JPH04109510A - 異方導電膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は異方導電体、特には液晶デイスプレィパネルの
ガラス基板とその駆動回路であるフレキシブルプリント
基板またはこのプリント基板上にＩＣ’ｒ搭載したフィ
ルムキャリアとの接続さらにはＩＣを直接搭載するチッ
プオングラス接続などに使用される異方導電膜およびそ
の製造方法に関するものである。

［従来の技術］ 卓上電子計算機や時計の表示機器として使用されている
液晶デイスプレィパネル（以下ＬＣＤと略記する）のガ
ラス基板と、その駆動回路であるフレキシブルプリント
基板（以下ＦＰＣと略記する）との電気的接続は従来導
電ゴムコネクタで行なわれていたが、０．４ｍｍ以上で
あったガラス基板とＦＰＣとの接続ピッチが最近はＬＣ
Ｄにおける大型化のために表示画素数が増加して０．３
ｍｍ以下となってぎたことから、この電気的接続につい
ては熱溶融性の接着剤中に導電粒子を均一に分散させた
分散型の異方導電膜を使用するのか主流になってきてお
り、この異方導電膜としては例えはスチレン−ブタジェ
ン−スチレンブロック共重合体などの熱可塑性樹脂に粘
着付与剤、老化防止剤、ｒＪ存在硬化剤などを添加して
なる熱溶融接着剤中に、直径が１０〜３０７７ｍでほぼ
球状の金属メツキ樹脂粒子やハンダ粒子を均一に分散さ
せたものを離型フィルム上に厚さ２０〜３０ｕｍに成膜
したのち、幅２〜３ｒａｍのリボン状としたものが汎用
されており、このものは使用時に前型フィルムから剥離
し、１３０〜１９０℃、１０〜２０秒という条件でヒー
トシールするという方法で使用されている。

［発明が解決しようとする課題コ しかし、従来公知の熱溶融性接着剤中に導電粒子を分散
させた異方導電膜には１）導電粒子の分散状態が任意と
されているために、被接続電極が低ピツチの場合には第
４図ａ）に示したように数個の導電粒子の二次凝集塊に
よって隣接電極間でのリーク不良が発生すると共に、第
４図ｂ）に示したようにこれら導電粒子が接続時のヒー
トシールにおいて熱溶融接着剤の流動に伴なうヒートシ
ール部周囲の流動した接着剤のたまり部で、導電粒子の
連鎖が形成されて隣接電極間でリーク不良が発生するお
それがあり、　２）導電粒子の粒子が均一でないと、第
４図Ｃ）に示したように大きな粒子の電極間では良好な
接続抵抗が得られるが、小さい粒子の電極間では大きな
粒子がこの接続を妨害するためにその接続抵抗が著しく
高くなったり、導通不良が生ずる、３）隣接電極間での
リーク不良を無くすために、接着剤中に配合する導電粒
子の配合量を減少させると、対向電極間に粒子が存在し
なくなるために導通不良が生ずる、という欠点があり、
このものの接続可能な前記したＬＣＤのガラス基板とＦ
ＰＣとの接続ピッチは０　、２ｍｍＤが限界であり、こ
れが今後のカラー化などに伴なうＬＣＤパネルにおける
画素数の増加によりて０，２ｍｍ以下になるとされてい
ることから、これに対応することができないという不利
がある。

［課題を解決するための手段］ 本発明はこのような不利を解決することのできる異方導
電膜およびその製造方法に関するものであり、これは電
気絶縁性の高分子フィルムに、該フィルムを貫通し、そ
の上下面に突出するリベット状の金属導電体を点状に配
置してなる異方導電膜、および１）電気絶縁性の高分子
フィルムを金属支持体上に形成する工程、　２）該高分
子フィルムに所定のパターニングで穴明は加工する工程
、３）該穴明は加工された高分子フィルム側から金属支
持体をエツチングする工程、４）該エツチング後にリベ
ット状の金属導電体を電鋳法によって該高分子フィルム
の穴部に形成する工程、５）リベット状金属導電体を充
填した該高分子フィルムを金属支持体から剥離する工程
からなることを特徴とする異方導電膜の製法を要旨とす
るものである。

すなわち、本発明者らは従来公知の熱溶融性接着剤中に
導電粒子を分散させた異方導電膜の不利を解決した異方
導電膜を開発すべく種々検討した結果、この異方導電膜
として電気絶縁性の高分子フィルムにこれを貫通し、そ
の上下面に突出したリベット状の金属導電体を点状に配
置したものとし、これをＬＣＤのガラス基板とＦＰＣや
ＩＣチップの間に配置すれば、このガラス基板とＦＰＣ
およびＩＣチップは高分子フィルムの上下面に突出して
いる金属導電体によって確実に接続されることを見出す
と共に、この異方導電膜の製造については電気絶縁性の
高分子フィルムを金属支持体上に形成し、このフィルム
に所定のパターニングで穴明けし、この穴明は部下力の
金属支持体をエツチングして孔部を設け、ここに金属導
電体を形成し、ついでこれを金属支持体から剥離すれば
よいということを確認し、この具体的製造方法について
の研究を行なって本発明を完成させた。

以下にこれをさらに詳述する。

［作用］ 本発明はＬＣＤのガラス基板とＦＰＣまたはＩＣとの電
気的接続などに有用とされる新規な異方導電膜およびそ
の製造方法に関するものである。

本発明の異方導電膜は電気絶縁性の高分子フィルムに、
該フィルムを貫通し、その上下面に突出するリベット状
の金属導電体を点状に配置してなるものとされる。

Ｓ１図ａ）はこの異方導電膜の斜視図を示したものであ
り、このものは図示のように電気絶縁性の高分子フィル
ムの表面に金属導電体が点状に突出配置されたものであ
るが、この金属導電体は第１図ｂ）の縦断面図に示しで
あるように電気絶縁性の高分子フィルムを貫通し、その
上下面に突出するように配置されている。

本発明の異方導電体はこれをＬＣＤのガラス基板とＦＰ
ＣまたはＩＣの間に配置すると、ガラス基板とＦＰＣま
たはＩＣとはこの高分子フィルムによって絶縁性に保た
れるが、この異方導電体には金属導電体が突出している
ので接続されるガラス基板の電極とＦＰＣおよびＩＣの
電極はこの金属導電体との接触によって確実に電気的接
続がされるし、その他の電極との絶縁性は確実に確保さ
れ、この金属導電体の間隔や配置位置はパターニングに
よってどのようにも設定できるという有利性が与えられ
る。

本発明の異方導電体を構成する電気絶縁性の高分子フィ
ルムとしては、このものが後記するように金属支持体に
支持され、剥離されるものであることか・らフィルムと
して取扱うことのできる十分な強度と靭性をもつものと
することが必要とされるし、エツチングや電鋳の加工浴
に侵されることが無いことが必要であり、該異方導電膜
の上下面に熱熔融接着剤を形成した異方導電膜とした場
合においては、ヒートシール時においては高温でも熱変
形しないことが要求されることから、これら高分子フィ
ルムとしてはポリイミドフィルム、ポリアミドイミドフ
ィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリエステルフィ
ルム、ポリエーテルイミドフィルム、ボリアリレートフ
ィルム、ポリフェニレンオキサイドフィルム、ポリフェ
ニレンサルファイドフィルム、ポリスルホンフィルム、
ポリ−４−メチルペンテンフィルム、ポリパラバン酸フ
ィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリエーテル
エーテルケトンフィルムなどが例示され、さらには後記
するように該高分子フィルムにホトレジストを用い、ア
ルカリや溶剤等によって穴明は加工する場合においては
、アルカリ溶解性や有機溶剤溶解性を有するフィルムを
使用する必要があるので、これら高分子フィルムとして
はポリイミドフィルム、ポリアミドイミドフィルム、ポ
リカーボネートフィルム、ポリエーテルイミドフィルム
、ポリスルホンフィルム、ポリ−４−メチルペンテンフ
ィルム、ポリパラバン酸フィルム等から選択すればよい
が、その厚みはこれが薄すぎると得られる異方導電膜が
取り扱いにくいものとなるし、厚すぎると後記する穴明
けにおいてテーパーのない穴を得ることが難しくなり、
エツチング液が穴内部に侵入しにくくなって、電鋳加工
にも長い時間が必要となるので１０〜５００μｍの範囲
、好ましくは２０〜２００μｍの範囲のものとすればよ
い。

また、この高分子フィルムに後記するように穴明けし、
エツチング後、ここに形成されるこの異方導電膜を構成
する金属導電体はこれがＬＣＤのガラス基板とＦＰＣお
よびＩＣとの電気的接続をするものであることから良導
電性のものとすることが必要とされるが、このものは後
記するように上記した高分子フィルムに電鋳法で形成さ
れるので電着可能な金属からなるものとすることがよく
、金、銀などの貴金属では得られる異方導電膜が高価な
ものとなるので銅またはニッケルなどのような安価な金
属で作ることが好ましく、この大きさはリベット状に広
がった部分において直径が１５０μの以下で高ざが高分
子フィルムの表面から２〜１００ｕｒｎ突出するような
ものとすればよい。

つぎに本発明の異方導電膜の製造方法を説明すると、こ
の製造は上記した電気絶縁性の高分子フィルムを金属支
持体に支持形成したものについて行われる。

第２図、第３図はこの製造方法を図示したものであるが
、これはまず第２図ａ）、第３図ａ）に示したように金
属支持体上に熱可塑性の高分子物質が支持形成される。

この金属支持体はこの上に以下に示す成膜方法によって
高分子フィルムを形成することから、その成膜加工に必
要な十分な強度と耐熱性があり、後にエツチング加工と
電鋳加工が行なわれるので金属とすることがよいが、こ
れはまた最終的には高分子フィルムと剥制することが必
要とされるのでこの高分子フィルムとあまり強固に接着
することのない金属とすることが好ましく、したがって
これはステンレス、ニッケル、鉄、銅、その表面をニッ
ケルめっきした鉄、銅などの複合支持体とすねばよいが
、こわはまた高分子フィルムを剥魁し易くするためにそ
の表面に剥離層を設けたものとしてもよい。なお、この
金属支持体の厚みはこれか薄すきると強度か不足して高
分子フィルムの成膜加工に支障を来たすおそれがあり、
これはまた後述するエツチング加工時に腐食される深さ
よりも十分に厚いことか必要とされるが、これか厚すぎ
ると巻物状とすることか難しくなり、連続的な加工も困
難となるので３０〜１．０００　μｍ　、好ましくは５
０〜３００μｍの範囲とすればよい。

また、この支持体上に高分子フィルムを形成させる方法
としては、一般公知の成膜方法を使用すればよく、した
がってこの高分子フィルムが熱可塑性を有するものであ
る場合には溶融押出し法（エクストルージョン法）によ
り熔融した樹脂をＴダイにより該金属支持体上に所定の
膜厚で押出して成膜すねばよく、この高分子フィルムが
溶剤溶解性であるときには溶液流延法（キャスティング
法）によってこの高分子フィルムの溶剤溶液をリップコ
ーター　ナイフコーター、リバースコーター　グラビア
コーター　エアナイフコーターなどを用いる公知の塗工
方法で金属支持体上に塗工したのち、溶剤を加熱により
飛散させ、この高分子フィルムが熱硬化性のものである
ときには加熱硬化させ、必要に応じ加温、養生させるよ
うにすればよいが、この高分子物質がすでにフィルムと
されている場合やこのフィルムの金属支持体に対する接
着力が低すぎる場合にはこの高分子フィルムを適宜の密
着力と剥離性を有する接着剤を用いて金属支持体に接着
してもよく、この接着剤は実験的に選択すればよい。

このようにして形成された高分子フィルムはついで穴明
けし、ここに金属導電体を形成するのであるが、この穴
明けについてこれをドリルなどてＳ械的に加工すること
が困難であることから光学的に加工することが好ましく
、したがってこれは第２図ｂ）に示したように例えば炭
酸ガスレーザＹＡＧレーザーまたはエキシマレーザ−な
どの照射により行えばよい。これらレーザーによる穴明
けはその出力レーザーを適宜なレンズなどを用いて目的
とする穴径に集光して加工すればよいが、高分子フィル
ムに所望の孔径を所望のピッチで配列したマスクを配置
し、これに加工可能なエネルギー密度（Ｊ／ｃｍ３）を
有するレーサーを照射すればよく、これはまた出力を集
光する以前に所望の孔径と所望のピッチに集光レンズの
倍率に等しい倍率をもつ拡大マスクを使用し、このマス
クによってレーザー出力をパターニングした後に該レン
ズを用いて集光し加工するようにしてもよい。

なお、この加工は目的とする異方導電膜が連続したリボ
ンとされることが好ましいことから、穴加工の位置を順
次リボン上に移動して連続的に行なうことがよいが、こ
こに使用するレーザー８力についてはこれを集光した場
合のエネルギー密度が大きすぎると一度のパルス照射で
フィルムに穴明けと共に金属支持体も掘りこむことにな
り、その後のエツチング精度に影響が与えられるので、
この出力は加工する高分子フィルムの厚みによって適宜
変化させることが必要で、これは高分子フィルムを一度
の照射で穴明けするのではなく、数度のパルス照射によ
って穴明けするようにすることがよく、このレーザー出
力の低下はこの出力をミラーなどを用いて分岐させて、
分岐光を集光した際のエネルギー密度を低下させて多数
の穴明は加工を同時に実施するようにすればよい。

また、この穴明は加工は例えば第３図ｂ）に示したよう
にこの高分子フィルムにまずフォトレジストを塗布しパ
ターニングしたのちこれを硬化して、この部分の高分子
フィルムを溶解除去するようにしてもよい。これらのフ
ォトレジストは一般に液状またはフィルム状であること
から、その形成は公知のレジスト形成方法で行えはよく
、具体的にはスピンコーター、リップコーター、ナイフ
コーター　リバースコーター　グラビアコーターエアナ
イフコーター　スプレィコーターなどの方法を用いれば
よいが、スピンコーターは処理が枚葉となり、連続的な
巻物状の塗工ができないことからスピンコーター以外の
塗工方法とすることが好ましい。また、このレジストが
フィルム状のトライフィルムである場合にはその保護フ
ィルムを剥離したのち、この面に電気絶縁性の上記した
高分子フィルムを当接させ、適宜な加圧、加熱をしてレ
ジスト層を形成すればよい。このフォトレジストは紫外
線（ＵＶ）や電子線（ＥＢ）が照射されると、この照射
された部分が硬化してアルカリ溶液や有機溶剤に溶解し
なくなるネガタイプレジストと、照射された部分がアル
カリ溶液や有ａｍ剤に溶解するポジタイプレジストの２
種類があり、本発明ではこのいずれのレジストも使用す
ることができるか、現像により溶解する面積が大きいと
現像液の組成コントロールが難しくなるし、不良も生じ
易くなり、また解像度についてもポジタイプレジストが
すぐれているので、ポジタイプレジストとすることが好
ましく、このポジタイプレジストとしてはクレゾール系
ノボラック樹脂にナフトキノンジアミドエステル化物を
主とする感光剤と有機溶剤および少量の分解促進剤、安
定剤などからるものを使用すればよい。

なお、このポジタイプレジストの反応メカニズ光エネル
ギによってＷａｎｇｅｒ−Ｍｅｅｙｗｅｉｎ転位を起こ
し、ケテンを経てアルカリ可溶のインデンカルボン酸と
なり、照射部が溶解するというものであるが、このポジ
タイプのドライフィルムとしてはで示されるような０−
ニトロベンゼン基の光反応を利用したポリ（０−ニトロ
ベンジルメチルアクリレート）が例示される。

また、このフォトレジストの厚さはこれが薄すぎるとビ
ンボールなどの問題が生じ易くなるし、現像液に対する
抵抗力も弱くなり、厚すぎると露光における解像度が低
下するし、このレジストは高価なものであるので、これ
はレジストが液体の場合は０５〜３０μＷとし、このレ
ジストがドライフィルムの場合には０．５〜１００μｍ
の範囲とすればよい。

このようにしてフォトレジストを形成させた高分子フィ
ルムは、このレジストがポジタイプレジストのときは溶
媒を飛散させると共にブリベータを実施してレジスト膜
を緻密化させるのであるが、このものはついでこのレジ
スト表面にマクスなどを用いて所定にパターニングされ
たＵｖまたはＢＥを照射して露光を行なったのち、現像
液を用いて溶解する部分を溶解するのであるが、この現
像液としてはレジストがポジタイプのあるときには一般
に有機アミン水溶液のようなアルカリ溶液か使用され、
これは具体的にはテトラメチルアンモニウムヒドロオキ
シドなどが例示される。

この高分子フィルムの穴明けはこの現像液で現像された
パターンを用いて行なわれるが、これはこの高分子フィ
ルムがレジスト同様にアルカリ溶液に溶解するものであ
る場合には、レジストの現像工程に引続いてこの高分子
フィルムを溶解するようなアルカリ溶液中にこれを所定
時間浸漬すわばよい。このアルカリ溶液に溶解する高分
子フィルムはポリイミドフィルム、ポリアミドイミドフ
ィルム、ポリパラバン酸フィルムが例示されるが、この
高分子フィルムがアルカリ溶液ではなく所定の有機溶剤
に溶解するものである場合には、現像終了後にレジスト
塗膜を１００℃以上でアフターベークしてその耐溶剤性
を向上させた後に、このフィルムを溶解する所定の有機
溶剤中にこれを浸漬し穴明は加工を実施すれはよく、こ
の有機溶剤についてはポリカーボネートフィルムに対し
てはトルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素を、ポリ
パラバン酸フィルムに対してはジメチルホルムアミド、
テトラヒドロフラン、プロピレンカーボネートの単体も
しくは混合溶剤が例示される。

また、この穴明は後、残留するレジスト膜は剥離剤を用
いて剥離することがよいが、その厚みが薄く、これが高
分子フィルムに十分強固に接着している場合にはこれは
強いて剥離する必要はない。

なお、このようにして高分子フィルム上に設けらねた穴
の径およびピッチは目的とする異方導電膜がＬＣＤとＦ
ＰＣおよびＩＣチップとの接続ピッチである０、２ｍｍ
以下とすることが必要とされるので、このピッチは０．
２ｍｍ以下とされるか、そのＬＣＤ側の電極幅と電極間
の幅を１：】としたときに隣接電極間でリークを生じな
い導電体の径は１００μｍ以下であり、この接続に関与
する導電体の径と穴径とはほぼ同じとなることから、こ
の穴径は１００μｍ以下とすればよい。なお、この高分
子フィルムをリボン状とした場合には第１図Ｃ）に示し
たようにリボンの長手方向に千鳥掛は複数配列とし、ま
た、隣接配列の穴が互いに隣接する穴配列のほぼ中央に
位置するようにした場合にはこれをリボン状の異方導電
膜とするとこれが２〜３ｍｍの幅をもつものであること
から、見かけ上の接続可能なピッチは穴明はピッチの半
分とすることができるので、この穴の配列ピッチは０．
４　ｍｍ以下とすることができる。

このように穴明けされた高分子フィルムはこの穴に金属
導電体を形成するのであるが、穴明けされた状態のまま
では得られる異方導電体の金属導電体が高分子フィルム
面より突出しないことから、この金属導電体の取付けに
先立って第２図Ｃ）、第３図Ｃ）に示したようにこの金
属支持体をエツチングする必要がある。この金属支持体
のエツチングは例えば従来公知の塩化第二鉄などの金属
塩化物系のエツチング液を用いる方法、あるいはこれを
陽極として電解液に浸漬し、陽極酸化によってエツチン
グする電解エツチングとすればよいカへ目的とする異方
導電膜が好ましくは連続したリボン状のものとされるこ
とから、こわに対応し易い金属塩化物系のエツチング液
を使用するものとすることがよい。しかし、このエツチ
ングにおいても加工された穴径が小さい場合にはこれを
エツチング液中に浸漬したときに穴内部の空気が抜けな
いためにエツチングが不完全になることから、これはポ
ンプにより加圧されたエツチング液をノズルより噴射さ
せるスプレ一方式、あるいは該エツチング液に超音波を
かける方法で行なうことが好ましい。なお、このように
作られた第２図Ｃ）、第３図Ｃ）に示されているエツチ
ング部の深さはこれが浅すぎると最終的に得られる導電
体の高分子フィルムよりの突出高さが小さくなって接続
電極との良好な接続が得られなくなるし、深すぎるとこ
のエツチングが金属支持体の厚み方向たけてなく、その
面方向にも進行するものであるために得られる導電体の
径が大きくなりすぎるので、この深さは２〜１００μｍ
の範囲とすればよい。

つぎに上記したような穴明けとエツチングを終了したの
ち、第２図ｄ）、第３図ｄ）に示したようにこの高分子
フィルムの穴部に金属導電体が電鋳法で形成されるので
あるが、この電鋳法で形成される導電体は電着可能な金
属から作られるものとすればよく、これは金、銀などの
貴金属では得られる異方導電膜が高価なものとなること
から、多くのめっき浴が知られている銅またはニッケル
とすることが好ましい。またこの電鋳に使用されるめっ
き浴は高分子フィルムへの影響や該フィルムの剥離など
の問題から極度に酸性またはアルカリ性である浴や熱な
どのストレスの大きい浴は好ましくないので、この導電
体が銅である場合はビロリン酸浴、スルファミン酸銅浴
とし、ニッケルである場合にはワット浴、スルファミン
酸ニッケル浴などとすることが好ましく、これによれは
金属導電体を高分子フィルムの穴部に容易に形成するこ
とができる。なお、このようにして得たリベット状の導
電体の厚みは該高分子フィルムの表面からこの導電体が
２〜１００μｍ突出するような厚みとすることが好まし
い。

また、このよにして作られた導電体は銅、ニッケルが酸
化皮膜や腐食による導電性の低下などの問題をもつもの
であることから、これには耐腐食性の金属めっきを施こ
すことがよく、この金属めっきは該導電体を電鋳により
形成する前にエツチング加工された穴部に予しめ耐食性
の金属めっきを１層流したのち、電鋳法で導電体を形成
し、その後に導電体表面に金属めっきを少なくとも一層
施すか、あるいは高分子フィルムに導電体を設けた異方
導電膜を金属支持体から剥離したのちに無電解めっきを
少なくとも一層行なってもよいか、上記前者のめっき方
法の場合には、導電体の上面と下面のめっき材料を接続
する相対電極の材質に合わせて異なる金属とすることが
できるという有意性がある。また、ここに使用する耐腐
食性の金属としては耐腐食性のすくれた貴金属や、その
酸化物で導電性を有するもの、さらにははんだのように
異方導電膜として使用する際の加熱によって熔融し、接
続を形成する低融点の金属があげられ、具体的には金、
銀、パラジウム、白金、すず、はんだ、インジウム、モ
リブデン、クロムなどの単体あるいはこれらの２種以上
の合金などが例示されるが、この厚みはこれが薄すぎる
と耐腐食性の効果が得られず、厚すぎると得られる異方
導電膜が高価なものとなることから０．０１〜１０μ０
の範囲とすればよい。しかし、この導電体の材料が銅で
ある場合にこれに金めつきをすると、長期使用中に鋼中
に金が拡散して耐腐食性が低下するなどの問題が生じる
ので、この場合にはまず銅にニッケルをめっきし、つい
でこれに金めつきをするなどの多層めっきとすることが
よい。

なお、このようにして作られた金属導電体は最終的には
高分子フィルムと共に金属支持体から剥離する必要があ
ることから、前記した穴明け、エツチング処理を実施し
たのちに、電解脱脂液または苛性ソーダ溶液中で短時間
陽極酸化処理するか、クロム酸ナトリウムや硫化ナトリ
ウム液に短時間浸漬して剥離用皮膜としての酸化物薄膜
、クロメートｉｓを形成してもよい。

このように金属導電体が形成された高分子フィルムはつ
いでこれを金属支持体から剥離することによって第２図
ｅ）、第３図ｅ）に示したような計重とする異方導電体
とするのであるが、この高分子フィルムと金属支持体と
の剥離は適宜の組成を有する溶剤中にこれを浸漬するか
、超音波やポンプにより加圧した溶剤をノズルから噴出
するスプレ一方式で行えばよい。なお、高分子フィルム
と金属支持体との接着が強く、該高分子フィルムが耐溶
剤性の低いもので適宜の溶剤がない場合などで、例えば
この金属支持体が銅箔であり、該リベット状の導電体が
ニッケルであるときには、これを亜塩素酸塩（ナトリウ
ム塩、アンモニウム塩）水溶液中にアンモニアを加えて
アルカリ性とし、ｐＨを１０程度としたアルカリエツチ
ング液中に浸漬すれば銅箔のみが選択的にエツチングさ
れるので、容易に剥離することかできる。なお、この場
合高分子フィルムがアルカリ溶解性のフィルムである場
合には金属支持体の反対の面をマスキングすればよいが
、最終的に該異方導電膜を接着性のものとする場合には
接着剤層を先に形成させてこれをマスキングの代用とし
てもよい。また、上記した選択エツチングによる剥離方
法において、この導電体に使用される金属材料は前記し
た方法で予じめニッケルめっきしたものとしてもよいこ
とから、該金属材料はニッケルに限定されるものではな
く銅やその他の金属であってもよい。

このようにして得られた異方導電体は、上記したような
めっきなどの処理を必要とする場合にはこれを実施し、
その後これを所定の幅にスリットしてリボン状のものと
して使用するのであるが、このものはＬＣＤとＦＰＣま
たはＩＣとの間に介在させ、圧接することによってＬＣ
ＤとＦＰＣ＊たはＩＣを電気的に接続するものであるの
で、このものは接着機能を有するものとすることがよく
、したがってこれはその異方導電膜を熱溶融性の接着剤
溶液中に浸漬するか、またはこの接着剤溶液を異方導電
膜にコーティングした後、これを乾燥して異方導電膜の
両面に接着剤層を形成させるか、または剥剛フィルムな
どの基材上に形成された接着剤層を該異方導電膜の両面
にラミネートすることなどによって接着剤層を形成する
ことが好ましいが、この熱溶融接着剤層の形成は前記し
た高分子フィルムをキャスティングで形成するのに用い
たコーティング方法によればよい。しかし、この熱溶融
接着剤の厚みはこれが高分子フィルム面から突出してい
るリベット状の導電体の高さよりも小さいと接着剤と電
極が接しないので接着できず、これが厚すぎると接着時
の加熱加圧によって流動する接着剤の量が多くなりすぎ
て樹脂の流動に時間がかかり、接続に必要な時間が長く
なるし、流動した接着剤のたまりによってＦＰＣか変形
することにより、応力が生じ接続信頼性が低下するおそ
れが生じるので、これは高分子フィルム面から突出して
いる導電体の高さより５〜５０μｍ１ｇくなる程度とす
ればよく、これによれはＬＣＤとＦＰＣおよびＩＣとの
接続をより容易にすることができるという有利性が与え
られる。なお、ここに使用される接着剤は熱熔融性のも
のてあればよく、これにはスチレン−ブタジェン−スチ
レンブロック共重合体、スチレン−イソブチレン−スチ
レンブロック共重合体、飽和共重合ポリエステル樹脂、
エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸
エチル共重合体、エチレン−アクリル酸イソブチル共重
合体、ナイロン１１、ナイロン１２、アイオノマー樹脂
などの熱可塑性エラストマーや熱可塑性樹脂に必要に応
じロジンおよびロジン誘導体、テルペン樹脂および変性
テルペン樹脂、石油樹脂、クマロン−インデン樹脂、フ
ェノール樹脂、アルキッド樹脂などの粘着付与剤やエポ
キシ系樹脂、イソシアネート系の潜在性硬化剤、光硬化
性樹脂、酸化防止剤、安定剤などを添加し、必要に応じ
トルエン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、セルソル
ブなどの溶剤に溶解したものとすればよいが、この異方
導電体の上下面に形成される熱溶融性接着剤は、この上
下面において接着する相手がガラス基板やＦＰＣに例示
されるように異なるものであることから、この接着相手
に合わせて上下面で組成の異なるものとしてもよい。

このように得られた本発明の異方導電膜を使用すると、
従来の分散型異方導電膜で問題とされている二次凝集塊
などによるリークが発生しないし、また接着剤の流動に
伴なって導電体が移動することもないのでヒートシール
部周囲における接着剤のたまり部での導電粒子の連鎖に
よるリーク発生もなく、さらにはその導電体が分散型異
方導電膜の導電粒子のように任意に分散されたものでは
なく、これは所定の位置に配置されたものであるので、
接続される電極間に導電粒子が存在せずに不導通を生じ
るという従来の分散型異方導電膜におけるような問題が
なく、これはまた電鋳ン去により形成された導電体の厚
さが均一性にすぐれているので、従来の分散型異方導電
膜における導電粒子のバラツキによる接続抵抗が著しく
高くなったり、不導通を生ずるなどの問題もなくなると
いう有利性をもつものとなるし、これはまたカラーＬＣ
Ｄパネルにおける接続ピッチである０、２＋ｎｍ以下の
電極の接続が可能になるという有利性をもつものである
。

［実施例コ つぎに本発明の実施例をあげる。

実施例１ 金属支持体として厚さ１００μｍ、幅２２５ｍｍの圧延
銅箔・Ｃ−１０２０［行内金属箔粉工業■製商品名コを
使用し、この表面にポリパラバン酸ワニス・ツルラック
ＸＴ−１０１［日東化学工業銖製商品名］をナイフコー
ターを用いて塗工し、これを金属支持体側から１００℃
の温度で３０秒間加熱したのち、連続乾燥炉中に導入し
て１５０℃で６０秒間加熱乾燥させて、金属支持体上に
厚さ３０μｍのポリパラバン酸フィルムを形成させた。

ついで、このポリパラバン酸フィルムに発振波長が１．
０６μｍ、最大発振出力が１２ＷであるＴＥＡｏ。

発振モードの連続励起ＹＡＧレーサー・５Ｌ１１５Ｌ［
日本電気■製部品名］に超音波Ｑスイッチユニット・５
Ｌ２３１Ｇ　［日本電気■製部品名］を組みこんだ繰り
返し周波数ＩＫＨｚ、尖頭出力２０ＫＷ以上、パルス幅
約８０・ｎ　ｓｅｃ　　のＹＡＧレーザスクライバ−を
使用して、このＹＡＧレーザーを精密光学レンズを用い
て５０μｍのスポット径に集光し、これを上記ポリパラ
バン酸フィルム；：照射して穴径約ｓｏｕｍＯ穴明を行
ない、このフィルムをＮＣテープを用いてその照射位置
を１００匹ずらして再度穴明は加工し、これを繰り返す
ことにょフて５０ｕｍの穴明けを１００　、ｕｍのピッ
チで該フィルムの幅方向に実施し、幅方向の一列が終了
すると次の一列を１００μｍ移動して行なうと共に、そ
の穴明は位置が前列の穴明は位置の中央にくるように千
鳥掛に配列したのち、このフィルムの表面をメチルアル
コールを含浸させた布でラビングし、純水で洗浄してレ
ーザーによる穴明けで出たカスなどを除去した。

洗浄終了後、これを乾燥しその裏面の銅箔にマスキング
用の粘着フィルムをラミネートとし、この穴明は加工さ
れたポリパラバン酸フィルムを４０ホーメの酸化第二鉄
溶液を収納したエツチング槽に浸漬し、このエツチング
液を加圧ポンプて加圧してノズルより１呂させると共に
この液に超音波をかけて該穴部にエツチング液か完全に
浸漬するようにして金属支持体としての銅箔を２０ｐｍ
蝕刻し、純水による洗浄を数回くり返したのち、０．１
規定のクロム酸ナトリウム水溶液に１秒間浸漬して剥離
用皮膜を形成し、水洗した。

つぎにこれをワット浴中に浸漬し、電鋳法によってニッ
ケルを析出させてこのニッケルの厚みがポリパラバン酸
フィルムの表面から２０μｍ突出するようにしてリベッ
ト状の導電体を形成させ、ついでこのマスキングフィル
ムを銅箔より剥離した後、これを亜塩素酸アンモニウム
水溶液にアンモニアを加えてｐＨ１０としたアルカリエ
ツチング液・アルカリエッチ［■ヤマトヤ商会製商品名
コに浸漬して金属支持体としての銅箔を完全に除去し、
水洗、乾燥させたところ、約５０μｍのリベット状ニッ
ケル導電体が１００μｍのピッチで千鳥掛に配列された
ポリパラバン酸フィルムを基材とした異方導電膜が得ら
れたので、このニッケル表面に無電解メツキで厚さ０．
０１５μｍの金薄膜を形成させたのち、この異方導電膜
の上下面に厚さ５０μｍのシリコーン離型剤コートポリ
エステルフィルム・セラビールＱ−１［東洋メタライジ
ング味製商品名］上にガラス転好点６℃、環球法軟化点
１２３℃の飽和共重合ポリエステル・バイロン＃３００
　［東洋紡績に製部品名］１００重量部をトルエン２０
０重量部に熔解した熱溶融性接着剤溶液をナイフコータ
ーを用いて塗工し、乾燥して乾燥膜厚３０μｍの熱溶融
接着剤層を形成した接着フィルムを加熱加圧によりラミ
ネートした。

つぎに、このようにして得た異方導ｉｉ膜を幅３ｍｍに
スリットとしてリボン状としたものを、銅箔１オンス（
３６４ｍ）、電極幅が０．０７５＋ｎｍ　ｖＮ極ピッチ
が０．１５ｍｍのすずメツキした接続端子電極をもつフ
レキシブルプリント基板（ＦＰＣ）と、上記と同様の電
極幅と電極ピッチをもつＩＴＯ電極ガラス基板との間に
挿入し、これをＦＰＣ側から１５０℃、４０ｋｇｆ／ｃ
ｍ２．１０秒という条件でヒートシールし、その接続抵
抗と隣接電極間での絶縁抵抗を測定したところ、電極１
，０００点の測定において接続抵抗はすべて０．５Ω／
Ｐｉｎ以下であり、絶縁抵抗は１０１０Ω以上であった
。

実施例２ 実施例１で使用した厚さ１１００ｕの圧延銅箔上に厚さ
３０匹のポリパラバン酸フィルムを形成させたフィルム
上にロールコータ−を用いてポジタイプレジスト・０Ｄ
ＯＲ−１０１０［東京応化工業■製部品名コを２μｍの
乾燥膜厚となるように塗工し、１２０℃で２０分間プリ
ベークしたのち、つづいてこの裏面の銅箔にマスキング
用の粘着フィルムをラミネートシた。ついで、露光機・
ＰＬ艇２ＯＦ　ＣＭ−２９０［キャノン抹製商品名］を
用いて該レジスト表面に合成石英の板材にクロム蒸着を
施し、これにφ＝５０ａｍ、ピッチ１００４ｍにパター
ニングされたポジマスクを密着させたのち、１０秒間紫
外線を照射して露光し、露光終了したものを専用の現像
液・０ＤＩＪＲ−１０１０現像液［東京応化工業■製部
品名］中に２分間攪拌しながら浸漬して現像し、さらに
専用のリンス液・０ＤＵＲ−１０１０リンス液［東京応
化工業■製部品名］中に１分間攪拌しながら浸漬して現
像液を中和した後、１００℃で２０分間ポストベークし
、このポストベークしたものを５重量％の苛性ソーダ水
溶液に約５分間浸漬したところ、ポリパラバン酸フィル
ムが溶解して所定のパターニングで穴明は加工されたポ
リパラバン酸フィルムが得られた。

つぎにこのように穴明は加工されたポリパラバン酸フィ
ルムについて実施例１と同様の方法でエツチングし、電
鋳法でニッケル製の導電体をポリパラバン酸フィルムの
表面から２０μｍ突出するように形成させ、このニッケ
ル表面に金薄膜を形成させてからこれを金属支持体から
剥離し、さらに接着剤層を設けて異方導電膜を作り、こ
れを幅３ｍｍにスリットしたリボン状のものを実施例１
と同じＬＣＤとＦＰＣとの接続に用いたところ、このも
のも電極１，０００点の測定において接続抵抗０．５Ω
／Ｐｉｎ以下、絶縁抵抗１０１０Ω以上という結果を与
えた。

［発明の効果コ 本発明は新規な異方導電膜およびその製造方法に関する
もので、これは前記したように電気絶縁性の高分子フィ
ルムに、該フィルムを貫通し、その上下面に突出するリ
ベット状の導通体を点状に配置してなる異方導電膜、お
よび電気絶縁性の高分子フィルムを金属支持体上に形成
し、このフィルム上に所定のパターニングで穴明けし、
この穴明は部下力の金属支持体をエツチングして孔部を
設け、ここに金属導電体を挿入し、ついでこれを金属支
持体から剥離して異方導電体を製造するというものであ
るが、この異方導電体は上記したように構成されている
のでこれをＬＣＤのガラス基板とＦＰＣの間に設置すれ
ばこの間の絶縁が高分子フィルムで確保されるし、ガラ
ス基板とＦＰＣはこのリベット状の導電体によって接触
導通されこの場合には従来公知の分散型異方導電膜で問
題点とされている二次凝集塊によるリーク発生、ヒート
シール部における接着剤のたまりによるリークの発生も
なく、さらには電極間に粒子がないので粒径のバラツキ
による不利もなくなるという有利性が与えられるし、上
記した製造方法によれば目的とする異方導電膜を容易に
、かつ確実に得ることができ、この場合穴明けのための
パターニングも任意のパターンで行なうことができるの
でＬＣＤの画素数増加に伴なう０．２ｍｍ以下という電
極ピッチにも充分対応できると共に、ＩＣチップなどの
接続コネクターを容易に製造することができるという有
利性が与えられる。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ）　、　ｃ）は本発明の異方導電膜の斜視図、
第１図ｂ）はその縦断面、第２図ａ）〜ｅ）、第３図、
ａ）〜ｅ）は本発明による異方導電膜製造方法の各工程
図、第４図ａ）〜Ｃ）は従来公知の分散型異方導電膜を
使用してＬＣＤガラス基板とＦＰＣとの接続図を示した
ものである。 特許出願人　信越ポリマー株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、電気絶縁性の高分子フィルムに、該フィルムを貫通
   し、その上下面に突出するリベット状の導電体を点状に
   配置してなることを特徴とする異方導電膜。 ２．１）電気絶縁性の高分子フィルムを金属支持体上に
   形成する工程、 ２）該高分子フィルムに所定のパターニングで穴明け加
   工する工程、 ３）該穴明け加工された高分子フィルム側から金属支持
   体をエッチング加工する工程、 ４）該エッチング後にリベット状の金属導電体を電鋳法
   によって該高分子フィルムの穴部に形成する工程、 ５）リベット状金属導電体を充填した該高分子フィルム
   を金属支持体から剥離する工程 とからなることを特徴とする異方導電膜の製造方法。 ３、高分子フィルムに所定のパターニングする方法が該
   金属支持体上に形成された高分子フィルム表面にレーザ
   ー光を照射することにより行なわれる請求項２に記載し
   た異方導電膜の製造方法。 ４、高分子フィルムに所定のパターニングする方法が、
   該金属支持体上に形成された高分子フィルム表面にフォ
   トレジスト層を形成する工程、該フォトレジストを露光
   、現象してパターニングする工程、およびパターンに基
   づいて該高分子フィルムをエッチングにより加工する工
   程により行なわれる請求項２に記載した異方導電膜の製
   造方法。