JPH0410528A - 気相成長装置および気相成長方法 - Google Patents
気相成長装置および気相成長方法Info
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- JPH0410528A JPH0410528A JP11061190A JP11061190A JPH0410528A JP H0410528 A JPH0410528 A JP H0410528A JP 11061190 A JP11061190 A JP 11061190A JP 11061190 A JP11061190 A JP 11061190A JP H0410528 A JPH0410528 A JP H0410528A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、エピタキシャル成長等の気相化学反応によっ
てウェーハの表面上に薄膜層を形成するための気相成長
装置に関する。
てウェーハの表面上に薄膜層を形成するための気相成長
装置に関する。
（従来の技術）
第２図に従来の気相成長装置を示すか、該装置はベルジ
ャ１０１とベースプレート１０２とで囲まれる空間（反
応室）Ｓ内に、回転自在に支持されたペデスタル１０４
、該ペデスタル１０４に支持されたサセプタ１０５、該
サセプタ１０５の下方に配される加熱コイル１０６、該
加熱コイル１０６を被う有底二重筒状のコイルカバー１
０７等を収容して構成され、前記ペデスタル１０４には
反応ガスを供給する反応ガス供給管１０３か接続されて
いた。又、前記ベースプレート１０２にはバージガス供
給口１１７及びガス排出口１２３か開口しており、バー
ジガス供給口１１７にはバージガス供給管１１８か、ガ
ス排出口１２３にはガス排出ｖ１２４かそれぞれ接続さ
れていた。
ャ１０１とベースプレート１０２とで囲まれる空間（反
応室）Ｓ内に、回転自在に支持されたペデスタル１０４
、該ペデスタル１０４に支持されたサセプタ１０５、該
サセプタ１０５の下方に配される加熱コイル１０６、該
加熱コイル１０６を被う有底二重筒状のコイルカバー１
０７等を収容して構成され、前記ペデスタル１０４には
反応ガスを供給する反応ガス供給管１０３か接続されて
いた。又、前記ベースプレート１０２にはバージガス供
給口１１７及びガス排出口１２３か開口しており、バー
ジガス供給口１１７にはバージガス供給管１１８か、ガ
ス排出口１２３にはガス排出ｖ１２４かそれぞれ接続さ
れていた。
而して、前記サセプタ１０５上にセットされたウェーハ
Ｗは加熱コイル１０６によって所定温度に加熱され、反
応ガス供給管１０３を経て供給される反応ガスは、その
上部に配置された不図示の複数の開口部から図示矢印に
て示すように流出し、気相化学反応によフてウェーハＷ
上には所要の薄膜層か形成される。
Ｗは加熱コイル１０６によって所定温度に加熱され、反
応ガス供給管１０３を経て供給される反応ガスは、その
上部に配置された不図示の複数の開口部から図示矢印に
て示すように流出し、気相化学反応によフてウェーハＷ
上には所要の薄膜層か形成される。
ところて、加熱コイル１０６は一般には導電性の高い銅
（ＣＵ）等の金属で構成され、反応ガスは腐食性の強い
塩素系ガス等であることか多いため、バージガス供給管
１１Ｂから供給されるＨ２ 、Ｎ２ 、Ａｒ等の不活性
ガス（以下、バージガスと称する）によって反応ガスか
加熱コイル１０６に触れてこれを損傷せしめるのを防い
ており、この効果を高めるべく前記コイルカバー１０７
によて加熱コイル１０６を被うようにしている。尚、反
応ガス及びバージガスはガス排出口１２３からガス排出
管１２４を経て反応室Ｓ外に排出される。
（ＣＵ）等の金属で構成され、反応ガスは腐食性の強い
塩素系ガス等であることか多いため、バージガス供給管
１１Ｂから供給されるＨ２ 、Ｎ２ 、Ａｒ等の不活性
ガス（以下、バージガスと称する）によって反応ガスか
加熱コイル１０６に触れてこれを損傷せしめるのを防い
ており、この効果を高めるべく前記コイルカバー１０７
によて加熱コイル１０６を被うようにしている。尚、反
応ガス及びバージガスはガス排出口１２３からガス排出
管１２４を経て反応室Ｓ外に排出される。
（光明か解決しようとする課題）
しかしなから、従来の気相成長装置にあっては、コイル
カバー１０７か加熱コイル１０６を下まて完全に被って
いないため、反応ガスか加熱コイル１０６の下部空間部
に廻り込み、反応ガスか加熱コイル１０６に触れるのを
完全に防ぐことかできないという問題かあった。
カバー１０７か加熱コイル１０６を下まて完全に被って
いないため、反応ガスか加熱コイル１０６の下部空間部
に廻り込み、反応ガスか加熱コイル１０６に触れるのを
完全に防ぐことかできないという問題かあった。
又、加熱コイル１０６の放電によって該加熱コイル１０
６の一部か損傷し、内部を流れる冷却水か漏れ出た場合
、これを検知する手段かなく、ガス排出口１２３かベル
ジャ１０１より高い位置まて立ち上っている場合には、
漏れ出た水の一部かベルジャ１０１内に溜り、更に水位
か上昇し、反応ガス供給管１０３の開口部から逆流し、
反応ガス供給管１０３を経て他の気相成長装置に達し、
他の気相成長装置に悪影響を及ぼすという問題もあった
。
６の一部か損傷し、内部を流れる冷却水か漏れ出た場合
、これを検知する手段かなく、ガス排出口１２３かベル
ジャ１０１より高い位置まて立ち上っている場合には、
漏れ出た水の一部かベルジャ１０１内に溜り、更に水位
か上昇し、反応ガス供給管１０３の開口部から逆流し、
反応ガス供給管１０３を経て他の気相成長装置に達し、
他の気相成長装置に悪影響を及ぼすという問題もあった
。
本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、その目的と
する処は、反応ガスの加熱コイルへの接触を確実に防い
て加熱コイルの耐久性向上を図るとともに、漏水を素早
く検知することかできる気相反応装置を提供することに
ある。
する処は、反応ガスの加熱コイルへの接触を確実に防い
て加熱コイルの耐久性向上を図るとともに、漏水を素早
く検知することかできる気相反応装置を提供することに
ある。
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成すべく本発明は、ベルジャとベースプレ
ートとで囲まれる空間内に、ペデスタルに支持されたサ
セプタ、該サセプタの下方に配される加熱コイル、該加
熱コイルを被う有底二重筒状のコイルカバー等を収容し
て成る気相成長装置において、前記コイルカバーの外円
筒下端面を前記ベースプレートに当接せしめ、同コイル
カバーの内円筒下端面とベースプレートとの間に所定の
隙間を形成したことをその特徴とする。
ートとで囲まれる空間内に、ペデスタルに支持されたサ
セプタ、該サセプタの下方に配される加熱コイル、該加
熱コイルを被う有底二重筒状のコイルカバー等を収容し
て成る気相成長装置において、前記コイルカバーの外円
筒下端面を前記ベースプレートに当接せしめ、同コイル
カバーの内円筒下端面とベースプレートとの間に所定の
隙間を形成したことをその特徴とする。
（作用）
本発明によれば、反応ガスの加熱コイル下方への廻り込
みかコイルカバーによって確実に防かれるため、反応ガ
スの加熱コイルへの接触か防がれ、加熱コイルの腐食か
抑えられてその耐久性か高められる。この場合、バージ
ガス圧を反応ガス圧よりも幾分高くしておけば、バージ
ガスはコイルカバーの内周下端面とベースプレートとの
間に形成された隙間からコイルカバー外に流出し、サセ
プタとコイルカバー上面との間の隙間を流れるため、こ
の隙間への反応ガスの流入か防かれコイルカバー上面の
反応ガスによる汚染が防がれる。
みかコイルカバーによって確実に防かれるため、反応ガ
スの加熱コイルへの接触か防がれ、加熱コイルの腐食か
抑えられてその耐久性か高められる。この場合、バージ
ガス圧を反応ガス圧よりも幾分高くしておけば、バージ
ガスはコイルカバーの内周下端面とベースプレートとの
間に形成された隙間からコイルカバー外に流出し、サセ
プタとコイルカバー上面との間の隙間を流れるため、こ
の隙間への反応ガスの流入か防かれコイルカバー上面の
反応ガスによる汚染が防がれる。
又、本発明によれば、加熱コイルの放電によって′これ
の一部か損傷し、内部の冷却水か漏れ出ても、漏れ出た
水はバージガス排出口からバージガス排出管へ流れ、少
なくとも従来のように反応ガス供給管を経て他の気相成
長装置側へ達することかないため、他の気相成長装置か
悪影響を受けることかない。尚、バージガス排出口に接
続されるバージガス排出管に漏水検知器を設ければ、漏
水を稟早く検知することかてきる。
の一部か損傷し、内部の冷却水か漏れ出ても、漏れ出た
水はバージガス排出口からバージガス排出管へ流れ、少
なくとも従来のように反応ガス供給管を経て他の気相成
長装置側へ達することかないため、他の気相成長装置か
悪影響を受けることかない。尚、バージガス排出口に接
続されるバージガス排出管に漏水検知器を設ければ、漏
水を稟早く検知することかてきる。
（実施例）
以下に本発明の一実施例を添付図面に基づいて説明する
。
。
第１図は本発明に係る気相成長装置の構成図であり、該
装置は石英製のベルジャｌとステンレス製のベースプレ
ート２とで囲まれる反応室Ｓ、内に石英製のペデスタル
４．該ペデスタル４の上端に水平に、且つ気密分離可能
に接合されて支持されたリング状のカーボン製サセプタ
５、該サセプタ５の下方に配される銅製の高周波加熱コ
イル６、該高周波加熱コイル６を被う有底二重筒状の石
英製コイルカバー７等を収容して構成されている。尚、
前記ペデスタル４内には反応ガス供給管３が貫通してお
り、該反応ガス供給管３の上端は前記サセプタ５の中央
部に開口している。
装置は石英製のベルジャｌとステンレス製のベースプレ
ート２とで囲まれる反応室Ｓ、内に石英製のペデスタル
４．該ペデスタル４の上端に水平に、且つ気密分離可能
に接合されて支持されたリング状のカーボン製サセプタ
５、該サセプタ５の下方に配される銅製の高周波加熱コ
イル６、該高周波加熱コイル６を被う有底二重筒状の石
英製コイルカバー７等を収容して構成されている。尚、
前記ペデスタル４内には反応ガス供給管３が貫通してお
り、該反応ガス供給管３の上端は前記サセプタ５の中央
部に開口している。
ところで、前記ペデスタル４は、前記ベースプレート２
の中央部に設けられた筒状の支持部材８及び該支持部材
８の下面を被う蓋部材９にボールベアリング１０．１１
を介して回転自在に支持されており、これはモータ１２
の回転動力をギヤ１３．１４を経て受け、前記サセプタ
５と共に一定の速度て回転せしめられる。尚、前記蓋部
材９にはバージガス供給管１５が接続されている。
の中央部に設けられた筒状の支持部材８及び該支持部材
８の下面を被う蓋部材９にボールベアリング１０．１１
を介して回転自在に支持されており、これはモータ１２
の回転動力をギヤ１３．１４を経て受け、前記サセプタ
５と共に一定の速度て回転せしめられる。尚、前記蓋部
材９にはバージガス供給管１５が接続されている。
更に、前記支持部材８の上端内周部には前記ペデスタル
４の外周を被うリング状の遮熱部材１６か嵌着されてお
り、該遮熱部材１６には通気孔１７か貫設されている。
４の外周を被うリング状の遮熱部材１６か嵌着されてお
り、該遮熱部材１６には通気孔１７か貫設されている。
而して、前記コイルカバー７は図示のように加熱コイル
６の下方まで完全に被っており、その外円筒下端面はベ
ースプレート２に当接支持されており、同コイルカバー
７の内円筒下端面と前記遮熱部材１６との間には所定の
隙間δ□か形成されている。
６の下方まで完全に被っており、その外円筒下端面はベ
ースプレート２に当接支持されており、同コイルカバー
７の内円筒下端面と前記遮熱部材１６との間には所定の
隙間δ□か形成されている。
一方、前記ベースプレート２にはバージガス供給管１８
か貫通しており、その先部は加熱コイル６を支持する支
持板１９に穿設された孔１９ａ内に臨んでいる。又、ベ
ースプレート２には、コイルカバ−７にて囲まれる空間
ｓ２内に開口するバージガス排出口２ｏか形成されてお
り、このバージガス排出口２０にはバージガス排出管２
１か接続されている。尚、このバージガス排出管２１の
途中には不図示の漏水検知器が設けられている。
か貫通しており、その先部は加熱コイル６を支持する支
持板１９に穿設された孔１９ａ内に臨んでいる。又、ベ
ースプレート２には、コイルカバ−７にて囲まれる空間
ｓ２内に開口するバージガス排出口２ｏか形成されてお
り、このバージガス排出口２０にはバージガス排出管２
１か接続されている。尚、このバージガス排出管２１の
途中には不図示の漏水検知器が設けられている。
更に、ベースプレート２のコイルカバー７の外側の部位
には大径の反応ガス排出口２２が開口しており、この反
応ガス排出口２２には反応ガス排出管２３か接続されて
いる。
には大径の反応ガス排出口２２が開口しており、この反
応ガス排出口２２には反応ガス排出管２３か接続されて
いる。
次に、本気相成長装置の作用を説明する。
サセプタ５上にセットされたウェーハＷは、高周波加熱
コイル６によって所定の温度に加熱されなから、前述の
ようにペデスタル４か回転されることによってこれと共
に一定速度て回転せしめられる。このとき１反応室Ｓ１
内には反応ガス供給管３から塩素系の反応ガスが供給さ
れ、コイルカバー７内の空間Ｓ２内にはバージガス供給
管１５．１８から水素ガス等のバージガスか供給される
。尚、一方のバージガス供給管１５から供給されるバー
ジガスは遮熱部材１６に形成された通気孔１７がら空間
Ｓ２内に流入し、他方のバージガス供給管１８から供給
されるバージガスは加熱コイル６に向かって噴出される
。
コイル６によって所定の温度に加熱されなから、前述の
ようにペデスタル４か回転されることによってこれと共
に一定速度て回転せしめられる。このとき１反応室Ｓ１
内には反応ガス供給管３から塩素系の反応ガスが供給さ
れ、コイルカバー７内の空間Ｓ２内にはバージガス供給
管１５．１８から水素ガス等のバージガスか供給される
。尚、一方のバージガス供給管１５から供給されるバー
ジガスは遮熱部材１６に形成された通気孔１７がら空間
Ｓ２内に流入し、他方のバージガス供給管１８から供給
されるバージガスは加熱コイル６に向かって噴出される
。
而して、ウェーハＷの表面上には気相化学反応によって
所要の薄膜層が形成される。
所要の薄膜層が形成される。
以上において、本実施例ては、加熱コイル６はその下端
がベースプレート２まて延びるコイルカバー７によって
その全体か被われるため、反応ガスの加熱コイル６の下
方への廻り込みかコイルカバー７によって確実に防かれ
、反応ガスの加熱コイル６への接触か防がれ、加熱コイ
ル６の腐食か抑えられてその耐久性か高められる。この
場合、バージガス圧を反応ガス圧よりも幾分高くしてお
けば、バージガスは第１図に矢印にて示すようにコイル
カバー７の内円筒下端面と遮熱部材１６との間に形成さ
れた前記隙間δ１からコイルカバー７外に流出し、ペデ
スタル４とコイルカバー７との間に形成されるリング状
の隙間δ２及びサセプタ５とコイルカバー７との間の隙
間δ３を経て反応室Ｓ１へと流れるため、隙間δ３への
反応ガスの流入か防がれ、コイルカバ−７上面の反応ガ
スによる汚染か防かれる。
がベースプレート２まて延びるコイルカバー７によって
その全体か被われるため、反応ガスの加熱コイル６の下
方への廻り込みかコイルカバー７によって確実に防かれ
、反応ガスの加熱コイル６への接触か防がれ、加熱コイ
ル６の腐食か抑えられてその耐久性か高められる。この
場合、バージガス圧を反応ガス圧よりも幾分高くしてお
けば、バージガスは第１図に矢印にて示すようにコイル
カバー７の内円筒下端面と遮熱部材１６との間に形成さ
れた前記隙間δ１からコイルカバー７外に流出し、ペデ
スタル４とコイルカバー７との間に形成されるリング状
の隙間δ２及びサセプタ５とコイルカバー７との間の隙
間δ３を経て反応室Ｓ１へと流れるため、隙間δ３への
反応ガスの流入か防がれ、コイルカバ−７上面の反応ガ
スによる汚染か防かれる。
又１本実施例によれば、加熱コイル６の放電によってこ
れの一部が損傷し、内部の冷却水か漏れ出ても、漏れ出
た水はバージガス排出口２ｏからバージガス排出管２１
へ流れ、少なくとも従来のように反応ガス供給管３を経
て他の気相成長装置側へ達することかないため１他の気
相成長装置か悪影響を受けることかない。更に、この場
合には、漏水はバージガス排出管２１に設けられた漏水
検知器によって素早く検知されるため、漏水対策を迅速
に講することかできる。
れの一部が損傷し、内部の冷却水か漏れ出ても、漏れ出
た水はバージガス排出口２ｏからバージガス排出管２１
へ流れ、少なくとも従来のように反応ガス供給管３を経
て他の気相成長装置側へ達することかないため１他の気
相成長装置か悪影響を受けることかない。更に、この場
合には、漏水はバージガス排出管２１に設けられた漏水
検知器によって素早く検知されるため、漏水対策を迅速
に講することかできる。
（発明の効果）
以上の説明で明らかな如く、本発明によれば、ベルジャ
とベースプレートとで囲まれる空間内に、ペデスタルに
支持されたサセプタ、該サセプタの下方に配される加熱
コイル、該加熱コイルを被う有底二重筒状のコイルカバ
ー等を収容して成る気相成長装置において、前記コイル
カバーの外円筒下端面を前記ベースプレートに当接せし
め、同コイルカバーの内円筒下端面とベースプレートと
の間に所定の隙間を形成したため、反応ガスの加熱コイ
ルへの接触を確実に防いて加熱コイルの耐久性向上を図
るとともに、漏水を素早く検知することかてきるという
効果か得られる。
とベースプレートとで囲まれる空間内に、ペデスタルに
支持されたサセプタ、該サセプタの下方に配される加熱
コイル、該加熱コイルを被う有底二重筒状のコイルカバ
ー等を収容して成る気相成長装置において、前記コイル
カバーの外円筒下端面を前記ベースプレートに当接せし
め、同コイルカバーの内円筒下端面とベースプレートと
の間に所定の隙間を形成したため、反応ガスの加熱コイ
ルへの接触を確実に防いて加熱コイルの耐久性向上を図
るとともに、漏水を素早く検知することかてきるという
効果か得られる。
第１図は本発明に係る気相成長装置の構成図、第２図は
従来の気相成長装置の断面図である。 ｌ・・・ベルジャ、２・・・ベースプレート、４・−・
ペデスタル、５・・・サセプタ、６・・・高周波加熱コ
イル、７・・・コイルカバ−１２０・・・バージガス排
出口、Ｓｌ・・・反応室、Ｓ２・・・空間、δ１．δ２
．δ３・・・隙間。 特許出願人 信越半導体株式会社
従来の気相成長装置の断面図である。 ｌ・・・ベルジャ、２・・・ベースプレート、４・−・
ペデスタル、５・・・サセプタ、６・・・高周波加熱コ
イル、７・・・コイルカバ−１２０・・・バージガス排
出口、Ｓｌ・・・反応室、Ｓ２・・・空間、δ１．δ２
．δ３・・・隙間。 特許出願人 信越半導体株式会社
Claims (3)
- （１）ベルジャとベースプレートとで囲まれる空間内に
、ペデスタルに支持されたサセプタ、該サセプタの下方
に配される加熱コイル、該加熱コイルを被う有底二重筒
状のコイルカバー等を収容して成る気相成長装置におい
て、前記コイルカバーの外円筒下端面を前記ベースプレ
ートに当接せしめ、同コイルカバーの内円筒下端面とベ
ースプレートとの間に所定の隙間を形成したことを特徴
とする気相成長装置。 - （２）前記ペデスタル外周とサセプタ内周とが互いに気
密分離可能に接合し、サセプタと前記コイルカバーとの
間に所定の隙間を形成したことを特徴とする請求項１記
載の気相成長装置。 - （３）前記ベースプレートには、前記コイルカバーにて
囲まれる空間内に開口するバージガス排出口を形成した
ことを特徴とする請求項１記載の気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2110611A JP2593726B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 気相成長装置および気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2110611A JP2593726B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 気相成長装置および気相成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0410528A true JPH0410528A (ja) | 1992-01-14 |
| JP2593726B2 JP2593726B2 (ja) | 1997-03-26 |
Family
ID=14540215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2110611A Expired - Fee Related JP2593726B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 気相成長装置および気相成長方法 |
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5595241A (en) * | 1994-10-07 | 1997-01-21 | Sony Corporation | Wafer heating chuck with dual zone backplane heating and segmented clamping member |
| JPH09283450A (ja) * | 1996-04-15 | 1997-10-31 | Toshiba Mach Co Ltd | 気相成長装置 |
| JP2002280306A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Japan Science & Technology Corp | 基板回転・加熱装置並びにこれを用いた成膜装置及び分析装置 |
| US20100132615A1 (en) * | 2008-12-02 | 2010-06-03 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus |
| JP2012164889A (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 気相成長装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57184213A (en) * | 1981-05-08 | 1982-11-12 | Kokusai Electric Co Ltd | Vapor growth device for semiconductor |
| JPS62201927U (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-23 | ||
| JPH01220433A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Nec Corp | 気相成長装置 |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP2110611A patent/JP2593726B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57184213A (en) * | 1981-05-08 | 1982-11-12 | Kokusai Electric Co Ltd | Vapor growth device for semiconductor |
| JPS62201927U (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-23 | ||
| JPH01220433A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Nec Corp | 気相成長装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5595241A (en) * | 1994-10-07 | 1997-01-21 | Sony Corporation | Wafer heating chuck with dual zone backplane heating and segmented clamping member |
| JPH09283450A (ja) * | 1996-04-15 | 1997-10-31 | Toshiba Mach Co Ltd | 気相成長装置 |
| JP2002280306A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Japan Science & Technology Corp | 基板回転・加熱装置並びにこれを用いた成膜装置及び分析装置 |
| US20100132615A1 (en) * | 2008-12-02 | 2010-06-03 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus |
| JP2010135420A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-06-17 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
| US9103030B2 (en) * | 2008-12-02 | 2015-08-11 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus |
| JP2012164889A (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 気相成長装置 |
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