JPH041068B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH041068B2 JPH041068B2 JP16320283A JP16320283A JPH041068B2 JP H041068 B2 JPH041068 B2 JP H041068B2 JP 16320283 A JP16320283 A JP 16320283A JP 16320283 A JP16320283 A JP 16320283A JP H041068 B2 JPH041068 B2 JP H041068B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shutter
- wafer
- film
- open position
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、スパツタ装置に関するものである。
従来のスパツタ装置を第１図に基づいて説明す
る。
る。
第１図で、予備室３、基板加熱室４、第１スパ
ツタ室５、第２スパツタ室６が、順次直列配置さ
れている。
ツタ室５、第２スパツタ室６が、順次直列配置さ
れている。
第１図で、第１スパツタ室５、第２スパツタ室
６内には、各室に配置されたそれぞれのウエハ１
の被成膜面にスパツタ薄膜形成時において余分な
膜が付着しないようにシヤツタ２がそれぞれ設け
られている。ここで、それぞれのシヤツタ２の開
位置（ウエハ１の被成膜面にシヤツタ２の面が全
く対応しない位置）ロが１カ所設定されている。
この場合、ウエハ１の被成膜面へのスパツタ薄膜
形成開始に伴つてシヤツタ２は、閉位置イ（ウエ
ハ１の被成膜面がシヤツタ２の面で覆われている
位置）から開位置ロにシヤツタ駆動手段（図示省
略）により矢印のごとく移動させられる。この状
態を維持してウエハ１の被成膜面へのスパツタ薄
膜形成が実施される。そして、このようなスパツ
タ薄膜形成終了に伴つて開位置ロにあるシヤツタ
２は、閉位置イにシヤツタ駆動手段により先ほど
とは逆方向に矢印のごとく移動させられ、これに
より、スパツタ薄膜形成が終了する。
６内には、各室に配置されたそれぞれのウエハ１
の被成膜面にスパツタ薄膜形成時において余分な
膜が付着しないようにシヤツタ２がそれぞれ設け
られている。ここで、それぞれのシヤツタ２の開
位置（ウエハ１の被成膜面にシヤツタ２の面が全
く対応しない位置）ロが１カ所設定されている。
この場合、ウエハ１の被成膜面へのスパツタ薄膜
形成開始に伴つてシヤツタ２は、閉位置イ（ウエ
ハ１の被成膜面がシヤツタ２の面で覆われている
位置）から開位置ロにシヤツタ駆動手段（図示省
略）により矢印のごとく移動させられる。この状
態を維持してウエハ１の被成膜面へのスパツタ薄
膜形成が実施される。そして、このようなスパツ
タ薄膜形成終了に伴つて開位置ロにあるシヤツタ
２は、閉位置イにシヤツタ駆動手段により先ほど
とは逆方向に矢印のごとく移動させられ、これに
より、スパツタ薄膜形成が終了する。
このようなスパツタ装置では、スパツタ薄膜形
成速度が遅い場合には、ウエハの被成膜面に形成
される膜厚のバラツキに対するシヤツタの開閉速
度の影響は少ないが、しかし、高スループツト、
高スパツタ薄膜形成速度を実現しようとする場合
は、シヤツタの開閉速度が、ウエハの被成膜面に
形成される膜厚のバラツキに大きく影響する。例
えば、シヤツタの開閉速度に対応する開閉時間を
ｔ、スパツタ薄膜形成速度に対応するスパツタ時
間をＴとすると、膜厚のバラツキは、ｔ／
TX100％と大きくなる欠点を有していた。
成速度が遅い場合には、ウエハの被成膜面に形成
される膜厚のバラツキに対するシヤツタの開閉速
度の影響は少ないが、しかし、高スループツト、
高スパツタ薄膜形成速度を実現しようとする場合
は、シヤツタの開閉速度が、ウエハの被成膜面に
形成される膜厚のバラツキに大きく影響する。例
えば、シヤツタの開閉速度に対応する開閉時間を
ｔ、スパツタ薄膜形成速度に対応するスパツタ時
間をＴとすると、膜厚のバラツキは、ｔ／
TX100％と大きくなる欠点を有していた。
本発明の目的は、従来のスパツタ装置における
欠点を除き、スパツタ薄膜形成速度によらず容易
かつ確実に薄膜が均一に形成できるスパツタ装置
を提供することにある。
欠点を除き、スパツタ薄膜形成速度によらず容易
かつ確実に薄膜が均一に形成できるスパツタ装置
を提供することにある。
従来のスパツタ装置では、膜の厚い部分がウエ
ハの被成膜面での一方側に片寄り第３図に示すご
とく膜厚の不均一を生ずる。
ハの被成膜面での一方側に片寄り第３図に示すご
とく膜厚の不均一を生ずる。
そこで、本発明は、固定して配置されたウエハ
の被成膜面に余分な膜が付着しないように設けた
シヤツタを有するスパツタ装置において、前記ウ
エハ１個の被成膜面と対応する前記シヤツタの面
の大きさを前記ウエハの被成膜面を覆う大きさと
し、前記シヤツタの開位置を前記ウエハの被成膜
面の両側の位置に設定し、前記ウエハの被成膜面
への膜形成開始に伴い前記シヤツタの閉位置から
一方の前記開位置に前記シヤツタを移動させ、前
記ウエハの被成膜面への膜形成終了に伴い前記一
方の開位置から前記閉位置を通つて他方の前記開
位置に、そして、該他方の開位置から前記閉位置
に前記シヤツタを移動させるシヤツタ駆動手段を
備えたものとし、第４図に示すごとく両側より薄
膜が形成されて膜形成を均一化したものである。
の被成膜面に余分な膜が付着しないように設けた
シヤツタを有するスパツタ装置において、前記ウ
エハ１個の被成膜面と対応する前記シヤツタの面
の大きさを前記ウエハの被成膜面を覆う大きさと
し、前記シヤツタの開位置を前記ウエハの被成膜
面の両側の位置に設定し、前記ウエハの被成膜面
への膜形成開始に伴い前記シヤツタの閉位置から
一方の前記開位置に前記シヤツタを移動させ、前
記ウエハの被成膜面への膜形成終了に伴い前記一
方の開位置から前記閉位置を通つて他方の前記開
位置に、そして、該他方の開位置から前記閉位置
に前記シヤツタを移動させるシヤツタ駆動手段を
備えたものとし、第４図に示すごとく両側より薄
膜が形成されて膜形成を均一化したものである。
以下、本発明の一実施例を第２図、第４図によ
り説明する。
り説明する。
第２図で、第１スパツタ室５、第２スパツタ室
６内には、固定した位置でウエハ１が１個それぞ
れ配置、この場合、被成膜面の姿勢を略垂直姿勢
で配置されるようになつている。第１スパツタ室
５、第２スパツタ室６内には、シヤツタ２が１個
それぞれ設けられている。それぞれのシヤツタ２
の面の大きさは、各室内に固定し配置される１個
のウエハの被成膜面を覆う大きさである。各室内
においてシヤツタ２の開位置はウエハ１の被成膜
面の両側に設定されている。第１スパツタ室５、
第２スパツタ室６は、シヤツタ駆動手段（図示省
略）をそれぞれ備えている。シヤツタ駆動手段
は、シヤツタ２を閉位置イから一方の開位置ロ
に、該一方の開位置ロから閉位置イを通つて他方
の開位置ハに、そして、該他方の開位置ハから閉
位置イに順次移動させる機能を有している。更
に、この場合、シヤツタ駆動手段、シヤツタ２を
揺動させて上記のように移動させる機能を有して
いる。そして、この場合、シヤツタ２のウエハ１
の被成膜面と対応する面の揺動面は、ウエハ１の
被成膜面と略平行な面、つまり、略垂直面をなす
ようになつている。尚、第２図で、その他第１図
の室と同一室は同一符号で示し説明を省略する。
６内には、固定した位置でウエハ１が１個それぞ
れ配置、この場合、被成膜面の姿勢を略垂直姿勢
で配置されるようになつている。第１スパツタ室
５、第２スパツタ室６内には、シヤツタ２が１個
それぞれ設けられている。それぞれのシヤツタ２
の面の大きさは、各室内に固定し配置される１個
のウエハの被成膜面を覆う大きさである。各室内
においてシヤツタ２の開位置はウエハ１の被成膜
面の両側に設定されている。第１スパツタ室５、
第２スパツタ室６は、シヤツタ駆動手段（図示省
略）をそれぞれ備えている。シヤツタ駆動手段
は、シヤツタ２を閉位置イから一方の開位置ロ
に、該一方の開位置ロから閉位置イを通つて他方
の開位置ハに、そして、該他方の開位置ハから閉
位置イに順次移動させる機能を有している。更
に、この場合、シヤツタ駆動手段、シヤツタ２を
揺動させて上記のように移動させる機能を有して
いる。そして、この場合、シヤツタ２のウエハ１
の被成膜面と対応する面の揺動面は、ウエハ１の
被成膜面と略平行な面、つまり、略垂直面をなす
ようになつている。尚、第２図で、その他第１図
の室と同一室は同一符号で示し説明を省略する。
第２図で、例えば、第１スパツタ室５内には、
ウエハ１が１個搬入されて固定された位置に配置
される。そして、シヤツタ２は閉位置イに位置付
けられる。つまり、この状態では、ウエハ１の被
成膜面は、シヤツタ２の面で覆われており、従つ
て、ウエハ１の被成膜面へのスパツタ薄膜形成は
生じない。ウエハ１の被成膜面へのスパツタ薄膜
形成開始に伴つてシヤツタ２は、閉位置イから一
方の開位置ロに矢印Ａ方向にシヤツタ駆動手段に
より移動させられる。この状態を維持して、ウエ
ハ１の被成膜面へのスパツタ薄膜形成が実施され
る。そして、その後、ウエハ１の被成膜面へのス
パツタ薄膜形成の終了に伴い、シヤツタ２は、一
方の開位置ロから閉位置イを通つて他方の開位置
ハに矢印Ｂ，Ｃ方向にシヤツタ駆動手段により移
動させられ、そして、地方の開位置ハから閉位置
イに矢印Ｄ方向にシヤツタ駆動手段により移動さ
せられる。これにより、ウエハ１の被成膜面への
スパツタ薄膜形成が終了する。
ウエハ１が１個搬入されて固定された位置に配置
される。そして、シヤツタ２は閉位置イに位置付
けられる。つまり、この状態では、ウエハ１の被
成膜面は、シヤツタ２の面で覆われており、従つ
て、ウエハ１の被成膜面へのスパツタ薄膜形成は
生じない。ウエハ１の被成膜面へのスパツタ薄膜
形成開始に伴つてシヤツタ２は、閉位置イから一
方の開位置ロに矢印Ａ方向にシヤツタ駆動手段に
より移動させられる。この状態を維持して、ウエ
ハ１の被成膜面へのスパツタ薄膜形成が実施され
る。そして、その後、ウエハ１の被成膜面へのス
パツタ薄膜形成の終了に伴い、シヤツタ２は、一
方の開位置ロから閉位置イを通つて他方の開位置
ハに矢印Ｂ，Ｃ方向にシヤツタ駆動手段により移
動させられ、そして、地方の開位置ハから閉位置
イに矢印Ｄ方向にシヤツタ駆動手段により移動さ
せられる。これにより、ウエハ１の被成膜面への
スパツタ薄膜形成が終了する。
これにより、高スループツト、高スパツタ薄膜
形成速度を実現しようとする場合においてもシヤ
ツタの開閉速度のウエハの被成膜面に形成される
膜厚のバラツキに及ぼす影響は無くなる。つま
り、第４図に示すごとく、ウエハ１の被成膜面に
形成された薄膜の膜厚状態は、ウエハ１の被成膜
面の左右方向から対称となり、従つて、スパツタ
薄膜形成速度によらず均一な厚さの薄膜を容易か
つ確実に得ることができる。
形成速度を実現しようとする場合においてもシヤ
ツタの開閉速度のウエハの被成膜面に形成される
膜厚のバラツキに及ぼす影響は無くなる。つま
り、第４図に示すごとく、ウエハ１の被成膜面に
形成された薄膜の膜厚状態は、ウエハ１の被成膜
面の左右方向から対称となり、従つて、スパツタ
薄膜形成速度によらず均一な厚さの薄膜を容易か
つ確実に得ることができる。
尚、シヤツタの移動は、上記実施例のような揺
動の他に直線の移動であつても良く、シヤツタの
個数も適宜選定でき、移動方向も組み合わせて使
用可能である。また、シヤツタの形状は、第５図
に示すごとく扇形にすることもできる。
動の他に直線の移動であつても良く、シヤツタの
個数も適宜選定でき、移動方向も組み合わせて使
用可能である。また、シヤツタの形状は、第５図
に示すごとく扇形にすることもできる。
本発明によれば、スパツタ薄膜形成速度によら
ず容易かつ確実に薄膜が均一に形成できる効果が
ある。
ず容易かつ確実に薄膜が均一に形成できる効果が
ある。
第１図は、従来のスパツタ装置の概略構成図、
第２図は、本発明の一実施例のスパツタ装置の概
略構成図、第３図は、第１図装置を用いた従来の
膜厚状態を模式的に示すウエハの平面図、第４図
は、第２図装置を用いた本発明による膜厚状態を
模式的に示すウエハの平面図、第５図は、シヤツ
タの別の実施例を示す概略正面図である。 １……ウエハ、２……シヤツタ、５……第１ス
パツタ室、６……第２スパツタ室、イ……シヤツ
タ閉位置、ロ，ハ……シヤツタ開位置。
第２図は、本発明の一実施例のスパツタ装置の概
略構成図、第３図は、第１図装置を用いた従来の
膜厚状態を模式的に示すウエハの平面図、第４図
は、第２図装置を用いた本発明による膜厚状態を
模式的に示すウエハの平面図、第５図は、シヤツ
タの別の実施例を示す概略正面図である。 １……ウエハ、２……シヤツタ、５……第１ス
パツタ室、６……第２スパツタ室、イ……シヤツ
タ閉位置、ロ，ハ……シヤツタ開位置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 固定して配置されたウエハの被成膜面に余分
な膜が付着しないように設けたシヤツタを有する
スパツタ装置において、 前記ウエハ１個の被成膜面と対応する前記シヤ
ツタの面の大きさを前記ウエハの被成膜面を覆う
大きさとし、 前記シヤツタの開位置を前記ウエハの被成膜面
の両側の位置に設定し、 前記ウエハの被成膜面への膜形成開始に伴い前
記シヤツタの閉位置から一方の前記開位置に前記
シヤツタを移動させ、前記ウエハの被成膜面への
膜形成終了に伴い前記一方の開位置から前記閉位
置を通つて他方の前記開位置に、そして、該他方
の開位置から前記閉位置に前記シヤツタを移動さ
せるシヤツタ駆動手段を備えたことを特徴とする
スパツタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16320283A JPS6056068A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | スパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16320283A JPS6056068A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | スパッタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6056068A JPS6056068A (ja) | 1985-04-01 |
| JPH041068B2 true JPH041068B2 (ja) | 1992-01-09 |
Family
ID=15769217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16320283A Granted JPS6056068A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | スパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6056068A (ja) |
-
1983
- 1983-09-07 JP JP16320283A patent/JPS6056068A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6056068A (ja) | 1985-04-01 |
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