JPH04105568U

JPH04105568U - マルチビーム半導体レーザ装置

Info

Publication number: JPH04105568U
Application number: JP757991U
Authority: JP
Inventors: 靖之別所
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1991-02-20
Filing date: 1991-02-20
Publication date: 1992-09-10

Abstract

(57)【要約】【目的】本考案は、複数本のレーザビームを出射する
マルチビーム半導体レーザ装置において、ビーム間隔が
より狭いマルチビーム半導体レーザ装置を提供するもの
である。【構成】夫々同一導電型の半導体基板上に活性層を含
む発振層が形成された２つの半導体レーザチップを、各
々のチップから出射されるレーザビームの軸を合わせ
て、各々の発振層側表面で互いに固着する。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、複数本のレーザビームを出射するマルチビーム半導体レーザ装置に関し、特に光情報機器等の光源に適する。

【０００２】

【従来の技術】

現在、光情報機器の光源として、複数本のレーザビームを独立に出射可能なマルチビーム半導体レーザが用いられている。

【０００３】斯るマルチビーム半導体レーザには、ヒートシンク等の基台上に複数の半導体レーザチップを並列に載置したハイブリッド型のものと、同一の半導体基板上に複数のレーザ共振器を形成したモノリシック型のものとがある（例えば、SANYO TECHNICAL REVIEW,Vol.20,No.1(1988),P.7〜13参照）。

【０００４】一方、光情報機器においては、光ディスクの記録密度を向上させるために、これらマルチビーム半導体レーザのビーム間隔を狭くすることが要求されている。この様にビーム間隔を狭くする点については、同一の基板上に複数の電流通路、即ちレーザ共振器を設けるモノリシック型のマルチビーム半導体レーザの方が、複数の電流通路をフォトリソ等の微細加工技術を用いて近接して形成できるので有利である。

【０００５】しかしながら、斯るモノリシック型のマルチビーム半導体レーザにおいては、各レーザ共振器を独立に駆動できるように、各レーザ共振器間に電気的分離用の分離溝を形成する必要がある。このため、斯るモノリシック型のマルチビーム半導体レーザにおいても、ビーム間隔を狭くするのに限界があり、せいぜい３０μ ｍ程度までであった。

【０００６】

【考案が解決しようとする課題】従って、本考案は、さらにビーム間隔を狭くすることができるマルチビーム半導体レーザ装置を提供するものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】

本考案は、上記課題を解決するため、夫々同一導電型の半導体基板上に活性層を含む発振層が形成された２つの半導体レーザチップを、各々の発振層側表面で互いに固着したことを特徴とする。

【０００８】

【作用】

通常、基板上に活性層を含む発振層を形成した半導体レーザチップにおいては、活性層から発振層側のチップ表面までの距離は数μｍと薄い。従って、２つの半導体レーザチップを各々の発振層側で互いに固着することによって、２つの半導体レーザチップの活性層の間隔、即ちビーム間隔を、従来に比べより狭くすることができる。

【０００９】

【実施例】

図１に本考案装置の一実施例を示す。

【００１０】図において、(1a)は第１の半導体レーザチップ、(1b)は第２の半導体レーザチップで、本実施例装置においては、夫々同じレーザ構成を有する。以下にそのレーザ構成を説明する。

【００１１】 (２)はｐ型ＧａＡｓからなる基板、(３)は基板(２)の一主面(2a)上に形成されたｎ型ＧａＡｓからなるブロック層で、ブロック層(３)にはレーザ共振器方向( 図面垂直方向)に沿って、基板(２)まで達する深さのストライプ状のＶ字溝(４) が形成されている。

【００１２】 (５)はＶ字溝(４)内を含んでブロック層(３)上に形成されたｐ型ＧａＡｌＡｓからなるｐ型クラッド層、(６)はｐ型クラッド層(５)上に形成されたアンドープＧａＡｌＡｓからなる活性層、(７)は活性層(６)上に形成されたｎ型ＧａＡｌＡｓからなるｎ型クラッド層、(８)はｎ型クラッド層(７)上に形成されたｎ型ＧａＡｓからなるキャップ層である。

【００１３】 (９)はキャップ層(８)上に形成されたｎ側電極、(10)は基板(３)の他主面(2b) 上に形成されたｐ側電極である。

【００１４】 (11)はＩｎからなる融着材で、半導体レーザチップ(1a)(1b)は斯る融着材(11) を介して各々のｎ側電極(９)(９)側、即ち発振層側で互いに固着されている。このとき、各チップはＶ字溝(４)を揃えて固着される。また、半導体レーザチップ (1a)は半導体レーザチップ(1b)に比してチップ幅を大きくし、後述するボンディングワイヤのボンディング領域を確保している。

【００１５】 (12)はＳｉからなるヒートシンク、(13)はヒートシンク(12)上に設けられたＩｎからなる融着材で、半導体レーザチップ(1a)はそのｐ側電極(10)側で融着材(1 3)を介してヒートシンク(12)上に固着される。

【００１６】 (14)は半導体レーザチップ(1a)のｎ側電極(９)上にボンディングされたＡｕからなる共通ワイヤ、(15)は融着材(13)上にボンディングされたＡｕからなる第１独立ワイヤ、(16)は半導体レーザチップ(1b)のｐ側電極(10)上にボンディングされたＡｕからなる第２独立ワイヤである。

【００１７】而して、本実施例装置では、共通ワイヤ(14)と第１独立ワイヤ(15)との間、あるいは共通ワイヤ(14)と第２独立ワイヤ(16)との間に順バイアスを印加することによって、各チップを独立に駆動することができる。

【００１８】本実施例装置において、各チップのｎ型クラッド層(７)、キャップ層(８)、ｎ側電極(９)の厚さを夫々２μｍ、２μｍ、０．５μｍとし、融着材(11)の厚さを１μｍとすると、各チップから出射されるビーム間隔は１０μｍになる。一方、基板(１)の厚さは通常数十〜百数十μｍと、これら発振層の合計厚さに比べて非常に厚いので、２つのチップを基板側で固着してもビーム間隔を従来の３０μｍより狭くすることはできない。また、これら発振層の厚さは斯る実施例に限定されるものではなく、各数値を適宜変更することによって、ビーム間隔を変えても良い。

【００１９】斯る本実施例装置において、半導体レーザチップ(1a)(1b)共に、共振器長を２５０μｍ、前後の共振器端面の反射率を夫々１５％、７０％としたときの電流− 光出力特性を図２に示す。図中、実線は半導体レーザチップ(1a)の特性、破線は半導体レーザチップ(1b)の特性を示している。図から明らかなように、各チップ共３０ｍＷ程度まで直線性の良い出力特性が得られている。

【００２０】以上、本実施例においては、同じ構成の半導体レーザチップを用いたが、異なるチップ、例えば縦モードがシングルモードのチップとマルチモードチップ、あるいは波長の異なるチップを組み合わせても良い。

【００２１】

【考案の効果】

本考案によれば、マルチビーム半導体レーザ装置において、２つの半導体レーザチップを各々の積層体側で互いに固着することによって、２つの半導体レーザチップの活性層の間隔、即ちビーム間隔を、従来の３０μｍに比べ、例えば１０ μｍ程度、あるいはそれ以下と非常に狭くすることができ、且つエッチング等の素子分離のための工程がなく、２つのチップを固着するだけで良いので組立て工程が簡単である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案装置の一実施例を示す断面図である。

【図２】本実施例装置の電流−光出力特性を示す特性図
である。

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

【請求項１】夫々同一導電型の半導体基板上に活性層
を含む発振層が形成された２つの半導体レーザチップ
を、各々の発振層側表面で互いに固着したことを特徴と
するマルチビーム半導体レーザ装置。