JPS5913069A

JPS5913069A - スパツタリング装置

Info

Publication number: JPS5913069A
Application number: JP11954782A
Authority: JP
Inventors: Tomoshiro Shioda; 潮田　友四郎
Original assignee: Tokuda Seisakusho Co Ltd
Current assignee: Tokuda Seisakusho Co Ltd
Priority date: 1982-07-09
Filing date: 1982-07-09
Publication date: 1984-01-23
Also published as: JPS6160911B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の技術分野〕本発明は、フィルム状基体の両面に機能薄膜としてスノ
ｆツタ薄膜を連続的に形成するスパッタリング装置に関
する。

〔発明の背景技術およびその問題点〕

近年、記録媒体層がスパッタ薄膜によって形成された磁
気記録媒体が出現している。スノｆツタ薄膜は、通常、
低圧の不活性ガス中でグロー放電を行なわせ、この放電
によって生じた陽イオンをターゲットに衝突させ、この
衝突によってターゲットからたたき出された金属微粒子
を所定の支持基体の表面に付着させることによって形成
される。したがって、ターゲットとして磁気記録性に富
んだ材料を選択すれば、良好な記録媒体層を形成するこ
とができる。

ところで、最近では、フィルム状基体の両面にス・臂ツ
タ薄膜で形成された記録媒体層を有する磁気記録媒体の
出現が望まれ、この磁気記録媒体を製造し得るスフ４ツ
タリング装置の提案も幾つかなされている。

スパッタリングによって形成された磁気記録媒体層の磁
気的特性の均一性は、スパッタリング時における不活性
ガス圧力、基体とターゲットとの間の距離、スノ譬ツタ
速度、基体温度等によって左右され、このうち、基体と
ターゲットの間の距離および基体温度を一定に保つこと
は重要である。このような点を考慮に入れると、フィル
ム状基体の両面にスパッタ薄膜を連続的に形成するには
ワークレールによってフィルム状基体を保持させる方式
が何かと有利である。

すなわち、内部を通流する冷媒によって冷却され、かつ
回転駆動されるワークロールの外周面に沿わせてフィル
ム状基体を移送させるとともに上記フィルム状基体の上
記ワークロールの外周面に接触している部分の表面にス
フ４ツタ薄膜を連続的に形成するようにする。このよう
にすると、フィルム状基体がワークロールに接触してい
る時間を長くでき、これによって基体を良好に冷却でき
るとともにワークロールによって基体とターゲットとの
間の距離を常に一定に保つことができる。

しかしながら、スｉ＋　ｙり薄膜のなかには、たとえば
、まず、下地層を形成し、その上に木屑を形成する二層
構造にすることが望ましいものもある、このような二層
構造のスパッタ薄膜をフィルム状基体の両面に亘って形
成するには、片面にスパッタ薄膜を形成するために、少
なくとも２個、両面で少なくとも４個のワークロールを
必要とする。したがって、スパッタリングによって基体
が加熱される回数は１個所につき最低４回となる。基体
のなかには、加熱温度がそれ程高い値でなくても、加熱
によって、いわゆる伸びを生じるものがある。このよう
な基体にあっては一方の面へのスＡ？ツタ薄膜形成工程
が終了して他方の面へのスノｆツタ薄膜形成工程へ移行
させたとき）この工程を実行するワークロールとの間の
スリップが必然的に大きくなる−ち− この場合、上記他方の面へのスフ４ツタ薄膜形成工程を
実行するワークロールの外周面に、すでに形成されてい
る一方の面のスパッタ薄膜が接触することになるので、
上記スリップによって、すでに形成されているスパッタ
薄膜が傷つけられてしまう虞れが多分にある。また、ス
リップによってワークロールを介しての基体の冷却が低
下し、この結果、基体そのものが熱的な損傷を受ける虞
れも多分にあった。

〔発明の目的〕

本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、そ
の目的とするところは、基体の保持にワークロールを使
用するものにおいて、基体とワークロールとの間に生じ
易いスリップをなくすことができ、もって基体の両面に
良好なスパッタ薄膜を連続的に形成できるスパッタリン
グ装置を提供することにある。

〔発明の概要〕

本発明に係るスパッタリング装置は、各ワークロールの
外周面に沿って通過するフィルム状６一基体の進行速度と各ワークロールの回転速度との間の相
対速度差を上記フィルム状基体に加わる張力を制御して
零に近ずける張力制御装置を設けたことを特徴としてい
る。

上記張力制御装置は、各ワークロール間を進行するフィ
ルム状基体の張力を検出して後段に位置するワークロー
ルの速度を補正する方式、予め各ワークロール間に速度
差を設定する方式、ワークロールを駆動するモータの入
力電流に基いて対応するワークロールの回転速度を補正
する方式あるいは各ワークロール間を進行するフィルム
状基体に一定荷重を印加する方式などを実現できる構成
となっている。

〔発明の効果〕

上記構成であると、スノ臂ツタリングによってフィルム
状基体に、たとえ伸びが生じた場合であっても、このフ
ィルム状基体を各９−クロールの外周面に沿わわせて両
者間のスリツノが非常に小さい状態で進行させることが
できる。このため、片面へのスフ４ツタ薄膜形成工程後
、他面へのスフ４ツタ薄膜形成工程に移行したときでも
、すでに形成されている片面のスパッタ薄膜が上記工程
を実行するワークロールによって傷つけられる虞れがな
い。したがって、高品質の両面スフ４ツタ薄膜付きのも
のを製造することができる。また、スリツノの非常に小
さい状態でフィルム状基体を各ワークロールの外周面に
沿わせて進行させることができるので、各ワーク四−ル
を介して基体を良好に冷却でき、基体の熱損傷を防止で
きる。したがって、スパッタリングツ臂ワーを増加させ
ることによって薄膜形成速度を増加させることができ、
短時間に所望膜厚のものを両面に形成することができる
。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら説明する
。なお、この実施例は、高分子フィルムの両面に磁気記
録媒体層を形成する装置に本発明を適用した例である。

第１図において、図中１は、たとえば金属材製の真空容
器であり、この真空容器１は、軸心線が重力方向に対し
て直交するように配置された円筒部２と、この円筒部２
の両端開口部を気密に蓋する蓋体３ａ、３ｂ（但し３ｂ
は図示せず。）とで構成されている。そして、円筒部２
には図示しない排気系に通じる排気口４と、同じく図示
しない不活性ガス供給系に通じるガス導入口５とが形成
されている。なお、前記蓋体３ｂは選択的に開閉できる
構造に形成されてい・　る。

しかして、真空容器１内には、この真空容器１内におい
て、フィルム状基体Ｐを前記円筒部２の軸心線に対して
直交する進路で、かつ下から上へとコ字状の経路で案内
走行させる案内機構１１が設けられている。この案内機
構１１は、真空容器１内の上下２分割仮想線より下方に
図中左方から右方に亘って配置された供給リール１２お
よびワークロール１３．１４と、上下２分割仮想線より
上方に図中右方から左方に亘って配置されたワークロー
ル１５．１６および巻取り−ル１７と、これらの間にそ
れぞれ配置さ９− れたフリーロール１８とで構成されている。これらフリ
ーロール１８．ワークロール１３゜１４．１５．１６．
供給リール１２および巻取リール１７は、それぞれ、そ
の軸心線が前記円筒部２の軸心線と平行するように配置
されている。そして、供給リール１２から巻戻されたフ
ィルム状基体Ｐは、ワークロール１３　ｅ　１４　ｍ１
５．１６の順に各ワークロールの外周面に沿い、かつ各
ワークロール毎にその最下面位置において折り返す関係
に案内され、最終的に巻取リール１７に巻取られるよう
に案内される。

上記供給リール１２および巻取リール１７には、それぞ
れ駆動軸（図示せず）が連結されており、これら駆動軸
は、蓋体３ａを上記蓋体３ａとの間が絶縁された状態で
気密にかつ回転自在に貫通して、第２図にそれぞれａを
付して示す直流分巻形のモータ１２ｈ、１７ｍの回転軸
に連結されている。また、前記ワークロール１３．１４
．１５．１６は、それぞれ二重筒状に形成されており、
これらワークロール１３゜１０− １　’４　＃　１５　、　Ｊ　６には、それぞれ二重筒
状に形成された駆動軸が対応する空間どうしを連通させ
た状態に連結され工いる。そして、二重筒状に形成され
た各駆動軸は、蓋体３ａを上記蓋体３ａとの間が絶縁さ
れた状態で気密にかつ回転自在に貫通して第２図にそれ
ぞれａを付して示す直流分巻形のモータＩ　Ｊ　ａ　＠
　１４　ａ　ｒ　１５１Ｌ＊１６ａの回転軸に連結され
ている。なお、二重筒状に形成された上記各駆動軸の真
空容器１外に位置する部分には、それぞれ、上記駆動軸
の中央部に存在する空間を通してワークロールの中央部
に存在する空間に熱媒体を送り込み、この熱媒体をワー
クロール内の外側空間および駆動軸内の外側空間を介し
て外部へ排出させるロータリジヨイント機構が設けてあ
り、これらロータリジヨイント機構はそれぞれ高温液体
源および低温液体源に選択的に接続されるようになって
いる。

しかして、前記真空容器１内には、各ワークロール１３
．１４，１５．１６の外周面に２個づつ対向する関係に
合計８個のスパッタ源２１゜２２、・・・２８が配置さ
れている。これらスフ９ツタ源２１．２２．・・・２８
は、それぞれ円板状に形成されたターゲットの外側にこ
れと同心円状にリング状の陽極を上記ターゲットとは絶
縁させて配置するとともにターゲットの背面に一方の磁
極面が接触するように永久磁石を配置したマグネトロン
形の平板状構造に形成されている。

そして、各スパッタ源２１．２２．・・・２８は、各ワ
ークロール１３，１４，１５．１６の外周面に対し、各
ワークロールの軸心線を通る垂直線を基準にし、この垂
直線とターゲットの軸心線との間の開き角θが３０〜６
０度の範囲で斜下方から対面する関係にそれぞれ設けら
れている。

なお、この実施例の場合、スパッタ源２１゜２２．２５
．２６のターゲットはノぐ一マロイで形成されており、
スノｆ２夕源Ｊ　３　、２４　、２７゜２８のターゲッ
トはＣｏ−Ｃｒ合金で形成されている。そして、各スノ
母ツタ源２１，２２．・・・２８のターゲットと陽極と
は蓋体３１Ｌを気密に貫通して設けられた図示しないリ
ード線を介してそれぞれ独立的に図示しない直流電源の
出力端に接続されている。

一方、前記供給リール１２とワークロール１３との間、
ワークロール１３．１４間、ワークロール１４，１５間
、ワークロール１５゜１６問およびワークロール１６と
巻取リール１７との間には、これらの間を進行するフィ
ルム状基体Ｐの張力を検出する張力検出器３１゜３２、
・・・３５が設置されている。これら張力検出器３１，
３２．・・・３５は、たとえば張力を機械的な変位に変
換し、この変位量を電気信号として出力するように構成
されている。また、ワークロール１３および１６の図中
左方には、正転、逆転操作に連動して各ワークロールに
選択的に押圧接触するピンチローラ３７．３８が設けら
れている。

しかして、前記各モータ１２ｈ、１３ｍ。

１４ａ、・・・２７ｍは、第２図に示すようにサーが制
御回路４１．４２．・・・４６によって独立的１３− に駆動される。この回路４１．４２．・・・４６は、入
力信号として導入された設定速度信号とモータに直結さ
れた直流発電機４８で得られた現実の速度信号との偏差
が常に零となるようにモータの速度を制御するように構
成されている。そして、上記各サーが制御回路４１，４
２．・・・４６の入力端には、速度設定器５１．を正転
逆転切換器５２および速度補正器５３　、５４　、５５
゜５６．５７を介して設定速度信号が導入される。

上記速度補正器５３，５４．５５，５６゜５２は、それ
ぞれ張力設定器６１で与えられた張力信号Ｚ、と各張力
検出器で得ら、れた張力信号ｚ１との偏差を求める回路
６２と、この回路６２で求められた偏差信号で前記速度
設定器５１から与えられた設定速度信号を補正する回路
６３とで構成されている。すなわち、Ｚｏに対してｚｌ
が小さいときには、両者の差に対応した分だけ設定速度
信号を増加させ、また、逆の場合には設定速度信号を減
少させるようにしている。また、回路６３は正転逆転切
換器５２に応動して、１４− 増減信号分の極性を切換えるようにしている。

しかして、この実施例の場合には、供給リール１２、各
ワークロール１３．１４．１５．１６および巻取リール
１７を第１図中実線矢印で示すように回転駆動させてフ
ィルム状基体Ｐを走行させている状態を正転とし、この
正転状態においては、モータ１２ｍを制御するサーボ制
御回路４ノに信号源６４から低速度設定信号に対応する
信号を直接導入し、また、モータ１３ｍを制御するサー
ボ制御回路４２に正転逆転切換器５２を通った設定速度
信号を直接導入し、さらにモータ１４ｍ、１５＊、１６
ｈ、ｌｌａを制御するサーが制御回路４３，４４，４５
゜４６に、上記モータによって駆動されるワークロール
および巻取リールの位置の直前に位置する張力検出器の
出力が導入される速度補正器を通った信号を設定速度信
号として導入するようにしている。そして、逆転状態に
おいては、これらの関係を切換えるようにしている。し
たがって、第２図に示すように、正転逆転切換器５２の
切換操作に連動して切換わるスイッチ６６が設けてあり
、この第２図は正転状態を示している。そして、図中６
８は逆転状態時にサーが制御回路４６に低速度信号を与
える信号源を示している。また、第１図中７０．７１は
スパッタ源を保持するホルダを示し、また、７２は仕切
板を示し、７３はスノＪ？ツタリングによって薄膜が形
成される領域を規制するマスクを示している。また、ピ
ンチルーラ３７は正転逆転切換器５２の切換操作に応動
して正転のときだけワークロール１３に押圧接触するよ
うに制御され、また、ピンチルーラ３８は逆転のときだ
けワークロール１６に押圧接触するように制御される。

次に上記のように構成された装置を使ってフィルム状基
体Ｐの両面にパーマロイ層およびＣｏ　−Ｃｒ層からな
る二層構造のスパッタ薄膜を形成する場合の使用例を説
明する。

まず、真空容器１の蓋体３ｂを開け、フィルム状基体Ｐ
の巻回された巻取リールを第１図にに示すようにセット
し、次に、上記巻取リール１７に巻回されているフィル
ム状基体Ｐを所定の長さ巻戻し、これを第１図に示すよ
うに各フリーロール１８．張力検出器３５ｍ３４ｅＳＬ
３２．３１および各ワークロール１６，１５゜１４．１
３に沿わせた後、その遊端を供給り−ル１２に巻き付け
、所定の張力が加わるように調整し、蓋体３ｂを閉じる
。次に排気系を作動させて真空容器１内を十分低圧に排
気する。次に、各ワークロール１３　ｔ　１４　ｔ　１
５　ｅ　１６の二重筒状に形成された駆動軸を介して高
温液体を各ワークロール１３ｅ１４．ＩＢ、１６内に通
流し、これによって、各ワークロール１３゜１４．１５
．１６の表面温度を定められた一定の高温度に保持する
。次に、正転逆転切換器５２を逆転側に切換える。この
切換えによって、各スイッチ６６は第２図に示す状態と
は逆の関係に切換わる。また、ピンチローラ３８がフィ
ルム状基体Ｐを介してワークロール１６に圧接する。次
に、張力設定器６１から所定の張力信１７− 号ｚ０を出力させるとともに速度設定器５１がら所定の
設定速度信号を出力させる。この状態で、各サーボ制御
回路４１，４２．・・・４６に始動指令Ｓを与える。

このように始動指令Ｓが与えられると、各サーボ制御回
路４１９４２，４３・・・４６が作動し、モータ１２ｍ
、１３ａｓ１４ｍ・・・１７ｈが一斉に回転を開始する
。すなわち、モータ１７ｍは、信号源６８の出力信号に
よって決まる値に低速回転し、また、モータ１６ｍは速
度設定器５２の設定速度信号に対応した速度で回転し、
さらにモータ１５ａ、１４ａ＋１３ａ、１２ｍは速度設
定器５２の設定速度信号を速度補正器５６゜５５．５４
．５３で補正した信号に対応した速度で回転する。この
ため、巻取リール１７．ワークロール１６．１５．１４
，１３および供給リール１２が第１図に実線矢印で示す
方向とは反対方向に回転し、これによって、フィルム状
基体Ｐは、巻取リール１７から供給リール１２に徐々に
巻取られる。この場合、各ワークロー１８− ルｘ３ｍ１４，１５．１６は、前述の如く、高温液体に
よって高温に保持されているので、これに接触するフィ
ルム状基体Ｐも加熱され、この結果、フィルム状基体Ｐ
に付着している不純ガスが放出される。すなわち、上述
した動作によってフィルム状基体Ｐの前処理が実行され
る。

なお、巻取リール１７を低速で回転させるのは、慣性に
よって巻取リール１７が回り過ぎるのを防止するためで
あり、したがって、信号源６８（６４）としては巻厚の
減少に伴なって出力信号が徐々に増加するものが望まし
い。しかして、上記のように前処理を行ない、巻厚表示
器の指示値からフィルム状基体Ｐの終端が巻取リール１
７を離れる直前に至った時点で各サーが制御回路４１，
４２．・・・４６への始動指令Ｓの供給を停止し、これ
によって、巻取リール１７．各ワークロール１６．１５
．１４ｔｌＢおよび供給リール１２の回転を停止させて
前処理工程を終了する。この前処理工程によってフィル
ム状基体Ｐに付着しているガスのほとんどは排気系に移
行して除去される。

次に、各ワークロール１３　＊　１４　＃　１５　ｔ１
６内への高温液体の通流を停止させ、続いて各ワークロ
ール１３，１４，１５．１６内へ、たとえば−１５℃の
低温液体を通流させる。この低温液体の通流によって各
ワークロール１３゜１４．１５．１６の表面は十分低温
に冷却される。

次に、正転逆転切換器５２を操作して正転側に切換える
。この切換えによって各スイッチ６６は第２図の状態に
切換わる。また、速度設定器５１および張力設定器６１
の出力をそれぞれ所望の値に設定する。

この状態で各サーが制御器４１，４２．・・・４６に始
動指令Ｓを与える。この結果、供給リール１２．ワーク
ロールＩ　Ｊ　ｅ　１４　ｙ　１５　ｅ１６および巻取
リール１７が第１図中実線矢印で示す方向に回転を開始
し、フィルム状基体Ｐは、供給リール１２から巻取リー
ル１７側へと移行を開始する。次に、ガス導入口５から
たとえばＡｒガスを連続的に導入するとともに、この状
態で真空容器１内が、たとえば３〜７　Ｘ　１０”−’
Ｔｏｒｒの圧力となるように排気系およびＡｒガス供給
系を調整し、続いて各スフ４ツタ源２１゜２２、・・・
２８の陽極とターゲットとの間に数百がルトの直流電圧
を印加する。この印加によって陽極とターゲットとの間
にルー放電が生じ、これによって、よく知られている原
理に基づき、ターゲットを構成している金属微粒子がた
たき出される。このたたき出された金属微粒子の一部は
、ターゲットの前面をワークロールの外周面に沿って進
行するフィルム状基体Ｐの表面に付着する。前述の如く
、スノ４　ツタ源２１．２２のターゲットはノ９−マロ
イで形成されており、また、スノぐツタ源２３．２４の
ターゲットはＣｏ−Ｃｒ合金で形成されている。したが
って、フィルム状基体ＰがワークロールＩＢ、１４の外
周面に沿って通過する間に、このフィルム状基体Ｐの一
方の表面にＡ？−マロイ層およびＣｏ−Ｃｒ層からなる
二層構造のスｉ＋ツタ薄膜層が形２１− 成されることになる。そして、フィルム状基体Ｐがワー
クロール１５．１６の外周面に沿って進行するときには
、すてにスフ４ツタ薄膜層が形成されている面がワーク
四−ル１５．１６の外周面に接触する関係に案内される
。したがって、この区間内を通過するときにはフィルム
状基体Ｐの他方の表面にパーマロイ層およびＣｏ−Ｃｒ
層からなる二層構造のスフ４ツタ薄膜層が形成されるこ
とになり、結局、巻取リール１１には、フィルム状基体
Ｐの両面に二層構造のスミ４ツタ薄膜の形成されたもの
が巻取られることになる。そして、上記のようにスフ９
．タリングが行なわれると、このスノ量ツタリングによ
ってフィルム状基体Ｐが加熱されようとするが、この熱
は各ワークロール１３，１４，１５．１６を介して各ワ
ークロール内を通流している低温液体に伝達される。し
たがって、フィルム状基体Ｐが熱的な損傷を受けるよう
なことはない。また、上記熱によって万一、フィルム状
基体Ｐに伸びが生じた場合には、次のように動作する。

２２− すなわち、上記のようにフィルム状基体Ｐが伸びると、
この伸びは、各ワークロール間を進行する基体に加わる
張力の低下となって表われる。

たとえば今、ワークロール１４と１５との間を進行する
基体の張力が低下すると、この低下は張力検出器３３に
よって検出される。このように、張力検出器３３の出力
が低下すると、第２図に示す速度補正器５５の回路６２
の出力が増加し、この結果、回路６３の出力も増加する
。

したがって、サーが制御器４４の入力が増加するのでモ
ータ１５ａの回転速度が増加し、これに伴なってワーク
ロール１５の回転速度が増加する。したがって、張力が
低下した分だけワークロール１５の巻込みが早められる
ので、再び張力が増加することになり、結局ワークロー
ル１５の外周面に沿って進行するフィルム状基体Ｐの進
行速度との相対速度差がほぼ零となるようにワークロー
ル１５の回転速度が制御される。

このような制御は、他のワークロール１４゜１６および
巻取リール１７についても同様に行なわれる。したがっ
て、フィルム状基体Ｐは、各ワークロール１４．１５．
１６との間のスリップが常に非常に小さい状態で進行す
ることになる。このため、特に、ワークロール１５゜１
６の外周面に沿って進行するとき、すでに形成されてい
るスパッタ薄膜にすシ傷等がつく虞れがない。また、ス
リップが増加したときに起こシ易い冷却性能の低下も発
生しない。

このように、各ワークロールの外周面に沿って通過する
フィルム状基体Ｐの進行速度と各ワークロールの回転速
度との間の相対速度差を上記フィルム状基体Ｐに加わる
張力を制御して零に近づける、いわゆる張力制御装置を
設けている。したがって、ワークロール保持方式を採用
して両面にスパッタ薄膜を形成する場合に、フィルム状
基体Ｐの伸びに起因して、すでに形成されているスパッ
タ薄膜がワークロールによって傷つけられる現象の発生
を防止でき、製品の品質向上化を図ることができる。ま
た、フィルム状基体Ｐをスリップがほぼ零の状態でワー
クロールの外周面に沿わせて進行させることができるの
で、ワークロールを介してフィルム状基体Ｐを良好に冷
却でき、フィルム状基体Ｐが熱的な損傷を受けるのを確
実に防止できる。このことは、スパッタリングツ臂ワー
を増加させて薄膜形成速度の増加を図れることに通じる
ので極めて有利なものとなる。

なお、上述した実施例では、いわゆる張力制御装置を複
数の張力検出器と、これら検出器の出力に基いて各ワー
クロール駆動モータの設定速度を補正する複数の速度補
正器とで構成しているが、これに限られるものではない
。すなわち、各ワークロールを駆動するモータの電流を
検出器で検出し、これら検出器の出力に応じて各モータ
の速度補正を行々うようにしてもよい。

また、フィルム状基体の伸び量がノ予め判明していると
きには、各モータの設定速度に予め差を設けるようにし
てもよい。また、各ワークロール間に、これらの間を進
行するフィルム状基体に一定荷重を加える重υ式荷重器
を設けるよう２５− にしてもよい。さらに、前処理時に、各ワークロールと
たとえば真空容器との間に電圧全印加して各ワークロー
ル付近にプラズマを発生させ、このプラズマによってフ
ィルム状基体の表面を活性化させ、これによって脱ガス
と付着性の向上化とを図るようにしてもよい。この場合
、スパッタ源とフィルム状基体との間にシャッタを設け
、スパッタ源に不純物が付着するのを防止するようＫし
てもよい。また、上述した実施例は二層構造のスパッタ
薄膜形成用のものに本発明を適用した例であるが、一層
構造形成用のものにも適用できることは勿論である。ま
た、各マスクを冷却する手段を設けてもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係るスノｆツタリング装置
における要部の模式的縦断面図、第２図は同装置の制御
回路図でおる。１・・・真空容器、１２・・・供給リール、１７・・・
巻取リール、Ｊ３．Ｊ４，２５．２６・・・ワークロー
ル、１８・・・フリーロール、２１．２２．２３゜２６
− ２４．２５．２６．２１．２８・・・スノ臂ツタ源、３
１．３２．３３．３４．３１５・・・張力検出器、５Ｂ
、５４．５５，５６．５１・・・速度補正器、Ｐ・・・
フィルム状基体。出願人代理人　　弁理士　鈴　江　武　彦特許庁長官　
若杉和夫　　殿１．事件の表示特願昭５７−１１９５４７号２、発明の名称スパッタリング装！３、補正をする者事件との関係　特許出願人株式会社　徳用製作所４、代理人６、補正の対象ａｌＩｆＩＡ書全文７、補正の内容明細Ｓ５つ浄こｒ内容に変更−し）特許庁長官　　若　杉　和　夫　　殿１、事件の表示特願昭５７−１１９５４７号２　発明の名称スパッタリング装置３、補正をする者事件との関係　特許出願人株式会社　徳用製作所４、代理人６、補正の力］象明細書７、補正の内容（１）明細書（昭和５７年８月１６日付提出の手続補正
書に添付された浄書明細書、以下同じ）の第１２頁３行
目に「それぞれ円板状に」とあるのを「それぞれ、たと
えば円板状に」と訂正する。（２）　　明細書の第２１ｍ２行目に「３〜７×１σ番
」とあるのを［３〜７　Ｘ　］　０−３４と訂正する。　２−

Claims

【特許請求の範囲】

（１）　　供給リールから巻戻されたフィルム状基体を
複数のワークロールの外周面に順次沿わせて移送させた
後に巻取リールで巻取るとともに上記フィルム状基体が
上記供給リールから上記巻取リールに至る間に上記フィ
ルム状基体の両面にスパッタ薄膜を形成するようにした
スノ４゜タリング装置におい人前記各ワークロールの外
周面に沿って通過する前記フィルム状基体の進行速度と
各ワークロールの回転速度との間の相対速度差を上記フ
ィルム状基体に加わる張力を制御して零に近づける張力
制御装置を設けてなることを特徴とするスノ（、タリン
グ装置。
（２）前記張力制御装置は、前記各ワークロール間を進
行する前記フィルム状基体の張力をそれぞれ検出する複
数の張力検出器と、これら張力検出器の出力に基き、こ
れ、ら張力検出器の直後に位置する上記ワークロールの
回転速度を補正する複数の速度補正器とで構成されてな
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のスパッ
タリング装置。
（３）前記張力制御装置は、前記各ワークロール間□に
予め設定された速度差を設ける複数の速度差設定系で構
成されてなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のス／４’ツタリング装置０
（４）前記・張力制御装置は、前記各ワークロール間を
進行する前記フィルム状基体に一定の荷重を加える複数
の重り式加重器で構成されてなることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のスパッタリング装置。
（５）前記張力制御装置は、前記フィルム状基体が最初
・に接する第１段目のワークロールを除く次段目以降の
ワークロールを駆動するモータの入力電流をそれぞれ検
出する複数の電流検出器と、これら電流検出器の出力に
応じて対応するモータの回転速度を補正する複数の補正
器とで構成されてなることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のスｉ４　ツタリング装置。