JPH04109657A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Publication number
JPH04109657A
JPH04109657A JP22933490A JP22933490A JPH04109657A JP H04109657 A JPH04109657 A JP H04109657A JP 22933490 A JP22933490 A JP 22933490A JP 22933490 A JP22933490 A JP 22933490A JP H04109657 A JPH04109657 A JP H04109657A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
package
heat
semiconductor chip
glass
sealing glass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP22933490A
Other languages
English (en)
Inventor
Takayasu Otagaki
貴康 太田垣
Masakatsu Ikeda
池田 正勝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP22933490A priority Critical patent/JPH04109657A/ja
Publication of JPH04109657A publication Critical patent/JPH04109657A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は、半導体チップがパッケージに収納されてシー
ルガラスで封止される半導体装置の製造方法に関する。
(ロ)従来の技術 従来、CCDセンサの如き半導体装置に於いては、複数
の受光素子が配列形成された半導体チップがセラミック
パッケージ内に収納され、このセラミックパッケージの
開口部に透光性のシールガラスが装着されて半導体チッ
プが封止される。
第2図は、−船釣なCCDセンサの分解斜視図である。
受光面に複数の受光素子がマトリクス状に配列形成され
た半導体チップ(1)は、セラミックパッケージ(2)
の四部(3)内にダイボンディングされ、セラミックパ
ッケージ(2)に予め埋め込まれたリードフレーム(4
)の一端とワイヤボンディングされる。そして、透光性
のシールガラス(5)が凹部(3)を塞ぐようにしてセ
ラミックパッケージ(2)に装着され、半導体チフブ(
1)が封止される。このシールガラス(5)とセラミッ
クパッケージ(2)とは、例えば熱硬化性の接着剤によ
り固着される。
熱硬化性の接着剤を用いてシールガラス(5)をセラミ
ックパッケージ(2)に固着する場合、セラミックパッ
ケージ(2)内に半導体チップ(1)が収納された後に
、シールガラス(5)の固着箇所に熱硬化性の接着剤が
塗布され、シールガラス(5)が装着されて加熱処理が
施される。
(ハ)発明が解決しようとする課題 しかしながら、セラミックパッケージ(2)を加熱処理
する場合、当然ながら半導体チップ(1)にも熱が加え
られることになるため、特性上高温処理ができない半導
体チップ(1)に対しては好ましくない、特に、受光面
に色分離フィルタとなる染色層が形成されている半導体
チップ(1)に於いては、耐熱性に欠ける染色層の保護
のために高温での処理ができない。そこで、熱硬化性の
接着剤を低温で長時間加熱処理することなども考えられ
るが、処理時間の増大による生産性の悪化や、接着剤の
硬化不良による信頼性の低下などが発生ずる虞れがある
そこで本発明は、半導体チップには過剰な熱を加えるこ
となく、熱硬化性の接着剤に十分な熱を加えてセラミン
クパッケージとシールガラスとを確実に固着することを
目的とする。
(ニ)課題を解決するための手段 本発明は、上述の課題を解決するためになされtζもの
で、その特徴とするところは、リードフレムが埋設され
た絶縁性のパッケージ内に半導体チップが収納され、こ
のパッケージに透光性のシルガラスが装着されて上記半
導体チップが封止される半導体装置の製造方法に於いて
、上記半導体チップが収納された上記パッケージの四部
を塞ぐように上記シールガラスを熱硬化性接着剤を挾ん
で装着し、上記パッケージを上記シールガラスの装着さ
れる表面側から加熱して上記熱硬化性接着剤を硬化させ
ると共に、冷却水が通されるヒートシンクを上記パッケ
ージの裏面側に密着させて上記パンケージに加えられる
過剰な熱を吸収することにある。
(ホ)作用 本発明によれば、パッケージとシールガラスとの間に介
在する熱硬化性の接着剤に十分に熱が加えれられる一方
で、パッケージの裏面から熱が吸収されて半導体チップ
に伝わる熱が効率良く減少される。
くべ)実施例 本発明の一実施例を図面に従って説明する。
第1図は、本発明の製造方法を説明する図で、熱硬化性
の接着剤を加熱して硬化させる工程を示す。
CCDセンサ(10)は、第2図と同一構成を有してお
り、セラミックパッケージ(2)内に半導体チップ(1
)が収納されている。そして、シールガラス(5)が熱
硬化性の接着剤を介してセラミックパッケージ(2)装
着される。
シールガラス(5)が装着されたCCDセンサ(10)
は、ヒータ(11)上にシールガラス(5)を下向きに
して配置され、このヒータ(11)から熱が加えられる
。一方、CCDセンサ(10)の裏面側には、冷却水が
通る冷却パイプ(12)が貫通されたヒートシンク(1
3)が密着され、セラミックパッケージ(2)の裏面側
から熱が吸収される。従って、セラミックパッケージ(
2)とシールガラス(5)との間に介在する熱硬化性の
接着剤は、ヒータ(11)から供給される熱により硬化
温度まで加熱され、半導体チップ(1)は、ヒートシン
ク(13)に熱が吸収されることにより冷却される。
ここで、第1図に示すように、ヒータ(11)をCCD
センサ(10)の下側に配置し、ヒートシンク(13)
をCCDセンサ(10)の上方にしておけば、熱が鉛直
上方に伝導しやすいことから、熱硬化性の接着剤に効率
良く熱を加えることができると共に、半導体チップ(1
)から熱を効率良く吸収するこよができる。このため、
熱硬化性の接着剤が十分な硬化温度に達するようにCC
Dセンサ(10)を加熱したとして6、半導体チップ(
1)自体の温度はあまり上昇しなくなり、耐熱性に欠け
る半導体装置ブ(1)を備えたCCDセンサ(10)に
対しても、熱硬化性の接着剤によるセラミックパッケー
ジ(2)とシールガラス(5)との固着が可能となる。
また、半導体チップ(1ンに固定の電位を与えるために
半導体チップ(1)に接続されるリードフレームから熱
を吸収するようにすれば、さらに放熱効果を良くするこ
とができる。
くト)発明の効果 本発明によれば、パッケージとシールガラスとの間に介
在する熱硬化性の接着剤を十分に加熱しても半導体チッ
プまでが過剰に加熱されることがなくなる。従って、熱
硬化性の接着剤を十分に硬化させ、シールガラスを)<
ッケージに確実に固着することができ、生産性及び信頼
性の向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の製造方法を示す図、第2図は従来のC
CDセンサを示す図である。 (1)  ・・半導体チップ、(2)−・・・セラミッ
クパッケージ、(5)・−シールガラス、(10)・・
・CCDセンサ、(11) トンンク。 冷却パイプ、

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)リードフレームが埋設された絶縁性のパッケージ
    内に半導体チップが収納され、このパッケージに透光性
    のシールガラスが装着されて上記半導体チップが封止さ
    れる半導体装置の製造方法に於いて、 上記半導体チップが収納された上記パッケージの凹部を
    塞ぐように上記シールガラスを熱硬化性接着剤を挾んで
    装着し、 上記パッケージを上記シールガラスの装着される表面側
    から加熱して上記熱硬化性接着剤を硬化させると共に、
    冷却水が通されるヒートシンクを上記パッケージの裏面
    側に密着させて上記パッケージに加えられる過剰な熱を
    吸収することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. (2)上記ヒートシンクを上記パッケージの鉛直上方に
    配してなることを特徴とする請求項第1項記載の半導体
    装置の製造方法。
JP22933490A 1990-08-29 1990-08-29 半導体装置の製造方法 Pending JPH04109657A (ja)

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JP (1) JPH04109657A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6155633A (en) * 1997-11-30 2000-12-05 Isuzu Motors Limited Bumper-mounting structure for frame-mounted-body vehicle

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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