ、Ｐｈなどの金属膜が形成されているもの
が公知のディスク構造である。誘電体膜は記録媒体膜の
保護膜及び３層構造では第１層の誘電体膜が、４層構造
では第３層の誘電体膜が干渉膜として働く。通常、ディ
スクの反射率は、この干渉膜である誘電体膜自体の持つ
屈折率と光吸収係数、膜厚により決まる。
ーボネイトなどの透明基板上に、第１層としてＳｉｎ、
Ｓｉｎ、などの金属酸化物、／ＩＮ、ＳｉＮなどの金属
窒化物、ＺｎＳなどの金属硫化物、５ｉＡｊ！ＯＮなど
の金属混合物を含めた誘電体膜、第２層として光磁気記
録媒体膜、第３層として前記誘電体膜が形成されたもの
や、第１層として前記誘電体膜、第２層として光磁気記
録媒体膜、第３層として前記誘電体膜および第４層とし
てＡＩ、Ｂｉ、Ｐｈなどの金属膜が形成されているもの
が公知のディスク構造である。誘電体膜は記録媒体膜の
保護膜及び３層構造では第１層の誘電体膜が、４層構造
では第３層の誘電体膜が干渉膜として働く。通常、ディ
スクの反射率は、この干渉膜である誘電体膜自体の持つ
屈折率と光吸収係数、膜厚により決まる。
しかしながら、これらの光磁気ディスクにおいては、デ
ィスクの反射率は１０％〜４０％と低反射率であり、今
後光磁気ディスクの新分野として市場が期待されるＣＤ
１ｊ換タイプの光磁気ディスクには適応がむずかしい。
ィスクの反射率は１０％〜４０％と低反射率であり、今
後光磁気ディスクの新分野として市場が期待されるＣＤ
１ｊ換タイプの光磁気ディスクには適応がむずかしい。
本発明の目的は、これらの問題を解決して簡単な構造及
び成膜方法で形成でき、ドライブ装置の要求する反射率
を提供し、また長期の耐久性も優れ充分実用化に値する
光磁気ディスクを提供することにある。
び成膜方法で形成でき、ドライブ装置の要求する反射率
を提供し、また長期の耐久性も優れ充分実用化に値する
光磁気ディスクを提供することにある。
本発明は、前記目的を達成するものとして、前記従来よ
りの３層光磁気ディスクの構造ではあるが、基板上に反
応性スパッタリングにより成膜された金属酸化物、金属
窒化物などからなる第１の誘電体膜に重ね、すなわち基
板側の界面及び近傍あるいは記録媒体側の界面及び近傍
を酸素または窒素無しの不活性ガスアルゴンのみのスパ
ッタリングすることにより成膜し第１の誘電体膜とは屈
折率の異なる第２の誘電体膜となるようにしたものであ
る。
りの３層光磁気ディスクの構造ではあるが、基板上に反
応性スパッタリングにより成膜された金属酸化物、金属
窒化物などからなる第１の誘電体膜に重ね、すなわち基
板側の界面及び近傍あるいは記録媒体側の界面及び近傍
を酸素または窒素無しの不活性ガスアルゴンのみのスパ
ッタリングすることにより成膜し第１の誘電体膜とは屈
折率の異なる第２の誘電体膜となるようにしたものであ
る。
本発明による作用を以下に説明する。上述のようなディ
スク構造、すなわち、干渉膜である第１層誘電体膜が屈
折率の異なる同種の第２の誘電体膜の２層により形成さ
れているため、光の干渉により屈折率の異なる２層の膜
厚をそれぞれ変化させることで所望の反射率が得られる
。また屈折率の異なる誘電体膜２層の成膜も誘電体膜タ
ーゲットスパッタリング中窒素あるいは酸素の有無で容
易に制御し作成することができる。このことから、上述
のようなディスク構造及び成膜方法では、ドライブ装置
が要求する所望の反射率のディスクを容易に提供するこ
とができる。
スク構造、すなわち、干渉膜である第１層誘電体膜が屈
折率の異なる同種の第２の誘電体膜の２層により形成さ
れているため、光の干渉により屈折率の異なる２層の膜
厚をそれぞれ変化させることで所望の反射率が得られる
。また屈折率の異なる誘電体膜２層の成膜も誘電体膜タ
ーゲットスパッタリング中窒素あるいは酸素の有無で容
易に制御し作成することができる。このことから、上述
のようなディスク構造及び成膜方法では、ドライブ装置
が要求する所望の反射率のディスクを容易に提供するこ
とができる。
第１図は本発明による光磁気ディスクの一実施例を示す
断面図である。即ち、１はポリカーボネイト基板であり
、その上に第１の誘電体膜の干渉膜２１、第２の誘電体
膜の干渉Ｗ＃２２を積層し、これはＳｉｎ、Ｓｉｎ、な
どの金属酸化物、Ａｌ１Ｎ、ＳｉＮなどの金属窒化物、
５ｉＡｊ！Ｎ、５ｉＡＩＯＮなどの金属混合物から成る
誘電体膜であり、更に光磁気記録媒体３．保護膜４．紫
外線硬化樹脂膜（以下ＵＶ樹脂）５を積層した。ここで
、基板１はポリカーボネイトに限ることなくＰＭＭＡ、
ポリオレフィン、エポキシ等のプラスチック材、ガラス
板等を使用できる。光磁気記録媒体３及びＳｉｎ、Ｓｉ
ｎ、、ＡＩＮ、ＳｉＮ、５ｉＡＩＮ、５ｉＡｊＯＮ等の
干渉膜２１．２２、保護膜４はスパッタリング法により
作製し、ＵＶ樹脂はスピンコードによりスピンコードす
る。ディスク構造に関しては、密着型の両面記録タイプ
やエアーサンドウィッチ型の両面記録タイプも可能であ
る。
断面図である。即ち、１はポリカーボネイト基板であり
、その上に第１の誘電体膜の干渉膜２１、第２の誘電体
膜の干渉Ｗ＃２２を積層し、これはＳｉｎ、Ｓｉｎ、な
どの金属酸化物、Ａｌ１Ｎ、ＳｉＮなどの金属窒化物、
５ｉＡｊ！Ｎ、５ｉＡＩＯＮなどの金属混合物から成る
誘電体膜であり、更に光磁気記録媒体３．保護膜４．紫
外線硬化樹脂膜（以下ＵＶ樹脂）５を積層した。ここで
、基板１はポリカーボネイトに限ることなくＰＭＭＡ、
ポリオレフィン、エポキシ等のプラスチック材、ガラス
板等を使用できる。光磁気記録媒体３及びＳｉｎ、Ｓｉ
ｎ、、ＡＩＮ、ＳｉＮ、５ｉＡＩＮ、５ｉＡｊＯＮ等の
干渉膜２１．２２、保護膜４はスパッタリング法により
作製し、ＵＶ樹脂はスピンコードによりスピンコードす
る。ディスク構造に関しては、密着型の両面記録タイプ
やエアーサンドウィッチ型の両面記録タイプも可能であ
る。
スパッタリング装置は通常用いられる装置で良いので図
示せずも、まず真空槽内に基板１を入れ高真空（＜ １
０−’ Ｐａ）に排気後、同一真空槽内で基板１に干渉
膜２１，２２、光磁気記録媒体膜３、保護膜４を成膜す
る０例えばＳｉＮ膜を干渉膜とする場合、Ａｒ＋Ｎ、ふ
ん囲気中、Ｓｉ、Ｎ、ターゲットを使用した反応性スパ
ッタリングにより屈折率ｎの低い（この場合ｎ＝１．７
５）ＳｉＮ膜２１を成膜し、その後反応ガスＮ２を遮断
し、屈折率ｎの高い（この場合ｎ−２，２）ＳｉＮ膜２
２を成膜する。また例えば屈折率ｎの高いＳｉＮ膜を先
に成膜し、その後反応ガスＮ２を入れ屈折率ｎの低い５
ｉＮＷｉ！を成膜することも可能である。
示せずも、まず真空槽内に基板１を入れ高真空（＜ １
０−’ Ｐａ）に排気後、同一真空槽内で基板１に干渉
膜２１，２２、光磁気記録媒体膜３、保護膜４を成膜す
る０例えばＳｉＮ膜を干渉膜とする場合、Ａｒ＋Ｎ、ふ
ん囲気中、Ｓｉ、Ｎ、ターゲットを使用した反応性スパ
ッタリングにより屈折率ｎの低い（この場合ｎ＝１．７
５）ＳｉＮ膜２１を成膜し、その後反応ガスＮ２を遮断
し、屈折率ｎの高い（この場合ｎ−２，２）ＳｉＮ膜２
２を成膜する。また例えば屈折率ｎの高いＳｉＮ膜を先
に成膜し、その後反応ガスＮ２を入れ屈折率ｎの低い５
ｉＮＷｉ！を成膜することも可能である。
このような方法で得られたディスクの膜厚と反射率の関
係を第２図、第３図に示す。スパッタリング・ターゲッ
トはＳｉ、Ｎ、とじ、誘電体膜はＳｉＮ膜とした場合の
例である。第２図は、干渉膜２１を屈折率ｎの低いＳｉ
Ｎ膜（５００人）、干渉膜２２を屈折率ｎの高いＳｔＮ
＠とし、その上に光磁気記録媒体膜３の膜厚を９００人
、保護膜４を屈折率ｎの低い５ｉＮＩｌｌ！（１０００
人）としたディスク構造で、干渉膜２２の膜厚をパラメ
ータとしたとき、ディスク反射率は２０〜４３％の間で
変化する。第３図は、干渉膜２１を屈折率ｎの高いＳｉ
Ｎ膜、干渉膜２２を屈折率ｎの低いＳｉＮ膜（１０００
人）、光磁気記録媒体膜３の膜厚を４００人、保護膜４
を屈折率ｎの高いＳｉＮ膜（６００人）としたディスク
構造で、干渉膜２１の膜厚をパラメータとしたとき、デ
ィスク反射率は４４〜７０％の間で変化する。このよう
に、簡単なディスク構造及び成膜方法で様々な反射率を
得ることができ、また、ＳｉＯ，ＳｉＯ□、ＡＩＮ、Ａ
ｌ０Ｎ、５ｉＡＩ！Ｎ、５ｉＡｉ’ＯＮなどの他の誘電
体膜についても同様のことが言える。
係を第２図、第３図に示す。スパッタリング・ターゲッ
トはＳｉ、Ｎ、とじ、誘電体膜はＳｉＮ膜とした場合の
例である。第２図は、干渉膜２１を屈折率ｎの低いＳｉ
Ｎ膜（５００人）、干渉膜２２を屈折率ｎの高いＳｔＮ
＠とし、その上に光磁気記録媒体膜３の膜厚を９００人
、保護膜４を屈折率ｎの低い５ｉＮＩｌｌ！（１０００
人）としたディスク構造で、干渉膜２２の膜厚をパラメ
ータとしたとき、ディスク反射率は２０〜４３％の間で
変化する。第３図は、干渉膜２１を屈折率ｎの高いＳｉ
Ｎ膜、干渉膜２２を屈折率ｎの低いＳｉＮ膜（１０００
人）、光磁気記録媒体膜３の膜厚を４００人、保護膜４
を屈折率ｎの高いＳｉＮ膜（６００人）としたディスク
構造で、干渉膜２１の膜厚をパラメータとしたとき、デ
ィスク反射率は４４〜７０％の間で変化する。このよう
に、簡単なディスク構造及び成膜方法で様々な反射率を
得ることができ、また、ＳｉＯ，ＳｉＯ□、ＡＩＮ、Ａ
ｌ０Ｎ、５ｉＡＩ！Ｎ、５ｉＡｉ’ＯＮなどの他の誘電
体膜についても同様のことが言える。
本発明による光磁気ディスクは、干渉膜を屈折率の異な
る同種の誘電体膜２層の積層より成り、更に光磁気記録
媒体膜、保護膜を積層した簡単な構造であり、また、干
渉膜はスパッタリング中の反応ガスの有無で容易に屈折
率の大きく異なる２層を形成できるため、その干渉膜の
膜厚を変化させることで、光の干渉により様々な反射率
を得ることができる。
る同種の誘電体膜２層の積層より成り、更に光磁気記録
媒体膜、保護膜を積層した簡単な構造であり、また、干
渉膜はスパッタリング中の反応ガスの有無で容易に屈折
率の大きく異なる２層を形成できるため、その干渉膜の
膜厚を変化させることで、光の干渉により様々な反射率
を得ることができる。
第１図は本発明による光磁気ディスクの断面図、第２図
、第３図は干渉膜の膜厚変化に伴うディスク反射率変化
の例とその時のディスク構造である。 １・・・基板 ３・・・光磁気記録媒体膜（ＲＥ −ＴＭ）４・・・保
護膜 ５・・・ＵＶ樹脂膜 ２１．２２・・・第１．第２の干渉膜である。
、第３図は干渉膜の膜厚変化に伴うディスク反射率変化
の例とその時のディスク構造である。 １・・・基板 ３・・・光磁気記録媒体膜（ＲＥ −ＴＭ）４・・・保
護膜 ５・・・ＵＶ樹脂膜 ２１．２２・・・第１．第２の干渉膜である。
Claims (1)
- 光磁気記録媒体膜の両面に誘電体膜が積層され、該媒体
膜に光ビームを照射して情報の記録、再生および消去を
行う光磁気ディスクにおいて、両誘電体膜はいずれもス
パッタリングにより成膜される金属酸化物、あるいは金
属窒化物からなる膜であって、両誘電体膜のうち基体上
に成膜される誘電体膜を屈折率の異なる第１及び第２の
誘電体膜の積層構成より成る干渉膜とすることを特徴と
する光磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22380390A JPH04105232A (ja) | 1990-08-25 | 1990-08-25 | 光磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22380390A JPH04105232A (ja) | 1990-08-25 | 1990-08-25 | 光磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04105232A true JPH04105232A (ja) | 1992-04-07 |
Family
ID=16803967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22380390A Pending JPH04105232A (ja) | 1990-08-25 | 1990-08-25 | 光磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04105232A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000030087A1 (en) * | 1998-11-13 | 2000-05-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optic (mo) recording medium |
-
1990
- 1990-08-25 JP JP22380390A patent/JPH04105232A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000030087A1 (en) * | 1998-11-13 | 2000-05-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optic (mo) recording medium |
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