JPH04110014A - 排ガス処理装置 - Google Patents
排ガス処理装置Info
- Publication number
- JPH04110014A JPH04110014A JP2231489A JP23148990A JPH04110014A JP H04110014 A JPH04110014 A JP H04110014A JP 2231489 A JP2231489 A JP 2231489A JP 23148990 A JP23148990 A JP 23148990A JP H04110014 A JPH04110014 A JP H04110014A
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- Japan
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- gas
- pair
- discharge tube
- silicon
- nitrogen
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は排ガスを放電プラズマにより無害化処理する装
置に関する。更に詳しくは、本発明は半導体産業なとて
用いられる減圧系を利用した薄膜形成技術、例えば減圧
CVD(Chemical VaporDepos i
t 1on)法、プラズマCVD法、光CVD法、フ
ラズマエウチング法などにおいて排出される反応性ガス
及び、これらの方法に関連して行われる容器内クリーニ
ング等において排出される未反応、未処理ガスを減圧下
においてプラズマ処理することにより無害化する。排ガ
スの放電処理装置に関する。
置に関する。更に詳しくは、本発明は半導体産業なとて
用いられる減圧系を利用した薄膜形成技術、例えば減圧
CVD(Chemical VaporDepos i
t 1on)法、プラズマCVD法、光CVD法、フ
ラズマエウチング法などにおいて排出される反応性ガス
及び、これらの方法に関連して行われる容器内クリーニ
ング等において排出される未反応、未処理ガスを減圧下
においてプラズマ処理することにより無害化する。排ガ
スの放電処理装置に関する。
〔従来の技術]
減圧系を利用した薄膜形成の為の各種CVD法等におい
て使用される反応性ガスは必ずしも該薄膜形成時等に全
量消費はなされず、その一部は未反応ガスとして系外へ
排出される。また、該薄膜形成後等の反応槽内のクリー
ニングに用いられるガスもその一部は未反応ガスとして
系外へ排出される。これら未反応ガスの多くは、未処理
のまま大気中へ放出されると災害や公害の原因となる為
、大気中ての許容濃度が定められている。
て使用される反応性ガスは必ずしも該薄膜形成時等に全
量消費はなされず、その一部は未反応ガスとして系外へ
排出される。また、該薄膜形成後等の反応槽内のクリー
ニングに用いられるガスもその一部は未反応ガスとして
系外へ排出される。これら未反応ガスの多くは、未処理
のまま大気中へ放出されると災害や公害の原因となる為
、大気中ての許容濃度が定められている。
従来、これらの反応性ガスを無害化処理する方法として
、大過剰の不活性ガスによる希釈あるいは湿式法、乾式
法による吸着、吸収等の手段か用いられているが、これ
らの方法はいずれも減圧排気系以後の常圧下において実
施されており、装置コストや速乾コストか高い欠点を有
するのみならず、一部のカスについては十分な除外効果
か得られていないものもある。
、大過剰の不活性ガスによる希釈あるいは湿式法、乾式
法による吸着、吸収等の手段か用いられているが、これ
らの方法はいずれも減圧排気系以後の常圧下において実
施されており、装置コストや速乾コストか高い欠点を有
するのみならず、一部のカスについては十分な除外効果
か得られていないものもある。
一例として常温ては極めて化学的に安定な三フッ化窒素
(NFいかあげられ、その無害化処理方法として高温下
てFe、Cuなどの金属と接触させることにより金属フ
ッ化物とする方法か提案されているか、この方法におい
ては毒性の強い且つ爆発性物質てもあるN2F、も同時
に生成されるなど問題点を含んている。
(NFいかあげられ、その無害化処理方法として高温下
てFe、Cuなどの金属と接触させることにより金属フ
ッ化物とする方法か提案されているか、この方法におい
ては毒性の強い且つ爆発性物質てもあるN2F、も同時
に生成されるなど問題点を含んている。
一方、こうした常圧下ての処理とは別に減圧下において
放電を利用した排ガス処理方法(放電処理法)か提案さ
れており(特開昭51−129868号、同58−62
31号参照)、いずれも該反応性ガスの処理を減圧排気
系の真空ポンプに至る前に行うことを特徴としている。
放電を利用した排ガス処理方法(放電処理法)か提案さ
れており(特開昭51−129868号、同58−62
31号参照)、いずれも該反応性ガスの処理を減圧排気
系の真空ポンプに至る前に行うことを特徴としている。
しかしながら、これらの放電処理方法ては、前述のNF
、の処理においては毒性の強い且つ爆発性物質82F、
の生成を防止することかてきないという問題に対しての
解決策とはならない。
、の処理においては毒性の強い且つ爆発性物質82F、
の生成を防止することかてきないという問題に対しての
解決策とはならない。
[発明か解決しようとする課題]
放電処理法では前記したように無害化処理を要する残存
反応性カスを各種CVD装置、エツチング法置等と減圧
排気系の真空ポンプとの間の減圧下で処理することを特
徴としており、また、放電処理法により該反応性ガスの
分解等により生した物質か排ガス処理装置を含む機器及
び配管等の腐食、また真空ポンプ油の性徒劣化をきたす
恐れのある場合には、影響を与える以前に、すみやかに
、該物質の除外化処理を行う必要かある。本発明者らは
、かかる課題に対し、その解決に取り組み鋭意検討した
結果、放電処理によって生した該物質を該真空ポンプに
至る以前の主として該処理装置内において回収もしくは
無害物質化することか可能であることを見出し本発明を
完成するに至った。
反応性カスを各種CVD装置、エツチング法置等と減圧
排気系の真空ポンプとの間の減圧下で処理することを特
徴としており、また、放電処理法により該反応性ガスの
分解等により生した物質か排ガス処理装置を含む機器及
び配管等の腐食、また真空ポンプ油の性徒劣化をきたす
恐れのある場合には、影響を与える以前に、すみやかに
、該物質の除外化処理を行う必要かある。本発明者らは
、かかる課題に対し、その解決に取り組み鋭意検討した
結果、放電処理によって生した該物質を該真空ポンプに
至る以前の主として該処理装置内において回収もしくは
無害物質化することか可能であることを見出し本発明を
完成するに至った。
[課題を解決するための手段]
すなわち、本発明に係る排ガス処理装置は、ガス流通空
間により連結されているガス導入口とガス導出口を有す
る管状容器内に少なくとも各一対の陰極対と陽極対とか
らなる少なくとも1組の電極組を設けて構成した放電管
と、該電極と接続される直流又は交流電源と、該放電管
内に形成されるガス流路とを含む排ガス処理装置におい
て、前記電極対か画定する空間にシリコン片を充填して
なることを特徴とする。
間により連結されているガス導入口とガス導出口を有す
る管状容器内に少なくとも各一対の陰極対と陽極対とか
らなる少なくとも1組の電極組を設けて構成した放電管
と、該電極と接続される直流又は交流電源と、該放電管
内に形成されるガス流路とを含む排ガス処理装置におい
て、前記電極対か画定する空間にシリコン片を充填して
なることを特徴とする。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明で対象とする被処理ガスは減圧系を利用した各種
CVD法、エツチング法等及びこれらの方法に関連して
行われる容器内のクリーニング等において排出される未
反応、未処理ガス又はこれらを含むガスであって大気中
への放出により何らかの災害や公害を引き起こす可能性
を有する気体もしくは蒸気てあり、例えばモノシラン、
ジシラン等のシラン系ガス(これらは本発明による放電
処理により、シリコンもしくは水素化アモルファスシリ
コンと水素に分解処理される):モノメチルシラン、ジ
メチルシラン等のアルキルシラン系ガス(同じく水素化
アモルファスシリコンカーバイドと水素に分解処理され
る)二三弗化窒素等の弗化窒素系カス(本発明による放
電処理により窒素と四弗化ケイ素に分解処理される)等
が挙げられる。
CVD法、エツチング法等及びこれらの方法に関連して
行われる容器内のクリーニング等において排出される未
反応、未処理ガス又はこれらを含むガスであって大気中
への放出により何らかの災害や公害を引き起こす可能性
を有する気体もしくは蒸気てあり、例えばモノシラン、
ジシラン等のシラン系ガス(これらは本発明による放電
処理により、シリコンもしくは水素化アモルファスシリ
コンと水素に分解処理される):モノメチルシラン、ジ
メチルシラン等のアルキルシラン系ガス(同じく水素化
アモルファスシリコンカーバイドと水素に分解処理され
る)二三弗化窒素等の弗化窒素系カス(本発明による放
電処理により窒素と四弗化ケイ素に分解処理される)等
が挙げられる。
またさらに適用対象となり得るガスは上記のガスに限定
されるものてはなく、加えてこれらの混合物や、酸素、
−酸化二窒素、あるいは窒素等の不活性ガスで希釈され
たものであっても差し支えない。
されるものてはなく、加えてこれらの混合物や、酸素、
−酸化二窒素、あるいは窒素等の不活性ガスで希釈され
たものであっても差し支えない。
次に本発明の装置の一例を添付図面に基づき説明する。
第1図、第2図は排ガス処理装置の主要部を構成する放
電管の使用状態の一例を示す断面図である。
電管の使用状態の一例を示す断面図である。
同図において、lはガス流通空間により連結されるガス
導入口2とガス導出口3を有する管状容器てあり、該容
器1内に放電管を有する。
導入口2とガス導出口3を有する管状容器てあり、該容
器1内に放電管を有する。
本実施例において、ガスの導入は第1図に示すように上
向流式(斜めを含む)てありてもよいか下向流式(斜め
を含む)にしてもよい。なお放電管は横方向(水平方向
)ての使用も可能であるか、放電処理により固形物(例
えば水素化アモルファスシリコン等)を生しる場合は、
縦方向(上下方向)での使用か好ましい。
向流式(斜めを含む)てありてもよいか下向流式(斜め
を含む)にしてもよい。なお放電管は横方向(水平方向
)ての使用も可能であるか、放電処理により固形物(例
えば水素化アモルファスシリコン等)を生しる場合は、
縦方向(上下方向)での使用か好ましい。
4は陰極てあり、5は陽極てあり、各々少なくとも一対
の電極対構成とされる。該電極は通常平板を用いるか、
第2図の如き電極構成においては多孔板を用いることと
なる。
の電極対構成とされる。該電極は通常平板を用いるか、
第2図の如き電極構成においては多孔板を用いることと
なる。
6はシリコンであり、該電極に#接して、接触もしくは
非接触の状態で配置される。ここて用いられるシリコン
の形状は角、球、あるいは破砕により得られた不定形状
てあっても何ら差し支えはないか、第1図、第2図の如
き、限定された空間に対しては好ましくは60%から5
%、より好ましくは50%から20%の充填率となる様
、形状を組み合わせるか、もしくは選択する。或いは他
の充填剤を併用してもよい。
非接触の状態で配置される。ここて用いられるシリコン
の形状は角、球、あるいは破砕により得られた不定形状
てあっても何ら差し支えはないか、第1図、第2図の如
き、限定された空間に対しては好ましくは60%から5
%、より好ましくは50%から20%の充填率となる様
、形状を組み合わせるか、もしくは選択する。或いは他
の充填剤を併用してもよい。
上記の如く組み立てられた該放電管を用い、例えば三弗
化窒素の放電処理を例にとると、該放電管内に導入され
た三弗化窒素は放電により分解され窒素と弗素とに分離
されるか、励起状態にある弗素は特に処理を行わない場
合排カス処理装置を含む機器及び配管等の腐食、また真
空ポンプ油の性能劣化を促す。本発明においては該弗素
を生成と同時に該電極対か画定する空間に充填されたシ
リコンと接触1反応させることにより四弗化ケイ素とし
て、窒素と共に真空ポンプより排出、その後、水もしく
はアルカリ性水溶液を用いた湿式スクラバー内を通過さ
せることにより四弗化ケイ素を吸収、除去、更に吸着剤
等を用いた従来技術によるところの排ガス処理との組み
合わせにより処理を徹底化させることとなる。
化窒素の放電処理を例にとると、該放電管内に導入され
た三弗化窒素は放電により分解され窒素と弗素とに分離
されるか、励起状態にある弗素は特に処理を行わない場
合排カス処理装置を含む機器及び配管等の腐食、また真
空ポンプ油の性能劣化を促す。本発明においては該弗素
を生成と同時に該電極対か画定する空間に充填されたシ
リコンと接触1反応させることにより四弗化ケイ素とし
て、窒素と共に真空ポンプより排出、その後、水もしく
はアルカリ性水溶液を用いた湿式スクラバー内を通過さ
せることにより四弗化ケイ素を吸収、除去、更に吸着剤
等を用いた従来技術によるところの排ガス処理との組み
合わせにより処理を徹底化させることとなる。
また、第1図、第2図に示す如き1以上の対電極から成
る1組の電極組を、複数組、直列または並列に配置して
電極組列としても良い(図示せず)。
る1組の電極組を、複数組、直列または並列に配置して
電極組列としても良い(図示せず)。
このようにすると、該排ガス処理装置の処理能力の低下
をきたすことなく、被処理ガスの流量増加にも対応しう
る。
をきたすことなく、被処理ガスの流量増加にも対応しう
る。
前記該電極組中に形成される空間7の一端は該ガス導入
口2と且つ他端は該ガス導出口3と連結されている。
口2と且つ他端は該ガス導出口3と連結されている。
本発明て用いる管状容器は円筒状、矩形断面状等のいず
れもても良い。本発明において使用する電源は直流、交
流、高周波のいずれてもよいが、位相整合の不要な直流
及び交流か好ましい。たたし、負荷範囲によっては必ず
しもこの限ってはない。
れもても良い。本発明において使用する電源は直流、交
流、高周波のいずれてもよいが、位相整合の不要な直流
及び交流か好ましい。たたし、負荷範囲によっては必ず
しもこの限ってはない。
尚、本発明において採用される圧力条件は約1mmTo
rr以上、好ましくは約0.ITorr 〜1OTor
r程度である。
rr以上、好ましくは約0.ITorr 〜1OTor
r程度である。
[実施例]
以下に実施例を挙げて本発明をさらに詳しく説明する。
実施例1
第1図に示す縦90mm、横1501の矩形断面を有す
る放電管を用いた。
る放電管を用いた。
電極板として[■厚のSUS板を用い、陰極3011X
60mm6枚と、陽極30mmX 60mm6枚と破
砕片不定型シリコン約150gとから各5対1組の電極
を構成した。
60mm6枚と、陽極30mmX 60mm6枚と破
砕片不定型シリコン約150gとから各5対1組の電極
を構成した。
上記放電管内へ100%モノシランカス:lO105c
を導入し、圧力を0.5Torrに調節後、交流電源を
用いてプラズマを形成、出力電力300Wに於て、該放
電管カス導出口での残留モノシランガス濃度を四重極質
量分析計により測定した結果、7%の値を得た。
を導入し、圧力を0.5Torrに調節後、交流電源を
用いてプラズマを形成、出力電力300Wに於て、該放
電管カス導出口での残留モノシランガス濃度を四重極質
量分析計により測定した結果、7%の値を得た。
実施例2
第2図に示す4インチ管放電管を用いた。電極板として
開口率40%のSUS多孔板(1■l厚)を用い、直径
701−円板状に加工、陰極2枚と陽極2枚と破砕片不
定形シリコン約100gとから各1対1組の電極を構成
した。
開口率40%のSUS多孔板(1■l厚)を用い、直径
701−円板状に加工、陰極2枚と陽極2枚と破砕片不
定形シリコン約100gとから各1対1組の電極を構成
した。
上記放電管内に100%三弗化窒素ガスを20sec會
導入し、圧力を0.5Torrに調節後、直流電源を用
いてプラズマを形成、出力電力240Wにおいて残留三
弗化窒素3%の値を得ると共に多量の窒素と四弗化ケイ
素を検出した。
導入し、圧力を0.5Torrに調節後、直流電源を用
いてプラズマを形成、出力電力240Wにおいて残留三
弗化窒素3%の値を得ると共に多量の窒素と四弗化ケイ
素を検出した。
[発明の効果]
本発明によれば、減圧下て放電処理することにより、有
害物質を該真空ポンプに至る以前の主として該処理装置
内において回収もしくは無害物質化することか可能であ
るという効果かある。
害物質を該真空ポンプに至る以前の主として該処理装置
内において回収もしくは無害物質化することか可能であ
るという効果かある。
第1図、第2図ともに、いずれも本発明の実施の態様を
示す縦断面図てあり、図中に記載された符号は以下のも
のを示す。 l・・・管状容器 2・・・ガス導入口 3・・・ガス導出口 4・・・陰極対 5・・・陽極対 6・・・シリコン 7・・・空間 特許出願人 三井東圧化学株式会社 代 理 人 弁理士 坂 口 信 間第 図 第 図
示す縦断面図てあり、図中に記載された符号は以下のも
のを示す。 l・・・管状容器 2・・・ガス導入口 3・・・ガス導出口 4・・・陰極対 5・・・陽極対 6・・・シリコン 7・・・空間 特許出願人 三井東圧化学株式会社 代 理 人 弁理士 坂 口 信 間第 図 第 図
Claims (1)
- ガス流通空間により連結されているガス導入口とガス導
出口を有する管状容器内に少なくとも各一対の陰極対と
陽極対とからなる少なくとも1組の電極組を設けて構成
した放電管と、該電極と接続される直流又は交流電源と
、該放電管内に形成されるガス流路とを含む排ガス処理
装置において、前記電極対が画定する空間にシリコン片
を充填してなることを特徴とする排ガス放電処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2231489A JPH04110014A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 排ガス処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2231489A JPH04110014A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 排ガス処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04110014A true JPH04110014A (ja) | 1992-04-10 |
Family
ID=16924294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2231489A Pending JPH04110014A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 排ガス処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04110014A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04277009A (ja) * | 1991-03-04 | 1992-10-02 | Iwatani Internatl Corp | フッ化窒素を用いたプラズマ処理に伴うフッ化窒素排ガスの除害装置 |
-
1990
- 1990-08-30 JP JP2231489A patent/JPH04110014A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04277009A (ja) * | 1991-03-04 | 1992-10-02 | Iwatani Internatl Corp | フッ化窒素を用いたプラズマ処理に伴うフッ化窒素排ガスの除害装置 |
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