JPH04107809A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体製造装置に関し、 異物汚染の発生の防止を可能とすることを目的とし、 ウェハか搬入される真空室部の周りに、該真空室部との
間が所定の開口比を存する多孔壁により仕切られた予備
真空室部を設け、該予備真空室部に対して真空引き及び
リークを行うよう構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は半導体製造装置に関する。

第７図は半導体製造装置の基本構造の−の単位を示す。

１はウェハの処理を行う処理室である。

２．３は真空予備室であり、処理室１の両側に配設しで
ある。４，５．６．７はドアである。

処理室１は真空ポンプ８により真空状態とされている。

ウェハ９は、まず真空予備室２内に送り込まれ、真空予
備室２が真空ポンプ１０により真空引き（ラフ）されて
真空状態とされる。

この状態で、ウェハ９は、処理室１に移され、ここで、
エツチング、アッシング又はＣＶＤ等の処理が行われる
。

処理されたウェハは、処理室ｌから送り圧されて、真空
ポンプ１１により予め真空状態とされている。真空予備
室３内に送り込まれる。

真空予備室３がリークによって大気圧に戻され、ウェハ
はドア７を通して真空予備室３から送り出され、必要に
応じて検査工程を経て、次の処理工程に移される。

ウェハの表面に異物か付着する異物汚染か半導体の製造
歩留りを低下させる。

上記真空予備室２における真空引き時及び真空予備室３
におけるリーク時に、各室２，３内に溜まっている反応
主成物等か舞い上かり、これか異物汚染を起こす。

そこで、半導体の歩留りを上げるためには、真空引き及
びリークを異物を出来るだけ舞い上げないように行う必
要かある。

Ｃ従来の技術〕 第８図は従来の１例を示す。

２０は真空予備室装置、２１は真空ポンプ、２２はスロ
ーバルブである。

真空引き及びリークは、スローバルブ２２の弁開度を適
宜調節して行っている。

〔発明か解決しようとする課題〕

排気引き及びリーク量速度は、スローバルブ２２の弁開
度の調節によって弱くされているけれとも、真空引き及
びリークの個所２４は、配管２３か接続されている一個
所であり、真空引き及びリークは一個所で集中的に行わ
れる。

このため、異物か矢印２５で示すように舞い上がってし
まい、異物汚染を起こし、半導体の歩留りの低下の原因
となる。

本発明は、異物汚染の発生の防止を可能とした半導体製
造装置を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

請求項１の発明は、ウェハが搬入される真空室部の周り
に、該真空室部との間が所定の開口比を有する多孔壁に
より仕切られた予備真空室部を設け、 該予備真空室部に対して真空引き及びリークを行う構成
である。

請求項２の発明は、上記多孔壁は、開口比を調節可能な
構造としたものである。

請求項３の発明は搬入される真空室部の周りに、該真空
室部との間が所定の開口比を有する内側多孔壁により仕
切られた内側予備真空室部と、該内側予備真空室部との
間が上記内側多孔壁の開口比よりも小さい開口比を存す
る外側多孔壁により仕切られた外側予備真空室部とを設
け、 該外側予備真空室部に対して真空引き及びリークを行う
構成である。

〔作用〕

請求項１の発明において、予備真空室部は、真空引き及
びリークの勢いを弱めるダンパとして機能する。

多孔壁は、真空引き及びリークを真空室部の周囲から一
様に行わせる。

請求項２の発明において１、開口比を調節可能とした構
造は、真空引きの強さの変更等に対応可能となる。

請求項３の発明において、内側予備真空室部と外側予備
真空室部と二重に設けた構成は、真空引き及びリークに
対するダンパ機能を強める。

〔実施例〕

第１図及び第２図は夫々本発明の半導体製造装置の一実
施例を示す。

３０は処理室に密接して設置される予備真空室装置であ
り、中央に、ウエノ）か搬入される立方体状の真空部３
１を有し、この周囲に予備真空室部３２を有する。

真空室部３１は、底板３３と、多数の孔を有する周囲の
多孔壁３４と、同じく多数の孔を有する上側の多孔壁３
５とにより画成されている。

予備真空室部３２は、外側３６により画成されている。

真空室部３１と予備真空室部３２との間は、上記の底板
３３と多孔壁３４．３５とにより仕切られている。即ち
、真空室部３１と予備真空室部３２とは、多孔壁３４．
３５の多数の孔３４ａ。

３５ａにより連通している。

真空室部３１は、−辺の長さａか約３０ｃｍの大きさで
あり、予備真空室部３２は寸法すか数口である大きさで
ある。

３７にはウェハテーブル、３８．３９にはウェハの搬入
、搬出のときに開くドアである。

４ｏは配管であり、外壁３６の底面部分に接続しである
。

４１は真空ポンプ、４２は弁である。

配管４０は予備真空室部３２にのみ連通して接続してあ
り、連通個所４３が真空引きされる個所であり且つリー
クされる個所である。

多孔壁３４の開口比（一定面積に対する当接面積内の孔
の総面積の割合）は例えば数％としである。

多孔壁３４に比へて連結個所４３から離れている上面多
孔壁３５については、開口比は上記の数％より大きく、
例えば約ｌＯ％としである。真空引き及びリークが周囲
の多孔壁３４と上面の多孔壁３５とから同程度の強さで
行われるようにするためである。

次に、上記構成の装置３０における真空引き時及びリー
ク時の動作について説明する。

第３図は真空引き時の動作を示す。

真空引きは、矢印５０で示すように、真空室部３１の底
面３３に対する真下の部位４３において、予備真空室部
３２に対して通常の強さで行われる。

真空引きか行われると、最初に、矢印５１で示すように
予備真空室部３２のうち下部の空気力）吸引され、続い
て、予備真空室部３２のうち中央部及び上記の空気か矢
印５２て示すように吸引される。

このように、予備真空室部３２内の空気か吸引されると
、これに伴って、真空室部３１内の空気か矢印５３て示
すように周囲の多孔壁３４の孔３４ａを通して真空室部
３１外に吸引されると共に、矢印５４で示すように上面
多孔壁３５ａを通して真空室部３１外に吸引される。

即ち、真空室部３１内の空気は、その周側面と上面の多
数孔３４ａ、３５ａの夫々の個所から吸引される。

予備真空室部３２及び多数の孔３４ａ、３５ａか真空引
きの強さを和らげる所謂ダンｌくとして機能し、各社３
４ａ、３５ａを通しての吸引力は弱められる。

このように、真空室部３１内の空気は周囲と上面の多数
の個所から略−様に弱い力で吸引されるため、真空室部
３１の空気に特定の方向への急激な流れは発生せず、異
物の舞い上りは発生しない。

第４図はリーク時の動作を示す。

リーク時も、真空引きと同じく、矢印６０て示すように
、真空室部３■の底板３３に対向する真下の部位４３に
おいて、予備真空室部３２に対して通常の強さで行われ
る。

リークが行われると、空気は、最初に矢印６１て示すよ
うに、予備真空室部３２のうちの下部に送り込まれ、更
には矢印６２で示すように予備真空室部３２の中央部及
び上部に送り込まれる。

矢印６２て示すように予備真空室部３２内に送り込まれ
た空気は、矢印６３で示すように、周囲の多孔壁３４の
孔３４ａを通して周囲から真空室部３１内に送り込まれ
、且つ、矢印６４で示ように、孔３５ａを通して上方か
ら真空室部３１内に送り込まれる。

予備真空室部４２及び多数の孔３４ａ、３５ａはリーク
の強さを低減するダンパとして機能し、各社３４ａ、３
５ａを通しての送り込み力は弱められている。

このように、真空室部３１内には、その周囲と上面の多
数の個所から略−様に空気か弱い力で入り込む。

このため、真空室部３１内において、空気に特定の方向
への急激な流れは発生せず、異物の舞い上りは起きない
。

上記のように、真空引き時及びリーク時の双方において
、異物の舞い上りが抑制されるため、ウェハ表面へ異物
が付着する異物汚染か起きず、半導体は従来に比べて歩
留り良く製造される。

なお、真空室部３１内への空気の送り込みは、多数の孔
３４ａ、３５ａを通して行われるため、弁開度を小さく
調節して行うスローリークに比べて、短時間で完了する
。

このため、その分反応ガスか真空室部３１内に滞留して
いるた時間が短くなり、滞留している反応ガスによる反
応生成物の真空室部３１の内壁への堆積は発生しにくく
なり、好都合である。この堆積した反応生成物は異物と
なるからである。

第５図は多孔壁３４．３５の変形例を示す。

７０は弁体であり、円錐形の弁部７１を有する。

弁体７０は弁部７１の先端を、孔３４ａ（３５ａ）に底
台させて、多孔壁３４．３５に対向させて配されている
。

７２は電磁石、７３は磁石であり、多孔壁（３５）と弁
体７０とに固定してあり、相対向している。電磁石７２
へ流す電流値を可変することにより、電磁石７２と磁石
７３との間の磁気は吸着力か変化し、弁体７０の多孔壁
３４（３５）に対する離間寸法へが可変され、弁部７■
の孔３４ａ（３５ａ）への入り込み量か可変され、多孔
壁３４（３５）の開口比が可変される。

多孔壁３４（３５）の開口比は、第１図中、配管４０の
接続個所、及び真空ポンプ４１の能力等に応じて調整さ
れる。

第６図は本発明の半導体装置の別の実施例を示す。

予備真空室装置８０は、真空室部８Ｉの周りに、予備真
空室部８２．８３を二重に設けた構成である。

８４は内側の多孔壁であり、真空室部８１と内側の予備
真空室部８２との間を仕切る。

８５は外側の多孔壁であり、内側の予備真空室部８２と
外側の予備真空室部８３との間を仕切る。

両側多孔壁８４の開口比は外側多孔壁８５の開口比より
も大きく定めである。

８６は外壁である。

真空引き及びリークは、外側の予備真空室部８３に対し
て行われ、これが、外側多孔壁８５を介して内側の予備
真空室部８２及び２次いて内側多孔壁８４を通して真空
室部８１に及ぶことになる。

外側予備真空室部８３及び内側予備真空室部８２が独立
にダンパとして機能し、所謂二重ダンパ構造となり、真
空室部８１に対する真空引き及びリークの強さは効果的
に弱められる。

従って、真空室部８１に対する真空引き及びリークは、
周囲の全面から、しかも先の実施例の場合に比べて弱い
強さで行われることになり、異物の舞い上りは更に制御
され、異物汚染は更に制限され、半導体は更に歩留り良
く製造される。

なお、本発明の構造は第７図中の処理室ｌにも適用し得
、同様の効果を有する。

〔発明の効果〕

以上説明した様に、請求項Ｉの発明によれば、真空室部
の内部に対する真空引き及びリークか真空室部の周囲全
体から弱められた強さにより行われるため、異物の舞い
上りの発生を効果的に防止し得、これにより汚物汚染を
防止し得、半導体に対する歩留りを向上することか出来
る。

請求項２の発明によれば、真空室部の内部に対する真空
室部及びリークの強さを調整することが出来、最適な状
態で真空引き及びリークを行うことか出来る。

請求項３の発明によれば、予備真空室部か二重構造であ
るため、真空室部の内部に対する真空引き及びリークの
強さを請求項１の発明の場合に比べてて更に弱めること
か出来、異物の舞い上りを更に確実に防止し得、半導体
の歩留りを更に向上させることが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の半導体製造装置の一実施例の斜視図、 第２図は第１図の装置の構造−を示す図、第３図は真空
引き時の状態を示す図、 第４図はリーク時の状態を示す図、 第５図は開口比調整構造を示す図、 第６図は本発明の半導体製造装置の別の実施例の斜視図
、 第７図は半導体製造装置の基本構造の−の単位を示す図
、 第８図は従来例を示す図である。 図において、 ３０．８０は予備真空室装置、 ３１．８１は真空室部、 ３２は予備真空室部、 ３３は底板、 ３４は周囲多孔壁、 ３５は上面多孔壁、 ３６．８６は外壁、 ３７はウェハテーブル、 ３８．３９はドア、 ４０は配管、 ４１は真空ポンプ、 ４２は弁、 ４３は連結個所、 ７０は弁体、 ７１は円錐形弁部、 ７２は電磁石、 ７３は磁石、 ８２は内側予備真空室部、 ８３は外側予備真空室部、 ８４は内側多孔壁、 ８５は外側多孔壁、 ８６は外壁 を示す。 ３０予イ幣Ｗケ狛Ｆｌ ■Ｐ団嬉窒！咬ｌ 第２図 第１図 第６図 覇 」 第７図 ｊシ（ｊ瞥ζイクリ襲ζメｆζすｂでゴ第８ 図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）ウェハが搬入される真空室部（３１）の周りに、
   該真空室部（３１）との間が所定の開口比を有する多孔
   壁（３４、３５）により仕切られた予備真空室部（３２
   ）を設け、 該予備真空室部（３２）に対して真空引き及びリークを
   行う構成の半導体製造装置。
2. （２）上記多孔壁は、開口比を調節可能な構造（７０、
   ７１、７２、７３）である請求項１記載の半導体製造装
   置。
3. （３）ウェハが搬入される真空室部（８１）の周りに、
   該真空室部（８１）との間が所定の開口比を有する内側
   多孔壁（８４）により仕切られた内側予備真空室部（８
   ２）と、該内側予備真空室部（８２）との間が上記内側
   多孔壁の開口比より小さい開口比を有する外側多孔壁（
   ８５）により仕切られた外側予備真空室部（８４）を設
   け、該外側予備真空室部（８４）に対して真空引き及び
   リークを行う構成の半導体製造装置。