JPH0449522A - 磁気デイスク、その製造方法およびその製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は磁気ディスクに関する。さらに詳しくは、耐久
性および信頼性を向上させるべく保護膜および潤滑剤層
が形成された磁気記録媒体、その製造方法およびその製
造装置に関する。

［従来の技術］ 近年、コンピューター・システムにおける磁気ディスク
などの外部記憶装置の重要性が増大しており、これにと
もない磁気ディスクなどを使用した磁気記録装置の高記
録密度化に対する要求はますます高まっている。

かかる磁気記録装置は記録再生ヘッドと磁気ディスクと
の主要構成部から構成されており、該磁気ディスクは高
速で回転し、一方前記記録再生ヘッドは磁気ディスク表
面から微小間隔だけ離れた位置に置かれている。この微
小間隔を小さくして磁気記録装置の高性能化を図るため
に、記録再生ヘッドの荷重が小さくされるとともに、接
触始動・停止（コンタクト・スタート・ストップ（０８
８））型ヘッド浮上システムが採用されている。

磁気ディスクの高記録密度化および高性能化を図るため
には、磁気記録媒体の薄層化、均−一様化、磁気特性の
改良のほか、低浮上量における安定したヘッド浮揚状態
の確保、さらにヘッドとディスクの衝突（ヘッドクラッ
シュ）を防止するためのディスク表面の粗さの精度の向
上および耐ヘツドクラツシユ性などの向上が必要である
。

しかしディスク表面の粗さの精度の向上にともない、た
とえば日本応用磁気学会誌、Ｖｏｌ、１０、Ｎｏ、１、
Ｐｅ　〜１１（１９８Ｂ）に記載されティるように、磁
気ディスクと磁気ヘッドとの接触摺動時における動摩擦
係数が著しく大きくなり、ヘッド浮上までの摺動特性が
わるくなるという欠点が生じる。

従来の磁気ディスクとしては、たとえば樹脂フィルムの
基板、アルミ合金の基板またはＮ１−Ｃｕ−Ｐ合金の基
板上にＰｅと酸素を用いて反応性スパッタ法でＦｅの酸
化物からなる層を形成したのち、さらに大気中で酸化す
ることによりγ−ｐｅ２０３からなる磁性層としたもの
、アルミ合金の基板上にＮ１−Ｐ合金の下地層をメツキ
法により形成し、さらにその上にＮ１−Ｄｏ−Ｐ合金の
磁性層をメツキ法により形成したものなどが知られてい
る。

しかしながらこのような磁気ディスクにおいては、前述
の磁気ヘッドとの摺動特性がわるく、そのため、磁気デ
ィスクまたは磁気ヘッドの損傷を生じ機械的耐久性がわ
るいという欠点がある。

このような欠点を解消し磁気ディスクの下地層および磁
性層を保護するために、従来より磁性層上にスパッタ法
、電子ビーム蒸着法または気相化学蒸着（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法
などによりカーボンからなる保護膜を形成したり、また
、この上にフッ素系潤滑剤をスピンコード法またはデイ
ツプコート法などにより塗布したりして潤滑膜を形成し
ている。なお前記従来技術とてしては、日本応用磁気学
会誌、ｖｏｌ、１０．　Ｎｏ、１、ｐ、Ｂ（１９８１１
ｔ）などに記載されている。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、従来のカーボンからなる保護膜を有する磁気デ
ィスクにおいては、カーボン保護膜上に塗布したフッ素
系潤滑剤の保持が困難であり、磁気ディスクの回転にと
もないフッ素系潤滑剤が飛散したり、放置時間および放
置温度に依存してフッ素系潤滑剤が蒸発したりして、保
護層の磁気ヘッドに対する潤滑効果が劣化し、磁気ディ
スクおよび磁気ヘッドに損傷が生じやすくなったり、充
分な耐久性および信頼性かえられないという問題がある
。なお、前記現象については、イー、イーフランス　ア
ンド　ビー、ブーシャン；ニー　ニス　エル　イー　エ
スピー−２０（１９８５）（Ｅ、　Ｅ　Ｋｌａｎｓａｎ
ｄ　Ｂ、　Ｂｈｕｓｈａｎ；　ＡＳＬＥ　５Ｐ−２０（
１９８５））などに記載されている。

本発明はかかる従来の問題点を解決するためになされた
もので、磁性層上に、カーボンを主体とする保護膜を形
成し、その最表面を０２、Ｎ２などのガスによるプラズ
マ処理、紫外線照射処理、オゾン処理、イオンボンバー
ド処理、逆スパツタリング処理などを施すことによって
保護膜表面を親水性に改質したあと、親水性官能基を分
子内に有するフッ素系極性潤滑剤を塗布することで、潤
滑剤の飛散、蒸発現象がほとんどなく、その結果として
再生出力が低下せず、さらに実用上充分な耐久性および
耐食性を有する磁気ディスクを提供することを第１の目
的とし、それを製造するために改良された磁気ディスク
の製造方法およびその製造装置を提供することを第２お
よび第３の目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明の第１の目的は非磁性基体および磁性層を有する
基板と、該磁性層上に形成されたカーボンを主体とした
保護膜と、フッ素系極性潤滑剤層とからなる磁気ディス
クであって、前記フッ素系極性潤滑剤層が親水性官能基
を構成分子内に有し、親水性に改良された前記保護膜層
表面上に該フッ素糸極性潤滑剤層が塗布形成されてなる
磁気ディスクによって達成される。

すなわち、本発明により、非磁性基体上にたとえばＮ１
−Ｐ等の下地硬化層を有し、さらにその上にＣｏ−Ｎｉ
−Ｃｒなどの金属磁性層を有し、該金属磁性層上にカー
ボンを主体とする保護膜層が形成された基板を、高周波
プラズマ処理室内に設けられた試料台上に載置し、前記
室内を高真空に排気したのち、前記室内に、酸素ガス（
０２）　、窒素ガス（Ｎ２）、アンモニアガス（ＮＨ３
）、水蒸気（Ｎ２０）、酸化炭素ガス（ＣＯ）、二酸化
炭素ガス（ＣＯ２）、の中から選ばれるすくなくとも一
種のガスを導入し、ガス圧１〜１０００ｍ１００Ｏ好ま
しくは１０〜７００ｍＴｏｒｒ。

さらに好ましくは１００〜５００ｓＴｏｒｒ、放電電力
２〜２００ｖ好ましくは５〜１００ｗ、さらに好ましく
は７〜５０Ｗで前記保護膜表面をプラズマ処理し、その
あと前記保護膜上に、カルボキシル基、アミノ基、水酸
基、シラノール基、スルホン酸基、リン酸基、などの親
水性官能基を構成分子内に有するフッ素系極性潤滑剤を
塗布形成したことを特徴とする磁気ディスクが提供され
る。

また本発明により、非磁性基体上に前述のごとき金属磁
性層を有し、該金属磁性層上にカーボンを主体とする保
護膜層が形成された基板を紫外線照射装置内に設けられ
た試料台上に載置し、前記室内を排気したあと、前記室
内に前記ガスの中から選ばれるすくなくとも一種のガス
を導入し、ガス圧１〜５００Ｔｏｒｒ好ましくは１０〜
４５０Ｔｏｒｒ　ｓさらに好ましくは２００〜４００Ｔ
ｏｒｒで前記保護膜表面に紫外線を照射し、そのあと前
記保護膜上に、カルボキシル基、アミノ基、水酸基、シ
ラノール基、スルホン酸基、リン酸基、などの親水性官
能基を構成分子内に有するフッ素極性潤滑剤を塗布形成
したことを特徴とする磁気ディスクが提供される。

さらに、本発明により、非磁性基体上に前述のごとき金
属磁性層を有し、該金属磁性層上にカーボンを主体とす
る保護膜層が形成された基板を、オゾン発生装置を有す
る容器内に設けられた試料台上に載置し、前記オゾン発
生装置によりオゾンを発生させ、前記基板をオゾンにさ
らし、そののち前記保護膜上に、カルボキシル基、アミ
ノ基、水酸基、シラノール基、スルホン酸基、リン酸基
、などの親水性官能基を構成分子内に有するフッ素系極
性潤滑剤を塗布形成したことを特徴とする磁気ディスク
が提供される。

また、本発明により、非磁性基体上に前述のごとき金属
磁性層を有し、該金属磁性層上にカーボンを主体とする
保護膜層が形成された基板をイオン銃を有する真空容器
内に設けられた試料台上に載置し、窒素ガスやアルゴン
ガスなどを用いて圧力Ｏ，（１１”　１００ａＴｏｒｒ
好ましくは（１，１〜ｌ［ｌＯｍＴｏｒｒ、さらに好ま
しくは１〜５ＯｍＴｏｒｒ下で前記イオン銃よりイオン
流を発生させ、前記保護膜表面をイオンボンバード処理
を行なったあと、前記保護膜上に、カルボキシル基、ア
ミノ基、水酸基、シラノール基、スルホン酸基、リン酸
基、などの親水性官能基を構成分子内に有するフッ素系
極性潤滑剤を塗布形成したことを特徴とする磁気ディス
クが提供される。

さらに、本発明により、非磁性基体上に前述のごとき金
属磁性層を有し、該金属磁性層上にカーボンを主体とす
る保護膜層が形成された基板を、スパッタ真空室内に設
けられた試料台上に載置し、前記室内を高真空に排気し
たあと、アルゴンガス（＾「）、０２、Ｎｚ　、ＮＨ３
、Ｎ２０　Ｓ００％　ＣＯ２、の中から選ばれるすくな
くとも一種のガスを導入し、ガス圧１〜１００ｓＴｏｒ
ｒ好ましくは１〜７０ｓＴｏｒｒ　ｓさらに好ましくは
１〜５０ａ＋Ｔｏｒｒ下で前記保護膜表面を逆スパツタ
処理したあと、前記保護膜上に、カルボキシル基、アミ
ノ基、水酸基、シラノール基、スルホン酸基、リン酸基
、などの親水性官能基を構成分子内に有するフッ素系極
性潤滑剤を塗布形成したことを特徴とする磁気ディスク
が提供される。

また本発明の第２の目的は非磁性基体上に磁性層を有す
る基板を作製し、該磁性層上に保護膜を形成し、前記保
護膜表面を親水性に改質したのち、親水性官能基を構成
分子内に有するフッ素系極性潤滑剤を塗布形成すること
を特徴とする磁気ディスクの製造方法によって達成され
る。

すなわち、本発明により、非磁性基体上に前述のごとき
金属磁性層を有し、該金属磁性層上にカボンを主体とす
る保護膜層が形成された基板を、高周波プラズマ処理室
内に設けられた試料台上に載置し、前記室内を高真空に
排気したのち、前記室内に、０２、Ｎ２　、ＮＨ３、Ｎ
２０　、Ｃ０１ＣＯ２、の中から選ばれるすくなくとも
一種のガスを導入し、ガス圧１〜１０００ｍ１００Ｏ好
ましくは１０〜７００ｆｉｌＴｏｒ「、さらに好ましく
は１００〜５００ｍＴｏｒｒ下で前記保護膜表面をプラ
ズマ処理し、そのあと前記保護膜上に、カルボキシル基
、アミノ基、水酸基、シラノール基、スルホン酸基、リ
ン酸基、などの親水性官能基を構成分子内に有するフッ
素系極性潤滑剤を塗布形成したことを特徴とする磁気デ
ィスクの製造方法が提供される。

また、本発明により、非磁性基体上に前述のごとき、金
属磁性層を有し、該金属磁性層上にカボンを主体とする
保護膜層が形成された基板を、紫外線照射装置内に設け
られた試料台上に載置し、前記室内を排気したあと、前
記室内に前記ガスのなかから選ばれるすくなくとも一種
のガスを導入し、前記保護膜表面に紫外線を照射し、そ
のあと前記保護膜上にカルボキシル基、アミノ基、水酸
基、シラノール基、スルホン酸基、リン酸基、などの親
水性官能基を構成分子内に有するフッ素系極性潤滑剤を
塗布形成したことを特徴とする磁気ディスクの製造方法
が提供される。

さらに、本発明により、非磁性基体上に前述のごとき金
属磁性層を有し、該金属磁性層上にカーボンを主体とす
る保護膜層が形成された基板を、オゾン発生装置を有す
る容器内に設けられた試料台上に載置し、前記オゾン発
生装置によりオゾンを発生させ、前記基板をオゾンにさ
らす。そのあと前記保護膜上に、カルボキシル基、アミ
ノ基、水酸基、シラノール基、スルホン酸基、リン酸基
、などの親水性官能基を構成分子内に有するフッ素系極
性潤滑剤を塗布形成したことを特徴とする磁気ディスク
の製造方法が提供される。

また、本発明により、非磁性基体上に前述のごとき金属
磁性層を有し、該金属磁性層上にカーボンを主体とする
保護膜層が形成された基板を、イオン銃を設置した真空
容器内に設けられた試料台上に載置し、前記室内を高真
空に排気したのち、Ｎ２　、ＡＲなどのガスを用い圧力
０．０１〜１００ＩＩＩＴｏｒｒ好ましくは０．１〜１
００ｍＴｏｒｒｓさらに好ましくは１〜５０ｍＴｏｒｒ
下で前記保護膜表面をイオンボンバド処理を行なったあ
と、前記保護膜上にカルボキシル基、アミノ基、水酸基
、シラノール基、スルホン酸基、リン酸基、などの親水
性官能基を構成分子内に有するフッ素極性潤滑剤を塗布
形成したことを特徴とする磁気ディスクの製造方法が手
供される。

さらに、本発明により、非磁性基体上に前述のごとき金
属磁性層を有し、該金属磁性層上にカーボンを主体とす
る保護膜層が形成された基板を、スパッタ装置真空層内
に設けられた試料台上に載置し、前記室内を高真空に排
気したあと、前記室内に、Ａｒｓ　０２、Ｎ２　、ＮＨ
ｓ　、Ｎ２０、Ｃｏ、ＣＯ２、の中から選ばれるすくな
くとも一種のガスを導入し、ガス圧１〜１０００ｍ１０
０Ｏ好ましくは１〜５００匝ＴＯｒｒｓさらに好ましく
は１〜５０ｍＴｏｒｒ下で前記保護膜表面を逆スパツタ
リングし、そのあと前記保護膜上に、カルボキシル基、
アミノ基、水酸基、シラノール基、スルホン酸基、リン
酸基、などの親水性官能基を構成分子内に有するフッ素
系極性潤滑剤を塗布形成したことを特徴とする磁気ディ
スクの製造方法が提供される。

本発明の第３の目的は気密性を有する容器と、該容器を
負圧にしうる負圧発生装置と、非磁性基体および磁性層
からなり、さらに保護膜が形成された基板を載置する試
料台と、反応ガス供給装置と、反応ガス励起装置とから
なり、前記保護膜表面を親水性に改質することができる
ような構成であることを特徴とする磁気ディスクの製造
装置によって達成される。

すなわち、本発明により、非磁性基体上に前述のごとき
金属磁性層を有し、該金属磁性層上にカボンを主体とす
る保護膜層が形成された基板を、高周波プラズマ処理室
内に設けられた試料台上に載置でき、前記室内に０２、
Ｎ２　、ＮＩ＋３　、Ｎ２０　、ＣＯ％Ｃ０２、の中か
ら選ばれるすくなくとも一種のガスを導入し、ガス圧１
−１０００ｍ１００Ｏ好ましくはｌＯ〜７００ｍＴｏｒ
ｒｓさらに好ましくは　１００〜５００ｒＡＴｏｒｒ下
で前記保護膜表面をプラズマ処理することにより、前記
基板の保護膜表面を親水性に改善することができるよう
な構成であることを特徴とする磁気ディスクの製造装置
が提供される。

また、本発明により、非磁性基体上に前述のごとき金属
磁性層を有し、該金属磁性層上にカーボンを主体とする
保護膜層が形成された基板を、度も真空を破ることなく
、高周波プラズマ処理室内に設けられた試料台上に載置
でき、前記室内に０２、Ｎ２　、ＮＨ３，８２０、Ｃｏ
、ＣＯ２、の中から選ばれるすくなくとも一種のガスを
導入し、ガス圧１−１０００ｉＴｏｒｒ　ｓ好ましくは
１０〜７００ｍＴｏｒｒさらに好ましくは１００〜５０
０ａ＋Ｔｏｒｒ下で前記保護膜表面をプラズマ処理する
ことにより、保護膜形成後、連続して前記保護膜表面を
親水性に改善することができるような構成であることを
特徴とする磁気ディスクの製造装置が提供される。

さらに、本発明により、非磁性基体上に前述のごとき金
属磁性層を有し、該金属磁性層上にカーボンを主体とす
る保護膜層が形成された基板を、−度も真空を破ること
なく、紫外線照射装置に設けられた試料台上に載置でき
、前記室内に前記ガスの中から選ばれるすくなくとも一
種のガスを導入し、前記保護膜層表面に紫外線を照射す
ることにより、保護膜形成後、連続して前記保護膜表面
を親水性に改善することができるような構成であること
を特徴とする磁気ディスクの製造装置が提供される。

また、本発明により、非磁性基体上に前述のごとき金属
磁性層を有し、該金属磁性層上にカーボンを主体とする
保護膜層が形成された基板を、度も真空を破ることなく
、高周波スパッタ処理室内に設けられた試料東上に載置
でき、前記室内にＡｒｓ　０２、Ｎ２　、ＮＨｓ　、Ｈ
２Ｏｓ　Ｃｏ、ＣＯ２、の中から選ばれるすくなくとも
一種のガスを導入し、ガス圧力１〜１０００ｉＴｏｒｒ
好ましくは１〜５００ｍＴｏｒｒ、さらに好ましくは１
〜５０■Ｔｏｒｒ下で前記保護膜表面を逆スパツタ処理
することにより、保護膜形成後、連続して前記保護膜表
面を親水性に改善することができるような構成であるこ
とを特徴とする磁気ディスクの製造装置が提供される。

本発明に用いる保護膜表面を親水性に改質する処理法と
しては前述のようにプラズマ処理、紫外線照射処理、オ
ゾン処理、イオンボンバード処理、逆スパツタ処理など
があげられる。これらのうちではプラズマ処理、オゾン
処理、イオンボンバード処理、逆スパツタ処理が保護膜
表面を親水性に改質する効果が大きいという点で好まし
い。さらにプラズマ処理、逆スパツタ処理がフッ素系極
性潤滑剤との相互作用が大きいという点で好ましい。

前記反応ガス励起装置としては、後述のごとく、高周波
電極を用いたもの、紫外線光源を用いたもの、イオン銃
を用いたものなどがあげられる。

前記非磁性基体としては、アルミニウム合金、ステンレ
ス合金、ステンレススチール、セラミックス、プラスチ
ックおよびガラスからなる群から選ばれるいずれか一種
の非磁性基体からなるものなどがあげられる。これらの
うちでは、表面精度、コスト、重量、強度の点でアルミ
ニウム合金、プラスチック、セラミックが好ましい。

前記金属磁性層のかわりに、金属酸化物、金属窒化物ま
たはその複合体で構成される磁性膜からなるものなどを
用いてもよい。これらの中では、記録密度の点で金属磁
性層、耐久性の点で金属酸化物、金属窒化物が好ましい
。

［作　用］ 本発明においては、前記の表面を親水性に改質したカー
ボンを主体とする保護膜は、親水性官能基を有するフッ
素系極性潤滑剤分子との相互作用が強いため、フッ素系
極性潤滑剤はカーボン保護膜上に強く保持され、結果的
に潤滑剤分子の飛散や蒸発がほとんど生じず、潤滑剤層
の厚さが薄くならず、充分な機械的耐久性を有するとと
もに充分な撥水性を有すると考えられる。

［実施例コ 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第１図は本発明の一実施例を示す磁気ディスクの部分断
面図であり、（１）はアルミニウム合金からなる非磁性
基体、（ａはその上に形成されたＮ１−Ｐメツキ下地層
、（３）はその上に形成されたＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金磁
性層、（４）はいわゆる磁気ディスク基板、（５）は本
発明の特徴部分である表面を親水性に改質したカーボン
を主体とする保護膜、（６）は親水性官能基を構成分子
内に有するフッ素系極性潤滑剤層であり、デイツプコー
ト法により後記ＫＲＹＴＯＸ　１５７ＦＳＭが塗布され
ている。

以下、第２図は本発明を実施するためのプラズマＣＶＤ
装置の一例を示した概略説明図、第３図は本発明を実施
するための紫外線照射装置の一例を示した概略説明図、
第４図は本発明を実施するためのオゾン処理装置の一例
を示す概略説明図、第５図は本発明を実施するためのイ
オンボンバード装置の一例を示す概略説明図、第６図は
本発明を実施するための連続処理のできるスパッタ装置
の一例を示す概略説明図、第７図は本発明を実施するた
め連続処理のできるプラズマＣＶＤ装置の一例を示す概
略説明図、第８図は、本発明の実施例を示す各種改質処
理時間とカーボン保護膜表面の接触角の変化との関係を
示した特性曲線図、第９図は、本発明の実施例を示す潤
滑剤の塗布濃度３ｇ／ｌのときのスピンオフ試験期間と
潤滑剤層膜厚の変化との関係を示す特性曲線図、第１０
図は、本発明の実施例を示す潤滑剤の塗布濃度７ｇ／ｌ
のときのスピンオフ試験期間と潤滑剤層膜厚の変化との
関係を示す特性曲線図、第１１図は、各実施例による後
記ＫＲＹＴＯＸ　１５７ＦＳ（Ｍ）の濃度と塗布膜厚の
変化との関係を示した特性曲線図、第１２図は、本発明
の実施例を示す試験回数と磁気ディスクの摩擦係数の変
化との関係を示す特性曲線図である。

これらの図面において、ａｌ）は真空槽、０２）は高周
波電源、■は高周波電極、圓はアース電極、旧は真空ポ
ンプ、（ト）はガス導入口、肋は酸素ガス、（ト）は試
料、（２１１は試料台、のは紫外線光源、（３１）はオ
ゾン発生装置、（３２）は容器、（４１）はイオン銃、
（４２）は窒素ガス、（４３）はバイアス電源、（５１
）は切り替えスイッチ、（５２）は電極Ａ、　（５３）
は電極Ｂ１（５４）はカーボンターゲット、（５５）は
アルゴンガス、（６１）はメタンガス、（８２）は水素
ガスを示す。

また、第８図中の曲線（ａ）、山）、（ｅ）、（小およ
び（ｅ）はそれぞれ実施例１、実施例２、実施例３、実
施例４および実施例５によるものを示し、（なお曲線（
ａは実施例６をも示す）、第９図中の曲線＋ｆ＋、（９
）、曲および＋ｉ＋はそれぞれ実施例７、実施例９、比
較例１および比較例２によるものを示す（なお曲線（ｆ
）は実施例１Ｏ１１１，１２および１３をも示す）。

また、第１０図中の曲線（ｊ）、（い、（１）および（
ｍｌはそれぞれ実施例１４、実施例１５、比較例３およ
び比較例４によるもの、第１１図中の線（ｎ）、（０）
および（ｐ）はそれぞれ実施例７、実施例９および比較
例１によるものを示す（なお線ｉｎ＋は実施例１４、線
（ｐ）は比較例３をも示す）。さらに第１２図中の曲線
＋ｑ＞、Ｑ）、（Ｓ）および（１）はそれぞれ比較例１
、比較例２、実施例７および実施例９によるものを示す
（なお曲線（Ｓ）は実施例ｌ０１１１．１２および１３
をも示す）。

なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。

実施例１ 第２図は前記ディスクを製造するための高周波プラズマ
ＣＶＤ装置の概略図である。

あらかじめ、アルミニウム合金基体（１）上にＮ１−Ｐ
メキ膜（２が被覆され、その上に磁器記録再生用媒体の
磁性槽（３）としてＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金を５００人の
厚さにスパッタ法で形成したディスク基板（４）を準備
し、その上に保護膜（５）としてカーボンを５００人の
厚さにスパッタリングした。これを第２図の高周波プラ
ズマＣＶＤ処理室を構成する真空槽口）内の高周波電源
０２）に接続された高周波電極０上に載置した。

そしてアース電極（１４）を高周波電極■と並行に設置
した。つぎに真空ポンプ旧を動作させ真空槽内を一旦高
真空に引いたあと、０２ガスロをガス導入口（ト）から
真空槽０１）内に導入した。つぎに、高周波電極０とア
ース電極可とのあいだに１３．５６ＭＨｚの高周波電圧
を印加し、電極間にプラズマを発生させた。

そして、ガス圧１〜１０００ＩＩＩＴＯｒｒ１放電電力
２〜２００ｗの範囲で適切な条件に設置し、カーボン保
護膜（５）表面をプラズマ処理した。

第８図中の曲線（田は純水の接触角を利用したカーボン
保護膜（５）表面の親水性評価の結果を示したものであ
る。このときのプラズマ処理の条件は、０２ガスを用い
、圧力３００ｍＴｏｒｒｓ放電電力２５Ｗであった。プ
ラズマ処理をおこなわないときは接触角が大きく親水性
はあまりないが、プラズマ処理をおこなうことによって
接触角が小さくなり、親水性がよくなっていることを示
している。またカーボン保護膜表面をｘＰＳによりスペ
クトル解析すると、プラズマ処理を行うことによって表
面に存在する酸素元素が多くなり、カーボン保護膜表面
に−ＯＨ基などの官能基が形成していることがわかった
。

実施例２ 第３図は前記ディスクを製造するための紫外線照射装置
の概略図である。

前記磁気ディスク基板（４）を準備し、その上にカーボ
ン保護膜（５）を５０ＯＡの厚さにスパッタ法により形
成した。これを第３図の紫外線照射装置を構成する真空
槽０１１内の試料台（２１１に載置した。そして低圧水
銀ランプなどの紫外線光源のを試料台（２１１上に設置
した。つぎに真空ポンプ６を動作させて真空槽０１）内
を一旦真空に引いたあと、０２ガス０７をガス導入日田
から真空槽０１）内に導入した。ガス圧１〜５００Ｔｏ
ｒｒの範囲で適切な条件に設定し、紫外線光源［株］に
電源を投入して紫外線を照射し、カーボン保護膜（５）
表面を紫外線照射処理した。

第８図中の曲線（ｂ）に純水の接触角を利用したカーボ
ン保護膜（５）表面の親水性評価の結果を示す。

紫外線照射処理の条件は、０２ガスを用い、圧力１００
　Ｔｏｒｒ、５００ｗの低圧水銀ランプを紫外線光源と
して用いた。実施例１と同様に紫外線照射によってカー
ボン保護膜の表面の親水性がよくなっている。

実施例３ 第４図は前記ディスクを製造するためのオゾン発生装置
を有するオゾン処理装置の概略図である。

前記磁気ディスク基板（４）を準備し、その上にカーボ
ン保護膜（５）を５００人の厚さにスパッタ法により形
成した。これを第４図のオゾン発生装置（３１）を有す
る容器（３２）内の試料台■に載置した。容器（３２）
内に酸素ガス肋を導入し、オゾンを発生させてカーボン
保護膜（５）表面をオゾン処理した。

第８図中の曲線（Ｃ）に純水の接触角を利用したカーボ
ン保護膜（５）表面の親水性評価の結果を示す。

実施例１と同様にオゾン処理によってカーボン保護膜の
表面の親水性がよくなっている。

実施例４ 第５図は前記ディスクを製造するためのイオンボンバー
ド装置の概略図である。

前記磁気ディスク基板（４）を準備し、その上にカーボ
ン保護膜（５）を５００人の厚さにスパッタ法により形
成した。これを第５図のイオンボンバード装置を構成す
る真空槽０１）内の試料台のに載置し、イオン銃（４１
）を試料台（２ｖ上に設置した。つぎに真空ポンプｂを
動作させて真空槽０１）内を一旦高真空に引いたあと、
圧力０．Ｏ１〜１００ｓＴｏｒｒ下で窒素ガス（４２）
をイオン銃（４１）によってイオン化し、試料ａａに照
射し、カーボン保護膜（５）表面をイオンボンバード処
理した。

第８図中の曲線（小に純水の接触角を利用したカーボン
保護膜（５）表面の親水性評価の結果を示す。

イオンボンバード処理は、窒素ガスをイオン銃によって
イオン化し窒素イオンを圧力１　ｍＴｏｒｒのもとてカ
ーボン保護膜表面に照射した。実施例１と同様にイオン
ボンバード処理によってカーボン保護膜の表面の親水性
がよくなっている。

実施例５ 第６図は前記ディスクを製造するためのスパッタ装置の
概略図である。

前記磁気ディスク基板（４）を準備し、これを第６図の
スパッタ装置を構成する真空槽旧）内の極性切り替えス
イッチ（５１）を通して高周波電源０に接続された電極
Ａ　（５２）上に載置した。そして極性切り替えスイッ
チ（５１）に接続された電極Ｂ　（５１）を電極Ａ　（
５２）上に設置した。電極Ｂ　（５３）上にはカーボン
ターゲット（５４）を載置した。つぎに真空ポンプ旧を
動作させて真空槽０１）内を一旦真空に引いたあと、Ａ
ｒガス（５５）をガス導入口（ハ）から真空槽旧）内に
導入した。続いて極性切り替えスイッチ（５１）を切り
替えて電極Ｂ　（５３）に高周波電圧を印加し、磁気デ
ィスク基板（４）上にカーボン保護膜（５）を５００人
の厚さにスパッタ形成した。そのあと切り替えスイッチ
（５１）を切り替えて電極Ａ　（５１）に高周波電圧を
印加し、保護膜（５）表面を逆スパツタした。

第８図中の曲線（ｅ）に純水の接触角を利用したカーボ
ン保護膜（５）表面の親水性評価の結果を示す。

このときのカーボン保護膜の成膜条件は、圧力５ｍＴｏ
ｒｒ　ｓ高周波電力５００ｗであった。また逆スパツタ
リング条件は、圧力８０ｍＴｏｒｒ　、高周波電力１０
０ｗであった。逆スパツタ処理を行わないときは接触角
が大きく親水性はあまりないが、逆スパツタ処理を行う
ことによって接触角が小さくなり、親水性がよくなって
いることを示している。

実施例６ 第７図は、前記ディスクを製造するための高周波プラズ
マＣＶＤ装置の概略図である。

あらかじめ、アルミニウム合金基体（１）上にＮ１−Ｐ
メツキ膜（′２Ｊが被覆され、その上に磁気記録再生用
媒体の磁性層（３）としてＧｏ−Ｎｌ−Ｃｒ合金を５０
０人の厚さにスパッタ法で形成したディスク基板（４）
を準備し、これを第７図の高周波プラズマＣＶＤ処理室
を構成する真空槽０１）内の高周波電源（＋２１に接続
された高周波電極（至）上に載置した。そしてアース電
極０４）を高周波電極日と並行に設置した。つぎに真空
ポンプ四を動作させ真空槽内を一旦高真空に引いたあと
、メタンガス（６１）と水素ガス（６２）の混合ガスを
ガス導入口□□□から真空槽旧）内に導入した。つぎに
、高周波電極０ａとアース電極０４１とのあいだに１３
．５８ＭＨｚの高周波電圧を印加し、電極間にプラズマ
を発生させた。そして、ガス圧１〜１０００ａ＋Ｔｏｒ
ｒ　。

放電電力２〜２００Ｗの範囲で適切な条件に設置し、磁
気ディスク基板（４）上にカーボン保護膜（５）を５０
０人の厚さに形成した。つぎにガスを酸素ガス面に切り
替えガス導入口０■から真空槽旧）内に導入した。

つぎに高周波電極Ｕとアース電極０４）間に高周波電圧
を印加し、電極間にプラズマを発生させた。ガス圧１〜
１０００ｉＴｏｒｒ　、放電電力２〜２００ｗの範囲で
適切な条件に設置し、カーボン保護膜（５）表面を連続
的に処理することができる。

第８図中の曲線（ωは純水の接触角を利用したカーボン
保護膜（５）表面の親水性評価の結果を示したものであ
る。このときのカーボン保護膜の成膜条件は、圧力３０
０ｍＴｏｒｒ、高周波電力６０ｖであった。

また、プラズマ処理の条件は、圧力３００ｉＴｏｒｒ、
高周波電力２５Ｗであった。プラズマ処理を行わないと
きは接触角は大きく親水性はあまりないが、プラズマ処
理を行うことによって接触角が小さくなり、親水性がよ
くなっていることを示している。

用いるフッ素系極性潤滑剤 本発明に用いる親水性官能基を分子内に有するフッ素系
極性潤滑剤としては、分子中にすくなくとも１個、好ま
しくは１〜２０個のカルボキシル基を有するフッ素系潤
滑剤であればいずれのものであっても使用できる。その
具体例としては、たとえば、一般式（Ｉ）： もの、一般式（■）： ＨＯＯＣ−ＣＦ２０−　（Ｃ２Ｆａ　Ｏ）　　−（ＣＦ
２０）　、　−ＣＦ２−ＣＯＯＨ■ （式中、■は１〜５０の自然数、１は１〜５０の自然数
を示す）で表されるもの、一般式ｌＤ：Ｐ−（ＣＦ２）
　　−ＣＯＯＨＱ［） （式中、ｇは１〜２０の自然数を示す）で表されるもの
などがあげられる。

一般式（Ｉｌで表されるものの具体例としては、たとえ
ばデュポン社製、ＫＲＹＴＯＸ　１５７ＦＳ（Ｌｌ、Ｋ
ＲＹＴＯＸ１５７ＦＳＭ、　ＫＲＹＴＯＸ　１５７ＦＳ
Ｈ（それぞれ商品名であり、添字の（Ｌｌ、（財）およ
び■はそれぞれ平均分子量で分けられ、分子式中のｎが
異なるものである）があげられる。

一般式（Ｍｌで表されるものの具体例としては、たとえ
ばモンテフロース社製、Ｚ−ＤＩＡＣ（商品名）があげ
られる。

一般式（３）で表されるものの具体例としては、たとえ
ば大日本インキ化学工業■製、メガファックＰ−１２０
（商品名、式：　Ｐ　（ＣＦ２　）８−ＣＯＯＨ）があ
げられる。

また他のフッ素系極性潤滑剤としては、分子内にすくな
くとも１個以上のアミノ基、水酸基、シラノール基、ス
ルホン酸基、リン酸基、などの親水基を有するのであれ
ばよい。その具体例としては、一般式（■、■）： Ｃｏ　Ｆｌｙ　−ＮＨ２（至） Ｃ８Ｆ＋７−　ＮＨＣ２８４Ｎ１（ｚ　　　　　　　　
［Ｖ）モンテフロース社製、Ｚ−ＤＯＬ　　（商品名）
、一般式（ｖＩｌ　。

■ （式中、ｎＳｍは１〜２０の自然数）一般式■〜（ＸＩ
）： Ｃａｌ　Ｆ１７−０（ＯＨ）２ Ｃ６Ｆ＋７−８０３８ Ｃｓ　Ｆｙ　−０８１（００８３）　３Ｃ６Ｆｌｙ　−
０３１（ＯＣ２Ｎ５　）２Ｃ）Ｉｓ で表されるものなどがあげられる。なお前記化合物につ
いては、昭和６３年電子情報通信学会秋期全国大会予稿
集Ｃ−８で記載されている。

実施例７ 実施例１のプラズマ処理法によって、表面を親水性に改
質したカーボンを主体とする保護膜が形成された磁気デ
ィスク基板上に、フッ素系極性潤滑剤ＫＲＹＴＯＸ　１
５７ＦｓＭをデイツプコート法で塗布することで磁気デ
ィスクを制作した。なお、塗布時の条件として、ＫＲＹ
ＴＯＸ　１５７ＰｓＭをフッ素溶媒（トリフルオロトリ
クロロエタン）に３ｇ／ｌの条件で希釈し、この中へ基
板を浸漬し、基板引き上げ速度０．１ｍ／ｓｉｎで行っ
た。このときの潤滑剤層の厚さは約３４人であった。

デイツプコート法についての詳細な説明は、日本潤滑学
会第３２期全国大会（大阪）予稿集ｐ４８５〜４８８（
１９８７）などに記載されている。

実施例８ 実施例７で用いた０２ガスによるプラズマのかわりに、
Ｎ２　、ＮＨ３、Ｎ２０　、Ｃｏ、ＣＯ２、大気（０２
二Ｎ２−１：４）などのガスによるプラズマによって、
表面を親水性に改質したカーボンを主体とする保護膜が
形成された磁気ディスク上に実施例７と全く同様にして
実施例８の磁気ディスクを作製した。このときの潤滑剤
層の厚さは約３４人であった。

実施例９ 実施例２の紫外線照射法のよって、表面を親水性に改質
したカーボンを主体とする保護膜が形成された磁気ディ
スク上に実施例７と全く同様にして実施例９の磁気ディ
スクを作製した。このときの潤滑剤層の厚さは約２８人
であった。

実施例１Ｏ 実施例３のオゾン処理法によって、表面を親水性に改質
したカーボンを主体とする保護膜が形成された磁気ディ
スク上に実施例７と全く同様にして実施例１０の磁気デ
ィスクを作製した。このときの潤滑剤層の厚さは約３３
人であった。

実施例ｔｉ 実施例４のイオンボンバード法によって、表面を親水性
に改質したカーボンを主体とする保護膜が形成された磁
気ディスク上に実施例７と全く同様にして実施例１１の
磁気ディスクを作製した。このときの潤滑剤層の厚さは
約３３人であった。

実施例１２ 実施例５の逆スパツタ法によって、表面を親水性に改質
したカーボンを主体とする保護膜が形成された磁気ディ
スク上に実施例７を全く同様にして実施例１２の磁気デ
ィスクを作製した。このときの潤滑剤層の厚さは約３４
人であった。

実施例１３ 実施例６のプラズマＣＶＤ法によって、表面を親水性に
改質したカーボンを主体とする保護膜が形成された磁気
ディスク上に実施例７と全く同様にして実施例１３の磁
気ディスクを作製した。このときの潤滑剤層の厚さは約
３４人であった。

実施例１４ 実施例７で用いた、プラズマ法により表面を親水性に改
質したカーボンを主体とする保護膜が形成された磁気デ
ィスク基板上に、フッ素系極性潤滑剤ＫＲＹＴＯＸ　１
５７ＰＳＭをデイツプコート法で塗布することで磁気デ
ィスクを製作した。なお、塗布時ノ条件トシテ、ＫＲＹ
ＴＯＸ　１５７ＰＳＭをフッ素溶媒（トリフルオロトリ
クロロエタン）に７ｇ／ｌの条件で希釈し、この中へ基
板を浸漬し、基板引き上げ速度０．１ｍ／ｓｉｎで行っ
た。このときの潤滑剤層の厚さは約５７人であった。

実施例１５ 実施例２の紫外線照射法によって、表面を親水性に改質
したカーボンを主体とする保護膜が形成された磁気ディ
スク上に実施例１４と全く同様にして実施例１５の磁気
ディスクを作製した。このときの潤滑剤層の厚さは約５
０人であった。

比較例１ 実施例７で用いた、プラズマ処理法によって表面を親水
性に改質し、たカーボンを主体とする保護膜を形成した
磁気ディスク基板の代わりに、スパッタ法で成膜された
従来のカーボンを主体とする保護膜を有する基板を用い
た以外は、実施例７と全く同様にして比較例１の磁気デ
ィスクを作製した。このときの潤滑剤層の厚さは約１９
人であった。

比較例２ 実施例７で用いたフッ素系極性潤滑剤の代わりに、極性
基を持たない同形列の潤滑剤であるデュポン社製ＫＲＹ
ＴＯＸ　１４３＾Ｄ（商品名）、一般式（ｘｎ）：Ｐ−
（ＣＰ−ＣＦ２０）　　−ＣＦｓ　　　　　　　　（Ｘ
ＩＩ）ＣＰ３ （式中、ｎは１〜５０の自然数）を用いた以外は実施例
７と全く同様にして比較例２の磁気ディスクを作製した
。このときの潤滑剤層の厚さは約２０人であった。

比較例３ 実施例１４で用いた、プラズマ処理法によって表面を親
水性に改質したカーボンを主体とする保護膜を形成した
磁気ディスク基板の代わりに、スパッタ法で成膜された
従来のカーボンを主体とする保護膜を有する基板を用い
た以外は、実施例１４と全く同様にして比較例３の磁気
ディスクを作製した。このときの潤滑剤層の厚さは約４
２人であった。

比較例４ 実施例１４で用いたフッ素系極性潤滑剤の代わりに、比
較例２で用いた、極性基を有しない同系列の潤滑剤であ
るデュポン社製ＫＲＹＴＯＸ　１４１ＡＤを用いた以外
は実施例１４と全く同様にして比較例４の磁気ディスク
を作製した。このときの潤滑剤層の厚さは約４０人であ
った。

スピンオフ試験 前記実施例７．９、ｌ０１１１．１２、および１３と比
較例１および２について磁気記録媒体の潤滑剤層の信頼
性を表すスピンオフ試験を行った。そのときの試験期間
に対する潤滑層膜厚の変化の推移を第９図に示す。また
、実施例１４および１５、ならびに比較例３および４に
ついてのスピンオフ試験の結果を第１Ｏ図に示す。ただ
し、ここで言うスピンオフ試験とは、被試料の磁気ディ
スクをスピンドルモーター上に搭載し、これを温度６５
℃、湿度２０％の恒温恒湿槽に設置したあと、スピンド
ルモーターを８ＢＯＯｒｐＩＩで回転させ（磁気ディス
クも３６００「ｐ■で回転する）、この回転にともなう
磁気ディスク面上の潤滑剤槽の膜厚変化を評価する試験
をいう。すなわち、磁気ディスクの回転に伴い、潤滑層
膜厚が大きく減少したばあいは、スピンオフ現象が生じ
たことを示し、潤滑効果の劣化を生じる。とくにＣ８Ｓ
動作試験においては、潤滑剤層がある厚さより薄くなる
と、Ｃ８Ｓにともなう摩擦力の増大が問題となり、また
あまり厚く塗布し過ぎるとヘッドとディスクとの吸着現
象が起きるため潤滑剤層の厚さにはある適切な厚さの範
囲があることがわかっている（参考文献二日本潤滑学会
第３２期全国大会（大阪）予稿集ｐ４８５〜４８８（１
９８７））。

今回の潤滑層膜厚評価は、ＦＴ−Ｉ　Ｒ（フーリエ変換
赤外吸収分光）による膜厚測定法を用いた。該方法は、
潤滑層の示す赤外吸収強度から算出されるものである。

なおその詳細については、前述の参考文献、日本潤滑学
会第３２期全国大会（大阪）予稿集ｐ４８５〜４８ｇ（
１９ｇ？）に説明されている。

第９図から、本発明の実施例７．９．１Ｏ５ＩＬｌ２お
よび１８の磁気ディスクでは、はとんどスピンオフによ
る潤滑層膜厚の変化がすくなく、試験後も約３０人の厚
さの潤滑剤層が残っているのに対し、従来のタイプの比
較例１および極性基を有しない潤滑剤を用いたタイプの
比較例２の磁気ディスクでは、潤滑剤層の膜厚減少が大
きく、明らかにスピンオフが発生し、残った潤滑剤の厚
さも薄くＣ８Ｓによる摩擦係数の増大がおこる。

また第１Ｏ図は潤滑剤塗布時の潤滑剤濃度を７ｇ／ｌと
高くして塗布膜厚を厚くしたもののスピンオフ試験の結
果である。最終的な膜厚は潤滑剤濃度３ｇ／ｌのものと
変わらず、実施例１４および１５は約３０人の厚さの潤
滑剤が残っているのに対し、比較例３および４はスピン
オフ試験後の膜厚が薄く摩擦係数の増大が起きる。さら
にこの濃度では初期膜厚が厚いために吸着の可能性も懸
念される。

ここで、本発明の磁気ディスクが従来の磁気ディスクと
比べ、スピンオフに対し良好な理由について検討してみ
たところ、実施例７．９．１０．１１゜１２および１３
のディスク上に塗布された潤滑層膜厚は、比較例１およ
び２のディスク上に塗布される潤滑層膜厚よりも、同一
条件で塗布したにもかかわらず、厚く塗布されることか
ら、本発明の表面を親水性に改質したカーボンを主体と
する保護膜とフッ素系極性潤滑剤であるＫＲＹＴＯＸ　
１５７ＰＳＭ分子内のカルボキシル基とが相互作用を有
していることがわかった。このことから、本発明の磁気
ディスクの構成部である潤滑層は、炭素膜上に相互作用
を介してしっかりと固着されるため、結果としてスピン
オフしにくい潤滑層を形成したものと考えられる。なお
第１１図に、潤滑剤の塗布条件と潤滑層膜厚の関係を示
す。

Ｃ８Ｓ試験 つぎにスピンオフ試験を行ったあとの前記実施例と比較
例について磁気記録媒体の信頼性を表すＣ８Ｓ動作試験
を行った。そのときのＣ８Ｓ動作試験回数と、ヘッドと
ディスクとのあいだに発生した摩擦係数の関係を第１２
図に示す。

第１２図から、実施例７．９．１１．１２および１３の
磁気ディスクのＣ８Ｓ動作試験に伴う摩擦係数の増加は
著しくすくないのに対し、比較例１および２の磁気ディ
スクでは著しく大きくなっていることがわかる。このこ
とから、本発明の磁気ディスクは磁気ヘッドとの接触摺
動にともなう機械的劣化がすくないことがわかり、潤滑
層の効果が著しいことがわかる。なおＣ８Ｓ動作試験方
法については、精密機械工学会誌、５４．５、ｐｙｓ〜
７９（１９８ｇ）などに詳細に紹介されている。

なお、前記実施例では、製造装置として、並行平板型の
高周波プラズマＣＶＤ装置やスパッタ装置を用いたが、
本発明ではプラズマ発生手段としてその他周知のマイク
ロ波イオン源や直流を用いたプラズマＣＶＤ装置および
スパッタ装置をも使用できることはいうまでもない。

また、本発明の実施例では磁気ディスクについて述べた
が、フロッピーディスク、磁気テープ、磁気カードにも
本発明が有効であることは明らかである。

［発明の効果］ 以上のように本発明による磁気ディスクは、基板上に磁
性層を形成し、その上に形成される表面を親水性に改質
したカーボンを主体とする保護膜が、親水性官能基を有
するフッ素系極性潤滑剤分子との相互作用を有するため
に、結果として塗布形成される潤滑剤層はカーボン保護
膜上に強く保持され、ディスク回転にともなう潤滑剤層
のスピンオフ現象すなわち飛散や蒸発がほとんど生じず
充分な機械的耐久性を有する。また磁性層上に形成され
る層の合計の膜厚を薄くできるので磁性層と磁気ヘッド
とのスペーシングロスがすくなく、磁気記録媒体の再生
特性を良好に保持できる。そして、このため耐久性にす
ぐれた、かつ再生出力が低下しない磁気ディスクかえら
れる効果がある。

さらにカーボン保護膜表面を親水性に改質する方法なら
びに装置として、カーボンからなる保護膜を真空中で作
り、そのあと真空を破ることなく親水性改質処理できる
ため、量産化に対してのスルーブツトもよくなるという
効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す磁気ディスクの部分断
面図、第２図は本発明を実施するためのプラズマＣＶＤ
装置の一例を示した概略説明図、第３図は本発明を実施
するための紫外線照射装置の一例を示した概略説明図、
第４図は本発明を実施するためのオゾン処理装置の一例
を示した概略説明図、第５図は本発明を実施するための
イオンボンバード装置の一例を示した概略説明図、第６
図は本発明を実施するための連続処理のできるスパッタ
装置の一例を示した概略説明図、第７図は本発明を実施
するため連続処理のできるプラズマＣＶＤ装置の一例を
示した概略説明図、第８図は本発明の実施例を示す各種
改質処理時間とカーボン保護膜表面の接触角の変化との
関係を示した特性曲線図、第９図は本発明の実施例を示
す潤滑剤の塗布濃度３ｇ／ｌのときのスピンオフ試験期
間と潤滑剤層膜厚の変化との関係を示す特性曲線図、第
１０図は本発明の実施例を示す潤滑剤の塗布濃度７ｇ／
Ｉのときのスピンオフ試験期間と潤滑剤層膜厚の変化と
の関係を示す特性曲線図、第１１図は各実施例によるＫ
ＲＹＴＯＸ　１５７ＰＳＭｌの濃度と塗布膜厚の変化と
の関係を示した特性曲線図、第１２図は本発明の実施例
を示すＣ８Ｓ試験回数と磁気ディスクの摩擦係数の変化
との関係を示す特性曲線図である。 （図面の主要符号） （１）：非磁性基体 （３）二合金磁性層 （５）：カーボン保護膜 （６）：潤滑剤層 代　　理　　人 大 岩 増 雄 オ　１　回 牙２図 ：非磁性基体 ：合金磁性層 ：カーボン保護膜 、潤滑剤層 材３図 第４ 図 才６図 （自発） １．事件の表示 持−２−１４０８１４号 ３、補正をする者 （連絡先０３（３２＋３）３４？Ｉ４．’ｒ′ｙｒ部）
補正する。 ５、補正の対象 （１）明細書の「発明の詳細な説明」の欄６、補正の内
容 （１）明細書５頁１行の「とてしては」を「とじては」
と補正する。 （２）同１３頁４行のｒ　ＡＲＪをｒ　ＡｒＪと補正す
る。 （３）同１Ｂ頁１６行の「試料箱」を「試料台」と補正
する。 （４）同２１頁１５行のｒ（Ｖ）Ｊをｒ（ｒ）Ｊと補正
する。 （５）同２２頁５〜６行の「メキ膜（２）が被覆され、
その上に磁器記録再生用媒体の磁性槽」を「メツキ膜（
２）が被覆され、その上に磁気記録再生用媒体の磁性層
」と補正する。 （６）同３３頁１０行の「のよって」を「によって」と
補正する。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）非磁性基体および磁性層を有する基板と、該磁性
   層上に形成されたカーボンを主体とした保護膜と、フッ
   素系極性潤滑剤層とからなる磁気ディスクあって、前記
   フッ素系極性潤滑剤層が親水性官能基を構成分子内に有
   し、親水性に改良された前記保護膜層表面上に該フッ素
   系極性潤滑剤層が塗布形成されてなる磁気ディスク。
2. （２）非磁性基体上に磁性層を有する基板を作製し、該
   磁性層上にカーボン主体とした保護膜を形成し、前記保
   護膜表面を親水性に改質したのち、親水性官能基を構成
   分子内に有するフッ素系極性潤滑剤を塗布形成すること
   を特徴とする磁気ディスクの製造方法。
3. （３）気密性を有する容器と、該容器を負圧にしうる負
   圧発生装置と、非磁性基体および磁性層からなり、さら
   にカーボンを主体とした保護膜が形成された基板を載置
   する試料台と、反応ガス供給装置と、反応ガス励起装置
   とからなり、前記保護膜表面を親水性に改質することが
   できるような構成であることを特徴とする磁気ディスク
   の製造装置。