JPH04114317A - 磁気デイスクおよびその製法 - Google Patents
磁気デイスクおよびその製法Info
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- JPH04114317A JPH04114317A JP23468490A JP23468490A JPH04114317A JP H04114317 A JPH04114317 A JP H04114317A JP 23468490 A JP23468490 A JP 23468490A JP 23468490 A JP23468490 A JP 23468490A JP H04114317 A JPH04114317 A JP H04114317A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ディスクおよびその製法に関する。
さらに詳しくは、耐久性および信頼性が向上した保護層
および潤滑剤層が形成された磁気ディスクおよびその製
法に関する。
および潤滑剤層が形成された磁気ディスクおよびその製
法に関する。
従来の磁気ディスクとしては、横方「
アルミ合金またはＮ１−Ｃｕ−Ｐ合金製ＣＦｅと酸素を
用いて反応性スパッタ法７からなる層を形成したのち、
さらに大気中で酸化することによりγ−Ｆｅ２ｅｍから
なる磁性層としたものや、アルミ合金製の基板上にＮ１
−Ｐ合金の下地層をメツキ法により形成し、さらにその
上にＮ１−Ｃｕ−Ｐ合金の磁性層をメツキ法により形成
したものなどが知られている。さらに、磁気ヘッドとの
摺動特性を向上させ、下地層および磁性層を保護するた
めに、前記のような磁気ディスクの磁性層上にスパッタ
法、電子ビーム蒸着法、気相化学蒸着（Ｃｈｅｍｉｃａ
ｌ Ｖａｐｏｔ ＤｅｐｏｓＨｉｏｎ： ＣＶＤ）法な
どによりカーボン保護膜や硬質非晶質炭素保護膜を形成
すること、フッ素系潤滑剤をスピンコード法、デイツプ
コート法などにより塗布したりして潤滑膜を形成するこ
となどが行なわれている。これらの技術は、日本応用磁
気学会誌、Ｖｏｌ、 ＩＱ、Ｎｏ’、Ｉ、ｐ、 ６ （
１９８６］ などに記載されている。
用いて反応性スパッタ法７からなる層を形成したのち、
さらに大気中で酸化することによりγ−Ｆｅ２ｅｍから
なる磁性層としたものや、アルミ合金製の基板上にＮ１
−Ｐ合金の下地層をメツキ法により形成し、さらにその
上にＮ１−Ｃｕ−Ｐ合金の磁性層をメツキ法により形成
したものなどが知られている。さらに、磁気ヘッドとの
摺動特性を向上させ、下地層および磁性層を保護するた
めに、前記のような磁気ディスクの磁性層上にスパッタ
法、電子ビーム蒸着法、気相化学蒸着（Ｃｈｅｍｉｃａ
ｌ Ｖａｐｏｔ ＤｅｐｏｓＨｉｏｎ： ＣＶＤ）法な
どによりカーボン保護膜や硬質非晶質炭素保護膜を形成
すること、フッ素系潤滑剤をスピンコード法、デイツプ
コート法などにより塗布したりして潤滑膜を形成するこ
となどが行なわれている。これらの技術は、日本応用磁
気学会誌、Ｖｏｌ、 ＩＱ、Ｎｏ’、Ｉ、ｐ、 ６ （
１９８６］ などに記載されている。
しかし、従来のカーボン保護膜を形成した磁気ディスク
は、そのカーボン保護膜の硬度があまり高くなく （）
ｌｙ〜１２θＯ）、薄膜磁気ヘッドやコンポジットタイ
プの磁気ヘッドスライダ−の硬度（Ｈマー２０００）よ
りも低いため、Ｃ８Ｓ動作においてカーボン保護膜自体
が削れて磁性膜に悪影響を与えることがあり、充分な耐
久性および信頼性を有するものとはいえない。該カーボ
ン保護膜上にフッ素系潤滑剤を塗布することによって、
ヘッドとの間の潤滑性はある程度改善できるが、カーボ
ン保護膜自体の硬度不足からくるＣ８Ｓ特性の劣化はま
ぬがれない。
は、そのカーボン保護膜の硬度があまり高くなく （）
ｌｙ〜１２θＯ）、薄膜磁気ヘッドやコンポジットタイ
プの磁気ヘッドスライダ−の硬度（Ｈマー２０００）よ
りも低いため、Ｃ８Ｓ動作においてカーボン保護膜自体
が削れて磁性膜に悪影響を与えることがあり、充分な耐
久性および信頼性を有するものとはいえない。該カーボ
ン保護膜上にフッ素系潤滑剤を塗布することによって、
ヘッドとの間の潤滑性はある程度改善できるが、カーボ
ン保護膜自体の硬度不足からくるＣ８Ｓ特性の劣化はま
ぬがれない。
一方、前記硬質非晶質炭素保護膜は、薄膜磁気ヘッドや
コンポジットタイプの磁気ヘッドの硬度に匹敵する硬度
（Ｈｖ〜２ＨＯ）を有するものも形成しうるが、硬度が
高いものはヘッドに対する摩擦係数が大きく、また摩擦
係数が小さいものは硬度が不足する。そこで、硬さの違
う非晶質炭素膜を２層重ねて特性を改善しようとしたも
のもあるが、表面保護膜の摩耗による摩擦係数の増大が
懸念される。
コンポジットタイプの磁気ヘッドの硬度に匹敵する硬度
（Ｈｖ〜２ＨＯ）を有するものも形成しうるが、硬度が
高いものはヘッドに対する摩擦係数が大きく、また摩擦
係数が小さいものは硬度が不足する。そこで、硬さの違
う非晶質炭素膜を２層重ねて特性を改善しようとしたも
のもあるが、表面保護膜の摩耗による摩擦係数の増大が
懸念される。
また、ビッカース硬度２００（ｌ程度の硬質非晶質炭素
膜上にフッ素系潤滑剤を塗布すれば摩耗特性、摩擦係数
の両者ともに満足したディスク保護層かえられると考え
られるが、硬質非晶質炭素膜自体の撥水性がかなり大き
いため塗布したフッ素系潤滑剤の保持が困難であり、磁
気ディスクの回転にともないフッ素系潤滑剤が飛散した
り、放置時間および放置温度に依存してフッ素系潤滑剤
が蒸発したりする。その結果、保護層の磁気ヘッドに対
する潤滑効果が劣化し、磁気ディスクや磁気ヘッドに損
傷が生じやすくなり、充分な耐久性および信頼性かえら
れないという問題がある。なお、前記飛散現象について
は、イー イー フランス（Ｅ、 Ｅ、 Ｋｌａｎｓ）
およびビー ブーシャン（Ｂ、 Ｂｈｕｓｈｘｎ） ；
ｘイｘスェルイー （ＡＳＬＥ）ＳＰ−２０（１９８
５）などに記載されている。
膜上にフッ素系潤滑剤を塗布すれば摩耗特性、摩擦係数
の両者ともに満足したディスク保護層かえられると考え
られるが、硬質非晶質炭素膜自体の撥水性がかなり大き
いため塗布したフッ素系潤滑剤の保持が困難であり、磁
気ディスクの回転にともないフッ素系潤滑剤が飛散した
り、放置時間および放置温度に依存してフッ素系潤滑剤
が蒸発したりする。その結果、保護層の磁気ヘッドに対
する潤滑効果が劣化し、磁気ディスクや磁気ヘッドに損
傷が生じやすくなり、充分な耐久性および信頼性かえら
れないという問題がある。なお、前記飛散現象について
は、イー イー フランス（Ｅ、 Ｅ、 Ｋｌａｎｓ）
およびビー ブーシャン（Ｂ、 Ｂｈｕｓｈｘｎ） ；
ｘイｘスェルイー （ＡＳＬＥ）ＳＰ−２０（１９８
５）などに記載されている。
本発明は、かかる従来の問題点を解消するためになされ
たものであり、潤滑剤の飛散、蒸発現象がほとんどなく
、保護層の摩耗もないため保護層自体の厚さが薄く、そ
の結果として再生出力が高く、さらに実用上充分な耐久
性および耐食性を有する磁気ディスクおよびその製法を
提供することを目的とする。
たものであり、潤滑剤の飛散、蒸発現象がほとんどなく
、保護層の摩耗もないため保護層自体の厚さが薄く、そ
の結果として再生出力が高く、さらに実用上充分な耐久
性および耐食性を有する磁気ディスクおよびその製法を
提供することを目的とする。
本発明は、
非磁性基体上に、金属、金属酸化物、金属チッ化物また
はそれらの複合体で構成された磁性層が形成され、該磁
性層上に硬質非晶質炭素を主体とし、親水性に改質され
た表面を有する保護層が形成され、該保護層上に親水性
官能基を有するフッ素系極性潤滑剤層が形成されてなる
磁気ディスク、非磁性基体上に金属、金属酸化物、金属
チッ化物またはそれらの複合体で構成された磁性層が形
成され、該磁性層上に硬質非晶質炭素を主体とする保護
層が形成された基板（以下、基板（イ）という）の保護
層表面を、 装置真空に排気されたのち酸素ガス（０，）、チッ素ガ
ス（Ｎ、）、アンモニアガス（ＮＨ３）、水蒸気（Ｈ２
０） 一酸化炭素ガス（ＣＯ）および二酸化炭素ガス
（ＣＯりよりなる群から選ばれた少なくとも１種のガス
が導入された高周波プラズマ処理室内で、ガス圧１〜１
０００ｍＴｏｒｒでプラズマ処理し、Ｂ）排気されたの
ち０２、Ｎ、 、ＮＨ，、Ｈ２Ｏ５ＣＯオよびＣｏｔよ
りなる群から選ばれた少なくとも１種のガスが導入され
た紫外線照射室内で、紫外線照射し、 （Ｃ）オゾン発生装置を備えた容器内でオゾンを発生さ
せてオゾンにさらし、 （ＤＪイオン銃を備えた真空容器内で、高真空に排気さ
れたのち Ｎ！、アルゴンガス（Ａ「）およびｏ２より
なる群から選ばれた少なくとも１種のガスを用いて圧力
０．０１〜Ｉ００ｍＴｏｒｒでイオンボンバード処理し
、または Ｕ高真空に排気されたのち＾ｒ、 Ｏｘ、Ｎ、 、ＮＨ
，、Ｈ２０、ＣｏおよびＣｏｔよりなる群から選ばれた
少なくとも１種のガスが導入されたスパッタ真空室内で
、ガス圧１〜１０（ｌｏｍＴｏｒｒで逆スパッタ処理し
、 ついで該保護層上に親水性官能基を有するフッ素系極性
潤滑剤層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製
法および 非磁性基体上に金属、金属酸化物、金属チッ化物または
それらの複合体で構成された磁性層が形成された基板（
以下、基板（２）という）の磁性層上に、（ｎ高真空に
排気されたのちメタンガス（ＣＨ４）および水素ガス（
Ｈ２）の混合ガスが導入された高周波プラズマＣＶＤ成
膜室内で、ガス圧１〜２０００ｍＴｏｒｒ 、放電電力
２〜３００ Ｗで硬質非晶質炭素膜かＣ１なる保護層を
形成したのち、該室内の真空を破ることなく連続して該
室内にＯｘ、Ｌ、ＮＨ＝ 、Ｈ２０、ＣＯおよびＣｏｔ
よりなる群から選ばれた少なくとも１種のガスを導入し
、ガス圧力１〜Ｉ０００ｍＴｏｒｒ 、放電電力２〜２
ｏｏｗで前記保護層表面をプラズマ処理し、または れ高真空に排気されたのち水素ガスが導入された高周波
スパッタ成膜室内で、ガス圧１〜２００ｍＴｏ＋ｒ 、
放電電力２〜２０００Ｗで硬質非晶質炭素膜からなる保
護層を形成したのち、該室内の真空を破ることなく連続
して該室内に０２、Ｎ２、Ｎ）Ｉｓ 、Ｈ２０、Ｃｏお
よびｃｏｔ ヨりなる群かう選ハれた少なくとも１種の
ガスを導入し、ガス圧１〜１０００ｍＴｏｒｒ、放電電
力２〜１０００Ｗテ前記保護層表面をスパッタ処理し、 ついで該保護層上に親水性官能基を有するフッ素系極性
潤滑剤層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製
法 に関する。
はそれらの複合体で構成された磁性層が形成され、該磁
性層上に硬質非晶質炭素を主体とし、親水性に改質され
た表面を有する保護層が形成され、該保護層上に親水性
官能基を有するフッ素系極性潤滑剤層が形成されてなる
磁気ディスク、非磁性基体上に金属、金属酸化物、金属
チッ化物またはそれらの複合体で構成された磁性層が形
成され、該磁性層上に硬質非晶質炭素を主体とする保護
層が形成された基板（以下、基板（イ）という）の保護
層表面を、 装置真空に排気されたのち酸素ガス（０，）、チッ素ガ
ス（Ｎ、）、アンモニアガス（ＮＨ３）、水蒸気（Ｈ２
０） 一酸化炭素ガス（ＣＯ）および二酸化炭素ガス
（ＣＯりよりなる群から選ばれた少なくとも１種のガス
が導入された高周波プラズマ処理室内で、ガス圧１〜１
０００ｍＴｏｒｒでプラズマ処理し、Ｂ）排気されたの
ち０２、Ｎ、 、ＮＨ，、Ｈ２Ｏ５ＣＯオよびＣｏｔよ
りなる群から選ばれた少なくとも１種のガスが導入され
た紫外線照射室内で、紫外線照射し、 （Ｃ）オゾン発生装置を備えた容器内でオゾンを発生さ
せてオゾンにさらし、 （ＤＪイオン銃を備えた真空容器内で、高真空に排気さ
れたのち Ｎ！、アルゴンガス（Ａ「）およびｏ２より
なる群から選ばれた少なくとも１種のガスを用いて圧力
０．０１〜Ｉ００ｍＴｏｒｒでイオンボンバード処理し
、または Ｕ高真空に排気されたのち＾ｒ、 Ｏｘ、Ｎ、 、ＮＨ
，、Ｈ２０、ＣｏおよびＣｏｔよりなる群から選ばれた
少なくとも１種のガスが導入されたスパッタ真空室内で
、ガス圧１〜１０（ｌｏｍＴｏｒｒで逆スパッタ処理し
、 ついで該保護層上に親水性官能基を有するフッ素系極性
潤滑剤層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製
法および 非磁性基体上に金属、金属酸化物、金属チッ化物または
それらの複合体で構成された磁性層が形成された基板（
以下、基板（２）という）の磁性層上に、（ｎ高真空に
排気されたのちメタンガス（ＣＨ４）および水素ガス（
Ｈ２）の混合ガスが導入された高周波プラズマＣＶＤ成
膜室内で、ガス圧１〜２０００ｍＴｏｒｒ 、放電電力
２〜３００ Ｗで硬質非晶質炭素膜かＣ１なる保護層を
形成したのち、該室内の真空を破ることなく連続して該
室内にＯｘ、Ｌ、ＮＨ＝ 、Ｈ２０、ＣＯおよびＣｏｔ
よりなる群から選ばれた少なくとも１種のガスを導入し
、ガス圧力１〜Ｉ０００ｍＴｏｒｒ 、放電電力２〜２
ｏｏｗで前記保護層表面をプラズマ処理し、または れ高真空に排気されたのち水素ガスが導入された高周波
スパッタ成膜室内で、ガス圧１〜２００ｍＴｏ＋ｒ 、
放電電力２〜２０００Ｗで硬質非晶質炭素膜からなる保
護層を形成したのち、該室内の真空を破ることなく連続
して該室内に０２、Ｎ２、Ｎ）Ｉｓ 、Ｈ２０、Ｃｏお
よびｃｏｔ ヨりなる群かう選ハれた少なくとも１種の
ガスを導入し、ガス圧１〜１０００ｍＴｏｒｒ、放電電
力２〜１０００Ｗテ前記保護層表面をスパッタ処理し、 ついで該保護層上に親水性官能基を有するフッ素系極性
潤滑剤層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製
法 に関する。
本発明の磁気ディスクは、磁性層上に形成された硬質非
晶質炭素を主体とする保護層の最表面が、０２、Ｎ、な
どのガスによるプラズマ処理、紫外線照射処理、オゾン
処理、イオンボンバード処理または逆スパッタリング処
理によって親水性に改質され、その上に親水性官能基を
分子内に有するフッ素系極性潤滑剤が塗布されているの
で、保護層表面とフッ素系極性潤滑剤分子との相互作用
が強く、該フッ素系極性潤滑剤が保護層上に強く保持さ
れ、潤滑剤分子の飛散や蒸発がほとんど生じず、潤滑剤
層が薄くならず、充分な機械的耐久性を有するとともに
充分な撥水性を有すると考えられる。
晶質炭素を主体とする保護層の最表面が、０２、Ｎ、な
どのガスによるプラズマ処理、紫外線照射処理、オゾン
処理、イオンボンバード処理または逆スパッタリング処
理によって親水性に改質され、その上に親水性官能基を
分子内に有するフッ素系極性潤滑剤が塗布されているの
で、保護層表面とフッ素系極性潤滑剤分子との相互作用
が強く、該フッ素系極性潤滑剤が保護層上に強く保持さ
れ、潤滑剤分子の飛散や蒸発がほとんど生じず、潤滑剤
層が薄くならず、充分な機械的耐久性を有するとともに
充分な撥水性を有すると考えられる。
本発明の磁気ディスクは、非磁性基体上に磁性層、硬質
非晶質炭素を主体とし、親水性に改質された表面を有す
る保護層、さらに親水性官能基を有するフッ素系極性潤
滑剤層が形成されたものである。
非晶質炭素を主体とし、親水性に改質された表面を有す
る保護層、さらに親水性官能基を有するフッ素系極性潤
滑剤層が形成されたものである。
前記非磁性基体にとくに限定はなく、その具体例として
は、たとえばアルミニウム合金、ステンレス合金、ステ
ンレススチール、セラミックス、プラスチックス、ガラ
スなどのいずれか１種以上からなるものがあげられる。
は、たとえばアルミニウム合金、ステンレス合金、ステ
ンレススチール、セラミックス、プラスチックス、ガラ
スなどのいずれか１種以上からなるものがあげられる。
前記磁性層は金属、金属酸化物、金属チッ化物またはそ
れらの複合体で構成された層である。該金属の具体例と
しては、たとえばＣｏ−Ｎ１−Ｃ＋金合金（ｏ−Ｎｉ−
Ｐ合金などがあげられ、金属酸化物の具体例としては、
たとえばγ−Ｆｅ２Ｏ３などがあげられ、金属チッ化物
の具体例としては、たとえばＦｅＮなどがあげられ、ま
た、それらの複合体の具体例としては、たとえばγ−Ｆ
ｅ２０ ｓ ／ （：ｏなどがあげられる。磁性層の厚
さは２００〜２０００人程度である。
れらの複合体で構成された層である。該金属の具体例と
しては、たとえばＣｏ−Ｎ１−Ｃ＋金合金（ｏ−Ｎｉ−
Ｐ合金などがあげられ、金属酸化物の具体例としては、
たとえばγ−Ｆｅ２Ｏ３などがあげられ、金属チッ化物
の具体例としては、たとえばＦｅＮなどがあげられ、ま
た、それらの複合体の具体例としては、たとえばγ−Ｆ
ｅ２０ ｓ ／ （：ｏなどがあげられる。磁性層の厚
さは２００〜２０００人程度である。
また、前記非磁性基体と磁性層との間にＮ１−Ｐめっき
層などの下地硬化層が形成されていてもよい。
層などの下地硬化層が形成されていてもよい。
前記保護層は、微視的にはＳＦ３およびＳＰ３結合を有
する炭素が混在したものであるが、長距離秩序はなくア
モルファス（非晶質）である。通常の炭素膜に比べ膜の
硬度が非常に高い（ビッカース硬度２０００以上）とい
う特徴を有するものである。
する炭素が混在したものであるが、長距離秩序はなくア
モルファス（非晶質）である。通常の炭素膜に比べ膜の
硬度が非常に高い（ビッカース硬度２０００以上）とい
う特徴を有するものである。
また、保護層の表面は、プラズマ処理により表面に存在
する酸素原子やチッ素原子の数が増加している。ＸＰＳ
などのスペクトル分析により保護層表面には−Ｏｆｆ
、−ＮＯ３などの官能基が形成されていることがわかる
。これによって表面は親水性になっており、純水を用い
た接触角の測定では無処理の８０°から処理後１０〜２
０°にまで小さくなっており表面が疎水性から親水性に
変わっていることがわかる。
する酸素原子やチッ素原子の数が増加している。ＸＰＳ
などのスペクトル分析により保護層表面には−Ｏｆｆ
、−ＮＯ３などの官能基が形成されていることがわかる
。これによって表面は親水性になっており、純水を用い
た接触角の測定では無処理の８０°から処理後１０〜２
０°にまで小さくなっており表面が疎水性から親水性に
変わっていることがわかる。
保護層の厚さは５０〜２００人が好ましい。保護層の厚
さが５０人未満では、保護層が一様に形成できないばあ
いかあり、２００人をこえると磁性体と磁気ヘッドとの
距離が長くなるため記録再生特性の劣化をまねくばあい
がある。
さが５０人未満では、保護層が一様に形成できないばあ
いかあり、２００人をこえると磁性体と磁気ヘッドとの
距離が長くなるため記録再生特性の劣化をまねくばあい
がある。
前記潤滑剤層を形成するフッ素系極性潤滑剤に含有され
る親水性官能基としては、たとえばカルボキシル基、ア
ミノ基、水酸基、シラノール基、スルホン酸基、リン酸
基、アルコキシ基などがあげられる。
る親水性官能基としては、たとえばカルボキシル基、ア
ミノ基、水酸基、シラノール基、スルホン酸基、リン酸
基、アルコキシ基などがあげられる。
前記カルボキシル基を分子内に少なくとも１個、好まし
くは１〜２０個有する潤滑剤の具体例としては、たとえ
ば一般式（Ｉ）： （式中、ｎは１〜５０の整数を示す）で表わされる化合
物、一般式０： ％式％） （式中、ｍ、ｎはそれぞれ１〜５ｏの整数を示す）で表
わされる化合物、一般式（至）： Ｆ−（ＣＦり Ｃ００Ｈ （至） （式中、ｎは１〜２０の整数を示す）で表わされる化合
物などがあげられる。
くは１〜２０個有する潤滑剤の具体例としては、たとえ
ば一般式（Ｉ）： （式中、ｎは１〜５０の整数を示す）で表わされる化合
物、一般式０： ％式％） （式中、ｍ、ｎはそれぞれ１〜５ｏの整数を示す）で表
わされる化合物、一般式（至）： Ｆ−（ＣＦり Ｃ００Ｈ （至） （式中、ｎは１〜２０の整数を示す）で表わされる化合
物などがあげられる。
前記一般式（Ｉ）で表わされる化合物の具体例としテハ
、タトえばデュポン社製ノＫＲＹＴＯＸ １５７Ｆｓ（
Ｌ）ＫＲＹＴＯＸ １５７Ｆｓ（Ｍ） ＫＲＹＴ
ＯＸ １５７ＦＳ（旧（添字〕（Ｌ）（Ｍ）（旧はそれ
ぞれ平均分子量で分けられ、分子式中のｎが異なるもの
である）などがあげられる。一般式（２）で表わされる
化合物の具体例としては、たとえばモンテフロース社製
の２−Ｄ ＩＡＣなどがあげられる。一般式（至）で表
わされる化合物の具体例としては、たとえば大日本イン
キ化学工業■製のメガファック Ｆ−１２０（Ｆ−（Ｃ
Ｆ２ ）ｓ −Ｃ００Ｈ）などがあげられる。
、タトえばデュポン社製ノＫＲＹＴＯＸ １５７Ｆｓ（
Ｌ）ＫＲＹＴＯＸ １５７Ｆｓ（Ｍ） ＫＲＹＴ
ＯＸ １５７ＦＳ（旧（添字〕（Ｌ）（Ｍ）（旧はそれ
ぞれ平均分子量で分けられ、分子式中のｎが異なるもの
である）などがあげられる。一般式（２）で表わされる
化合物の具体例としては、たとえばモンテフロース社製
の２−Ｄ ＩＡＣなどがあげられる。一般式（至）で表
わされる化合物の具体例としては、たとえば大日本イン
キ化学工業■製のメガファック Ｆ−１２０（Ｆ−（Ｃ
Ｆ２ ）ｓ −Ｃ００Ｈ）などがあげられる。
前記アミノ基を分子内に少なくとも１個有する潤滑剤の
具体例としては、Ｃｓ Ｆｎ−ＮＨｔ、Ｃｓ ＦローＮ
ＨＣ２Ｈ４ＮＨ−などがあげられる。
具体例としては、Ｃｓ Ｆｎ−ＮＨｔ、Ｃｓ ＦローＮ
ＨＣ２Ｈ４ＮＨ−などがあげられる。
前記水酸基を分子内に少なくとも１個有する潤滑剤の具
体例としては、たとえば一般式■：ＨＯＣＨ２ＣＦ２０
（Ｃ２Ｆ４０） （ＣＦ２０） ＣＦ２
ＣＮ２０Ｈｎ （式中、ｍ、ｎはそれぞれ１〜２０の整数を示す）で表
わされるモンテフロース社製の２−ＤＯＬなどがあげら
れる。
体例としては、たとえば一般式■：ＨＯＣＨ２ＣＦ２０
（Ｃ２Ｆ４０） （ＣＦ２０） ＣＦ２
ＣＮ２０Ｈｎ （式中、ｍ、ｎはそれぞれ１〜２０の整数を示す）で表
わされるモンテフロース社製の２−ＤＯＬなどがあげら
れる。
前記シラノール基を分子内に少なくとも１個有する潤滑
剤の具体例としては、たとえばＣｓ Ｆ、−Ｏ３ｉ −
Ｏ３ｉ （Ｃ２Ｈｓ）意などがあげられる。
剤の具体例としては、たとえばＣｓ Ｆ、−Ｏ３ｉ −
Ｏ３ｉ （Ｃ２Ｈｓ）意などがあげられる。
Ｈ
前記スルホン酸基を分子内に少なくとも１個有する潤滑
剤の具体例としては、たとえばＣｓ Ｆ、−３Ｏｘ Ｈ
などがあげられる。
剤の具体例としては、たとえばＣｓ Ｆ、−３Ｏｘ Ｈ
などがあげられる。
前記リン酸基を分子内に少なくとも１個有する潤滑剤の
具体例としては、たとえばＣｓ Ｆｆｆ−Ｐ （Ｏ）Ｉ
）。
具体例としては、たとえばＣｓ Ｆｆｆ−Ｐ （Ｏ）Ｉ
）。
などがあげられる。
前記アルコキシ基を分子内に少なくとも１個有する潤滑
剤の具体例としては、たとえばＣｓ Ｒ＋ −Ｏ３ｉ
（ＯＣＨ３）３、Ｃｓ Ｆｎ −Ｏ３ｉ （ＯＣｔＨａ
） ｔなどがあＨ３ げられる。
剤の具体例としては、たとえばＣｓ Ｒ＋ −Ｏ３ｉ
（ＯＣＨ３）３、Ｃｓ Ｆｎ −Ｏ３ｉ （ＯＣｔＨａ
） ｔなどがあＨ３ げられる。
なお、前記化合物については、昭和６３年度電子情報通
信学会秋季全国大会予稿集Ｃ−８にも記載されている。
信学会秋季全国大会予稿集Ｃ−８にも記載されている。
前記潤滑剤層の厚さは２０〜４０人が好ましく、２５〜
３５人がさらに好ましい。潤滑剤層の厚さが２０人未満
ではＣ８Ｓにともなう摩擦係数が増大する傾向が゛あり
、４０人をこえるとヘッドとディスク間の吸着現象がお
こるおそれがある。
３５人がさらに好ましい。潤滑剤層の厚さが２０人未満
ではＣ８Ｓにともなう摩擦係数が増大する傾向が゛あり
、４０人をこえるとヘッドとディスク間の吸着現象がお
こるおそれがある。
つぎに本発明の磁気ディスクの製法を説明する。
本発明の製法においては、非磁性基体上に磁性層が形成
され、該磁性層上に硬質非晶質炭素を主体とする保護層
が形成された基板（イ）の保護層表面を親水性に改質す
るために、該基板イにプラズマ処理、紫外線照射処理、
オゾン処理、イオンボンバード処理または逆スパッタ処
理が施される。
され、該磁性層上に硬質非晶質炭素を主体とする保護層
が形成された基板（イ）の保護層表面を親水性に改質す
るために、該基板イにプラズマ処理、紫外線照射処理、
オゾン処理、イオンボンバード処理または逆スパッタ処
理が施される。
前記プラズマ処理は、改質しようとする硬質非晶質炭素
を主体上する保護層が形成された基板（イ）を、高周波
プラズマ処理室内に設けられた試料台上に載置し、室内
を高真空、好ましくは５Ｘ１’０６Ｔｏｒ＋以下に排気
したのち、該室内にＯ！、Ｎ１、ＮＨｍ 、Ｎ２０ 、
ＣｏおよびＣＯｔよりなる群から選ばれた少なくとも１
種のガスを導入し、ガス圧１〜１００１００Ｏ＋ｒ 、
好ましくは１０〜５００ｍＴｏｒ＋、放電電力２〜２０
０ Ｗ、好ましくは１０〜１００Ｗにて保護層表面をプ
ラズマ処理する方法である。
を主体上する保護層が形成された基板（イ）を、高周波
プラズマ処理室内に設けられた試料台上に載置し、室内
を高真空、好ましくは５Ｘ１’０６Ｔｏｒ＋以下に排気
したのち、該室内にＯ！、Ｎ１、ＮＨｍ 、Ｎ２０ 、
ＣｏおよびＣＯｔよりなる群から選ばれた少なくとも１
種のガスを導入し、ガス圧１〜１００１００Ｏ＋ｒ 、
好ましくは１０〜５００ｍＴｏｒ＋、放電電力２〜２０
０ Ｗ、好ましくは１０〜１００Ｗにて保護層表面をプ
ラズマ処理する方法である。
前記ガス圧がｌ ｍＴｏｒｒ未満では安定したプラズマ
かえられず、ＩＯ００ｍＴｏ＋ｒをこえると処理の分布
がわるくなり、放電電力が２Ｈ未満では処理が不充分と
なり、非常に時間がかかり、２ＨＷをこえるともとの保
護層へのダメージが大きくなる。
かえられず、ＩＯ００ｍＴｏ＋ｒをこえると処理の分布
がわるくなり、放電電力が２Ｈ未満では処理が不充分と
なり、非常に時間がかかり、２ＨＷをこえるともとの保
護層へのダメージが大きくなる。
処理時間は通常１５秒〜５分程度である。
なお、プラズマ発生手段としては、並行平板型の高周波
プラズマＣＶＤ装置、マイクロ波イオン源や直流を用い
たプラズマＣＶＤ装置など、種々の装置を使用しうる。
プラズマＣＶＤ装置、マイクロ波イオン源や直流を用い
たプラズマＣＶＤ装置など、種々の装置を使用しうる。
前記紫外線照射処理は、基板（イ）を紫外線照射装置内
に設けられた試料台上に載置し、室内を排気したのち、
好ましくは５ Ｘ ＩＯ’Ｔｏｒｒ以下に排気したのち
、該室内にＯ！、Ｎｔ 、 ＮＨ−、ｔｈｏ 、Ｃｏお
よびＣ０ｆｆ１よりなる群から選ばれた少なくとも１種
のガスを導入し、保護層表面に紫外線を照射する方法で
ある。
に設けられた試料台上に載置し、室内を排気したのち、
好ましくは５ Ｘ ＩＯ’Ｔｏｒｒ以下に排気したのち
、該室内にＯ！、Ｎｔ 、 ＮＨ−、ｔｈｏ 、Ｃｏお
よびＣ０ｆｆ１よりなる群から選ばれた少なくとも１種
のガスを導入し、保護層表面に紫外線を照射する方法で
ある。
前記ガスの室内における圧力は１〜５００Ｔｏｒｒが好
ましく、１００〜５００Ｔｏｒｒがさらに好ましい。圧
力がＩ Ｔｏｒ＋未満では保護層表面の改質が充分行な
われない結果となり、５００Ｔｏ＋ｒをこえると保護層
表面が親水性に改質されはするが、膜自体が酸化されて
しまうなど変質を起こしてしまうといった不具合が生じ
る可能性がある。
ましく、１００〜５００Ｔｏｒｒがさらに好ましい。圧
力がＩ Ｔｏｒ＋未満では保護層表面の改質が充分行な
われない結果となり、５００Ｔｏ＋ｒをこえると保護層
表面が親水性に改質されはするが、膜自体が酸化されて
しまうなど変質を起こしてしまうといった不具合が生じ
る可能性がある。
紫外線光源としては、たとえば低圧水銀ランプ、エキシ
マ−レーザーなどが用いられ、基板表面を均一になるよ
うに照射するのが望ましい。この紫外線照射処理により
保護層表面に−ＯＨ基などの官能基が形成され、保護層
表面が親水性へと改質される。
マ−レーザーなどが用いられ、基板表面を均一になるよ
うに照射するのが望ましい。この紫外線照射処理により
保護層表面に−ＯＨ基などの官能基が形成され、保護層
表面が親水性へと改質される。
前記オゾン処理は、基板（イ）をオゾン発生装置を備え
た容器内の試料台上に載置し、オゾンを発生させて、基
板をオゾンにさらす方法である。
た容器内の試料台上に載置し、オゾンを発生させて、基
板をオゾンにさらす方法である。
このオゾン処理は、オゾン発生装置に対し、基板を平行
に載置し、基板表面におけるオゾンの濃度ができるだけ
均一になるような条件で行なうのが好ましい。
に載置し、基板表面におけるオゾンの濃度ができるだけ
均一になるような条件で行なうのが好ましい。
このオゾン処理により保護層表面に−ＯＨ基やＮ）１２
基といった官能基が形成され、保護層表面が親水性へと
改質される。
基といった官能基が形成され、保護層表面が親水性へと
改質される。
前記イオンボンバード処理は、基板（イ）をイオン銃を
備えた真空槽内に設けられた試料台上に載置し、槽内を
高真空、好ましくはＩ Ｘ ＩＯ’Ｔｏ＋を以下、に排
気したのち、該容器内にＬ 、Ａｔ、０２などのガスを
導入し、０．０１〜Ｉ００ｍＴｏｒｒ 、好ましくは０
．１〜１ｍＴｏｒ＋の圧力下でイオン銃によりイオン流
を発生させてイオンを保護層表面に入射する方法である
。
備えた真空槽内に設けられた試料台上に載置し、槽内を
高真空、好ましくはＩ Ｘ ＩＯ’Ｔｏ＋を以下、に排
気したのち、該容器内にＬ 、Ａｔ、０２などのガスを
導入し、０．０１〜Ｉ００ｍＴｏｒｒ 、好ましくは０
．１〜１ｍＴｏｒ＋の圧力下でイオン銃によりイオン流
を発生させてイオンを保護層表面に入射する方法である
。
前記ガス圧が０． ＯＩｍＴｏ＋ｒ未満では処理を行な
うために非常に時間がかかり、Ｉ００ｍＴｏｒｒをこえ
ると安定したイオン流をえるのが難しくなる。
うために非常に時間がかかり、Ｉ００ｍＴｏｒｒをこえ
ると安定したイオン流をえるのが難しくなる。
このイオンボンバード処理により保護層表面に−ＯＨ基
、−Ｎ１３基などの官能基が形成され、保護層表面が親
水性に改質される。
、−Ｎ１３基などの官能基が形成され、保護層表面が親
水性に改質される。
前記逆スパッタ処理は、前記基板をスパッタ装置の真空
槽内に設けられた試料台上に載置し、槽内を高真空、好
ましくは５ Ｘ １０’Ｔｏ＋を以下に排気したのち、
Ａｒ、 Ｏ！、Ｎ諺、ＮＨ−、Ｈ２Ｏ、ＣＯおよびＣＯ
！からなる群より選ばれた少なくとも１種のガスを導入
し、ガス圧１〜１００１００Ｏ＋＋ 、好ましくは１〜
Ｉ［ｌ［１ｍＴｏｒ＋、放電電力２〜１００ＯＷ 、好
ましくは２０〜５００Ｗにて保護層表面を逆スパッタす
る方法である。
槽内に設けられた試料台上に載置し、槽内を高真空、好
ましくは５ Ｘ １０’Ｔｏ＋を以下に排気したのち、
Ａｒ、 Ｏ！、Ｎ諺、ＮＨ−、Ｈ２Ｏ、ＣＯおよびＣＯ
！からなる群より選ばれた少なくとも１種のガスを導入
し、ガス圧１〜１００１００Ｏ＋＋ 、好ましくは１〜
Ｉ［ｌ［１ｍＴｏｒ＋、放電電力２〜１００ＯＷ 、好
ましくは２０〜５００Ｗにて保護層表面を逆スパッタす
る方法である。
前記ガス圧がｌ ｍＴｏ＋ｒ未満では安定したプラズマ
が発生せず、１０００１００Ｏ＋をこえると処理の分布
の均一性がわるくなり、放電電力が２Ｗ未満では処理に
非常に時間がかかったり、プラズマが安定して発生しな
くなり、１００ＯＷをこえると保護層自体がスパッタさ
れることにより膜厚の減少が大きくなる。
が発生せず、１０００１００Ｏ＋をこえると処理の分布
の均一性がわるくなり、放電電力が２Ｗ未満では処理に
非常に時間がかかったり、プラズマが安定して発生しな
くなり、１００ＯＷをこえると保護層自体がスパッタさ
れることにより膜厚の減少が大きくなる。
なお、スパッタ装置としては、直流を用いたスパッタ装
置など、種々の装置を使用しうる。
置など、種々の装置を使用しうる。
この逆スパッタ処理により保護層表面に一〇Ｈ基、ＮＨ
基といった官能基が形成され、保護層表面が親水性へと
改質される。
基といった官能基が形成され、保護層表面が親水性へと
改質される。
つぎに、前記のようにして親水性に改質された保護層表
面に、前述の親水性官能基を有するフッ素系極性潤滑剤
の層を形成することにより、本発明の磁気ディスクが製
造される。
面に、前述の親水性官能基を有するフッ素系極性潤滑剤
の層を形成することにより、本発明の磁気ディスクが製
造される。
該潤滑剤層の形成方法にとくに限定はなく、たとえば前
記潤滑剤をトリフルオロトリクロロエタンなどのフッ素
溶媒で１〜７ｇ／ｌに希釈したものを用い、デイツプコ
ート法（Ｆ）本潤滑学会第３２期全国大会（大阪）予稿
集ｐ４８５〜４８８（＋９８７）など参照）により塗布
し、乾燥するなどすればよい。
記潤滑剤をトリフルオロトリクロロエタンなどのフッ素
溶媒で１〜７ｇ／ｌに希釈したものを用い、デイツプコ
ート法（Ｆ）本潤滑学会第３２期全国大会（大阪）予稿
集ｐ４８５〜４８８（＋９８７）など参照）により塗布
し、乾燥するなどすればよい。
つぎに本発明の磁気ディスクの他の製法として、硬質非
晶質炭素を主体とする保護層の形成と、該保護層表面を
親水性に改質するためのプラズマ処理またはスパッタ処
理とを、高周波プラズマＣＶＤ成膜室内または高周波ス
パッタ成膜室内で連続ｌ、７て行なう方法を説明する。
晶質炭素を主体とする保護層の形成と、該保護層表面を
親水性に改質するためのプラズマ処理またはスパッタ処
理とを、高周波プラズマＣＶＤ成膜室内または高周波ス
パッタ成膜室内で連続ｌ、７て行なう方法を説明する。
これらの方法は、量産化の際のスループットの向上に効
果的である。
果的である。
高周波プラズマＣＶＤ成膜室内で連続して行なう方法は
、まず非磁性基体上に磁性層を形成した基板（財）を高
周波プラズマＣＶＤ成膜室内に設けられた試料台上に載
置し、室内を高真空、好ましくは５Ｘ １０６Ｔｏｒ＋
以下に排気したのち、該室内にＣＨ，とＨ２の混合ガス
を導入し、ガス圧１〜２０００ｍＴｏ＋ｒ 。
、まず非磁性基体上に磁性層を形成した基板（財）を高
周波プラズマＣＶＤ成膜室内に設けられた試料台上に載
置し、室内を高真空、好ましくは５Ｘ １０６Ｔｏｒ＋
以下に排気したのち、該室内にＣＨ，とＨ２の混合ガス
を導入し、ガス圧１〜２０００ｍＴｏ＋ｒ 。
好ましくはＩＯ〜１００ｍＴｏ＋ｒ、放電電力２〜３０
０Ｗ。
０Ｗ。
好ましくは２０〜１００ Ｗで磁性層上に硬質非晶質炭
素を主体とする保護層を形成したのち、真空を破ること
なく連続して該室内に０２、Ｈｚ 、Ｎｕｓ、Ｈ２０、
ＣＯおよびＣＯ２よりなる群から選ばれた少なくとも１
種のガスを導入し、ガス圧１〜１００１００Ｏ＋ｒ 、
放電電力２〜２００ Ｗで前記保護層表面をプラズマ処
理する方法である。
素を主体とする保護層を形成したのち、真空を破ること
なく連続して該室内に０２、Ｈｚ 、Ｎｕｓ、Ｈ２０、
ＣＯおよびＣＯ２よりなる群から選ばれた少なくとも１
種のガスを導入し、ガス圧１〜１００１００Ｏ＋ｒ 、
放電電力２〜２００ Ｗで前記保護層表面をプラズマ処
理する方法である。
前記混合ガスのＣＨ，とＨ２の混合割合は、通常流量比
でＣｔ１４／ （ＣＨ４＋ Ｈ２） ＝ ０．５〜７０
％である。
でＣｔ１４／ （ＣＨ４＋ Ｈ２） ＝ ０．５〜７０
％である。
硬質非晶質炭素を主体とする保護層を形成する際のガス
圧がｌ ｍＴｏ＋ｒ未満ではプラズマが安定して発生せ
ず、２０００ｍＴｏｒｒをこえるとフレーク状の生成物
が多くなり、ダストが増え、放電電力が２Ｗ未満では非
晶質炭素膜の硬度が高くならず、３００Ｗをこえると成
膜速度が速くなり保護層としての膜厚をうまく制御する
ことが困難となる。
圧がｌ ｍＴｏ＋ｒ未満ではプラズマが安定して発生せ
ず、２０００ｍＴｏｒｒをこえるとフレーク状の生成物
が多くなり、ダストが増え、放電電力が２Ｗ未満では非
晶質炭素膜の硬度が高くならず、３００Ｗをこえると成
膜速度が速くなり保護層としての膜厚をうまく制御する
ことが困難となる。
また、もう一つの方法は、非磁性基体上に磁性層を形成
した基板（財）を高周波スパッタ成膜室内に設けられた
試料台上に載置し、前記室内を高真空、好ましくは５
Ｘ ＩＯ’Ｔｏｒ＋以下に排気したのち、室内に水素ガ
スを導入し、ガス圧１〜２００ｍＴｏｒ＋、好ましくは
１〜５０ｍＴｏｒｒ 、放電電力２〜２００［ＩＷ、好
ましくは１００〜ｌ Ｏ００Ｗでスパッタ法により金属
磁性層上に硬質非晶質炭素を主体とする保護層を形成し
たのち、真空を破ることなく連続して該室内にＯ！、Ｎ
、 、！ｆ）ｌ□、）＋２０．ＣｏおよびＣｏｗよりな
る群から選ばれた少なくとも１種のガスを導入し、ガス
圧１〜Ｉ０００ｍＴｏｒ＋ 、放電電力２〜１００ＯＷ
で前記保護層を逆スパッタ処理する方法である。
した基板（財）を高周波スパッタ成膜室内に設けられた
試料台上に載置し、前記室内を高真空、好ましくは５
Ｘ ＩＯ’Ｔｏｒ＋以下に排気したのち、室内に水素ガ
スを導入し、ガス圧１〜２００ｍＴｏｒ＋、好ましくは
１〜５０ｍＴｏｒｒ 、放電電力２〜２００［ＩＷ、好
ましくは１００〜ｌ Ｏ００Ｗでスパッタ法により金属
磁性層上に硬質非晶質炭素を主体とする保護層を形成し
たのち、真空を破ることなく連続して該室内にＯ！、Ｎ
、 、！ｆ）ｌ□、）＋２０．ＣｏおよびＣｏｗよりな
る群から選ばれた少なくとも１種のガスを導入し、ガス
圧１〜Ｉ０００ｍＴｏｒ＋ 、放電電力２〜１００ＯＷ
で前記保護層を逆スパッタ処理する方法である。
硬質非晶質炭素膜からなる保護層を形成する際のガス圧
が１ ｍＴｏ＋ｒ未満ではプラズマが安定して発生せず
、２００ｍＴｏｒｒをこえると保護層の硬度が小さくな
ってしまい、放電電力が２Ｗ未満では高分子的な膜しか
できなくなり、２０００Ｗをこえると膜中にグラファイ
ト成分が多くなってしまう。
が１ ｍＴｏ＋ｒ未満ではプラズマが安定して発生せず
、２００ｍＴｏｒｒをこえると保護層の硬度が小さくな
ってしまい、放電電力が２Ｗ未満では高分子的な膜しか
できなくなり、２０００Ｗをこえると膜中にグラファイ
ト成分が多くなってしまう。
つぎに本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明す
る。
る。
実施例】−
第２図に示す高周波プラズマＣＶＤ装置を用い、第１図
に示す本発明の磁気ディスクを製造した。
に示す本発明の磁気ディスクを製造した。
あらかじめ、アルミニウム合金からなる非磁性基体（１
）上に厚さｌ０ＬＩＪＩＩのＮ１−Ｐメツキ下地硬化層
［Ｆ］が被覆され、その上に磁気記録再生用媒体として
厚さ５００人のＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金磁性層（３）がス
パッタ法で形成された基板＠（４）を漁備し、磁性層（
３）の上に厚さ２００人の硬質非晶質炭素膜（ビッカー
ス硬度２［１［１［１）からなる保護層（５）をプラズ
マＣＶＤ法により形成した。
）上に厚さｌ０ＬＩＪＩＩのＮ１−Ｐメツキ下地硬化層
［Ｆ］が被覆され、その上に磁気記録再生用媒体として
厚さ５００人のＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金磁性層（３）がス
パッタ法で形成された基板＠（４）を漁備し、磁性層（
３）の上に厚さ２００人の硬質非晶質炭素膜（ビッカー
ス硬度２［１［１［１）からなる保護層（５）をプラズ
マＣＶＤ法により形成した。
えられた試料（２）を第２図に示す高周波プラズマＣＶ
Ｄ装置室を構成する真空槽（８）内の高周波電源（９）
に接続された高周波電極０上に載置し、アース電極０１
）を高周波電極［Ｆ］と並行に設置した。つぎに真空ポ
ンプ（（２）を作動させて真空槽内を一旦５Ｘ１０６丁
ｏｒｒの高真空に引いたのち、０２ａ３をガス導入口（
８）から真空槽（８）内に導入した。ついで、高周波電
極［Ｆ］とアース電極（１１）との間に１３．５６ＭＨ
！の高周波電圧を印加し、電極間にプラズマを発生させ
た。そして、０２圧３００＋ｎＴｏ＋ｒ、放電電力２５
Ｗの条件に設定し、第８図に示される処理時間で保護層
（５）表面をプラズマ処理した。
Ｄ装置室を構成する真空槽（８）内の高周波電源（９）
に接続された高周波電極０上に載置し、アース電極０１
）を高周波電極［Ｆ］と並行に設置した。つぎに真空ポ
ンプ（（２）を作動させて真空槽内を一旦５Ｘ１０６丁
ｏｒｒの高真空に引いたのち、０２ａ３をガス導入口（
８）から真空槽（８）内に導入した。ついで、高周波電
極［Ｆ］とアース電極（１１）との間に１３．５６ＭＨ
！の高周波電圧を印加し、電極間にプラズマを発生させ
た。そして、０２圧３００＋ｎＴｏ＋ｒ、放電電力２５
Ｗの条件に設定し、第８図に示される処理時間で保護層
（５）表面をプラズマ処理した。
プラズマ処理した表面の親水性を、純水の接触角を利用
して評価した。結果を第８図に示す。また保護層表面を
ＸＰＳによりスペクトル解析したところ、プラズマ処理
を行なうことによって表面に、存在する酸素原子が多く
なり、保護層表面に一〇〇基などの官能基が形成されて
いることがわかった。
して評価した。結果を第８図に示す。また保護層表面を
ＸＰＳによりスペクトル解析したところ、プラズマ処理
を行なうことによって表面に、存在する酸素原子が多く
なり、保護層表面に一〇〇基などの官能基が形成されて
いることがわかった。
ついで、前記親水性に改質された保護層を有する試料を
、フッ素系極性潤滑剤ＫＲＹＴＯＸ １５７ＦＳ（Ｍ）
をフッ素溶媒（トリフルオロトリクロロエタン）に３ｇ
／ｌの割合で希釈した液の中へ浸漬し、引き上げ速度０
．Ｉｍ／分で引き上げ、クリーンオーブン中で１００℃
・１時間ベーキングを行なって乾燥させ、保護層上に厚
さ約３４人の潤滑剤層（６）を形成し、目的とする磁気
ディスクを作製した。
、フッ素系極性潤滑剤ＫＲＹＴＯＸ １５７ＦＳ（Ｍ）
をフッ素溶媒（トリフルオロトリクロロエタン）に３ｇ
／ｌの割合で希釈した液の中へ浸漬し、引き上げ速度０
．Ｉｍ／分で引き上げ、クリーンオーブン中で１００℃
・１時間ベーキングを行なって乾燥させ、保護層上に厚
さ約３４人の潤滑剤層（６）を形成し、目的とする磁気
ディスクを作製した。
えられた磁気ディスクの潤滑剤層の信頼性を調べるため
に下記スピンオフ試験を行なった。試験期間に対する潤
滑剤層膜厚の変化を第９図に示す。
に下記スピンオフ試験を行なった。試験期間に対する潤
滑剤層膜厚の変化を第９図に示す。
つぎにスピンオフ試験を行なったあとの磁気ディスクの
信頼性を調べる下記Ｃ３Ｓ動作試験を行なった。Ｃ８Ｓ
動作試験回数と、ヘッド、ディスク間に発生した摩擦係
数との関係を第１２図に示す。
信頼性を調べる下記Ｃ３Ｓ動作試験を行なった。Ｃ８Ｓ
動作試験回数と、ヘッド、ディスク間に発生した摩擦係
数との関係を第１２図に示す。
（スピンオフ試験）
被試料の磁気ディスクをスピンドルモーター上に搭載し
、これを温度６５℃、湿度２０％の恒温恒湿槽に設置し
たのち、スピンドルモーターを３６００ｒｐｍで回転さ
せ（磁気ディスクも３６００ｒｐｍで回転する）、この
回転にともなう磁気ディスク面玉の潤滑剤層の膜厚変化
を測定する。磁気ディスクの回転に伴い、潤滑剤層膜厚
が大きく減少したばあいは、スピンオフ現象が生じたこ
とを示し、潤滑効果が低下する。
、これを温度６５℃、湿度２０％の恒温恒湿槽に設置し
たのち、スピンドルモーターを３６００ｒｐｍで回転さ
せ（磁気ディスクも３６００ｒｐｍで回転する）、この
回転にともなう磁気ディスク面玉の潤滑剤層の膜厚変化
を測定する。磁気ディスクの回転に伴い、潤滑剤層膜厚
が大きく減少したばあいは、スピンオフ現象が生じたこ
とを示し、潤滑効果が低下する。
潤滑剤層の膜厚は、ＦＴ−ＩＲ（フーリエ変換赤外吸収
分光）による膜厚測定法により測定する。
分光）による膜厚測定法により測定する。
本方法は潤滑剤層の示す赤外吸収強度から算出されるも
のである（Ｆ）本潤滑学会第３２期全国大会（大阪）予
稿集ｐ４８５〜４８１１（１９８７）参照）。
のである（Ｆ）本潤滑学会第３２期全国大会（大阪）予
稿集ｐ４８５〜４８１１（１９８７）参照）。
（ＣＳＳ動作試験）
ヘッドスライダ−の材質として薄膜へ・ソドを想定し、
ｋｌ ｚ ０３Ｔｉｃ （Ｈｖ〜２０００）を用いて試
験する（精密機械工学会誌、５４．５、ｐ７３〜７９（
＋９８８）参照）。
ｋｌ ｚ ０３Ｔｉｃ （Ｈｖ〜２０００）を用いて試
験する（精密機械工学会誌、５４．５、ｐ７３〜７９（
＋９８８）参照）。
Ｃ３Ｓ動作試験においては、潤滑剤層がある厚さよりも
薄くなると、Ｃ３Ｓにともなう摩擦力の増大が問題とな
り、またあまり厚く塗布し過ぎるとヘッドとディスクと
の吸着現象が起きるため、潤滑剤層の厚さにはある適切
な厚さの範囲があることがわかっている（Ｆ）本潤滑学
会第３２期全国大会（大阪）予稿集ｐ４８５〜４８８
（＋９８７）参照）。
薄くなると、Ｃ３Ｓにともなう摩擦力の増大が問題とな
り、またあまり厚く塗布し過ぎるとヘッドとディスクと
の吸着現象が起きるため、潤滑剤層の厚さにはある適切
な厚さの範囲があることがわかっている（Ｆ）本潤滑学
会第３２期全国大会（大阪）予稿集ｐ４８５〜４８８
（＋９８７）参照）。
実施例２
実施例１で用いた０２によるプラズマの代わりに、Ｌ
、Ｎ）Ｉｓ 、Ｈ２Ｏ、Ｃｏ、ＣＯ，または大気（（ｈ
／Ｎ２１／４）のガスによるプラズマを用いたほかは、
実施例１と全く同様にして磁気ディスクを作製した。
、Ｎ）Ｉｓ 、Ｈ２Ｏ、Ｃｏ、ＣＯ，または大気（（ｈ
／Ｎ２１／４）のガスによるプラズマを用いたほかは、
実施例１と全く同様にして磁気ディスクを作製した。
実施例３
第３図に示す紫外線照射装置を用い、第１図に示す磁気
ディスクを製造した。
ディスクを製造した。
あらかじめ実施例１で用いたものと同じ試料のを第３図
に示す紫外線照射室を構成する真空槽（８）内の試料台
（５）に載置し、紫外線光源Ｑｌとして５００Ｗの低圧
水銀ランプを試料台（５）の上方に設置した。
に示す紫外線照射室を構成する真空槽（８）内の試料台
（５）に載置し、紫外線光源Ｑｌとして５００Ｗの低圧
水銀ランプを試料台（５）の上方に設置した。
つぎに真空ポンプ（（財）を作動させて真空槽（８）内
を一旦５ Ｘ ＩＯ’Ｔｏ＋ｒノ真空に引いたのち、Ｏ
ｔ （１３ヲカ：ｘ。
を一旦５ Ｘ ＩＯ’Ｔｏ＋ｒノ真空に引いたのち、Ｏ
ｔ （１３ヲカ：ｘ。
導入口（１４）から真空槽（８）内に導入した。ついで
、０２圧１００Ｔｏｒｒの条件に設定し、紫外線光源Ｏ
Ｑに電力を投入して第８図に示される処理時間紫外線を
照射し、保護層（５）表面を紫外線照射処理した。
、０２圧１００Ｔｏｒｒの条件に設定し、紫外線光源Ｏ
Ｑに電力を投入して第８図に示される処理時間紫外線を
照射し、保護層（５）表面を紫外線照射処理した。
保護層（５）表面の親水性を、純水の接触角を利用して
評価した。結果を第８図に示す。
評価した。結果を第８図に示す。
ついで、実施例１と全く同様にして前記保護層上にフッ
素系極性潤滑剤層を形成し、磁気ディスクを作製した。
素系極性潤滑剤層を形成し、磁気ディスクを作製した。
えられたディスクを用いてスピンオフ試験、つづいてＣ
８Ｓ試験を行なった。結果をそれぞれ第９図、第１２図
に示す。
８Ｓ試験を行なった。結果をそれぞれ第９図、第１２図
に示す。
実施例４
第４図に示すオゾン発生装置を備えたオゾン処理装置を
用い、第１図に示す磁気ディスクを製造した。
用い、第１図に示す磁気ディスクを製造した。
実施例１で用いたものと同じ試料口を第４図に示すオゾ
ン発生装置（ｒ７）を備えた容器（Ｆ）内の試料台μｓ
）に載置した。ついで容器（Ｆ）内に酸素ガス（１３を
導入し、オゾンを発生させて第８図に示される処理時間
で保護層（５）表面をオゾン処理した。
ン発生装置（ｒ７）を備えた容器（Ｆ）内の試料台μｓ
）に載置した。ついで容器（Ｆ）内に酸素ガス（１３を
導入し、オゾンを発生させて第８図に示される処理時間
で保護層（５）表面をオゾン処理した。
保護層（５）表面の親水性を、純水の接触角を利用して
評価した。結果を第８図に示す。
評価した。結果を第８図に示す。
ついで、実施例１と全く同様にして前記保護層上にフッ
素系極性潤滑剤層を形成し、磁気ディスクを作製した。
素系極性潤滑剤層を形成し、磁気ディスクを作製した。
えられたディスクを用いてスピンオフ試験、つづいでＣ
３Ｓ試験を行なった。結果をそれぞれ第９図、第１２図
に示す。
３Ｓ試験を行なった。結果をそれぞれ第９図、第１２図
に示す。
実施例５
第５図に示すイオンボンバード装置を用い、第１図に示
す磁気ディスクを製造した。
す磁気ディスクを製造した。
実施例１で用いたものと同じ試料のを第５図に示すイオ
ンボンバード装置を構成する真空槽（８）内の試料台（
５）に載置し、イオン銃叫を試料台（ト）の上方に設置
した。ついで真空ポンプ（２）を作動させて真空槽（８
）内を一旦Ｉ Ｘ １０６Ｔｏｕｒの高真空に引いたの
ち、圧力０．１５ｍＴｏｚ下でチッ素ガス（４）をイオ
ン銃ｉｌｌによってイオン化し、試料■の保護層表面に
チッ素イオンを第８図に示される処理時間照射し、イオ
ンボンバード処理をした。この時のバイアス電源（２）
は７００ｖとした。
ンボンバード装置を構成する真空槽（８）内の試料台（
５）に載置し、イオン銃叫を試料台（ト）の上方に設置
した。ついで真空ポンプ（２）を作動させて真空槽（８
）内を一旦Ｉ Ｘ １０６Ｔｏｕｒの高真空に引いたの
ち、圧力０．１５ｍＴｏｚ下でチッ素ガス（４）をイオ
ン銃ｉｌｌによってイオン化し、試料■の保護層表面に
チッ素イオンを第８図に示される処理時間照射し、イオ
ンボンバード処理をした。この時のバイアス電源（２）
は７００ｖとした。
保護層（５）表面の親水性を、純水の接触角を利用して
評価した。結果を第８図に示す。
評価した。結果を第８図に示す。
ついで、実施例１と全く同様にして前記保護層上にフッ
素系極性潤滑剤層を形成し、磁気ディスクを作製した。
素系極性潤滑剤層を形成し、磁気ディスクを作製した。
えられたディスクを用いてスピンオフ試験、つづいてＣ
８Ｓ試験を行なった。結果をそれぞれ第９図、第１２図
に示す。
８Ｓ試験を行なった。結果をそれぞれ第９図、第１２図
に示す。
実施例６
第６図に示すスパッタ装置を用い、第１図に示す磁気デ
ィスクを製造した。
ィスクを製造した。
実施例１で用いたものと同じ基板（財）（４）を準備し
、これを第６図のスパッタ装置を構成する真空槽（８）
内の極性切り替えスイッチ（イ）を通して高周波電源（
９）に接続された電極Ａ（２）上に載置し、極性切り替
えスイッチ（イ）に接続された電極Ｂ（ホ）を電極Ａ（
２）の上方に設置した。電極Ｂに）上にはグラッシーカ
ーボンターゲット＠を載置した。つぎに真空ポンプ（功
を作動させて真空槽（８）内を一旦５ Ｘ １０６Ｔｏ
ｒｒの高真空に引いたのち、水素ガス（４）をガス導入
口（＋４）から真空槽（８）内に導入した。
、これを第６図のスパッタ装置を構成する真空槽（８）
内の極性切り替えスイッチ（イ）を通して高周波電源（
９）に接続された電極Ａ（２）上に載置し、極性切り替
えスイッチ（イ）に接続された電極Ｂ（ホ）を電極Ａ（
２）の上方に設置した。電極Ｂに）上にはグラッシーカ
ーボンターゲット＠を載置した。つぎに真空ポンプ（功
を作動させて真空槽（８）内を一旦５ Ｘ １０６Ｔｏ
ｒｒの高真空に引いたのち、水素ガス（４）をガス導入
口（＋４）から真空槽（８）内に導入した。
ついで極性切り替えスイッチ翰を切り替えて電極Ｂ（ハ
）に高周波電圧を印加し、ガス圧５ｍＴｏ ｒ ｒ、高
周波電力５００Ｗの条件で基板（財）（４）上に厚さ２
００人の硬質非晶質炭素膜からなる保護層（５）をスパ
ッタ法により形成した。
）に高周波電圧を印加し、ガス圧５ｍＴｏ ｒ ｒ、高
周波電力５００Ｗの条件で基板（財）（４）上に厚さ２
００人の硬質非晶質炭素膜からなる保護層（５）をスパ
ッタ法により形成した。
一旦５ Ｘ ＩＯ’Ｔｏｒｒに高真空排気し、０２ガス
を真空槽（）４）内に導入した。そののち、切り替えス
イッチ四を切り替えて電極ＡＥに高周波電圧を印加し、
ガス圧３０ＩｒｉＴｏｒｒ 、高周波電力１００Ｗの条
件で第８図に示される処理時間保護層（５）表面を逆ス
パッタした。
を真空槽（）４）内に導入した。そののち、切り替えス
イッチ四を切り替えて電極ＡＥに高周波電圧を印加し、
ガス圧３０ＩｒｉＴｏｒｒ 、高周波電力１００Ｗの条
件で第８図に示される処理時間保護層（５）表面を逆ス
パッタした。
保護層（５）表面の親水性を純水の接触角を利用して評
価した。結果を第８図に示す。
価した。結果を第８図に示す。
ついで、実施例１と全く同様にして前記保護層上にフッ
素系極性潤滑剤層を形成し、磁気ディスクを作製した。
素系極性潤滑剤層を形成し、磁気ディスクを作製した。
えられたディスクを用いてスピンオフ試験、つづいてＣ
８Ｓ試験を行なった。結果をそれぞれ第９図、第１２図
に示す。
８Ｓ試験を行なった。結果をそれぞれ第９図、第１２図
に示す。
実施例７
第７図に示す高周波プラズマＣＶＤ装置を用い、第１図
に示す磁気ディスクを製造した。
に示す磁気ディスクを製造した。
実施例１で用いたものと同じ基板＠（４）を準備し、こ
れを第７図に示す高周波プラズマＣＶＤ装置を構成する
真空槽（８）内の高周波電源（９）に接続された高周波
電極［Ｆ］上に載置し、アース電極（１１）を高周波電
極［Ｆ］と並行に設置した。つぎに真空ポンプ（（２）
を作動させ真空槽内を一旦５ Ｘ ＩＯ’Ｔｏｒ＋の高
真空に引いたのち、メタンガス（イ）と水素ガス（４）
の混合ガス（ＣＨ４／ Ｈ２が流量比で２／１）をガス
導入口（１４）から真空槽（８）内に導入した。ついで
高周波電極りとアース電極０υとの間に１３．５６ＭＨ
Ｉの高周波電圧を印加し、電極間にプラズマを発生させ
た。そして、混合ガス圧３００ｍＴｏｒｒ、放電電力６
０Ｗの条件に設定し、基板（ロ）（４）上に厚さ２００
人の保護層（５）を形成した。
れを第７図に示す高周波プラズマＣＶＤ装置を構成する
真空槽（８）内の高周波電源（９）に接続された高周波
電極［Ｆ］上に載置し、アース電極（１１）を高周波電
極［Ｆ］と並行に設置した。つぎに真空ポンプ（（２）
を作動させ真空槽内を一旦５ Ｘ ＩＯ’Ｔｏｒ＋の高
真空に引いたのち、メタンガス（イ）と水素ガス（４）
の混合ガス（ＣＨ４／ Ｈ２が流量比で２／１）をガス
導入口（１４）から真空槽（８）内に導入した。ついで
高周波電極りとアース電極０υとの間に１３．５６ＭＨ
Ｉの高周波電圧を印加し、電極間にプラズマを発生させ
た。そして、混合ガス圧３００ｍＴｏｒｒ、放電電力６
０Ｗの条件に設定し、基板（ロ）（４）上に厚さ２００
人の保護層（５）を形成した。
ついで、ガスを酸素ガス０３に切り替え、ガス導入口（
１４）から真空槽（８）内に導入した。高周波電極υと
アース電極α１）との間に高周波電圧を印加し、電極間
にプラズマを発生させた。そしてガス圧３００ｍＴｏｒ
ｒ 、放電電力２５Ｗの条件に設定し、第８図に示され
る処理時間で保護層（５）の表面を連続的に処理した。
１４）から真空槽（８）内に導入した。高周波電極υと
アース電極α１）との間に高周波電圧を印加し、電極間
にプラズマを発生させた。そしてガス圧３００ｍＴｏｒ
ｒ 、放電電力２５Ｗの条件に設定し、第８図に示され
る処理時間で保護層（５）の表面を連続的に処理した。
保護層（５）表面の親水性を、純水の接触角を利用し
て評価した。結果を第８図に示す。
て評価した。結果を第８図に示す。
ついで、実施例１と全く同様にして前記保護層上にフッ
素系極性潤滑剤層を形成し、磁気ディスクを作製した。
素系極性潤滑剤層を形成し、磁気ディスクを作製した。
えられたディスクを用いてスピンオフ試験、つづいてＣ
８Ｓ試験を行なった。結果をそれぞれ第９図、第１２図
に示す。
８Ｓ試験を行なった。結果をそれぞれ第９図、第１２図
に示す。
実施例８
実施例１で用いたプラズマ法によって表面が親水性に改
質された保護層を有する基板を、フッ素系極性潤滑剤Ｋ
ＲＹＴＯＸＩ５７ＦＳ （Ｍ）をフッ素溶媒（トリフル
オロトリクロロエタン）に７ｇ／Ｉの割合で希釈し、た
液の中へ浸漬し、引き上げ速度０．１ｍ／分で引き」二
げ、クリーンオーブン中で１００℃・１時間乾燥し、保
護層上に厚さ約５７人の潤滑剤層を形成し、目的とする
磁気ディスクを製作した。
質された保護層を有する基板を、フッ素系極性潤滑剤Ｋ
ＲＹＴＯＸＩ５７ＦＳ （Ｍ）をフッ素溶媒（トリフル
オロトリクロロエタン）に７ｇ／Ｉの割合で希釈し、た
液の中へ浸漬し、引き上げ速度０．１ｍ／分で引き」二
げ、クリーンオーブン中で１００℃・１時間乾燥し、保
護層上に厚さ約５７人の潤滑剤層を形成し、目的とする
磁気ディスクを製作した。
えられたディスクを用いて、スピンオフ試験を行なった
。試験期間に対する潤滑剤層の膜厚の変化を第１０図に
示す。
。試験期間に対する潤滑剤層の膜厚の変化を第１０図に
示す。
実施例９
実施例３で用いた表面が親水性に改質された保護層を有
する磁気ディスクの保護層上に、実施例８と全く同様に
して潤滑剤層を形成し、磁気ディスクを作製した。
する磁気ディスクの保護層上に、実施例８と全く同様に
して潤滑剤層を形成し、磁気ディスクを作製した。
えられた磁気ディスクを用いてスピンオフ試験を行なっ
た。結果を第１０図に示す。
た。結果を第１０図に示す。
比較例１
実施例１で用いたプラズマ処理法によって表面が親水性
に改質された保護層を有する基板の代わりに、ＣＶＤ法
で成膜された従来の硬質非晶質炭素を主体とする保護層
を有する基板を用いたほかは、実施例１と全く同様にし
て磁気ディスクを作製し、スピンオフ試験、Ｃ８Ｓ試験
を行なった。結果を第９図および第１２図に示す。
に改質された保護層を有する基板の代わりに、ＣＶＤ法
で成膜された従来の硬質非晶質炭素を主体とする保護層
を有する基板を用いたほかは、実施例１と全く同様にし
て磁気ディスクを作製し、スピンオフ試験、Ｃ８Ｓ試験
を行なった。結果を第９図および第１２図に示す。
比較例２
実施例１で用いたフッ素系極性潤滑剤の代わりに、一般
式Ｍ： ＣＦ参 （式中、ｎは１〜５０の整数を示す）で表わされる極性
基を持たない同系列の潤滑剤であるデュポン社製のＫＲ
ＹＴＯＸ １４３＾Ｄを用いたほかは、実施例１と全く
同様にして磁気ディスクを作製し、スピンオフ試験、Ｃ
８Ｓ試験を行なった。結果を第９図および第１２図に示
す。
式Ｍ： ＣＦ参 （式中、ｎは１〜５０の整数を示す）で表わされる極性
基を持たない同系列の潤滑剤であるデュポン社製のＫＲ
ＹＴＯＸ １４３＾Ｄを用いたほかは、実施例１と全く
同様にして磁気ディスクを作製し、スピンオフ試験、Ｃ
８Ｓ試験を行なった。結果を第９図および第１２図に示
す。
比較例３
実施例８で用いたプラズマ処理法によって表面が親水性
に改質された保護層を有する基板の代わりに、ＣＶＤ法
で成膜された従来の硬質非晶質炭素膜を主体とする保護
層を有する基板を用いたほかは、実施例８と全く同様に
して磁気ディスクを作製し、スピンオフ試験を行なった
。結果を第１０図に示す。
に改質された保護層を有する基板の代わりに、ＣＶＤ法
で成膜された従来の硬質非晶質炭素膜を主体とする保護
層を有する基板を用いたほかは、実施例８と全く同様に
して磁気ディスクを作製し、スピンオフ試験を行なった
。結果を第１０図に示す。
比較例４
実施例８で用いたフッ素系極性潤滑剤の代わりに、比較
例２で用いた極性基を持たない同系列の潤滑剤であるデ
ュポン社製ＫＲＹＴＯＸ １４３＾Ｄを用いたほかは、
実施例８と全く同様にして磁気ディスクを作製し、スピ
ンオフ試験を行なった。結果を第１０図に示す。
例２で用いた極性基を持たない同系列の潤滑剤であるデ
ュポン社製ＫＲＹＴＯＸ １４３＾Ｄを用いたほかは、
実施例８と全く同様にして磁気ディスクを作製し、スピ
ンオフ試験を行なった。結果を第１０図に示す。
本発明の磁気ディスクにおける保護層の親水性を調べた
結果を示す第８図から、プラズマ処理などの表面改質を
行なわないときは接触角が大きく親水性はあまりないが
、プラズマ処理などを行なうことによって接触角が小さ
くなり、親水性がよくなっていることがわかる。
結果を示す第８図から、プラズマ処理などの表面改質を
行なわないときは接触角が大きく親水性はあまりないが
、プラズマ処理などを行なうことによって接触角が小さ
くなり、親水性がよくなっていることがわかる。
第９図から、本発明の実施例１−１３．４．５．６．７
の磁気ディスクでは、スピンオフによる潤滑剤層の膜厚
の変化が少なく、試験後も約３０人の厚さの潤滑剤層が
残っていることがわかる。これに対し、従来のタイプの
比較例１および極性基を持たない潤滑剤を用いたタイプ
の比較例２の磁気ディスクでは、潤滑剤層の膜厚減少が
大きく、明らかにスピンオフが発生し、残った潤滑剤層
の厚さも薄＜ ＣＳＳによる摩擦係数の増大が起こるも
のである。
の磁気ディスクでは、スピンオフによる潤滑剤層の膜厚
の変化が少なく、試験後も約３０人の厚さの潤滑剤層が
残っていることがわかる。これに対し、従来のタイプの
比較例１および極性基を持たない潤滑剤を用いたタイプ
の比較例２の磁気ディスクでは、潤滑剤層の膜厚減少が
大きく、明らかにスピンオフが発生し、残った潤滑剤層
の厚さも薄＜ ＣＳＳによる摩擦係数の増大が起こるも
のである。
また第１０図は、潤滑剤塗布時の潤滑剤濃度を７ｇ／ｌ
と高くして塗布膜厚を厚くしたもののスピンオフ試験の
結果であるが、最終的な膜厚は潤滑剤濃度３ｇ／ｌのも
のと変わらず、実施例８．９は約３０人の厚さの潤滑剤
層が残っているのに対し、比較例３．４はスピンオフ試
験後の膜厚が薄く摩擦係数の増大が起こるものである。
と高くして塗布膜厚を厚くしたもののスピンオフ試験の
結果であるが、最終的な膜厚は潤滑剤濃度３ｇ／ｌのも
のと変わらず、実施例８．９は約３０人の厚さの潤滑剤
層が残っているのに対し、比較例３．４はスピンオフ試
験後の膜厚が薄く摩擦係数の増大が起こるものである。
ここで、本発明の磁気ディスクが従来の磁気ディスクと
較べ、スピンオフに対し良好な理由について検討してみ
たところ、実施例１．３．４．５、６．７のディスク上
に形成された潤滑剤層の膜厚は、比較例１および２のデ
ィスク上に形成された潤滑剤層の膜厚よりも、同一条件
で塗布したにもかかわらず厚いことから、実施例におけ
る表面が親水性に改質された硬質非晶質炭素を主体とす
る保護層と、フッ素系極性潤滑剤であるＫＲＹＴＯＸ１
５７Ｆｓ（Ｍ）分子内のカルボキシル基との相互作用が
高いことがわかる。このように、本発明の磁気ディスク
の構成部分である潤滑剤層は、保護層上に相互作用を介
してしっかりと固着されるため、結果としてスピンオフ
しにくい潤滑剤層を形成したものと考えられる。なお、
各実施例において潤滑剤を塗布する際の濃度を変化させ
たばあい、形成される潤滑剤層の膜厚の変化を調べた結
果を第１１図に示す。
較べ、スピンオフに対し良好な理由について検討してみ
たところ、実施例１．３．４．５、６．７のディスク上
に形成された潤滑剤層の膜厚は、比較例１および２のデ
ィスク上に形成された潤滑剤層の膜厚よりも、同一条件
で塗布したにもかかわらず厚いことから、実施例におけ
る表面が親水性に改質された硬質非晶質炭素を主体とす
る保護層と、フッ素系極性潤滑剤であるＫＲＹＴＯＸ１
５７Ｆｓ（Ｍ）分子内のカルボキシル基との相互作用が
高いことがわかる。このように、本発明の磁気ディスク
の構成部分である潤滑剤層は、保護層上に相互作用を介
してしっかりと固着されるため、結果としてスピンオフ
しにくい潤滑剤層を形成したものと考えられる。なお、
各実施例において潤滑剤を塗布する際の濃度を変化させ
たばあい、形成される潤滑剤層の膜厚の変化を調べた結
果を第１１図に示す。
さらに第１２図から、実施例１．３．４．５．６．７の
磁気ディスクのＣ８Ｓ動作試験に伴う摩擦係数の増加は
著しく少ないのに対し、比較例１．２の磁気ディスクで
は著しく大きくなっていることがわかる。このことから
、本発明の磁気ディスクは磁気ヘッドとの接触摺動にと
もなう機械的劣化が少なく、潤滑剤層の効果が著しいこ
とがわかる。
磁気ディスクのＣ８Ｓ動作試験に伴う摩擦係数の増加は
著しく少ないのに対し、比較例１．２の磁気ディスクで
は著しく大きくなっていることがわかる。このことから
、本発明の磁気ディスクは磁気ヘッドとの接触摺動にと
もなう機械的劣化が少なく、潤滑剤層の効果が著しいこ
とがわかる。
また、本発明の実施例では磁気ディスクについて述べた
が、フロッピーディスク、磁気テープ、磁気カードにも
本発明の方法が有効であることは明らかである。
が、フロッピーディスク、磁気テープ、磁気カードにも
本発明の方法が有効であることは明らかである。
本発明の磁気ディスクは、磁性層上に形成され・た表面
が親水性に改質された硬質非晶質炭素膜を主体とする保
護層が、親水性官能基を有するフッ素系極性潤滑剤分子
との強い相互作用を有するため、潤滑剤が保護層上に強
く保持され、ディスクの回転にともなう潤滑剤のスピン
オフ現象、すなわち飛散や蒸発がほとんど生じず充分な
機械的耐久性を有する。また磁性層上に形成される層の
合計の膜厚を薄くできるので、磁性層と磁気ヘッドのス
ペーシングロスが少なく、磁気記録媒体の再生特性を良
好に保持できる。そして、このため耐久性に優れ、かつ
再生出力が低下しない磁気ディスクとなる。
が親水性に改質された硬質非晶質炭素膜を主体とする保
護層が、親水性官能基を有するフッ素系極性潤滑剤分子
との強い相互作用を有するため、潤滑剤が保護層上に強
く保持され、ディスクの回転にともなう潤滑剤のスピン
オフ現象、すなわち飛散や蒸発がほとんど生じず充分な
機械的耐久性を有する。また磁性層上に形成される層の
合計の膜厚を薄くできるので、磁性層と磁気ヘッドのス
ペーシングロスが少なく、磁気記録媒体の再生特性を良
好に保持できる。そして、このため耐久性に優れ、かつ
再生出力が低下しない磁気ディスクとなる。
また、本発明の製法によれば、前記のような優れた特性
を有する磁気ディスクを、容易に効率よく製造しうる。
を有する磁気ディスクを、容易に効率よく製造しうる。
第１図は本発明の磁気ディスクの部分断面図、第２図は
高周波プラズマＣＶＤ装置の概略説明図、第３図は紫外
線照射装置の概略説明図、第４図はオゾン処理装置の概
略説明図、第５図はイオンボンバード装置の概略説明図
、第６図は連続処理のできるスパッタ装置の概略説明図
、第７図は連続処理のできる高周波プラズマＣＶＤ装置
の概略説明図、第８図は改質処理時間と保護層表面の純
水の接触角との関係を示すグラフ、第９図は潤滑剤の塗
布液の濃度が３ｇ／ｌのときのスピンオフ試験期間と潤
滑剤層膜厚との関係を示すグラフ、第１０図は潤滑剤の
塗布液の濃度が７ｇ／ｌのときのスピンオフ試験期間と
潤滑剤層膜厚との関係を示すグラフ、第１１図ハＫＲＹ
ＴＯＸ １５７ＦＳ（Ｍ） （７）濃度と塗布膜厚との
関係を示すグラフ、第１２図はＣ８Ｓ動作試験回数と磁
気ディスクの摩擦係数との関係を示すグラフである。 （図面の主要符号） （１）：非磁性基体 （３）：磁性層 （４）：基 板（ロ） （５）：保護層 （６）：フッ素系極性潤滑剤層 代 理 人 大 岩 増 雄 １：非磁性基体 ３：磁性層 ４： 基を８口） ５：保護層 ６：フツ素身嗜？生 潤滑剤層 第３図 才２ 才４図 才５ 園 才 ば 才６ 図 箆 箇 ζ （に）） 才 回 試験期間（月〕 第１１図 濃 度 （ｇ／ｌ） 試 験 期 ｆｌｉゴ （月） 影 ≧ き 甑
高周波プラズマＣＶＤ装置の概略説明図、第３図は紫外
線照射装置の概略説明図、第４図はオゾン処理装置の概
略説明図、第５図はイオンボンバード装置の概略説明図
、第６図は連続処理のできるスパッタ装置の概略説明図
、第７図は連続処理のできる高周波プラズマＣＶＤ装置
の概略説明図、第８図は改質処理時間と保護層表面の純
水の接触角との関係を示すグラフ、第９図は潤滑剤の塗
布液の濃度が３ｇ／ｌのときのスピンオフ試験期間と潤
滑剤層膜厚との関係を示すグラフ、第１０図は潤滑剤の
塗布液の濃度が７ｇ／ｌのときのスピンオフ試験期間と
潤滑剤層膜厚との関係を示すグラフ、第１１図ハＫＲＹ
ＴＯＸ １５７ＦＳ（Ｍ） （７）濃度と塗布膜厚との
関係を示すグラフ、第１２図はＣ８Ｓ動作試験回数と磁
気ディスクの摩擦係数との関係を示すグラフである。 （図面の主要符号） （１）：非磁性基体 （３）：磁性層 （４）：基 板（ロ） （５）：保護層 （６）：フッ素系極性潤滑剤層 代 理 人 大 岩 増 雄 １：非磁性基体 ３：磁性層 ４： 基を８口） ５：保護層 ６：フツ素身嗜？生 潤滑剤層 第３図 才２ 才４図 才５ 園 才 ば 才６ 図 箆 箇 ζ （に）） 才 回 試験期間（月〕 第１１図 濃 度 （ｇ／ｌ） 試 験 期 ｆｌｉゴ （月） 影 ≧ き 甑
Claims (3)
- （１）非磁性基体上に、金属、金属酸化物、金属チッ化
物またはそれらの複合体で構成された磁性層が形成され
、該磁性層上に硬質非晶質炭素を主体とし、親水性に改
質された表面を有する保護層が形成され、該保護層上に
親水性官能基を有するフッ素系極性潤滑剤層が形成され
てなる磁気ディスク。 - （２）非磁性基体上に金属、金属酸化物、金属チッ化物
またはそれらの複合体で構成された磁性層が形成され、
該磁性層上に硬質非晶質炭素を主体とする保護層が形成
された基板の保護層表面を、（Ａ）高真空に排気された
のち酸素ガス、チッ素ガス、アンモニアガス、水蒸気、
一酸化炭素ガスおよび二酸化炭素ガスよりなる群から選
ばれた少なくとも１種のガスが導入された高周波プラズ
マ処理室内で、ガス圧１〜１０００ｍＴｏｒｒでプラズ
マ処理し、 （Ｂ）排気されたのち酸素ガス、チッ素ガス、アンモニ
アガス、水蒸気、一酸化炭素ガスおよび二酸化炭素ガス
よりなる群から選ばれた少なくとも１種のガスが導入さ
れた紫外線照射室内で、紫外線照射し、 （Ｃ）オゾン発生装置を備えた容器内でオゾンを発生さ
せてオゾンにさらし、 （Ｄ）イオン銃を備えた真空槽内で、高真空に排気した
のちチッ素ガス、アルゴンガスおよび酸素ガスよりなる
群から選ばれた少なくとも１種のガスを用いて圧力０．
０１〜１００ｍＴｏｒｒ下でイオンボンバード処理し、
または （Ｅ）高真空に排気されたのちアルゴンガス、酸素ガス
、チッ素ガス、アンモニアガス、水蒸気、一酸化炭素ガ
スおよび二酸化炭素ガスよりなる群から選ばれた少なく
とも１種のガスが導入されたスパッタ真空槽内で、ガス
圧１〜１０００ｍＴｏｒｒで逆スパッタ処理し、 ついで該保護層上に親水性官能基を有するフッ素系極性
潤滑剤層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製
法。 - （３）非磁性基体上に金属、金属酸化物、金属チッ化物
またはそれらの複合体で構成された磁性層が形成された
基板の磁性層上に、 （Ｆ）高真空に排気されたのちメタンガスおよび水素ガ
スの混合ガスが導入された高周波プラズマＣＶＤ成膜室
内で、ガス圧１〜２０００ｍＴｏｒｒ、放電電力２〜３
００Ｗで硬質非晶質炭素を主体とする保護層を形成した
のち、該室内の真空を破ることなく連続して該室内に酸
素ガス、チッ素ガス、アンモニアガス、水蒸気、一酸化
炭素ガスおよび二酸化炭素ガスよりなる群から選ばれた
少なくとも１種のガスを導入し、ガス圧力１〜１０００
ｍＴｏｒｒ、放電電力２〜２００Ｗで前記保護層表面を
プラズマ処理し、または （Ｇ）高真空に排気されたのち水素ガスが導入された高
周波スパッタ成膜室内で、ガス圧１〜２００ｍＴｏｒｒ
、放電電力２〜２０００Ｗで硬質非晶質炭素を主体とす
る保護層を形成したのち、該室内の真空を破ることなく
連続して該室内に酸素ガス、チッ素ガス、アンモニアガ
ス、水蒸気、一酸化炭素ガスおよび二酸化炭素ガスより
なる群から選ばれた少なくとも１種のガスを導入し、ガ
ス圧１〜１０００ｍＴｏｒｒ、放電電力２〜１０００Ｗ
で前記保護層表面を逆スパッタ処理し、 ついで該保護層上に親水性官能基を有するフッ素系極性
潤滑剤層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23468490A JPH04114317A (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 磁気デイスクおよびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23468490A JPH04114317A (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 磁気デイスクおよびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04114317A true JPH04114317A (ja) | 1992-04-15 |
Family
ID=16974822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23468490A Pending JPH04114317A (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 磁気デイスクおよびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04114317A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6620481B2 (en) | 2000-07-06 | 2003-09-16 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium, magnetic recording medium manufacture method, and information regeneration apparatus |
| WO2011001774A1 (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 磁気記録媒体の製造方法 |
| KR20190097215A (ko) | 2016-12-22 | 2019-08-20 | 유니챰 가부시키가이샤 | 흡수성 물품 및 흡수성 물품의 제조 방법 |
-
1990
- 1990-09-04 JP JP23468490A patent/JPH04114317A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6620481B2 (en) | 2000-07-06 | 2003-09-16 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium, magnetic recording medium manufacture method, and information regeneration apparatus |
| WO2011001774A1 (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2011014178A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Wd Media Singapore Pte Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| KR20190097215A (ko) | 2016-12-22 | 2019-08-20 | 유니챰 가부시키가이샤 | 흡수성 물품 및 흡수성 물품의 제조 방법 |
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