JPH04113675A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH04113675A JPH04113675A JP2232963A JP23296390A JPH04113675A JP H04113675 A JPH04113675 A JP H04113675A JP 2232963 A JP2232963 A JP 2232963A JP 23296390 A JP23296390 A JP 23296390A JP H04113675 A JPH04113675 A JP H04113675A
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- Led Devices (AREA)
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、半導体装置に係り、さらに詳しくは、光信号
を用いて信号の人出力を行う半導体装置の実装構造に関
するものである。
を用いて信号の人出力を行う半導体装置の実装構造に関
するものである。
［従来の技術］
半導体素子を基板上に実装するに当たっては、多くの方
式がある。従来性なわれている最も一般的な実装構造と
して、ワイヤーボンディング方式第５図は、ワイヤーボ
ンディング方式の断面図である。図において、１０は、
半導体素子で、１１はその能動面に形成された電極、１
２は基板１５上に形成された配線パターンであり、１３
は電極１１と配線パターン１２を電気的に接続するため
に設けられた金ワイヤーであり、１４は半導体素子１０
を基板１５上に固定するための接着剤である。
式がある。従来性なわれている最も一般的な実装構造と
して、ワイヤーボンディング方式第５図は、ワイヤーボ
ンディング方式の断面図である。図において、１０は、
半導体素子で、１１はその能動面に形成された電極、１
２は基板１５上に形成された配線パターンであり、１３
は電極１１と配線パターン１２を電気的に接続するため
に設けられた金ワイヤーであり、１４は半導体素子１０
を基板１５上に固定するための接着剤である。
次に、上記の半導体装置を構成するプロセスを説明する
。まず、基板１５上に金属皮膜を形成する。これを半導
体素子１０の電極１１と対応した形にエツチングし、配
線パターン１２を形成する。
。まず、基板１５上に金属皮膜を形成する。これを半導
体素子１０の電極１１と対応した形にエツチングし、配
線パターン１２を形成する。
半導体素子１０は、接着剤１４によっ、て基板１５上に
接着され、容易に動かないよう固定される。
接着され、容易に動かないよう固定される。
固定された半導体素子１０上の電極１１と基板１５上の
配線パターン１２とを２０〜３０μｍの金ワイヤ−１３
を用いて接続を行ない電気的導通が可能となる。
配線パターン１２とを２０〜３０μｍの金ワイヤ−１３
を用いて接続を行ない電気的導通が可能となる。
［発明が解決しようとする課題〕
上記ワイヤーボンディング方式に代表されるような電気
的接続を行なう構造の半導体装置においては、次のよう
な課題を有する。
的接続を行なう構造の半導体装置においては、次のよう
な課題を有する。
（１）電気的接続であるため、電極間のギャップが狭く
なるにつれ接続抵抗が増加し、半導体素子の正常な機能
を阻害する。
なるにつれ接続抵抗が増加し、半導体素子の正常な機能
を阻害する。
（２）’ｇＥ気信号であるため、電送できる情報量が少
なく半導体装置の情報処理能力の向上を望めない。
なく半導体装置の情報処理能力の向上を望めない。
（３）電気抵抗を小さく抑えるためには、接続配線の太
さを太くしなければならず、微細ピッチの接続が困難で
ある。
さを太くしなければならず、微細ピッチの接続が困難で
ある。
本発明は、上記の課題を解決すべくなされたもので、半
導体装置の情報処理能力を向上させ、なおかつ微細ピッ
チでの接続を可能とする半導体装置を得ることを目的と
したものである。
導体装置の情報処理能力を向上させ、なおかつ微細ピッ
チでの接続を可能とする半導体装置を得ることを目的と
したものである。
［課題を解決するための手段］
本発明の半導体装置は、半導体素子の能動面を基板と対
向させて接続する構造の半導体装置において、 前記半導体素子上の受光素子で形成された入力端子また
は発光素子で形成された出力端子と、前記基板上に前記
半導体素子の端子に対応して設けられた受光素子または
発光素子とを樹脂を介して光学的に接続することを特徴
とする。
向させて接続する構造の半導体装置において、 前記半導体素子上の受光素子で形成された入力端子また
は発光素子で形成された出力端子と、前記基板上に前記
半導体素子の端子に対応して設けられた受光素子または
発光素子とを樹脂を介して光学的に接続することを特徴
とする。
［作用］
本発明の詳細な説明すると、配線パターン５ａを伝わっ
てきた電気信号は、発光素子４ｂで光信号に変換される
。発光素子４ｂから発した光信号は周囲より屈折率の高
い樹脂３中を全反射しながら受光素子２ａにほとんど損
失なく伝搬する。受光素子２ａに伝搬した光信号は電気
信号に変換され、半導体素子１で処理される。処理され
た電気信号は、発光素子２ｂで光信号に変換され、樹脂
３中を全反射しながら受光素子４ａに伝搬する。
てきた電気信号は、発光素子４ｂで光信号に変換される
。発光素子４ｂから発した光信号は周囲より屈折率の高
い樹脂３中を全反射しながら受光素子２ａにほとんど損
失なく伝搬する。受光素子２ａに伝搬した光信号は電気
信号に変換され、半導体素子１で処理される。処理され
た電気信号は、発光素子２ｂで光信号に変換され、樹脂
３中を全反射しながら受光素子４ａに伝搬する。
受光素子４ａで光信号から電気信号に変換され配線パタ
ーン５ｂを伝わって出力される。
ーン５ｂを伝わって出力される。
［実施例］
以下、実施例により本発明の詳細を示す。
（実施例１）
第１図は、本発明の一実施例を示す半導体装置の断面図
であり、１は半導体素子、２ａおよび４ａは受光素子、
３は樹脂、２ｂおよび４ｂは発光素子、５ａおよび５ｂ
は配線パターン、６は基板、７は接着剤である。
であり、１は半導体素子、２ａおよび４ａは受光素子、
３は樹脂、２ｂおよび４ｂは発光素子、５ａおよび５ｂ
は配線パターン、６は基板、７は接着剤である。
まず、セラミック性の基板６上に半導体素子１上の受光
素子２ａと対応する形に発光素子４ｂとしてＧａＡｌＡ
ｓ系発光ダイオードを形成し、発光素子２ｂと対応する
形に受光素子４ａとしてＳｊ系ＰＩＮ接合型フォトダイ
オードを形成する。
素子２ａと対応する形に発光素子４ｂとしてＧａＡｌＡ
ｓ系発光ダイオードを形成し、発光素子２ｂと対応する
形に受光素子４ａとしてＳｊ系ＰＩＮ接合型フォトダイ
オードを形成する。
基板６として、ガラスエポキシ基板、ガラス基板、ポリ
イミド基板、シリコン基板、等を用いてもよい。発光素
子２ｂあるいは４ｂとして、ＧａＡｌＡｓ系半導体レー
ザー ＣｄＳ系エレクトロルミネッセンス素子、等を用
いることが出来る。また、受光素子２ａあるいは４ａと
して、Ｇｅ系アバランシェフォトダイオード、等を用い
ることが出来る。次に、発光素子４ｂに電気信号を人力
するための配線パターン５ａを、受光素子４ａから電気
信号を出力するための金属性の配線パターン５ｂを、蒸
着法により形成する。
イミド基板、シリコン基板、等を用いてもよい。発光素
子２ｂあるいは４ｂとして、ＧａＡｌＡｓ系半導体レー
ザー ＣｄＳ系エレクトロルミネッセンス素子、等を用
いることが出来る。また、受光素子２ａあるいは４ａと
して、Ｇｅ系アバランシェフォトダイオード、等を用い
ることが出来る。次に、発光素子４ｂに電気信号を人力
するための配線パターン５ａを、受光素子４ａから電気
信号を出力するための金属性の配線パターン５ｂを、蒸
着法により形成する。
半導体素子ｌ上にシリコン系樹脂３をスクリーン印刷を
用いて受光素子２ａと発光素子２ｂ上にのみ印刷する。
用いて受光素子２ａと発光素子２ｂ上にのみ印刷する。
このとき樹脂３の厚みが約２０μｍとなるよう印刷を行
なう。印刷した樹脂３を硬化させるため、１７０″Ｃで
約１５分間の硬化を行い第２図に示す構造を形成する。
なう。印刷した樹脂３を硬化させるため、１７０″Ｃで
約１５分間の硬化を行い第２図に示す構造を形成する。
このとき用いた樹脂は透明なシリコン系の樹脂であり、
その屈折率は１．６であった。また、樹脂３として、屈
折率が１．５以上であれば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹
脂、常温硬化性樹脂、嫌気性樹脂、光硬化性樹脂、電子
線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、等の接着剤を使用し
てもよい。
その屈折率は１．６であった。また、樹脂３として、屈
折率が１．５以上であれば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹
脂、常温硬化性樹脂、嫌気性樹脂、光硬化性樹脂、電子
線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、等の接着剤を使用し
てもよい。
形成した基板６上にエポキシ系接着剤７を塗布し、半導
体素子１の発光素子４ｂおよび受光素子４ａと基板６上
の受光素子２ａおよび発光素子２ｂとを位置合わせを行
なった後、半導体素子１を約１ｋｇ／ｃｒｎ２の圧力で
加圧しかつ、１８０°Ｃに加熱し１０秒間硬化させ半導
体素子１を基板６上に圧着固定する。接着剤７は、樹脂
３中で全反射せずもれ出した光を吸収するため濃厚な着
色を施しである。また、接着剤７の屈折率は１．４以下
である。第１図から明らかなように、発光素子４ｂある
いは２ｂから発した光信号は全て樹脂３中に入射する。
体素子１の発光素子４ｂおよび受光素子４ａと基板６上
の受光素子２ａおよび発光素子２ｂとを位置合わせを行
なった後、半導体素子１を約１ｋｇ／ｃｒｎ２の圧力で
加圧しかつ、１８０°Ｃに加熱し１０秒間硬化させ半導
体素子１を基板６上に圧着固定する。接着剤７は、樹脂
３中で全反射せずもれ出した光を吸収するため濃厚な着
色を施しである。また、接着剤７の屈折率は１．４以下
である。第１図から明らかなように、発光素子４ｂある
いは２ｂから発した光信号は全て樹脂３中に入射する。
樹脂３中に入射した光信号は、屈折率の高い樹脂３と屈
折率の低い接着剤７の境界面で全反射を行いながら樹脂
３中を伝搬し、受光素子２ａあるいは４ａにほとんど損
失なく到達する。
折率の低い接着剤７の境界面で全反射を行いながら樹脂
３中を伝搬し、受光素子２ａあるいは４ａにほとんど損
失なく到達する。
また、わずかにもれ比した光は、接着剤７中に混入しで
ある多量の色素により吸収され、隣あった素子間でのク
ロストークを極力抑えるように工夫されている。このよ
うに本発明では、光信号を基板６と半導体素子１０間を
少ない損失で、なおかつクロストークを起こさないよう
伝達することが出来る。
ある多量の色素により吸収され、隣あった素子間でのク
ロストークを極力抑えるように工夫されている。このよ
うに本発明では、光信号を基板６と半導体素子１０間を
少ない損失で、なおかつクロストークを起こさないよう
伝達することが出来る。
また、接着剤７として、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、
常温硬化性樹脂、嫌気性樹脂、光硬化性樹脂、電子線硬
化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、等の接着剤を使用しても
よい。ただし、接着剤の屈折率は、樹脂３の屈折率に比
べ小さくなければならない。
常温硬化性樹脂、嫌気性樹脂、光硬化性樹脂、電子線硬
化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、等の接着剤を使用しても
よい。ただし、接着剤の屈折率は、樹脂３の屈折率に比
べ小さくなければならない。
この様にして、第１図に示したような半導体装置を作成
した。
した。
なお、樹脂３の形成は、基板６上に行なっても同様の効
果が得られることは明らかである。
果が得られることは明らかである。
（実施例２）
第３図は、本発明の一実施例を示す半導体装置の断面図
であり、１は半導体素子、２ａは受光素子、２ｂは発光
素子、３は樹脂、６は基板、７は接着剤、８は光導波路
である。
であり、１は半導体素子、２ａは受光素子、２ｂは発光
素子、３は樹脂、６は基板、７は接着剤、８は光導波路
である。
まず、セラミック性の基板６上に半導体素子１上の受光
素子２ａおよび発光素子２ｂと対応する形にＳｉ○２系
光導波光導波路８する。基板６として、ガラスエポキシ
基板、ガラス基板、ポリイミド基板、等を用いてもよい
。光導波路８として、Ｌ ｉ Ｎ ｂ Ｏ３光導波路、
Ａｌ２Ｏ３光導波路、等を使用してもよい。
素子２ａおよび発光素子２ｂと対応する形にＳｉ○２系
光導波光導波路８する。基板６として、ガラスエポキシ
基板、ガラス基板、ポリイミド基板、等を用いてもよい
。光導波路８として、Ｌ ｉ Ｎ ｂ Ｏ３光導波路、
Ａｌ２Ｏ３光導波路、等を使用してもよい。
半導体素子１上にシリコン系樹脂３を凹版転写印刷法を
用いて受光素子２ａと発光素子２ｂ上にのみ印刷する。
用いて受光素子２ａと発光素子２ｂ上にのみ印刷する。
このとき樹脂３の厚みが約２０μｍとなるよう印刷を行
なう。印刷した樹脂３を硬化させるため、１７５°Ｃで
約１５分間の硬化を行い第２図に示す構造を形成する。
なう。印刷した樹脂３を硬化させるため、１７５°Ｃで
約１５分間の硬化を行い第２図に示す構造を形成する。
このとき用いた樹脂はシリコン系の樹脂であり、その屈
折率は１゜６であった。また、樹脂３として、屈折率が
１゜５以上であれば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、常
温硬化性樹脂、嫌気性樹脂、光硬化性樹脂、電子線硬化
性樹脂、紫外線硬化性樹脂、等の接着剤を使用してもよ
い。
折率は１゜６であった。また、樹脂３として、屈折率が
１゜５以上であれば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、常
温硬化性樹脂、嫌気性樹脂、光硬化性樹脂、電子線硬化
性樹脂、紫外線硬化性樹脂、等の接着剤を使用してもよ
い。
基板６上にエポキシ系接着剤７を塗布し、半導体素子１
の発光素子２ｂおよび受光素子４ａと基板６上の光導波
路８とを位置合わせを行なった後、半導体素子１を約１
ｋｇ／Ｃｍ２の圧力で加圧しかつ、１８０°Ｃに加熱し
１０秒間硬化させ半導体素子１を基板６上に圧着固定す
る。接着剤７は、樹脂３中で全反射せずもれ出した光を
吸収するため濃厚な着色を施しである。また、接着剤７
の屈折率は１．４以下である。光導波路８を伝搬してき
た光信号は樹脂３中に入射し、樹脂３と接着剤７の境界
面で全反射を行いながら樹脂３中を伝わり、受光素子２
ａにほとんど損失なく到達する。また、発光素子２ｂか
ら発した光信号は同様に樹脂３と接着剤７の境界面で全
反射を行いながら樹脂３中を伝わり、光導波路８に伝搬
する。この様に光信号が樹脂３中から接着剤７中へもれ
出しにくいよう工夫されている。また、わずかにもれ出
した光は、接着剤７中に混入しである多量の色素により
吸収され、隣あった素子間でのクロストークを極力抑え
るように工夫されている。
の発光素子２ｂおよび受光素子４ａと基板６上の光導波
路８とを位置合わせを行なった後、半導体素子１を約１
ｋｇ／Ｃｍ２の圧力で加圧しかつ、１８０°Ｃに加熱し
１０秒間硬化させ半導体素子１を基板６上に圧着固定す
る。接着剤７は、樹脂３中で全反射せずもれ出した光を
吸収するため濃厚な着色を施しである。また、接着剤７
の屈折率は１．４以下である。光導波路８を伝搬してき
た光信号は樹脂３中に入射し、樹脂３と接着剤７の境界
面で全反射を行いながら樹脂３中を伝わり、受光素子２
ａにほとんど損失なく到達する。また、発光素子２ｂか
ら発した光信号は同様に樹脂３と接着剤７の境界面で全
反射を行いながら樹脂３中を伝わり、光導波路８に伝搬
する。この様に光信号が樹脂３中から接着剤７中へもれ
出しにくいよう工夫されている。また、わずかにもれ出
した光は、接着剤７中に混入しである多量の色素により
吸収され、隣あった素子間でのクロストークを極力抑え
るように工夫されている。
接着剤７として、屈折率が１．５未満であれば、熱硬化
性樹脂、熱可塑性樹脂、常温硬化性樹脂、嫌気性樹脂、
光硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、
等の接着剤を使用してもよい。
性樹脂、熱可塑性樹脂、常温硬化性樹脂、嫌気性樹脂、
光硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、
等の接着剤を使用してもよい。
この様にして、第３閏に示したような半導体装置を作成
した。
した。
（実施例３）
第４図は、本発明の一実施一例を示す半導体装置の断面
図であり、１は半導体素子、２ａは受光素子、２ｂは発
光素子、６は基板、７は接着剤、８は光導波路、９は樹
脂ボールである。
図であり、１は半導体素子、２ａは受光素子、２ｂは発
光素子、６は基板、７は接着剤、８は光導波路、９は樹
脂ボールである。
まず、実施例２に示した方法により基板６上に光導波路
８を形成する。つぎに、濃厚な色素を含んだエポキシ系
接着剤７中に８μｍの平均直径をもつ樹脂ボール９を約
１０体積％混入し、約５分間混練する事で樹脂ボール９
を接着剤７中に一様に分散させる。この時使用した樹脂
ボール９は、アクリル系樹脂で出来ており、その屈折率
は、１゜５４であった。この接着剤７を基板６上に塗布
した後、半導体素子１の発光素子２ｂおよび受光素子２
ａと基板６上の光導波路８とを位置合わせを行なった後
、半導体素子１を約３ｋｇ／ａｍ２の圧力で加圧しかつ
、１８０°Ｃに加熱し１０秒間硬化させ半導体素子１を
基板６上に圧着固定する。接着剤７は、樹脂ボール９中
で全反射せずもれ出した光を吸収するため濃厚な着色を
施しである。また、接着剤７の屈折率は１．４以下であ
る。接着剤７として、屈折率が１．５未満であれば、熱
硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、常温硬化性樹脂、嫌気性樹
脂、光硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹
脂、等の接着剤を使用してもよい。
８を形成する。つぎに、濃厚な色素を含んだエポキシ系
接着剤７中に８μｍの平均直径をもつ樹脂ボール９を約
１０体積％混入し、約５分間混練する事で樹脂ボール９
を接着剤７中に一様に分散させる。この時使用した樹脂
ボール９は、アクリル系樹脂で出来ており、その屈折率
は、１゜５４であった。この接着剤７を基板６上に塗布
した後、半導体素子１の発光素子２ｂおよび受光素子２
ａと基板６上の光導波路８とを位置合わせを行なった後
、半導体素子１を約３ｋｇ／ａｍ２の圧力で加圧しかつ
、１８０°Ｃに加熱し１０秒間硬化させ半導体素子１を
基板６上に圧着固定する。接着剤７は、樹脂ボール９中
で全反射せずもれ出した光を吸収するため濃厚な着色を
施しである。また、接着剤７の屈折率は１．４以下であ
る。接着剤７として、屈折率が１．５未満であれば、熱
硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、常温硬化性樹脂、嫌気性樹
脂、光硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹
脂、等の接着剤を使用してもよい。
この様にして、第４図に示したような半導体装置を作成
した。
した。
この構造を持つ半導体装置では、光導波路８を伝わって
きた光信号は、一部は接着剤７中に入射するため、接着
剤中で吸収され損失となる。樹脂ボール９に入射した光
信号は、実施例１および実施例２に示した樹脂３中を伝
搬する光信号と同じように、樹脂ボール９中を伝搬し、
対向し−ている受光素子２ａに到達する。また、発光素
子２ｂから発した光信号も同様に樹脂ボール９中を伝搬
し、光導波路８に到達する。このように実施例１および
実施例２で示した半導体装置にくらべ、実施例３で示し
た半導体装置は、光信号の伝搬動車が若干低くなる短所
を持つが、樹脂３を半導体素子１あるいは基板６上に形
成する行程を削減できることによる製造コストの低下を
可能とする。どちらの方式を選択するかは、設計上、コ
スト上、等各種の条件を勘案して選択すればよい。
きた光信号は、一部は接着剤７中に入射するため、接着
剤中で吸収され損失となる。樹脂ボール９に入射した光
信号は、実施例１および実施例２に示した樹脂３中を伝
搬する光信号と同じように、樹脂ボール９中を伝搬し、
対向し−ている受光素子２ａに到達する。また、発光素
子２ｂから発した光信号も同様に樹脂ボール９中を伝搬
し、光導波路８に到達する。このように実施例１および
実施例２で示した半導体装置にくらべ、実施例３で示し
た半導体装置は、光信号の伝搬動車が若干低くなる短所
を持つが、樹脂３を半導体素子１あるいは基板６上に形
成する行程を削減できることによる製造コストの低下を
可能とする。どちらの方式を選択するかは、設計上、コ
スト上、等各種の条件を勘案して選択すればよい。
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明は基板上の発光
素子と半導体素子上の受光素子を、および半導体素子上
の発光素子と基板上の受光素子、または、基板上の光導
波路と半導体素子上の発光素子あるいは受光素子とを、
樹脂または樹脂ボールを介して光学的に接続することを
可能とするものである。このように光学的に接続された
半導体装置では、情報伝達量が電気信号にくらべ格段に
高い光信号を用いることにより、情報処理能力が飛躍的
に増す。また、接続ピッチが狭くなり配線パターンや接
続部が狭くなった場合でも、電送する信号の劣化は生じ
難く、微細ピッチの接続が可能となる。
素子と半導体素子上の受光素子を、および半導体素子上
の発光素子と基板上の受光素子、または、基板上の光導
波路と半導体素子上の発光素子あるいは受光素子とを、
樹脂または樹脂ボールを介して光学的に接続することを
可能とするものである。このように光学的に接続された
半導体装置では、情報伝達量が電気信号にくらべ格段に
高い光信号を用いることにより、情報処理能力が飛躍的
に増す。また、接続ピッチが狭くなり配線パターンや接
続部が狭くなった場合でも、電送する信号の劣化は生じ
難く、微細ピッチの接続が可能となる。
第１図は、本発明における半導体装置の一実施例を示す
断面図である。 第２図は、半導体素子上に樹脂を形成した一実施例を示
した断面図である。 第３図は、本発明における半導体装置の一実施例を示し
た断面図である。 第４図は、本発明における半導体装置の一実施例を示し
た断面図である。 第５図は、従来例を示した断面図である。 に半導体素子、２ａ： 受光素子、２ｂ； 発光素子、
３：樹脂、４ａ：受光素子、４ｂ； 発光素子、５ａ：
配線パターン、５ｂ： 配線パターン、６：基板、
７：接着剤、８： 光導波路、９；樹脂ボール、１０：
半導体素子、１１： 電極、１２：配線パターン
、１３： 金ワイヤ−１４： 接着剤、１５： 基板 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 第３図 第４図
断面図である。 第２図は、半導体素子上に樹脂を形成した一実施例を示
した断面図である。 第３図は、本発明における半導体装置の一実施例を示し
た断面図である。 第４図は、本発明における半導体装置の一実施例を示し
た断面図である。 第５図は、従来例を示した断面図である。 に半導体素子、２ａ： 受光素子、２ｂ； 発光素子、
３：樹脂、４ａ：受光素子、４ｂ； 発光素子、５ａ：
配線パターン、５ｂ： 配線パターン、６：基板、
７：接着剤、８： 光導波路、９；樹脂ボール、１０：
半導体素子、１１： 電極、１２：配線パターン
、１３： 金ワイヤ−１４： 接着剤、１５： 基板 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 第３図 第４図
Claims (4)
- （１）半導体素子の能動面を基板と対向させて接続する
構造の半導体装置において、 前記半導体素子上の受光素子で形成された入力端子また
は発光素子で形成された出力端子と、前記基板上に前記
半導体素子の端子に対応して設けられた受光素子または
発光素子とを樹脂を介して光学的に接続することを特徴
とする半導体装置。 - （２）上記基板上に前記半導体素子上の入力端子または
出力端子と対応して光導波路を形成した特許請求の範囲
第１項記載の半導体装置。 - （３）樹脂の屈折率を１．５以上とした特許請求の範囲
第１項および第２項記載の半導体装置。 - （４）上記樹脂を球状にし、接着剤中に分散させたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項および第２項記載の
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2232963A JP3021582B2 (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2232963A JP3021582B2 (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04113675A true JPH04113675A (ja) | 1992-04-15 |
| JP3021582B2 JP3021582B2 (ja) | 2000-03-15 |
Family
ID=16947620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2232963A Expired - Fee Related JP3021582B2 (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3021582B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999017142A1 (fr) * | 1997-10-01 | 1999-04-08 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Processeur optique d'informations |
| WO2000055925A1 (en) * | 1999-03-17 | 2000-09-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Opto-electronic element |
| JP2002098851A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-04-05 | Sony Corp | 光バス部材の製造方法及び光バス装置 |
| JP2007199657A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-08-09 | Kyocera Corp | 光配線モジュール |
| JP2011044737A (ja) * | 2005-12-28 | 2011-03-03 | Kyocera Corp | 光配線モジュール |
-
1990
- 1990-09-03 JP JP2232963A patent/JP3021582B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999017142A1 (fr) * | 1997-10-01 | 1999-04-08 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Processeur optique d'informations |
| WO2000055925A1 (en) * | 1999-03-17 | 2000-09-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Opto-electronic element |
| US6392778B1 (en) | 1999-03-17 | 2002-05-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Opto-electronic element |
| EP1912264A1 (en) * | 1999-03-17 | 2008-04-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Opto-electronic element |
| JP2002098851A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-04-05 | Sony Corp | 光バス部材の製造方法及び光バス装置 |
| JP2007199657A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-08-09 | Kyocera Corp | 光配線モジュール |
| JP2011044737A (ja) * | 2005-12-28 | 2011-03-03 | Kyocera Corp | 光配線モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3021582B2 (ja) | 2000-03-15 |
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