JPH04110761A - ガスセンサ - Google Patents
ガスセンサInfo
- Publication number
- JPH04110761A JPH04110761A JP23193190A JP23193190A JPH04110761A JP H04110761 A JPH04110761 A JP H04110761A JP 23193190 A JP23193190 A JP 23193190A JP 23193190 A JP23193190 A JP 23193190A JP H04110761 A JPH04110761 A JP H04110761A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- heater
- sensitive film
- gas
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ガスセンサに関する。更に詳しくは、消費電
力を低減させたガスセンサに関する。
力を低減させたガスセンサに関する。
ガスセンサのガス感応膜としては、従来からＣＶＤ法な
どにより形成されたＳｎＯ□、ＺｎＯ，Ｆｅ２Ｏ３など
の金属酸化物半導体の薄膜が用いられている。これらの
ガス感応膜を有効に作用させるためには、ヒータを用い
てこれらを４００℃程度に加熱、保持する必要がある。
どにより形成されたＳｎＯ□、ＺｎＯ，Ｆｅ２Ｏ３など
の金属酸化物半導体の薄膜が用いられている。これらの
ガス感応膜を有効に作用させるためには、ヒータを用い
てこれらを４００℃程度に加熱、保持する必要がある。
このため、これらのガス感応膜を保持する絶縁性基板の
下部（特開昭６３−２０５，５５４号公報、特開平１−
１３１，４４５号公報）あるいは内部（特開昭６３−２
９８，１４５号公報）に線状の金属ヒータを配置し、通
電加熱することが行われている。
下部（特開昭６３−２０５，５５４号公報、特開平１−
１３１，４４５号公報）あるいは内部（特開昭６３−２
９８，１４５号公報）に線状の金属ヒータを配置し、通
電加熱することが行われている。
しかしながら、例えば絶縁性基板の下部にヒータを配置
した場合、余分な放熱が多く、消費電力が大きくなる欠
点がみられる。また、絶縁性基板の内部へヒータを埋め
込んだ場合にも、まず基板を加熱し、その後でガス感応
膜を加熱することになるため、やはり消費電力は大きく
なる。
した場合、余分な放熱が多く、消費電力が大きくなる欠
点がみられる。また、絶縁性基板の内部へヒータを埋め
込んだ場合にも、まず基板を加熱し、その後でガス感応
膜を加熱することになるため、やはり消費電力は大きく
なる。
本発明の目的は、絶縁性基板上にガス感応膜を設け、こ
のガス感応膜をヒータで加熱するガスセンサにおいて、
消費電力を低減せしめたものを提供することにある。
のガス感応膜をヒータで加熱するガスセンサにおいて、
消費電力を低減せしめたものを提供することにある。
かかる本発明の目的は、絶縁性基板とガス感応膜との間
に薄膜状のヒータを設置したガスセンサによって達成さ
れる。そして、好ましくは、ガス感応膜と薄膜状ヒータ
との間に、拡散障壁および絶縁用の薄膜を介在せしめる
。
に薄膜状のヒータを設置したガスセンサによって達成さ
れる。そして、好ましくは、ガス感応膜と薄膜状ヒータ
との間に、拡散障壁および絶縁用の薄膜を介在せしめる
。
図面の第１図は、かかる好ましい態様の正面図であり、
第２図はその平面図である。
第２図はその平面図である。
絶縁性基板１とガス感応膜２との間には、薄膜状のヒー
タ３が設置され、ガス感応膜２と薄膜状ヒータ３との間
には、拡散障壁・絶縁用の薄膜４を介在せしめている。
タ３が設置され、ガス感応膜２と薄膜状ヒータ３との間
には、拡散障壁・絶縁用の薄膜４を介在せしめている。
薄膜状のヒータは、金、白金などからペースト印刷、焼
成法により、約１１００ｎ〜１μｍ程度の膜厚で形成さ
れる。また、拡散障壁・絶縁膜はＡ［２０，、ＳｉＯ□
、Ａ Ｑ Ｎ、 Ｓｉ３Ｎ４などから同様の方法により
、約２００ｎｍ〜１μｍ程度の膜厚で形成させる。この
膜の介在は、ガス感応膜形成物質とヒータ形成物質との
間の、相互拡散の防止および絶縁に有効である。
成法により、約１１００ｎ〜１μｍ程度の膜厚で形成さ
れる。また、拡散障壁・絶縁膜はＡ［２０，、ＳｉＯ□
、Ａ Ｑ Ｎ、 Ｓｉ３Ｎ４などから同様の方法により
、約２００ｎｍ〜１μｍ程度の膜厚で形成させる。この
膜の介在は、ガス感応膜形成物質とヒータ形成物質との
間の、相互拡散の防止および絶縁に有効である。
以上の各要素を有するガスセンサを使用する場合には、
薄膜状のヒータ３に、ステム５に設けられた端子６．６
’、６”、６”’に接続されたボンディングワイヤ７．
７’、７”、７”’の内７ ’、 ７ ”’より電力が
供給され、ガス感応膜２を４００℃程度に加熱し、その
温度を保持する。この際、拡散障壁・絶縁用薄膜４は、
一般に数１１００ｎと薄いので、それを介在させても熱
損失は最小限に抑制される。
薄膜状のヒータ３に、ステム５に設けられた端子６．６
’、６”、６”’に接続されたボンディングワイヤ７．
７’、７”、７”’の内７ ’、 ７ ”’より電力が
供給され、ガス感応膜２を４００℃程度に加熱し、その
温度を保持する。この際、拡散障壁・絶縁用薄膜４は、
一般に数１１００ｎと薄いので、それを介在させても熱
損失は最小限に抑制される。
なお、Ａｕ電極８，８′は、そこへの通電によりガス感
応膜２での抵抗変化が測定される。
応膜２での抵抗変化が測定される。
〔作用〕および〔発明の効果〕
本発明に係るガスセンサは、絶縁性基板とガス感応膜と
の間に、薄膜状のヒータを設置しているので、ヒータか
らガス感応膜への伝熱が迅速かつ無駄なく行われる。こ
のため、消費電力を大幅に低減することが可能である。
の間に、薄膜状のヒータを設置しているので、ヒータか
らガス感応膜への伝熱が迅速かつ無駄なく行われる。こ
のため、消費電力を大幅に低減することが可能である。
また、ヒータが薄膜状に形成されているため、ガス感応
膜全面にわたっての温度制御が容易である。
膜全面にわたっての温度制御が容易である。
第１図は２本発明に係るガスセンサの一態様の正面図で
あり、第２図はその平面図である。 （符号の説明） １・・・・・絶縁性基板 ２・・・・・ガス感応膜 ３・・・・・薄膜状ヒータ ４・・・・・拡散障壁・絶縁用薄膜 第１図
あり、第２図はその平面図である。 （符号の説明） １・・・・・絶縁性基板 ２・・・・・ガス感応膜 ３・・・・・薄膜状ヒータ ４・・・・・拡散障壁・絶縁用薄膜 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁性基板とガス感応膜との間に薄膜状のヒータを
設置してなるガスセンサ。 ２、ガス感応膜と薄膜状ヒータとの間に、拡散障壁およ
び絶縁用の薄膜を介在せしめた請求項１記載のガスセン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23193190A JPH04110761A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23193190A JPH04110761A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | ガスセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04110761A true JPH04110761A (ja) | 1992-04-13 |
Family
ID=16931309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23193190A Pending JPH04110761A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04110761A (ja) |
-
1990
- 1990-08-31 JP JP23193190A patent/JPH04110761A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6066145A (ja) | 外部雰囲気検知装置 | |
| JPH08219900A (ja) | 白金温度センサ | |
| JPH02213733A (ja) | 電熱感知器 | |
| JPH04110761A (ja) | ガスセンサ | |
| JPH08107236A (ja) | マイクロブリッジヒータ | |
| JPS62263417A (ja) | 熱式流量センサ | |
| EP0334614A3 (en) | Catalytic gas detector | |
| JP3201881B2 (ja) | ガスセンサ | |
| JPH0196548A (ja) | センサ素子 | |
| JP3003943B2 (ja) | ガスセンサ | |
| JPH01131445A (ja) | ガスセンサ | |
| JPH08220041A (ja) | ガスセンサ | |
| JPH0318935Y2 (ja) | ||
| JP2815140B2 (ja) | 温度制御型光導波路 | |
| JPS622122Y2 (ja) | ||
| JPS61184859A (ja) | シリコンヒ−トシンクチツプ | |
| JPS63213284A (ja) | 薄膜ヒ−タ−およびその温度制御方法 | |
| JPH05322821A (ja) | ガスセンサ | |
| JP6834358B2 (ja) | ガスセンサ | |
| JPS62231148A (ja) | 熱分析装置 | |
| JPH04343059A (ja) | ガスセンサ | |
| JP3265326B2 (ja) | ガスセンサ | |
| JPH0545322A (ja) | ガス検出装置 | |
| JPH04128645A (ja) | ガス検出装置 | |
| JP3348255B2 (ja) | 奪熱雰囲気検出装置 |