JPH03266306A - 異方導電フィルムの製造方法 - Google Patents
異方導電フィルムの製造方法Info
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- JPH03266306A JPH03266306A JP2410852A JP41085290A JPH03266306A JP H03266306 A JPH03266306 A JP H03266306A JP 2410852 A JP2410852 A JP 2410852A JP 41085290 A JP41085290 A JP 41085290A JP H03266306 A JPH03266306 A JP H03266306A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［０００１）
本発明は異方導電フィルムに関する。
［０００２３
【従来の技術］
近年の電子機器の多機能化と小型軽量化に伴い、半導体
分野においては配線回路のパターンが高集積化され、多
ピンおよび狭ピッチのファインパターンが採用されてい
る。このような回路のファインパターン化に対応すべく
、基板上に形成された複数の導体パターンとそれと接続
する導体パターンまたはＩＣ，ＬＳＩとの接続に、異方
導電フィルムを介在させる方法が試みられている。 ［０００３］ 例えば、特開昭５５−１６１３０６号公報には絶縁性多
孔体シートの選択領域内の孔部に金属メツキを施こし異
方導電化したシートが開示されている。しかしこのよう
なシートは表面に金属突出部がないので、ＩＣなどの接
続に際してはＩＣ側の接続パッド部に突起電極（バンプ
）を形成しておく必要があり、接続工程が煩雑となる。 ［０００４］ また、特開昭６２−４３００８号公報や特開昭６３−４
０２１８号公報、特開昭６３−９４５０４号公報には絶
縁性フィルムの厚み方向に設けた微細孔に金属物質を充
填して異方導電化し、さらにフィルム表面からバンプ状
に金属物質を突出させて接続を容易にしたものが開示さ
れている。 特開平３−２６に３０６ （３） 【０００５１ 【発明が解決しようとする課題】 しかし、このような異方導電性フィルムは一般に図３に
示すような構造であるために、充填された金属物質と絶
縁性フィルムとの密着性が充分ではなく、金属物質が脱
落して本来導電性を有かなければならない微細孔が導電
性を発揮せず、電気的接続信頼性に欠ける恐れがある。 ［０００６］
分野においては配線回路のパターンが高集積化され、多
ピンおよび狭ピッチのファインパターンが採用されてい
る。このような回路のファインパターン化に対応すべく
、基板上に形成された複数の導体パターンとそれと接続
する導体パターンまたはＩＣ，ＬＳＩとの接続に、異方
導電フィルムを介在させる方法が試みられている。 ［０００３］ 例えば、特開昭５５−１６１３０６号公報には絶縁性多
孔体シートの選択領域内の孔部に金属メツキを施こし異
方導電化したシートが開示されている。しかしこのよう
なシートは表面に金属突出部がないので、ＩＣなどの接
続に際してはＩＣ側の接続パッド部に突起電極（バンプ
）を形成しておく必要があり、接続工程が煩雑となる。 ［０００４］ また、特開昭６２−４３００８号公報や特開昭６３−４
０２１８号公報、特開昭６３−９４５０４号公報には絶
縁性フィルムの厚み方向に設けた微細孔に金属物質を充
填して異方導電化し、さらにフィルム表面からバンプ状
に金属物質を突出させて接続を容易にしたものが開示さ
れている。 特開平３−２６に３０６ （３） 【０００５１ 【発明が解決しようとする課題】 しかし、このような異方導電性フィルムは一般に図３に
示すような構造であるために、充填された金属物質と絶
縁性フィルムとの密着性が充分ではなく、金属物質が脱
落して本来導電性を有かなければならない微細孔が導電
性を発揮せず、電気的接続信頼性に欠ける恐れがある。 ［０００６］
そこで、本発明者らは従来の異方導電フィルムが有する
上記課題を解決し、確実に異方導電化できて接続信頼性
が高い異方導電フィルムを提供すべく鋭意検討を重ね、
本発明を完成するに至った。 ［０００７］ 即ち、本発明は絶縁性フィルムの厚み方向に独立して導
通する微細貫通孔を有し、かつ該フィルムの表裏面上の
貫通孔両端部のうち少なくとも一端部が貫通孔の開口部
面積よりも大きな底面積を有するバンプ状の金属突出物
によって閉塞されていることを特徴とする異方導電フィ
ルムを提供するものである。 ［０００８３ 以下、本発明を図面を用いて説明する。 図１は本発明の異方導電フィルムの一実例を示す断面図
である。 図１において絶縁性フィルム１には厚み方向に微細貫通
孔２が設けられており金属物質３を充填した導通路が表
裏面に達している。貫通孔２の両端部には貫通孔２の開
口部面積よりも大きな底面積を有するバンプ状の金属突
出物４が形成されており、所謂リベット状に貫通孔２を
閉塞している。 ［０００９］ また、図２は本発明の異方導電性フィルムの他の実例を
示す断面図であり、絶縁性フィルム１に設けられた貫通
孔２０片端部にバンプ上の金属突出物４が形成されてな
るものである。 ［００１０］ 上記微細貫通孔２の直径は通常１５〜１００μｍ、好ま
しくは２０〜５０μｍ特開平３−２６Ｇ３０６ （４） とし、ピッチは１５〜２００Ａ１ｍ、好ましくは４０〜
１００μｍとする。 ［００１１］ 本発明において絶縁性フィルム１は電気絶縁特性を有す
るフィルムであればその素材に制限はなく、ポリエステ
ル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリスチ
レン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリアミド系樹脂、
ポリイミド系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリカーボネート樹脂
、シリコーン系樹脂など熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を
問わず目的に応じて選択できる。例えば、可撓性を必要
どする場合はシリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴ
ムなどの弾性体を使用することが好ましく、耐熱性が要
求される場合はポリイミド、ポリエーテルスルホン、ポ
リフェニレンスルフィドなどの耐熱性樹脂を用いること
が好ましい。また、絶縁性フィルム１の厚さは任意に選
択できるカミフィルム厚の精度（バラツキ）や形成する
貫通孔の孔径精度の点からは通常、５〜２００μｍ、好
ましくは１０〜１００μｍとする。 ［００１２］ 上記絶縁性フィルム１に設ける微細貫通孔に充填する導
通路となる金属物質３およびバンプ状の金属突出物４と
なる金属物質としては、例えば金、銀、銅、錫鉛、ニッ
ケル、コバルト、インジウムなどの各種金属、またはこ
れらを成分とする各種合金が用いられる。このような金
属物質は純度が高すぎるとバンプ状となりにくいので、
自体公知の有機物や無機物を微量混入した金属物質や合
金を用いることが好ましい。導通路の形成方法としては
、スパッタリング、各種蒸着、各種メツキなどの各種方
法が採用できる。なお、メツキ法による場合は、メツキ
時間を長くすることによって、バンプ状に金属突出物４
を成長させることができるのである。 ［００１３］ 上記絶縁性フィルム１に設ける微細貫通孔２は、パンチ
ングなどの機械的加工法、レーザー プラズマなどによ
るドライエツチング法、薬品、溶剤などによる化学的な
ウエットニッチレグ法などがある。エツチング法の場合
は絶縁性フィルム１に所望の花形状、例えば丸、四角、
菱形などを有するマスクを密着させ、マスクの上から処
理する間接的エツチング法、スポットを絞ったレーザー
光をフイ」 Ｌ −３２〜 （Ｊ甫１ ’ｆ’ 、ｊ−ごｂ Ｌ）ｔ５ Ｕθ（ロノ
ルムに当てたり、マスクを通してレーザー光をフィルム
上に結像させるさせるドライエツチング法、感光性レジ
ストを用いて、予め微細孔をパターニングしたのちウェ
ットエツチングする直接エツチング法などがある。なお
、回路のファインパターン化に対応するにはドライエツ
チング法やウェットエツチング法が好ましく、特にエキ
シマレーザ−の如き紫外線レーザーによるアブレーショ
ンを用いたドライエツチング法の場合は、高いアスペク
ト比が得られるので好ましい。 ［００１４］ 例えば、レーザー光によってフィルム１に微細貫通孔４
を設ける場合、図３に示すようにレーザー光を照射した
側のフィルム表面の貫通孔直径は、反対側のフィルム表
面に形成される貫通孔直径よりも大きくなる。また、図
１および図２において貫通孔２の形成角度αは９０±２
０度とし、貫通孔２の平面形状の面積を〔フィルム厚×
５／４〕２よりも大きくすることによって、孔部へのメ
ツキ液の濡れ性の点で後の金属充填の際に効果的となる
。 ［００１５］ 上記貫通孔２の開口部に形成されたバンプ状金属突出物
４は、貫通孔２の平面面積よりも大きな底面積、好まし
くは１．１倍以上の大きさとする。本発明においてはこ
のように底面積を大きくすることによって、貫通孔２内
に形成された導通路が脱落することもなく、絶縁性フィ
ルム１の厚み方向に対する剪断力に対しても充分な強度
を有し、電気的接続信頼性が向上する。 ［００１６］ 本発明の異方導電フィルムを得るための方法としては、
例えば以下の工程からなる方法が挙げられる。 ［００１７］ ■絶縁性フィルムと導電層との積層フィルム（接着剤を
介した３層フィルムまたは直接積層した２層フィルム）
の絶縁性フィルムのみに微細貫通孔を設けるか或いは微
細貫通孔を設けた絶縁性フィルムに導電層を積層（但し
、導電層は微細孔が貫通するように積層するか、積層液
除去する）し、導電層表面にレジスト層を形成して表面
を絶縁後、貫通孔部をエツチングして貫通孔部に接する
導電層部分にリベット状の溝部を形成する工程。 ［００１８］ ■微細貫通孔に電解メツキや無電解メツキなどのメツキ
法により金属物質を充填し、バンプ状の金属突出物を形
成する工程。 ［００１９］ ■絶縁性フィルムに積層されていた導電層およびレジス
ト層を化学的エツチング液または電解腐食によって除去
する工程。 ［００２０］ なお、上記■の工程においてバンプ状の金属突出物の形
成は■の工程後に行なってもよい。 ［００２１］ 本発明の異方導電性フィルムにおいて絶縁性フィルムの
一方の側にバンプ状の金属突出物を形成する場合は、図
２に示すように貫通孔の孔径が小さい側のフィルム表面
にバンプ状の金属突出物を形成することが好ましい。従
って、図３のような絶縁性フィルム１においてはバンプ
状の金属突出物４の形成側（図中、下面側）に上記■工
程における導電層が形成されている。 ［００２２］ バンプ状に金属突出物を形成するには金属結晶の状態を
微細結晶とすることが好ましい。なお、高電流密度で電
解メツキを行なった場合は、樹枝状の結晶が形成される
のでバンプ状とならない場合がある。また、金属結晶の
析出速度を調整したり、メツキ液の種類やメツキ浴の温
度を調整することによって平滑、均一な突出物を得るこ
ともできる。 ［００２３］ 本発明においてバンプ状金属突出物を貫通孔の開口部面
積よりも大きな底面積を有するようにするには、上記メ
ツキの際にメツキ皮膜を開口部表面、即ち絶縁性フィル
ム面よりも高く成長させ、かつリベット状に貫通孔から
横にも成長させる必要があり、その高さは孔ピッチや用
途によって任意に設定することができ、通常５μｍ以上
、好ましくは５〜１００μｍの範囲に調整される。 ［００２４］ さらに、貫通孔底面の導電層を除去してリベット状のバ
ンプを形成する場合（特朋平３−２６Ｇ３０Ｇ （７） 両側にバンブを形成する場合）も、エツチングを貫通孔
直径の１．１倍以上とすることが好ましい。１．１倍に
満たないと、リベット状のバンプとしての効果が乏しく
なり、所期の効果を発揮しない場合がある。 ［００２５］
上記課題を解決し、確実に異方導電化できて接続信頼性
が高い異方導電フィルムを提供すべく鋭意検討を重ね、
本発明を完成するに至った。 ［０００７］ 即ち、本発明は絶縁性フィルムの厚み方向に独立して導
通する微細貫通孔を有し、かつ該フィルムの表裏面上の
貫通孔両端部のうち少なくとも一端部が貫通孔の開口部
面積よりも大きな底面積を有するバンプ状の金属突出物
によって閉塞されていることを特徴とする異方導電フィ
ルムを提供するものである。 ［０００８３ 以下、本発明を図面を用いて説明する。 図１は本発明の異方導電フィルムの一実例を示す断面図
である。 図１において絶縁性フィルム１には厚み方向に微細貫通
孔２が設けられており金属物質３を充填した導通路が表
裏面に達している。貫通孔２の両端部には貫通孔２の開
口部面積よりも大きな底面積を有するバンプ状の金属突
出物４が形成されており、所謂リベット状に貫通孔２を
閉塞している。 ［０００９］ また、図２は本発明の異方導電性フィルムの他の実例を
示す断面図であり、絶縁性フィルム１に設けられた貫通
孔２０片端部にバンプ上の金属突出物４が形成されてな
るものである。 ［００１０］ 上記微細貫通孔２の直径は通常１５〜１００μｍ、好ま
しくは２０〜５０μｍ特開平３−２６Ｇ３０６ （４） とし、ピッチは１５〜２００Ａ１ｍ、好ましくは４０〜
１００μｍとする。 ［００１１］ 本発明において絶縁性フィルム１は電気絶縁特性を有す
るフィルムであればその素材に制限はなく、ポリエステ
ル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリスチ
レン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリアミド系樹脂、
ポリイミド系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリカーボネート樹脂
、シリコーン系樹脂など熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を
問わず目的に応じて選択できる。例えば、可撓性を必要
どする場合はシリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴ
ムなどの弾性体を使用することが好ましく、耐熱性が要
求される場合はポリイミド、ポリエーテルスルホン、ポ
リフェニレンスルフィドなどの耐熱性樹脂を用いること
が好ましい。また、絶縁性フィルム１の厚さは任意に選
択できるカミフィルム厚の精度（バラツキ）や形成する
貫通孔の孔径精度の点からは通常、５〜２００μｍ、好
ましくは１０〜１００μｍとする。 ［００１２］ 上記絶縁性フィルム１に設ける微細貫通孔に充填する導
通路となる金属物質３およびバンプ状の金属突出物４と
なる金属物質としては、例えば金、銀、銅、錫鉛、ニッ
ケル、コバルト、インジウムなどの各種金属、またはこ
れらを成分とする各種合金が用いられる。このような金
属物質は純度が高すぎるとバンプ状となりにくいので、
自体公知の有機物や無機物を微量混入した金属物質や合
金を用いることが好ましい。導通路の形成方法としては
、スパッタリング、各種蒸着、各種メツキなどの各種方
法が採用できる。なお、メツキ法による場合は、メツキ
時間を長くすることによって、バンプ状に金属突出物４
を成長させることができるのである。 ［００１３］ 上記絶縁性フィルム１に設ける微細貫通孔２は、パンチ
ングなどの機械的加工法、レーザー プラズマなどによ
るドライエツチング法、薬品、溶剤などによる化学的な
ウエットニッチレグ法などがある。エツチング法の場合
は絶縁性フィルム１に所望の花形状、例えば丸、四角、
菱形などを有するマスクを密着させ、マスクの上から処
理する間接的エツチング法、スポットを絞ったレーザー
光をフイ」 Ｌ −３２〜 （Ｊ甫１ ’ｆ’ 、ｊ−ごｂ Ｌ）ｔ５ Ｕθ（ロノ
ルムに当てたり、マスクを通してレーザー光をフィルム
上に結像させるさせるドライエツチング法、感光性レジ
ストを用いて、予め微細孔をパターニングしたのちウェ
ットエツチングする直接エツチング法などがある。なお
、回路のファインパターン化に対応するにはドライエツ
チング法やウェットエツチング法が好ましく、特にエキ
シマレーザ−の如き紫外線レーザーによるアブレーショ
ンを用いたドライエツチング法の場合は、高いアスペク
ト比が得られるので好ましい。 ［００１４］ 例えば、レーザー光によってフィルム１に微細貫通孔４
を設ける場合、図３に示すようにレーザー光を照射した
側のフィルム表面の貫通孔直径は、反対側のフィルム表
面に形成される貫通孔直径よりも大きくなる。また、図
１および図２において貫通孔２の形成角度αは９０±２
０度とし、貫通孔２の平面形状の面積を〔フィルム厚×
５／４〕２よりも大きくすることによって、孔部へのメ
ツキ液の濡れ性の点で後の金属充填の際に効果的となる
。 ［００１５］ 上記貫通孔２の開口部に形成されたバンプ状金属突出物
４は、貫通孔２の平面面積よりも大きな底面積、好まし
くは１．１倍以上の大きさとする。本発明においてはこ
のように底面積を大きくすることによって、貫通孔２内
に形成された導通路が脱落することもなく、絶縁性フィ
ルム１の厚み方向に対する剪断力に対しても充分な強度
を有し、電気的接続信頼性が向上する。 ［００１６］ 本発明の異方導電フィルムを得るための方法としては、
例えば以下の工程からなる方法が挙げられる。 ［００１７］ ■絶縁性フィルムと導電層との積層フィルム（接着剤を
介した３層フィルムまたは直接積層した２層フィルム）
の絶縁性フィルムのみに微細貫通孔を設けるか或いは微
細貫通孔を設けた絶縁性フィルムに導電層を積層（但し
、導電層は微細孔が貫通するように積層するか、積層液
除去する）し、導電層表面にレジスト層を形成して表面
を絶縁後、貫通孔部をエツチングして貫通孔部に接する
導電層部分にリベット状の溝部を形成する工程。 ［００１８］ ■微細貫通孔に電解メツキや無電解メツキなどのメツキ
法により金属物質を充填し、バンプ状の金属突出物を形
成する工程。 ［００１９］ ■絶縁性フィルムに積層されていた導電層およびレジス
ト層を化学的エツチング液または電解腐食によって除去
する工程。 ［００２０］ なお、上記■の工程においてバンプ状の金属突出物の形
成は■の工程後に行なってもよい。 ［００２１］ 本発明の異方導電性フィルムにおいて絶縁性フィルムの
一方の側にバンプ状の金属突出物を形成する場合は、図
２に示すように貫通孔の孔径が小さい側のフィルム表面
にバンプ状の金属突出物を形成することが好ましい。従
って、図３のような絶縁性フィルム１においてはバンプ
状の金属突出物４の形成側（図中、下面側）に上記■工
程における導電層が形成されている。 ［００２２］ バンプ状に金属突出物を形成するには金属結晶の状態を
微細結晶とすることが好ましい。なお、高電流密度で電
解メツキを行なった場合は、樹枝状の結晶が形成される
のでバンプ状とならない場合がある。また、金属結晶の
析出速度を調整したり、メツキ液の種類やメツキ浴の温
度を調整することによって平滑、均一な突出物を得るこ
ともできる。 ［００２３］ 本発明においてバンプ状金属突出物を貫通孔の開口部面
積よりも大きな底面積を有するようにするには、上記メ
ツキの際にメツキ皮膜を開口部表面、即ち絶縁性フィル
ム面よりも高く成長させ、かつリベット状に貫通孔から
横にも成長させる必要があり、その高さは孔ピッチや用
途によって任意に設定することができ、通常５μｍ以上
、好ましくは５〜１００μｍの範囲に調整される。 ［００２４］ さらに、貫通孔底面の導電層を除去してリベット状のバ
ンプを形成する場合（特朋平３−２６Ｇ３０Ｇ （７） 両側にバンブを形成する場合）も、エツチングを貫通孔
直径の１．１倍以上とすることが好ましい。１．１倍に
満たないと、リベット状のバンプとしての効果が乏しく
なり、所期の効果を発揮しない場合がある。 ［００２５］
以下に本発明の実施例を示し、さらに具体的に説明する
。 ［００２６］ 銅箔上にポリイミド前駆体溶液を乾燥後の厚さ１ｍ１ｌ
となるように塗工、硬化させ、銅箔とポリイミドフィル
ムとの２層フィルムを作製した。 ［００２７］ 次に、ポリイミドフィルム表面に発振波長２４８ｎｍの
ＫｒＦエキシマレーザ−光を、マスクを通して照射して
ドライエツチングを施こし、゛ポリイミドフィルム層に
６０μｍφ、ピッチ２００μｍの微細貫通孔を５個／ｍ
ｍで８０ｍ２の領域に設けた。 ［００２８］ 次いで、銅箔表面にレジストを塗工、硬化させて絶縁し
、化学研磨溶液中に５０℃で２分間浸漬した。 ［００２９］ これを水洗したのち、銅箔部を電極に接続して６０℃の
シアン化金メツキ浴に浸漬し、銅箔をマイナス極とし、
２層フィルムの貫通孔部に金メツキを成長させポリイミ
ドフィルム表面からやや全結晶が突出したとき（突出高
さ５μｍ）にメツキ処理を中断した。 ［００３０］ 最後に、塗工したレジスト層を剥離して２層フィルムの
銅箔を塩化第二銅で溶解除去し、本発明の異方導電フィ
ルムを得た。
。 ［００２６］ 銅箔上にポリイミド前駆体溶液を乾燥後の厚さ１ｍ１ｌ
となるように塗工、硬化させ、銅箔とポリイミドフィル
ムとの２層フィルムを作製した。 ［００２７］ 次に、ポリイミドフィルム表面に発振波長２４８ｎｍの
ＫｒＦエキシマレーザ−光を、マスクを通して照射して
ドライエツチングを施こし、゛ポリイミドフィルム層に
６０μｍφ、ピッチ２００μｍの微細貫通孔を５個／ｍ
ｍで８０ｍ２の領域に設けた。 ［００２８］ 次いで、銅箔表面にレジストを塗工、硬化させて絶縁し
、化学研磨溶液中に５０℃で２分間浸漬した。 ［００２９］ これを水洗したのち、銅箔部を電極に接続して６０℃の
シアン化金メツキ浴に浸漬し、銅箔をマイナス極とし、
２層フィルムの貫通孔部に金メツキを成長させポリイミ
ドフィルム表面からやや全結晶が突出したとき（突出高
さ５μｍ）にメツキ処理を中断した。 ［００３０］ 最後に、塗工したレジスト層を剥離して２層フィルムの
銅箔を塩化第二銅で溶解除去し、本発明の異方導電フィ
ルムを得た。
【００３１】
本発明の異方導電フィルムは以上のような構造からなる
ので、導通路として充填された金属物質は、絶縁性フィ
ルムと充分に密着しており、金属物質の脱落もなく本来
、導電性を有かなければならない微細孔が充分に導電性
を発揮し、的接続信頼性が高いものである。
ので、導通路として充填された金属物質は、絶縁性フィ
ルムと充分に密着しており、金属物質の脱落もなく本来
、導電性を有かなければならない微細孔が充分に導電性
を発揮し、的接続信頼性が高いものである。
【図１】
本発明の異方導電フィルムの一実例を示す断面図である
。
。
【図２】
本発明の異方導電フィルムの他の実例を示す断面図であ
る。
る。
【図３】
従来のバンプ付異方導電フィルムの断面図である。
１ 絶縁性フィルム
２ 微細貫通孔
３ 金属物質
４ バンプ状の金属突出物
電気
【図１】
【図２】
【図３】
図面
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁性フィルムの厚み方向に独立して導通
する微細貫通孔を有し、かつ該フィルムの表裏面上の貫
通孔両端部のうち少なくとも一端部が貫通孔の開口部面
積よりも大きな底面積を有するバンプ状の金属突出物に
よって閉塞されていることを特徴とする異方導電フィル
ム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2410852A JP2984064B2 (ja) | 1989-12-19 | 1990-12-14 | 異方導電フィルムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33005289 | 1989-12-19 | ||
| JP1-330052 | 1989-12-19 | ||
| JP2410852A JP2984064B2 (ja) | 1989-12-19 | 1990-12-14 | 異方導電フィルムの製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8002081A Division JP2984205B2 (ja) | 1996-01-10 | 1996-01-10 | 異方導電フィルム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03266306A true JPH03266306A (ja) | 1991-11-27 |
| JP2984064B2 JP2984064B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=26573408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2410852A Expired - Fee Related JP2984064B2 (ja) | 1989-12-19 | 1990-12-14 | 異方導電フィルムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2984064B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04109510A (ja) * | 1990-08-30 | 1992-04-10 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 異方導電膜の製造方法 |
| US5399809A (en) * | 1992-05-29 | 1995-03-21 | Shinko Electric Industries Company, Limited | Multi-layer lead frame for a semiconductor device |
| US5438223A (en) * | 1992-03-13 | 1995-08-01 | Nitto Denko Corporation | Anisotropic electrically conductive adhesive film and connection structure using the same |
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