JPH04109657A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
Manufacture of semiconductor deviceInfo
- Publication number
- JPH04109657A JPH04109657A JP22933490A JP22933490A JPH04109657A JP H04109657 A JPH04109657 A JP H04109657A JP 22933490 A JP22933490 A JP 22933490A JP 22933490 A JP22933490 A JP 22933490A JP H04109657 A JPH04109657 A JP H04109657A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- heat
- semiconductor chip
- glass
- sealing glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 17
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000001723 curing Methods 0.000 claims 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、半導体チップがパッケージに収納されてシー
ルガラスで封止される半導体装置の製造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (a) Field of Industrial Application The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device in which a semiconductor chip is housed in a package and sealed with a sealing glass.
（ロ）従来の技術
従来、ＣＣＤセンサの如き半導体装置に於いては、複数
の受光素子が配列形成された半導体チップがセラミック
パッケージ内に収納され、このセラミックパッケージの
開口部に透光性のシールガラスが装着されて半導体チッ
プが封止される。(B) Conventional technology Conventionally, in a semiconductor device such as a CCD sensor, a semiconductor chip on which a plurality of light receiving elements are arranged is housed in a ceramic package, and a light-transmitting seal is placed in the opening of the ceramic package. Glass is attached and the semiconductor chip is sealed.
第２図は、−船釣なＣＣＤセンサの分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of a CCD sensor for boat fishing.
受光面に複数の受光素子がマトリクス状に配列形成され
た半導体チップ（１）は、セラミックパッケージ（２）
の四部（３）内にダイボンディングされ、セラミックパ
ッケージ（２）に予め埋め込まれたリードフレーム（４
）の一端とワイヤボンディングされる。そして、透光性
のシールガラス（５）が凹部（３）を塞ぐようにしてセ
ラミックパッケージ（２）に装着され、半導体チフブ（
１）が封止される。このシールガラス（５）とセラミッ
クパッケージ（２）とは、例えば熱硬化性の接着剤によ
り固着される。A semiconductor chip (1) in which a plurality of light-receiving elements are arranged in a matrix on a light-receiving surface is a ceramic package (2).
The lead frame (4) is die-bonded into the fourth part (3) of the lead frame (4) and is pre-embedded in the ceramic package (2).
) is wire bonded to one end of the Then, a translucent seal glass (5) is attached to the ceramic package (2) so as to close the recess (3), and the semiconductor chip (
1) is sealed. The sealing glass (5) and the ceramic package (2) are fixed together using, for example, a thermosetting adhesive.
熱硬化性の接着剤を用いてシールガラス（５）をセラミ
ックパッケージ（２）に固着する場合、セラミックパッ
ケージ（２）内に半導体チップ（１）が収納された後に
、シールガラス（５）の固着箇所に熱硬化性の接着剤が
塗布され、シールガラス（５）が装着されて加熱処理が
施される。When fixing the sealing glass (5) to the ceramic package (2) using a thermosetting adhesive, the fixing of the sealing glass (5) is performed after the semiconductor chip (1) is housed in the ceramic package (2). A thermosetting adhesive is applied to the area, a sealing glass (5) is attached, and heat treatment is performed.
（ハ）発明が解決しようとする課題
しかしながら、セラミックパッケージ（２）を加熱処理
する場合、当然ながら半導体チップ（１）にも熱が加え
られることになるため、特性上高温処理ができない半導
体チップ（１）に対しては好ましくない、特に、受光面
に色分離フィルタとなる染色層が形成されている半導体
チップ（１）に於いては、耐熱性に欠ける染色層の保護
のために高温での処理ができない。そこで、熱硬化性の
接着剤を低温で長時間加熱処理することなども考えられ
るが、処理時間の増大による生産性の悪化や、接着剤の
硬化不良による信頼性の低下などが発生ずる虞れがある
。(c) Problems to be Solved by the Invention However, when heat-treating the ceramic package (2), heat is of course also applied to the semiconductor chip (1). 1), especially in semiconductor chips (1) in which a dyed layer that serves as a color separation filter is formed on the light-receiving surface, high-temperature treatment is not recommended in order to protect the dyed layer, which lacks heat resistance. Unable to process. Therefore, heat-treating thermosetting adhesives at low temperatures for long periods of time may be considered, but this may lead to decreased productivity due to increased processing time and decreased reliability due to insufficient curing of the adhesive. There is.
そこで本発明は、半導体チップには過剰な熱を加えるこ
となく、熱硬化性の接着剤に十分な熱を加えてセラミン
クパッケージとシールガラスとを確実に固着することを
目的とする。Therefore, an object of the present invention is to apply sufficient heat to a thermosetting adhesive to reliably bond a ceramic package and a seal glass without applying excessive heat to the semiconductor chip.
（ニ）課題を解決するための手段
本発明は、上述の課題を解決するためになされｔζもの
で、その特徴とするところは、リードフレムが埋設され
た絶縁性のパッケージ内に半導体チップが収納され、こ
のパッケージに透光性のシルガラスが装着されて上記半
導体チップが封止される半導体装置の製造方法に於いて
、上記半導体チップが収納された上記パッケージの四部
を塞ぐように上記シールガラスを熱硬化性接着剤を挾ん
で装着し、上記パッケージを上記シールガラスの装着さ
れる表面側から加熱して上記熱硬化性接着剤を硬化させ
ると共に、冷却水が通されるヒートシンクを上記パッケ
ージの裏面側に密着させて上記パンケージに加えられる
過剰な熱を吸収することにある。(d) Means for Solving the Problems The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and is characterized in that a semiconductor chip is housed in an insulating package in which a lead frame is embedded. In a method of manufacturing a semiconductor device in which a light-transmitting seal glass is attached to the package and the semiconductor chip is sealed, the seal glass is heated so as to close four parts of the package in which the semiconductor chip is housed. The thermosetting adhesive is attached by sandwiching the curable adhesive, and the package is heated from the front side where the sealing glass is attached to cure the thermosetting adhesive, and a heat sink through which cooling water is passed is attached to the back side of the package. The objective is to absorb excess heat applied to the pan cage by placing it in close contact with the pan cage.
（ホ）作用
本発明によれば、パッケージとシールガラスとの間に介
在する熱硬化性の接着剤に十分に熱が加えれられる一方
で、パッケージの裏面から熱が吸収されて半導体チップ
に伝わる熱が効率良く減少される。(E) Function According to the present invention, sufficient heat is applied to the thermosetting adhesive interposed between the package and the sealing glass, while heat is absorbed from the back surface of the package and transmitted to the semiconductor chip. is efficiently reduced.
くべ）実施例 本発明の一実施例を図面に従って説明する。Kube) Example An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図は、本発明の製造方法を説明する図で、熱硬化性
の接着剤を加熱して硬化させる工程を示す。FIG. 1 is a diagram for explaining the manufacturing method of the present invention, showing a step of heating and curing a thermosetting adhesive.
ＣＣＤセンサ（１０）は、第２図と同一構成を有してお
り、セラミックパッケージ（２）内に半導体チップ（１
）が収納されている。そして、シールガラス（５）が熱
硬化性の接着剤を介してセラミックパッケージ（２）装
着される。The CCD sensor (10) has the same configuration as shown in FIG.
) are stored. Then, the seal glass (5) is attached to the ceramic package (2) via a thermosetting adhesive.
シールガラス（５）が装着されたＣＣＤセンサ（１０）
は、ヒータ（１１）上にシールガラス（５）を下向きに
して配置され、このヒータ（１１）から熱が加えられる
。一方、ＣＣＤセンサ（１０）の裏面側には、冷却水が
通る冷却パイプ（１２）が貫通されたヒートシンク（１
３）が密着され、セラミックパッケージ（２）の裏面側
から熱が吸収される。従って、セラミックパッケージ（
２）とシールガラス（５）との間に介在する熱硬化性の
接着剤は、ヒータ（１１）から供給される熱により硬化
温度まで加熱され、半導体チップ（１）は、ヒートシン
ク（１３）に熱が吸収されることにより冷却される。CCD sensor (10) fitted with sealing glass (5)
is placed on a heater (11) with the seal glass (5) facing downward, and heat is applied from this heater (11). On the other hand, on the back side of the CCD sensor (10), a heat sink (1) is provided with a cooling pipe (12) through which cooling water passes.
3) are brought into close contact with each other, and heat is absorbed from the back side of the ceramic package (2). Therefore, the ceramic package (
2) and the sealing glass (5) is heated to a curing temperature by heat supplied from the heater (11), and the semiconductor chip (1) is placed on the heat sink (13). Cooling occurs by absorbing heat.
ここで、第１図に示すように、ヒータ（１１）をＣＣＤ
センサ（１０）の下側に配置し、ヒートシンク（１３）
をＣＣＤセンサ（１０）の上方にしておけば、熱が鉛直
上方に伝導しやすいことから、熱硬化性の接着剤に効率
良く熱を加えることができると共に、半導体チップ（１
）から熱を効率良く吸収するこよができる。このため、
熱硬化性の接着剤が十分な硬化温度に達するようにＣＣ
Ｄセンサ（１０）を加熱したとして６、半導体チップ（
１）自体の温度はあまり上昇しなくなり、耐熱性に欠け
る半導体装置ブ（１）を備えたＣＣＤセンサ（１０）に
対しても、熱硬化性の接着剤によるセラミックパッケー
ジ（２）とシールガラス（５）との固着が可能となる。Here, as shown in FIG. 1, the heater (11) is connected to the CCD
Placed under the sensor (10) and the heat sink (13)
If it is placed above the CCD sensor (10), heat will be easily conducted vertically upwards, so heat can be efficiently applied to the thermosetting adhesive, and the semiconductor chip (10) will be placed above the CCD sensor (10).
) can efficiently absorb heat. For this reason,
CC so that the thermosetting adhesive reaches a sufficient curing temperature.
Assuming that the D sensor (10) is heated, 6, the semiconductor chip (
1) The temperature of the CCD sensor (10) does not rise much and is equipped with a semiconductor device block (1) that lacks heat resistance. 5) can be fixed with.
また、半導体チップ（１ンに固定の電位を与えるために
半導体チップ（１）に接続されるリードフレームから熱
を吸収するようにすれば、さらに放熱効果を良くするこ
とができる。Further, if heat is absorbed from a lead frame connected to the semiconductor chip (1) in order to give a fixed potential to the semiconductor chip (1), the heat dissipation effect can be further improved.
くト）発明の効果
本発明によれば、パッケージとシールガラスとの間に介
在する熱硬化性の接着剤を十分に加熱しても半導体チッ
プまでが過剰に加熱されることがなくなる。従って、熱
硬化性の接着剤を十分に硬化させ、シールガラスを）＜
ッケージに確実に固着することができ、生産性及び信頼
性の向上が図れる。(g) Effects of the Invention According to the present invention, even if the thermosetting adhesive interposed between the package and the seal glass is sufficiently heated, the semiconductor chip will not be excessively heated. Therefore, fully cure the thermosetting adhesive and seal the glass)
It can be firmly fixed to the package, improving productivity and reliability.
第１図は本発明の製造方法を示す図、第２図は従来のＣ
ＣＤセンサを示す図である。
（１） ・・半導体チップ、（２）−・・・セラミッ
クパッケージ、（５）・−シールガラス、（１０）・・
・ＣＣＤセンサ、（１１）
トンンク。
冷却パイプ、Figure 1 shows the manufacturing method of the present invention, Figure 2 shows the conventional C
It is a figure showing a CD sensor. (1) Semiconductor chip, (2) Ceramic package, (5) Seal glass, (10)
・CCD sensor, (11) Tonk. cooling pipe,
Claims (2)
内に半導体チップが収納され、このパッケージに透光性
のシールガラスが装着されて上記半導体チップが封止さ
れる半導体装置の製造方法に於いて、 上記半導体チップが収納された上記パッケージの凹部を
塞ぐように上記シールガラスを熱硬化性接着剤を挾んで
装着し、 上記パッケージを上記シールガラスの装着される表面側
から加熱して上記熱硬化性接着剤を硬化させると共に、
冷却水が通されるヒートシンクを上記パッケージの裏面
側に密着させて上記パッケージに加えられる過剰な熱を
吸収することを特徴とする半導体装置の製造方法。(1) In a method of manufacturing a semiconductor device, a semiconductor chip is housed in an insulating package in which a lead frame is embedded, and a translucent sealing glass is attached to the package to seal the semiconductor chip. , Attach the sealing glass with a thermosetting adhesive between them so as to close the recess of the package in which the semiconductor chip is housed, and heat the package from the surface side to which the sealing glass is attached to heat cure the package. At the same time as curing the adhesive,
A method of manufacturing a semiconductor device, characterized in that a heat sink through which cooling water is passed is brought into close contact with the back side of the package to absorb excess heat applied to the package.
配してなることを特徴とする請求項第１項記載の半導体
装置の製造方法。(2) The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the heat sink is arranged vertically above the package.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22933490A JPH04109657A (en) | 1990-08-29 | 1990-08-29 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22933490A JPH04109657A (en) | 1990-08-29 | 1990-08-29 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04109657A true JPH04109657A (en) | 1992-04-10 |
Family
ID=16890529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22933490A Pending JPH04109657A (en) | 1990-08-29 | 1990-08-29 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04109657A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6155633A (en) * | 1997-11-30 | 2000-12-05 | Isuzu Motors Limited | Bumper-mounting structure for frame-mounted-body vehicle |
-
1990
- 1990-08-29 JP JP22933490A patent/JPH04109657A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6155633A (en) * | 1997-11-30 | 2000-12-05 | Isuzu Motors Limited | Bumper-mounting structure for frame-mounted-body vehicle |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20050146057A1 (en) | Micro lead frame package having transparent encapsulant | |
| EP0883170A4 (en) | SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF | |
| JPS61166051A (en) | Resin seal type semiconductor device | |
| JP2002134762A (en) | Optical device and method of manufacturing the same | |
| JPH04109657A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JP5044878B2 (en) | Solid-state imaging device | |
| JPS6431443A (en) | Semiconductor device | |
| JPS59231825A (en) | Semiconductor device | |
| JP3655338B2 (en) | Resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JPS6262545A (en) | Chip carrier and manufacture thereof | |
| JP3918303B2 (en) | Semiconductor package | |
| JPH05182999A (en) | Semiconductor device | |
| JPS6447063A (en) | Structure of lead frame | |
| JP2978862B2 (en) | LOC semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JPH06326230A (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
| JPH03105950A (en) | Package of semiconductor integrated circuit | |
| JPH04317360A (en) | Resin sealed semiconductor device | |
| JPS6333852A (en) | Sealing structure of semiconductor element | |
| JPH0651001Y2 (en) | Optical coupling element | |
| JP2851984B2 (en) | Power semiconductor device | |
| KR20070024603A (en) | Packaged Integrated Circuit Devices | |
| KR100281918B1 (en) | Laser diode package | |
| JPH02264458A (en) | Lead frame | |
| KR950008237B1 (en) | Semiconductor Package Manufacturing Method | |
| JPH01179351A (en) | Plastic-molded semiconductor device and its manufacture |