JPH04111490A - 直接描画装置 - Google Patents

直接描画装置

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JPH04111490A
JPH04111490A JP22821990A JP22821990A JPH04111490A JP H04111490 A JPH04111490 A JP H04111490A JP 22821990 A JP22821990 A JP 22821990A JP 22821990 A JP22821990 A JP 22821990A JP H04111490 A JPH04111490 A JP H04111490A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、直接描画装置、特にノズルに対して所定速度
で相対的に移動するテーブル上に配置された回路基板に
ノズルからペーストを吐出させ、回路基板上にパターン
を描画する直接描画装置に関する。
[従来の技術] 従来、このような直接描画装置を用いて1例えば第1O
図に図示されたようなハイブリッドICのパターン45
を描く場合には、第11図に図示されたように、半田付
けする部分や部品搭載部分、抵抗パターンが後で描画さ
れるパッド部分等のように閉ループ状に形成されたボッ
クス状部分46と、これらのボックスを結ぶライン47
から構成される場合が多い。
このようなパターン46,47を直接描画装置で描画す
る場合に、ライン状の部分47とボックス状の部分46
は異なる方法で描画される。即ちライン状の部分47は
、ユーザが1描画ラインの線幅と必要なライン幅を入力
することで描画装置に組み込まれたソフトウェアにより
、そのラインに沿って複数回往復することによりライン
状のパターンが形成される。この往復時は、徐々にユー
ザの要求する線幅に近づくように入力データに対し左右
に一定値づつオフセットされてい(。このオフセット量
は描画装置のソフトウェアにより自動計算でまたはユー
ザが手動により設定する。
一方ボックス状の部分46は、異なる方法が用いられ、
これらが第12図と第13図に図示されている。通常、
描画すべきパターンのデータは、そのパターンの輪郭の
各節点の座標群として外部コントローラより通信で送ら
れてくる。
例えば形成すべきパターンを第12図(A)に図示した
ような矩形状のパターン50とすると、描画装置は、第
12図(B)に図示したようにパターン50の節点50
a〜50dを結ぶようにパターン50の外形線に沿って
周囲を描画し、ペーストを塗布してライン51を描画す
る。続いてその内側52を、第12図(C)に図示した
ようにユーザにより指定された方向とピッチで順次塗り
つぶしくハツチングし)、矩形状のパターン50を形成
する。この内側52をノズル53よりペースト54を吐
出し塗りつぶす状態が第13図に図示されている。
[発明が解決しようとする課題] 通常描画ライン51は、その線幅りが100〜150u
mぐらいあるので、外形ライン50に沿って描画すると
、描画ライン51の一番外側51aは、外形ライン50
より線幅の約1/2である50〜75μmぐらいはみ出
し、隣接するラインとショートしてしまう恐れがある。
これを防止するために送信される描画データを縮小する
と、操作が複雑となり、時□間が必要となるとともに、
描画データの管理が煩雑になるという問題がある。
また描画すべきパターンが、第14図に図示されたよう
な複雑なパターン55になると、55aの部分では多数
のラインを折り返して引く必要があり、折り返すごとに
ノズル53から吐出されるペースト54の量を制御しな
ければならない、したがって、その制御並びにノズルか
らペーストを吐出させる空気圧のオンオフの時間が必要
となるために、描画時間がかかるとともに、良好なパタ
ーンを描くことができないという問題がある。
したがって、本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたもので隣接するパターンとの接触がなく、
また描画時間を短縮でき、良好な描画パターンを描くこ
とが可能な直接描画装置を提供することを課題とする。
[課題を解決するための手段1 本発明においては上述した課題を解決するために、ノズ
ルに対して所定速度で相対的に移動するテーブル上に配
置された回路基板にノズルからペーストを吐出させ、回
路基板上にパターンを描画する直接描画装置において、
描画すべきパターンの閉ループ輪郭線の内側を識別する
手段と、前記輪郭線の内側に所定量オフセットした描画
ラインを演算する手段と、前記輪郭線の内側にオフセッ
トさせた描画ラインを演算する際、閉パターン輪郭線の
外側にはみ出す描画ラインを検出する手段とを設け、前
記検出手段が検出した描画ラインの描画を禁止した上で
前記描画ラインに沿ってパターンを描画する構成を採用
しているので、描画すべきパターンの閉ループ輪郭線の
内側を識別し、輪郭線の内側に所定量オフセットした描
画ラインに沿ってパターンを描画する構成を採用した。
[作 用] このような構成では、描画すべきパターンの輪郭線をそ
の中心線としてパターンを描画するのではな(、輪郭線
の内側に所定量オフセットして、パターンを描画する。
しかも、閉パターン輪郭線の外側にはみ出す描画ライン
の描画を行なわないようにしているので、たとえば、閉
パターンの輪郭線中にオフセット量より小さい微少パタ
ーンがある場合でも、これに応じて生じる異常なパター
ン部分を削除でき高品位の直接描画が可能となる。
[実施例] 以下、図面に示す実施例に基づいて本発明の詳細を説明
する。
第1図には、本発明方法に係わる直接描画装置が、また
第2図には第1図の装置の制御系の構造が図示されてい
る。
第1図において、符号lはセラミックなどから成る回路
基板で、XおよびY方向に移動されるXY子テーブル上
の所定位置に位置決めされる。
この基板lに対して導体および絶縁体を形成するペース
ト3aを吐出するインクペン4のノズル3はXY子テー
ブルに対して垂直に配置され、XY平面に垂直なZ軸方
向にモータ5を介して移動される。
ノズル3からのペースト3aの吐出および吐出停止、X
Y子テーブルのXY平面における移動をあらかじめ決定
されたプログラムに応じて数値制御することによって、
回路基板1上に各種の回路膜を形成することができる。
その際、回路基板lの凹凸は光学距離センサに対応する
高さセンサ6によって検出され、ノズル3の高さはZ軸
方向に沿ってモータ5を介して自動的に制御される。
第2図は、この直接描画装置の制御部を含む構成を示す
ブロック図であり、20はCPU、ROM、RAM等か
らなるマイクロコンピュータであり、入出力装置21を
介してCADシステム30から後述するような描画パタ
ーンを含む描画データを入力して必要なデータをメモリ
22に一時格納し、また予めメモリ22に格納されてい
るプログラムや各種データも使用して、この直接描画装
置の各部を統括制御することによって、XY子テーブル
上に位置決め載置されたセラミック等からなる基板1上
に厚膜回路を形成する。
すなわち、このマイコン20はモータコントローラ23
に描画データに応じたXYテーブル制御信号を出力して
、このモータコントローラ23によってモータ24(実
際にはX方向駆動用とY方向駆動用2個のモータがある
)を駆動制御させ、シリンダに保持されたノズル3に対
して。
基板1が所要の軌跡を描いて相対移動するように、XY
子テーブルを移動させる。
また、描画を開始する前に、高さセンサ6によって基板
1の描画面全体の高さ変動を測定して、その測定結果を
座標値と対応させてメモリ22に記憶させる。
描画時には、そのデータを読み出してモータコントロー
ラ25にノズル位置制御信号を出力し、そのモータコン
トローラ25にモータ5を駆動制御させて、セラミック
基板lの描画面の高さ変動を補正するようにノズル3を
上下動させ、それによってノズル3とセラミック基板1
の描画面との間隔を常に適正に保つようにする。
さらに、マイクロコンピュータ20は設定された空気圧
に応じた信号な電空変換器26に出力して空気源27か
らの高圧の空気圧を設定圧力に変換し、電磁弁28を開
くように制御してその空気圧をインクペンに供給し、ノ
ズル3からインクベン4内のペーストを所定流量で吐出
させて、設定された基本線幅で厚膜回路を描画させる。
CADシステム30は、パーソナルコンピュータを使用
して、デジタイザ40によってデジタイズした回路パタ
ーンの輪郭線(一般に外形線)のデータを入力して描画
データを作成するシステムであり、この実施例では主と
してこのCADシステムによって描画データを作成処理
するようにしている。
次にこのように構成された装置の動作を、第3図に図示
されたフローチャートにしたがって説明する。
描画装置によって描画すべきパターンが、第4図に図示
されたようなパターン60である場合について説明する
。このパターン60は、複数の節点PL−P9を有し、
その各節点のX座標。
X座標が1つのパターンデータとして連続してメモリ2
2に格納されている。この格納状態が第5図にテーブル
の形で図示されている。
まず第3図のステップSlにおいて、描画すべき一連の
閉ループの描画データのうち最もX座標の小さい点、即
ち最左点を求める。第4図のパターン60ではP2.P
3、P7、P8の各点がこれに該当する。ステップS2
において最左点データが複数あると判断された場合に、
ステップS3において、複数点のうちy座標の最も小さ
い点を出発点とし、また最左点データが一つである場合
には、ステップS4に移ってステップS1で求めた点を
出発点とする。
このように出発点が定まった場合には、ステップS5に
おいて出発点の前後のデータのy座標の大小を比較し、
データ処理をメモリに格納されたデータ格納類に行なう
か、あるいは逆順に行なうかを決定する。即ち第6図に
図示したように、Pnを出発点とし、Pn+lのy座標
がP n−1のy座標より大きい場合(即ち第6図(A
))データの処理をP n、 Pn+1 、 Pn+2
、−P m、PL 、P2 、Pn−1と行ない(Pm
は最終データ)、一方第6図(B)のように逆の場合に
はデータ処理なPn 、 Pn−1、Pn−2、=−P
2、Pi、Pg、−・P n+1と処理していく。
このように、x、y座標点のうち最も小さい点を求め、
処理方向を決めることは、閉ループの外形線の内側を認
識していることになる。
次に、現状の処理点と次の処理点(第7図において現状
点がPi、次の点がPj+1.以下この図にもとづいて
説明する。)で結ばれる線分と平行で、描画線幅の半分
幅処理の進行方向右側にオフセットした直線Llの方程
式を計算する(ステップS6)。同様に、P i+1点
とpi+z九で結ばれる線分と平行で、描画線幅の半分
幅処理の進行方向右側にオフセットした直線史2の方程
式を計算する(ステップS7)。
次に直線LlとL2の交点を求めメモリに格納しくステ
ップS8)、処理をひとつ進める(ステップS9)  
処理が一巡したら(ステップ5IO)、内側にオフセッ
トしたデータをもとにその線に沿って外周を描画しくス
テップ5l1)、その内側を所定方向所定ピッチで描画
し塗りつぶしていく(ステップ5L2)。
このように、ある特定点の決定とデータ処理方向を決定
することで、閉ループパターンの内側を認識し、第8図
に示すように、パターンの形状によらず、常に内側へ一
定値オフセットしたデータを作成し、それに沿って所定
の描画を行なうことができる。したがって、このオフセ
ット量をユーザが指定することにより、本装置本体で自
由に縮小することができ、設計したパターン自体を変更
または新たに作成する必要がなくなるため、時間短縮、
及びデータ処理のわずられしさから解放されることにな
る。
更に、オフセット量を描画線幅の半分幅だけでなく、任
意に設定することで、パターンを縮小したり拡大したり
することが可能となる。
また、第14図に示すようなパターンを従来方式で描画
すると、前述したように55aの部分で短い線の集合と
なり、描画ラインの初めと終りでは、空気圧のオン、オ
フの時間遅れがあり、それをXYテーブル駆動と同期さ
せているため、描画時間が長(なるという欠点がある。
これに対して、本実施例では、従来のように折り返すの
ではなく、第9図に図示したように、上述した方法で順
次オフセットしたデータを求め、パターンの輪郭線より
内側に向い一定間隔づつパターンを縮小描画させ、回路
パターンを形成するようにすると、長い線を描画するこ
とになり、空気圧のオン、オフを減らすことができ、描
画時間を顕著に減少させることが可能になる。
以下では、描画パターンをオフセットさせる場合に生じ
る問題につき考察する。
ここで、第15図に実線で示す描画パターンを、オフセ
ット量αだけオフセットさせた描画パターンを形成する
ことを考える。第15図の場合には、実線の元パターン
中にオフセットfftaに対して、長さの短い線分(L
i+i)が存在している。
このように、長さの短い線分(Li+1)が存在すると
、オフセット後の結果は、短い線分の部分が閉ループよ
り飛び出してしまい、このまま描画を行なうと、ライン
L i+1の部分がはみだし、予期した結果を得られな
い。
この部分の状態を第16図に拡大して示す。第16図に
矢印状に示される方向をラインの描画方向とし、前述の
オフセット演算により得られるライン(L i+1の描
画方向は、オフセットする前のうインL i+1の進行
方向に対して逆転していることがわかる。
このように、オフセット後の異常ラインは、オフセット
により得られる描画方向により検出できることがわかる
。ところがパターンによっては、描画方向のみでは単純
に判断できない場合がある。
例えば、第17図左側に示すようなラインLi〜L i
+5からなるパターンがあり、L il1%Li+2、
Li+3.およびL i+4のラインデータの長さがオ
フセット量αより小さい場合には、オフセット演算後、
第17図右側に示すように、オフセット後のラインしi
+1 、 Li+2 、 、Li+3 、および、lL
i+4はいずれも異常ラインとなる。ここで元データL
i=Li+5のデータと進行方向の逆転があるかどうか
を調べると、Li+2とL i+3のラインは元データ
と進行方向が逆転しているが、Li+lとL i+4に
ついては元データと進行方向が同一である。
つまり、L i+1とLi+4については、異常データ
(閉ループより飛び出すライン)でありながら、その進
行方向からは異常を認めることができない。
そこで、第3図の制御とともに第20図のフローチャー
トに示す制御をマイクロコンピュータ20により行なう
ことによりデータ補正を行なう。
まず、第20図のステップS21では、第3図の手順を
実行し、内側オフセットデータを作成する。
次に、ステップS22において、オフセットしたデータ
と、元データを比較し、ラインの進行方向が逆転してい
るものがないかどうかを調べる。
第17図の例では、Li+2 、 Li+3のラインが
逆転ラインであるが、このような逆転ラインがステップ
323で検出されると、ステップS24において逆転し
たラインに相当する元データのライン(第17図の場合
にはLi+2 、 Li+3 )を削除する。これは、
具体的には、第18図の左側に示すように、検出された
データに隣接するラインを延長し、交点を求めることに
より行なう。
次にステップS21に戻り、もう−度第3図のフローチ
ャートによる手順で、補正した元データをオフセットし
直す。
このようにして、第18図に右側に示すような補正結果
が得られるが、ステップ323、S4を繰り返すことに
よりさらに補正を続ける。
すなわち、第18図から明らかなように、第17図では
逆転していなかったLi+1 、 Li+4の2ライン
が逆転するので、異常データであることを検出できる。
そこで、ステップS3、S24を繰り返し、元データL
i+l 、 Li+4を削除し、元データをオフセット
し直す。
このようにして、ステップS25において、第19図の
ように異常かつ不要のラインを全て削除した描画データ
を得られる。すなわち、パターンの輪郭線中にオフセッ
ト量より小さい微少パターンがある場合でも、これに応
じて生じる異常なパターン部分を削除でき、良好な描画
パターンを形成し、これに基づきより高品位な直接描画
が可能となる。
また、パターン形成を滑らかに行なえ、また無駄な描画
を行なうことがなくなるので、描画時間の短縮が可能と
なる。
なお、第12図〜第13図で説明したような塗りつぶし
描画の場合にも上記のデータ補正が可能であり、より短
時間での描画が可能となり、また、均一な描画が可能で
ある。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明では、ノズルに対して所定
速度で相対的に移動するテーブル上に配置された回路基
板にノズルからペーストを吐出させ、回路基板上にパタ
ーンを描画する直接描画装置において、描画すべきパタ
ーンの閉ループ輪郭線の内側を識別する手段と、前記輪
郭線の内側に所定量オフセットした描画ラインを演算す
る手段と、前記輪郭線の内側にオフセットさせた描画ラ
インを演算する際、閉パターン輪郭線の外側にはみ出す
描画ラインを検出する手段とを設け、前記検出手段が検
出した描画ラインの描画を禁止した上で前記描画ライン
に沿ってパターンを描画する構成を採用しているので、
描画すべきパターンの閉ループ輪郭線の内側を識別し、
輪郭線の内側に所定量オフセットした描画ラインに沿っ
てパターンを描画する構成を採用している。
このため、描画パターンのオフセットを行なうことによ
り、描かれたパターンは、外形線よりはみ出すことがな
く、隣接する描画パターンとの接触が顕著に減少し、良
好な描画が可能になる。しかも閉パターンの輪郭線中に
オフセット量より小さい微少パターンがある場合でも、
これに応じて生じる異常なパターン部分を削除でき、良
好な描画パターンを形成し、これに基づきより高品位な
直接描画が可能となるなどの優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明に係わる直接描画装置の構成を示した
斜視図、第2図は第1図の制御系の構造を示したブロッ
ク図、第3図は制御の流れを説明するフローチャート図
、第4図は描画すべきパターンの形状を示した説明図、
第5図は、第4図のパターンの節点の座標をメモリに格
納した状態を示す説明図、第6図(A)、(B)は出発
点から描く順序を示した説明図、第7図は、輪郭線より
所定量内側にオフセットした点を求める工程を示した説
明図、第8図は、オフセットされたラインの全体を示す
説明図、第9図は、オフセットされたラインに沿ってパ
ターンを描く状態を示した説明図、第1O図はハイブリ
ッドICのパターンを示す説明図、第11図は、第1O
図のパターンの基本的な構成部分を示した説明図、第1
2図(A)、(B)、(C)は従来のパターン描画方法
を示した説明図、第13図は従来のパターン描画方法を
示す斜視図、第14図は従来のパターン描画方法を示す
説明図、第15図、第16図は描画パターンのオフセッ
トの問題を示した説明図、第17図〜第19図は描画パ
ターンオフセット時のデータ補正を示した説明図、第2
0図は描画パターンオフセット時のデータ補正手順を示
したフローチャート図である。 1・・・基鈑      2−・−XYテーブル3・・
・ノズル     4−・−インク弁6・・・高さセン
サ 20・・・マイクロコンピュータ 22−・−メモリ 舟・衿呵Vε/1Jls杓i乞ホすブb9り匹う第2図 塙画バフー〕/l訣朗e 第4図 メモリrKJ第1の与叱βf4鈑つ 11!5図゛ (A) (B) #I噛/l説朗e 第6図 バイブI)、、、F′/ずワー〉n占静朋第10図 パ7りのメ朽溝へ〇 第11図 オフごッ)ライ〉めさた8月1 第8図 横L6JfJシム舘、す説β昭 第9図 従6垢画カムめI呟 第12図 1tMtノIIhh% ’=f−40f4f;73第1
3図 1B−ノ1MbyJ:E、r+MeFAe第14図 不フビー汁時のが1代化1示、fJ8すnρ第15図 [ オフビット時の藺冶噸ぐ、Σ1〒、IS伶e月旧第1G
図 第18図 纂191!Q [20図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)ノズルに対して所定速度で相対的に移動するテーブ
    ル上に配置された回路基板にノズルからペーストを吐出
    させ、回路基板上にパターンを描画する直接描画装置に
    おいて、 描画すべきパターンの閉ループ輪郭線の内側を識別する
    手段と、 前記輪郭線の内側に所定量オフセットした描画ラインを
    演算する手段と、 前記輪郭線の内側にオフセットさせた描画ラインを演算
    する際、閉パターン輪郭線の外側にはみ出す描画ライン
    を検出する手段とを設け、 前記検出手段が検出した描画ラインの描画を禁止した上
    で前記描画ラインに沿ってパターンを描画することを特
    徴とする直接描画装置。
JP22821990A 1990-08-31 1990-08-31 直接描画装置 Expired - Lifetime JPH0750826B2 (ja)

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