JPH04111391A - 絶縁基板とプリント基板との半田接続構造及び半田接続方法 - Google Patents
絶縁基板とプリント基板との半田接続構造及び半田接続方法Info
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- JPH04111391A JPH04111391A JP22965490A JP22965490A JPH04111391A JP H04111391 A JPH04111391 A JP H04111391A JP 22965490 A JP22965490 A JP 22965490A JP 22965490 A JP22965490 A JP 22965490A JP H04111391 A JPH04111391 A JP H04111391A
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
- H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
- H05K3/363—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits by soldering
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の利用分野］
この発明は、絶縁基板とプリント基板との半田接続に関
し、特にガラス等の鏡面で熱伝導率が低い基板でも、半
田接続ができるようにした半田接続に関する。
し、特にガラス等の鏡面で熱伝導率が低い基板でも、半
田接続ができるようにした半田接続に関する。
［従来技術１
光プリンタヘッドや熱転写プリンタのサーマルヘッド、
あるいは液晶駆動用の回路基板等には、薄膜配線を施し
たガラス基板が用いられている。
あるいは液晶駆動用の回路基板等には、薄膜配線を施し
たガラス基板が用いられている。
これはガラス基板への薄膜配線を用いることにより、精
密配線が可能になるｔ；めである。しかしながら、ガラ
ス基板上の薄膜配線を、外部のプリント基板に半田付け
することは難しい。このため従来は、プリント基板とガ
ラス基板とを導電性接着剤で接続し、両者をゴム棒等で
圧接して固定していた。圧接を用いると、プリント基板
とガラス基板との接続部に大きな面積を要する。これは
精密配線により、基板を小型化することと矛盾する。
密配線が可能になるｔ；めである。しかしながら、ガラ
ス基板上の薄膜配線を、外部のプリント基板に半田付け
することは難しい。このため従来は、プリント基板とガ
ラス基板とを導電性接着剤で接続し、両者をゴム棒等で
圧接して固定していた。圧接を用いると、プリント基板
とガラス基板との接続部に大きな面積を要する。これは
精密配線により、基板を小型化することと矛盾する。
例えば光プリンタヘッドの場合、感光ドラムやヘッドを
小型化することが、強く求められている。またサーマル
ヘッドの場合も、Ｆａｘ等の小型化のために、ヘッドの
小型化が必要である。液晶駆動装置の場合、デイスプレ
ィを小型化し得ることがＣＲＴ等のデイスプレィに変え
、液晶デイスプレィが用いられる理由である。そこで、
ガラス基板とプリント基板との接続部を、小さくするこ
とが重要となる。
小型化することが、強く求められている。またサーマル
ヘッドの場合も、Ｆａｘ等の小型化のために、ヘッドの
小型化が必要である。液晶駆動装置の場合、デイスプレ
ィを小型化し得ることがＣＲＴ等のデイスプレィに変え
、液晶デイスプレィが用いられる理由である。そこで、
ガラス基板とプリント基板との接続部を、小さくするこ
とが重要となる。
ガラス基板とプリント基板とを半田で接続することが難
しい理由は、適切な半田付は用の電極パッドが知られて
いないことにある。即ち電極パッドとガラス基板の配線
との付着力も電極パッドと半田層との付着力も共に不十
分で、無理に半田付けしても剥離してしまう。
しい理由は、適切な半田付は用の電極パッドが知られて
いないことにある。即ち電極パッドとガラス基板の配線
との付着力も電極パッドと半田層との付着力も共に不十
分で、無理に半田付けしても剥離してしまう。
ガラス基板とプリント基板との半田付けが難しい他の理
由は、ガラスの熱伝導率が低いことにある。この状況を
第８図に示す。セラミック基板の厚膜電極とフレキ、プ
ルプリント基板との半田付けのように、半田ごての温度
を４７０℃として加熱すると、プリント基板の裏面温度
は図の鎖線のように上昇する。熱伝導率の高いセラミッ
ク基板では、半田付は部の温度は破線のように上昇し、
良好な特性が得られる。しかしガラス基板では熱伝導率
が低いため、半田付は部は実線のように過熱され、ガラ
ス基板の割れ、半田付は用電極パッドの剥離、あるいは
フレキシブルプリント基板の表面収縮や表面荒れ等の問
題が生じる。
由は、ガラスの熱伝導率が低いことにある。この状況を
第８図に示す。セラミック基板の厚膜電極とフレキ、プ
ルプリント基板との半田付けのように、半田ごての温度
を４７０℃として加熱すると、プリント基板の裏面温度
は図の鎖線のように上昇する。熱伝導率の高いセラミッ
ク基板では、半田付は部の温度は破線のように上昇し、
良好な特性が得られる。しかしガラス基板では熱伝導率
が低いため、半田付は部は実線のように過熱され、ガラ
ス基板の割れ、半田付は用電極パッドの剥離、あるいは
フレキシブルプリント基板の表面収縮や表面荒れ等の問
題が生じる。
これらの問題点に鑑み、発明者は絶縁基板とプリント基
板との新たな半田接続構造と半田接続方法とを開発した
。
板との新たな半田接続構造と半田接続方法とを開発した
。
［発明の課題］
この発明の課題は、以下の点に有る。
（１） 請求項１の発明では、絶縁基板とプリント基
板との新たな半田接続構造を提供し、ガラス等の鏡面で
半田接続が困難な基板で半田接続を可能にすること。
板との新たな半田接続構造を提供し、ガラス等の鏡面で
半田接続が困難な基板で半田接続を可能にすること。
（２）請求項２の発明では、絶縁基板とフレキシブルプ
リント基板との新たな半田接続方法を提供し、ガラス等
の鏡面基板でも半田接続を可能にするとともに、半田接
続の信頼性を高め、同時に半田付は時の過熱による基板
割れや電極パッドの損傷、あるいはフレキシブルプリン
ト基板の損傷を防止すること。
リント基板との新たな半田接続方法を提供し、ガラス等
の鏡面基板でも半田接続を可能にするとともに、半田接
続の信頼性を高め、同時に半田付は時の過熱による基板
割れや電極パッドの損傷、あるいはフレキシブルプリン
ト基板の損傷を防止すること。
［発明の構成］
この発明は、絶縁基板上に第１密着層とＡＩ導電層を順
次形成するとともに、該ＡＩ導電層上に第２密着層と半
田被着層とを順次形成して、半田付は用電極パッドを構
成し、かつ該電極パッドとプリント基板の配線とを半田
層を介して接合してなる絶縁基板とプリント基板との半
田液Ｉｆｃ１１１Ｉ造にある。
次形成するとともに、該ＡＩ導電層上に第２密着層と半
田被着層とを順次形成して、半田付は用電極パッドを構
成し、かつ該電極パッドとプリント基板の配線とを半田
層を介して接合してなる絶縁基板とプリント基板との半
田液Ｉｆｃ１１１Ｉ造にある。
またこの発明の半田接続方法は、絶縁基板上に第１密着
層と薄膜Ａｔ導電層を順次形成し、次いで該ＡＩ導電層
上に第２密着層と半田被着層とを順次形成して、半田付
は用電極パッドを構成し、然る後、該電極パッドとフレ
キシブルプリント基板の配線とを、下記条件Ａ、Ｂによ
り半田層を介して結合せしめる、絶縁基板とプリント基
板との半田接続方法にある。
層と薄膜Ａｔ導電層を順次形成し、次いで該ＡＩ導電層
上に第２密着層と半田被着層とを順次形成して、半田付
は用電極パッドを構成し、然る後、該電極パッドとフレ
キシブルプリント基板の配線とを、下記条件Ａ、Ｂによ
り半田層を介して結合せしめる、絶縁基板とプリント基
板との半田接続方法にある。
Ａ： フレキシブルプリント基板の裏面の最高温度を３
００〜４００℃にすること、 Ｂ： 半田付時間を１〜３秒にすること。
００〜４００℃にすること、 Ｂ： 半田付時間を１〜３秒にすること。
ここで第１密着層は例えばＮｉ、Ｃｒ、Ｔｉからなる群
の少なくとも一員の物質とし、好ましくはその膜厚を０
．１〜１μｍ１より好ましくは０．３〜０．６μｍとす
る。第１密着層を介在させることにより、ガラス等の鏡
面基板でもＡＩ導電層を強固に結合することができる。
の少なくとも一員の物質とし、好ましくはその膜厚を０
．１〜１μｍ１より好ましくは０．３〜０．６μｍとす
る。第１密着層を介在させることにより、ガラス等の鏡
面基板でもＡＩ導電層を強固に結合することができる。
第１密着層はＡＩ導電層とガラス等の絶縁基板との中間
層で、０゜１μｍ〜１μｍの膜厚でＡＩ導電層とガラス
基板との高い付着強度が得られる。第１密着層は好まし
くは真空蒸着やスパッタリング等で形成するので、不必
要に厚くすると生産性が低下する。ＡＩ導電層の膜厚は
、好ましくは１〜２０μｍとし、より好ましくは３〜ｌ
Ｏμｍとする。ＡＩ導電層も、好ましくは真空蒸着やス
パッタリング等の薄膜プロセスで成膜する。第２密着層
は、好ましくはＮｉ、Ｔｉ、Ｃｒからなる群の少なくと
も一員の物質とし、その膜厚は例えば０．５〜２μｍと
し、より好ましくはｌ±０．２μｍとする。第２密着層
は、診等の半田被着層とＡＩ導電層との結合層であり、
薄すぎても厚すぎても半田被１層とＡＩ導電層との付着
強度が低下する。第２密着層には、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉの
内で、無電解メツキの容易なＮｉが好ましい。半田被着
層には、好ましくは貴金属やＣｕを用い、例えば無電解
メツキが容易な金が好ましい。
層で、０゜１μｍ〜１μｍの膜厚でＡＩ導電層とガラス
基板との高い付着強度が得られる。第１密着層は好まし
くは真空蒸着やスパッタリング等で形成するので、不必
要に厚くすると生産性が低下する。ＡＩ導電層の膜厚は
、好ましくは１〜２０μｍとし、より好ましくは３〜ｌ
Ｏμｍとする。ＡＩ導電層も、好ましくは真空蒸着やス
パッタリング等の薄膜プロセスで成膜する。第２密着層
は、好ましくはＮｉ、Ｔｉ、Ｃｒからなる群の少なくと
も一員の物質とし、その膜厚は例えば０．５〜２μｍと
し、より好ましくはｌ±０．２μｍとする。第２密着層
は、診等の半田被着層とＡＩ導電層との結合層であり、
薄すぎても厚すぎても半田被１層とＡＩ導電層との付着
強度が低下する。第２密着層には、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉの
内で、無電解メツキの容易なＮｉが好ましい。半田被着
層には、好ましくは貴金属やＣｕを用い、例えば無電解
メツキが容易な金が好ましい。
半田付は時の温度を、フレキシブルプリント基板の裏面
温度で３００〜４００℃、半田付は時間を１〜３秒とす
るのは、半田層の最高温度を１７０℃程度とし、かつガ
ラス基板やその電極パッド、あるいはフレキシブルプリ
ント基板の損傷を防止するためである。通常に用いられ
る膜厚１００μｍのポリイミド樹脂に、膜厚３０μｍ程
度のＣｕフィルムをラミネートした７レキシブルプリン
ト基板の場合、最適な半田付は条件は、７レキシブルプ
リント基板の裏面温度の最高値が３４０±１０℃、半田
付は時間が２±０．５秒である。
温度で３００〜４００℃、半田付は時間を１〜３秒とす
るのは、半田層の最高温度を１７０℃程度とし、かつガ
ラス基板やその電極パッド、あるいはフレキシブルプリ
ント基板の損傷を防止するためである。通常に用いられ
る膜厚１００μｍのポリイミド樹脂に、膜厚３０μｍ程
度のＣｕフィルムをラミネートした７レキシブルプリン
ト基板の場合、最適な半田付は条件は、７レキシブルプ
リント基板の裏面温度の最高値が３４０±１０℃、半田
付は時間が２±０．５秒である。
精密配線を行う場合、電極パッドも当然Ｉこ精密なもの
となる。ここで半田付は時に半田層が広がると、他の配
線や他のパッドと短絡する可能性が有る。そこで好まし
くは半田層の面積を電極パッドの面積よりも小さくシ、
半田のだれによる／ヨードを防止する。
となる。ここで半田付は時に半田層が広がると、他の配
線や他のパッドと短絡する可能性が有る。そこで好まし
くは半田層の面積を電極パッドの面積よりも小さくシ、
半田のだれによる／ヨードを防止する。
以下に光プリンタヘッドについて実施例を示すが、サー
マルヘッドや液晶駆動用電極基板の場合も同様であり、
またこれ以外に任意の絶縁基板とプリント基板との半田
付けに用いることができる。
マルヘッドや液晶駆動用電極基板の場合も同様であり、
またこれ以外に任意の絶縁基板とプリント基板との半田
付けに用いることができる。
絶縁基板は、ガラス等の鏡面状で電極パッドと基板との
付着力が低いものについて、本発明は特に有効である。
付着力が低いものについて、本発明は特に有効である。
［実施例］
第１図〜第７図に、実施例を示す。第１図において、２
はガラス等の基板で、表面が鏡面で熱伝導率が低いこと
が特徴である。ここでは最も半田接続が困難な基板とし
てガラス基板２を示したが、通常のセラミック基板等で
も良い。４は第１密着層で、ＡＩ導電層６とガラス基板
２との密着性を高めるｔ；めに用いる。第１密着層４に
好ましい材料は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉであり、真空蒸着や
スパッタリング等の薄膜プロセスで製造し、膜厚は例え
ば０．１−１μｍ１好ましくは０．３−０．６μｍとし
、ここでは０．５μｍとした。ＡＩ導電層６も例えば真
空蒸着やスパッタリング等の薄膜プロセスで形成し、膜
厚は例えば１〜１０μｍ１好ましくは３〜ｌＯμｍ１こ
こでは５〜６μｍとした。
はガラス等の基板で、表面が鏡面で熱伝導率が低いこと
が特徴である。ここでは最も半田接続が困難な基板とし
てガラス基板２を示したが、通常のセラミック基板等で
も良い。４は第１密着層で、ＡＩ導電層６とガラス基板
２との密着性を高めるｔ；めに用いる。第１密着層４に
好ましい材料は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉであり、真空蒸着や
スパッタリング等の薄膜プロセスで製造し、膜厚は例え
ば０．１−１μｍ１好ましくは０．３−０．６μｍとし
、ここでは０．５μｍとした。ＡＩ導電層６も例えば真
空蒸着やスパッタリング等の薄膜プロセスで形成し、膜
厚は例えば１〜１０μｍ１好ましくは３〜ｌＯμｍ１こ
こでは５〜６μｍとした。
８は第２密着層で、材料にはＮｉ、Ｔｉ、Ｃｒが好まし
く、製造には例えば無電解メツキを用いる。
く、製造には例えば無電解メツキを用いる。
第２密着層８の膜厚は例えば０．５〜２μｍとし、好ま
しくはｌ±０，２μｍとする。第２密着層８の材質には
、無電解メツキの容易なＮｉが好ましい。ｌＯは半田被
着層で、材質には金や白金、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｒｈ等
の貴金属の他、Ｃｕ等の卑金属も用い得る。半田被着層
１０は例えば無電解メツキで第２密着層上に析出させ、
無電解メツキの容易な金が好ましい。第２密着層８は、
半田被着層ｌＯとＡＩ導電層６との密着性を向上させる
ために設ける。第２密着層８と半田被着層ｌＯとを総称
し、電極パッドＩ２と呼ぶ。電極パッド１２は半田付は
部分にのみ設け、ＡＩ導電層６や第１密着層４は、基板
２上の配線全体に設ける。
しくはｌ±０，２μｍとする。第２密着層８の材質には
、無電解メツキの容易なＮｉが好ましい。ｌＯは半田被
着層で、材質には金や白金、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｒｈ等
の貴金属の他、Ｃｕ等の卑金属も用い得る。半田被着層
１０は例えば無電解メツキで第２密着層上に析出させ、
無電解メツキの容易な金が好ましい。第２密着層８は、
半田被着層ｌＯとＡＩ導電層６との密着性を向上させる
ために設ける。第２密着層８と半田被着層ｌＯとを総称
し、電極パッドＩ２と呼ぶ。電極パッド１２は半田付は
部分にのみ設け、ＡＩ導電層６や第１密着層４は、基板
２上の配線全体に設ける。
第２図に、半田付けの過程を示す。図において、２０は
１００μｍ厚のポリイミド樹脂等のフレキシブルプリン
ト基板で、２２は３０μｍ厚のラミネートしたＣｕ配線
、２４はＣｕ配線２２に半田メツキした半田層である。
１００μｍ厚のポリイミド樹脂等のフレキシブルプリン
ト基板で、２２は３０μｍ厚のラミネートしたＣｕ配線
、２４はＣｕ配線２２に半田メツキした半田層である。
半田層２４の典型的な半田温度は、１７０℃程度である
。２６は半田ごてで、ポリイミド樹脂のプリント基板２
０の裏面から加熱する。
。２６は半田ごてで、ポリイミド樹脂のプリント基板２
０の裏面から加熱する。
第３図、第４図に半田層２４の配置を示す。第４図のよ
うに、半田層２４を電極パッド１２と同じ面積に設ける
と、半田付は時の熱で半田層２４が広がり、パッド１２
間をショートさせる危険性がある。これはパッド１２の
間隔が、例えばｌＯμｍ程度と狭いｌ；めである。そこ
で好ましくは第３図のように、半田層２４の面積をパッ
ド１２の面積よりも小さくし、半田層２４がだれても短
絡しないようにする。
うに、半田層２４を電極パッド１２と同じ面積に設ける
と、半田付は時の熱で半田層２４が広がり、パッド１２
間をショートさせる危険性がある。これはパッド１２の
間隔が、例えばｌＯμｍ程度と狭いｌ；めである。そこ
で好ましくは第３図のように、半田層２４の面積をパッ
ド１２の面積よりも小さくし、半田層２４がだれても短
絡しないようにする。
！５図、第６図Ｉ：、光プリンタヘッドの構造を示す。
第５図において、３０は６４本のデータバスで、第１密
着層４と同様にＮｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等の薄膜上に、Ａｔ導
電層と６と同様のＡｔ導電層を施したものである。３２
は眉間絶縁用のポリイミド樹脂等の絶縁層、３４は発光
ダイオードアレイで、例えば１個のＧａ−Ａｓチップ上
に６４個の発光ダイオード３６を設けたものである。３
８は、各発光ダイオード３６とデータバス３０とを接続
した金リード線である。発光ダイオードアレイ３４は例
えば直線上に４０個程度配置し、発光ダイオード３６が
３００ドツト／インチの密度で並ぶように設ける。この
結果、データバス３０やＡｔ導電層６の間隔は極めて小
さなものとなる。ここではデータバス３０の各ラインを
５０μｍ幅、ライン間の間隔（隙間）を１０μｍとした
。Ａｔ導電層は、導電性接着剤４０を利用し、発光ダイ
オードアレイ３４の共通端子に接続する。第６図に示す
ように、絶縁層３２を設けていない隙間の部分でＡ１導
電層６は発光ダイオードアレイ３４の下部に入り、導電
性接着剤４０でＡｔ導電層６と発光ダイオードアレイ３
４の共通端子を接続する。
着層４と同様にＮｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等の薄膜上に、Ａｔ導
電層と６と同様のＡｔ導電層を施したものである。３２
は眉間絶縁用のポリイミド樹脂等の絶縁層、３４は発光
ダイオードアレイで、例えば１個のＧａ−Ａｓチップ上
に６４個の発光ダイオード３６を設けたものである。３
８は、各発光ダイオード３６とデータバス３０とを接続
した金リード線である。発光ダイオードアレイ３４は例
えば直線上に４０個程度配置し、発光ダイオード３６が
３００ドツト／インチの密度で並ぶように設ける。この
結果、データバス３０やＡｔ導電層６の間隔は極めて小
さなものとなる。ここではデータバス３０の各ラインを
５０μｍ幅、ライン間の間隔（隙間）を１０μｍとした
。Ａｔ導電層は、導電性接着剤４０を利用し、発光ダイ
オードアレイ３４の共通端子に接続する。第６図に示す
ように、絶縁層３２を設けていない隙間の部分でＡ１導
電層６は発光ダイオードアレイ３４の下部に入り、導電
性接着剤４０でＡｔ導電層６と発光ダイオードアレイ３
４の共通端子を接続する。
基板２の端部には、図示しない駆動ＩＣ等が有り、４０
個の発光ダイオードアレイ３４を時分割駆動等で制御す
る。フレキシブルプリント基板２Ｇは、４０個の電極パ
ッド１２と、駆動ＩＣ等のリードに半田付けする。
個の発光ダイオードアレイ３４を時分割駆動等で制御す
る。フレキシブルプリント基板２Ｇは、４０個の電極パ
ッド１２と、駆動ＩＣ等のリードに半田付けする。
第７１！１．第８図に半田付けの条件を示す。第８図の
ように、半田ごての温度を高く、半田付は時間を長くす
ると、ガラス基板２の場合、基板２が熱衝撃で割れ、あ
るいは電極パッド１２が剥離し、更にはプリント基板２
０の表面が収縮したり荒れたりする。そこで第７図のよ
うに、半田付けの条件をプリント基板２０の裏面最高温
度で３００〜４００℃、より好ましくは３４０±ｌＯ℃
、半田付けの時間を１〜３秒、より好ましくは２±０゜
５秒とする。このようにすると、厚さ１００μｍ程度の
フレキシブルプリント基板２０に、厚さ３０μｍ程度の
Ｃｕ配線２２を施したものの場合、約２秒で半田層２４
の温度は好適な１７０℃に達し、基板２や電極パッド１
２、あるいはプリント基板２０の損傷なしに、半田層２
４を溶かして強い半田付けができる。
ように、半田ごての温度を高く、半田付は時間を長くす
ると、ガラス基板２の場合、基板２が熱衝撃で割れ、あ
るいは電極パッド１２が剥離し、更にはプリント基板２
０の表面が収縮したり荒れたりする。そこで第７図のよ
うに、半田付けの条件をプリント基板２０の裏面最高温
度で３００〜４００℃、より好ましくは３４０±ｌＯ℃
、半田付けの時間を１〜３秒、より好ましくは２±０゜
５秒とする。このようにすると、厚さ１００μｍ程度の
フレキシブルプリント基板２０に、厚さ３０μｍ程度の
Ｃｕ配線２２を施したものの場合、約２秒で半田層２４
の温度は好適な１７０℃に達し、基板２や電極パッド１
２、あるいはプリント基板２０の損傷なしに、半田層２
４を溶かして強い半田付けができる。
［発明の効果Ｊ
請求項１の発明では、半田接続構造を改良し、ガラス等
の半田接続の困難な基板でもプリント基板との半田接続
を可能にする。これによって、光プリンタヘッドやサー
マルヘッド、液晶駆動用の基板等の小型化が図れる。
の半田接続の困難な基板でもプリント基板との半田接続
を可能にする。これによって、光プリンタヘッドやサー
マルヘッド、液晶駆動用の基板等の小型化が図れる。
請求項２の発明では、高Ｍ頼度が得られる半田接続方法
を提供し、基板や電極パッドの損傷、あるいはプリント
基板の損傷等を防止する。
を提供し、基板や電極パッドの損傷、あるいはプリント
基板の損傷等を防止する。
第１図は電極パッド部を示す実施例のガラス基板の要部
断面図、第２図は半田付は過程を示す実施例の要部断面
図である。＄３１！Ｉ、第４図は、半田層の配置を示す
平面図、第５図は光プリンタヘッドの要部斜視図、第６
図はその要部断面図である。 第７図は実施例の半田付は条件を示す特性図、第８図は
従来例の半田付は条件を示す特性図である。 図において、 ２ ガラス基板、４ 第１密着
層、 ６ Ａｔ導電層、８ 第２密薯層、
１０ 半田被着層、１２ 電極パッド、 ２０ フレキシブルプリント基板、 ２２Ｃｕ配線、 ２４ 半田層、 ３０ データバス、 ３２ 絶縁層、 ３４ 発光ダイオードアレイ。
断面図、第２図は半田付は過程を示す実施例の要部断面
図である。＄３１！Ｉ、第４図は、半田層の配置を示す
平面図、第５図は光プリンタヘッドの要部斜視図、第６
図はその要部断面図である。 第７図は実施例の半田付は条件を示す特性図、第８図は
従来例の半田付は条件を示す特性図である。 図において、 ２ ガラス基板、４ 第１密着
層、 ６ Ａｔ導電層、８ 第２密薯層、
１０ 半田被着層、１２ 電極パッド、 ２０ フレキシブルプリント基板、 ２２Ｃｕ配線、 ２４ 半田層、 ３０ データバス、 ３２ 絶縁層、 ３４ 発光ダイオードアレイ。
Claims (2)
- （１）絶縁基板上に第１密着層とＡ１導電層とを順次形
成するとともに、該Ａ１導電層上に第２密着層と半田被
着層とを順次形成して、半田付け用電極パッドを構成し
、 かつ該電極パッドとプリント基板の配線とを半田層を介
して接合してなる絶縁基板とプリント基板との半田接続
構造。 - （２）絶縁基板上に第１密着層と薄膜Ａ１導電層を順次
形成し、 次いで該Ａ１導電層上に第２密着層と半田被着層とを順
次形成して、半田付け用電極パッドを構成し、 然る後、該電極パッドとフレキシブルプリント基板の配
線とを、下記条件Ａ、Ｂにより半田層を介して結合せし
める、絶縁基板とプリント基板との半田接続方法。 Ａ：フレキシブルプリント基板の裏面の最高温度を３０
０〜４００℃にすること、 Ｂ：半田付時間を１〜３秒にすること。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22965490A JPH04111391A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 絶縁基板とプリント基板との半田接続構造及び半田接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22965490A JPH04111391A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 絶縁基板とプリント基板との半田接続構造及び半田接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04111391A true JPH04111391A (ja) | 1992-04-13 |
Family
ID=16895591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22965490A Pending JPH04111391A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 絶縁基板とプリント基板との半田接続構造及び半田接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04111391A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040029797A (ko) * | 2002-10-02 | 2004-04-08 | 삼성전기주식회사 | 기판과 플렉시블기판의 연결구조 |
-
1990
- 1990-08-30 JP JP22965490A patent/JPH04111391A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040029797A (ko) * | 2002-10-02 | 2004-04-08 | 삼성전기주식회사 | 기판과 플렉시블기판의 연결구조 |
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