JPH04114438A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH04114438A JPH04114438A JP2234193A JP23419390A JPH04114438A JP H04114438 A JPH04114438 A JP H04114438A JP 2234193 A JP2234193 A JP 2234193A JP 23419390 A JP23419390 A JP 23419390A JP H04114438 A JPH04114438 A JP H04114438A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- busbars
- chip
- bus bar
- lead
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路装置に関し、特にＬＯＧ（Ｌ
ｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造を備えた樹脂封止形ＬＳ
Ｉパッケージに適用して有効な技術に関するものである
。
ｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造を備えた樹脂封止形ＬＳ
Ｉパッケージに適用して有効な技術に関するものである
。
４メガビツト（Ｍｂｉｔ）ダイナミックＲＡＭ（Ｏｙｎ
ａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ
） や、１６メガビツ）ＤＲＡＭなどの大規模集積回
路を形成した半導体チップを収容するＬＳＩパッケージ
は、チップサイズが従来よりも増大する一方で、パッケ
ージ寸法の増大には規格上の制約があるという理由から
、パッケージ本体を構成する樹脂の肉厚が極めて薄くな
っている。そのため、パッケージ本体内に封止されるイ
ンナーリードの長さが極めて短（なり、リードがパッケ
ージから抜は易くなったり、リードを折り曲げる際にパ
ッケージにクラックが発生したりするという問題が生じ
ている。また、Ｓ ＯＪ （Ｓｍａｌｌ ０ｕｔｌｉｎ
ｅ Ｊ−１ｅａｄ ｐａｃｋａｇｅ）などの表面実装形
ＬＳＩパッケージにおいては、上記した問題に加えて、
パッケージ中に含まれる水分が半田リフロー時の熱で膨
張することに起因する、いわゆるリフロークラックが深
刻な問題になっている。
ａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ
） や、１６メガビツ）ＤＲＡＭなどの大規模集積回
路を形成した半導体チップを収容するＬＳＩパッケージ
は、チップサイズが従来よりも増大する一方で、パッケ
ージ寸法の増大には規格上の制約があるという理由から
、パッケージ本体を構成する樹脂の肉厚が極めて薄くな
っている。そのため、パッケージ本体内に封止されるイ
ンナーリードの長さが極めて短（なり、リードがパッケ
ージから抜は易くなったり、リードを折り曲げる際にパ
ッケージにクラックが発生したりするという問題が生じ
ている。また、Ｓ ＯＪ （Ｓｍａｌｌ ０ｕｔｌｉｎ
ｅ Ｊ−１ｅａｄ ｐａｃｋａｇｅ）などの表面実装形
ＬＳＩパッケージにおいては、上記した問題に加えて、
パッケージ中に含まれる水分が半田リフロー時の熱で膨
張することに起因する、いわゆるリフロークラックが深
刻な問題になっている。
これらの問題の解決策として、チップを搭載するタブ（
グイパッド）を廃止し、チップの主面に接着した絶縁フ
ィルム上にリードを配置してリードとチップのボンディ
ングパッドとをワイヤで結線する、いわゆるＬ ＯＧ
（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造や、リード上に接着
した絶縁フィルムの上にチップを搭載し、リードとボン
ディングパッドとをワイヤで結線する、いわゆるＣ Ｏ
Ｌ （Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｌｅａｄ）構造などのタブレス
リードフレーム方式が提案されている。
グイパッド）を廃止し、チップの主面に接着した絶縁フ
ィルム上にリードを配置してリードとチップのボンディ
ングパッドとをワイヤで結線する、いわゆるＬ ＯＧ
（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造や、リード上に接着
した絶縁フィルムの上にチップを搭載し、リードとボン
ディングパッドとをワイヤで結線する、いわゆるＣ Ｏ
Ｌ （Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｌｅａｄ）構造などのタブレス
リードフレーム方式が提案されている。
上記タブレスリードフレーム方式を用いたＬＳＩパッケ
ージは、■インナーリード長を長くすることができるた
め、パッケージの耐熱性や耐湿性が向上する。■タブを
廃止することによって、樹脂とリードとの密着件が向上
し、リフロークラック耐性が向上するため、サイズの大
きいチップでも従来寸法のパッケージに収容することが
可能となる。■ボンディングワイヤ長を短くすることが
できるため、信号の配線遅延が低減される、などの利点
がある。
ージは、■インナーリード長を長くすることができるた
め、パッケージの耐熱性や耐湿性が向上する。■タブを
廃止することによって、樹脂とリードとの密着件が向上
し、リフロークラック耐性が向上するため、サイズの大
きいチップでも従来寸法のパッケージに収容することが
可能となる。■ボンディングワイヤ長を短くすることが
できるため、信号の配線遅延が低減される、などの利点
がある。
また、上記ＬＯＣ構造のＬＳＩパッケージにおいては、
チップに電源（ｔｉｌＦ、電圧〔ｖｃｃ〕、基準電圧Ｃ
ＶＳｓ〕）を供給するそれぞれのインナーリードをチッ
プの長辺に平行して引き伸ばし、それらをチップの主面
上の中央部に配置する方式が採用されている（以下本願
にふいては、上記電源供給用インナーリードのうち、チ
ップ中央部に引き伸ばされた部分をバスバーとも称する
）。上記バスバーを有するＬＯＧ構造のＬＳＩパッケー
ジは、チップの主面のどの箇所にも短距離で電源を供給
することができるので、電源ノイズが低減され、回路の
高速動作を実現することができるという利点がある。な
お、上記タブレスリードフレーム方式について記載され
た文献の例としては、特開昭５９−９２５５６号公報、
特開昭６０−１６７４５４号公報、特開昭６２−２２８
１３９号公報、特開昭６１−２３６１３０号公報、技研
情報センター（１９９０年１月１７日）発行”９０ＶＬ
ＳＩパツケージの最新動向とその設計技術」などがある
。
チップに電源（ｔｉｌＦ、電圧〔ｖｃｃ〕、基準電圧Ｃ
ＶＳｓ〕）を供給するそれぞれのインナーリードをチッ
プの長辺に平行して引き伸ばし、それらをチップの主面
上の中央部に配置する方式が採用されている（以下本願
にふいては、上記電源供給用インナーリードのうち、チ
ップ中央部に引き伸ばされた部分をバスバーとも称する
）。上記バスバーを有するＬＯＧ構造のＬＳＩパッケー
ジは、チップの主面のどの箇所にも短距離で電源を供給
することができるので、電源ノイズが低減され、回路の
高速動作を実現することができるという利点がある。な
お、上記タブレスリードフレーム方式について記載され
た文献の例としては、特開昭５９−９２５５６号公報、
特開昭６０−１６７４５４号公報、特開昭６２−２２８
１３９号公報、特開昭６１−２３６１３０号公報、技研
情報センター（１９９０年１月１７日）発行”９０ＶＬ
ＳＩパツケージの最新動向とその設計技術」などがある
。
本発明者が検討したところによると、上言己バスバーを
有するＬＯＧ構造のＬＳＩパッケージには下記のような
問題がある。
有するＬＯＧ構造のＬＳＩパッケージには下記のような
問題がある。
まず、バスバーを有するＬＯＧ構造のＬＳＩパッケージ
に封止される半導体チップは、その主面の中央部に複数
のボンディングパッドを配置し、それぞれのボンディン
グパッドとそれに対応するインナーリードとの間にワイ
ヤをボンディングしている。ところが、チップに入出力
信号を供給するインナーリードと上記ボンディングパッ
ドとの間には、バスバーが延在している。そのため、上
記入出力信号供給用インナーリードとボンディングパッ
ドとを接続するワイヤは、このバスバーの上を跨ぐよう
にボンディングされるためワイヤがバスバーに接触し易
いという問題がある。
に封止される半導体チップは、その主面の中央部に複数
のボンディングパッドを配置し、それぞれのボンディン
グパッドとそれに対応するインナーリードとの間にワイ
ヤをボンディングしている。ところが、チップに入出力
信号を供給するインナーリードと上記ボンディングパッ
ドとの間には、バスバーが延在している。そのため、上
記入出力信号供給用インナーリードとボンディングパッ
ドとを接続するワイヤは、このバスバーの上を跨ぐよう
にボンディングされるためワイヤがバスバーに接触し易
いという問題がある。
また、チップの主面上の中央部にバスバーを配置すると
、バスバーとその上の樹脂との界面に熱応力が集中し易
い。そのため、バスバー上の樹脂にクランクが発生し、
バスバーを跨ぐワイヤが断線したり、上記クラックを通
じてパッケージ内部に水分が浸入して配線を腐食させた
りするという問題がある。
、バスバーとその上の樹脂との界面に熱応力が集中し易
い。そのため、バスバー上の樹脂にクランクが発生し、
バスバーを跨ぐワイヤが断線したり、上記クラックを通
じてパッケージ内部に水分が浸入して配線を腐食させた
りするという問題がある。
本発明は、上記した問題点に着目してなされたものであ
り、その目的は、バスバーを有するＬＯＧ構造の樹脂封
止形ＬＳＩパッケージにおいて、ワイヤとバスバーとが
短絡する不良を有効に防止することのできる技術を提供
することにある。
り、その目的は、バスバーを有するＬＯＧ構造の樹脂封
止形ＬＳＩパッケージにおいて、ワイヤとバスバーとが
短絡する不良を有効に防止することのできる技術を提供
することにある。
また、本発明の他の目的は、バスバーを有するＬＯＧ構
造の樹脂封止形ＬＳＩパッケージにふいて、バスバー上
の樹脂にクラックが発生する不良を有効に防止すること
のできる技術を提供することにある。
造の樹脂封止形ＬＳＩパッケージにふいて、バスバー上
の樹脂にクラックが発生する不良を有効に防止すること
のできる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
本願の一発明は、バスバーを有するＬＯＧ構造の樹脂封
止形ＬＳＩパッケージにおいて、上記バスバーの厚さを
インナーリードの厚さよりも薄くした半導体集積回路装
置である。
止形ＬＳＩパッケージにおいて、上記バスバーの厚さを
インナーリードの厚さよりも薄くした半導体集積回路装
置である。
上記した手段によれば、バスバーの厚さをインナーリー
ドの厚さよりも薄くしたことにより、バスバーの上を跨
いでボンディングされるワイヤとバスバーとの距離が充
分に確保されるので、ワイヤとバスバーとが短絡する不
良を有効に防止することができる。
ドの厚さよりも薄くしたことにより、バスバーの上を跨
いでボンディングされるワイヤとバスバーとの距離が充
分に確保されるので、ワイヤとバスバーとが短絡する不
良を有効に防止することができる。
また、バスバーの厚さを薄くしたことにより、バスバー
と樹脂との界面に発生する熱応力が低減されるので、バ
スバー上の樹脂にクラックが発生する不良を有効に防止
することができる。
と樹脂との界面に発生する熱応力が低減されるので、バ
スバー上の樹脂にクラックが発生する不良を有効に防止
することができる。
〔実施例１〕
第１図は、本実施例のＬＳＩパッケージの要部破断斜視
図、第２図は、このＬＳＩパッケージの短辺方向に沿っ
た断面図である。
図、第２図は、このＬＳＩパッケージの短辺方向に沿っ
た断面図である。
本実施例１のＬＳＩパッケージは、樹脂封止形ＬＳＩパ
ッケージの一種のＳＯＪ １である。このＳＯＪ １は
、例えば４００［：ｍｉｌ〕のパッケージサイズを有し
ている。ＳＯＪ ｉのパッケージ本体２は、例えばシリ
コーンフィラーを添加したエポキシ系樹脂からなり、そ
の内部にはシリコン単結晶からなる長方形状の半導体チ
ップ３が封止されている。この半導体チップ３の主面に
は、例えば１６メガとッ） ＣＭｂｉｔ）の大容量を有
するＤＲＡＭが形成されている。半導体チップ３の長方
形状の短辺には、チップ支持用リード６Ｃが設けられて
いる。
ッケージの一種のＳＯＪ １である。このＳＯＪ １は
、例えば４００［：ｍｉｌ〕のパッケージサイズを有し
ている。ＳＯＪ ｉのパッケージ本体２は、例えばシリ
コーンフィラーを添加したエポキシ系樹脂からなり、そ
の内部にはシリコン単結晶からなる長方形状の半導体チ
ップ３が封止されている。この半導体チップ３の主面に
は、例えば１６メガとッ） ＣＭｂｉｔ）の大容量を有
するＤＲＡＭが形成されている。半導体チップ３の長方
形状の短辺には、チップ支持用リード６Ｃが設けられて
いる。
上記チップ３の主面上には、その長辺に平行して延在す
る一対の絶縁フィルム４．４が接着されている。絶縁フ
ィルム４は、例えばポリイミド系樹脂の薄膜からなり、
エポキシ系またはポリイミド系の接着剤によってチップ
３の主面上に接着されている。上記一対の絶縁フィルム
４．４に挟まれたチップ３の主面の中央部には、チップ
３の長辺に沿って複数のボンディングパッド５が形成さ
れている。上記絶縁フィルム４上には、チップ３の長辺
に沿って複数のインナーリード６Ａが配置されている。
る一対の絶縁フィルム４．４が接着されている。絶縁フ
ィルム４は、例えばポリイミド系樹脂の薄膜からなり、
エポキシ系またはポリイミド系の接着剤によってチップ
３の主面上に接着されている。上記一対の絶縁フィルム
４．４に挟まれたチップ３の主面の中央部には、チップ
３の長辺に沿って複数のボンディングパッド５が形成さ
れている。上記絶縁フィルム４上には、チップ３の長辺
に沿って複数のインナーリード６Ａが配置されている。
すなわち、本実施例のＳＯＪ １は、チップ３の主面上
に絶縁フィルム４を介してインナーリード６Ａを配置し
たＬＯＧ （！Ｊ−ド・オン・チップ〉構造を採用して
いる。
に絶縁フィルム４を介してインナーリード６Ａを配置し
たＬＯＧ （！Ｊ−ド・オン・チップ〉構造を採用して
いる。
上記インナーリード６Ａは、パッケージ本体２の長辺の
側面から外方に延在するアウターリード６Ｂと一体に構
成されている。アウターリード６Ｂのそれぞれには、規
格に基づき所定の番号が付されている。本実施例のＳＯ
Ｊ １は、例えば２４本のアウターリード６Ｂを有し、
第１図に示すように、パッケージ本体２０手前の左端か
ら右端に沿って１番端子〜６番端子、９番端子〜１４番
端子が配置され、パッケージ本体２の向こう側の右端か
ら左端に沿って１５番端子〜２０番端子、２３番端子〜
２８番端子が配置されている。上記２４本の端子のうち
、パッケージ本体２の手前の１番端子および１４番端子
は電源電圧（Ｖｃｃ）端子である。電源電圧（ＶＣＣ）
は、例えば回路の動作電圧５〔Ｖ〕である。また、パッ
ケージ本体２の向こう側の１５番端子および２８番端子
は基準電圧（Ｖ ｓ ｓ ）端子である。基準電圧（Ｖ
ｓｓ）は、例えば回路の基準電圧０ （Ｖ）（ＧＮＤ）
である。
側面から外方に延在するアウターリード６Ｂと一体に構
成されている。アウターリード６Ｂのそれぞれには、規
格に基づき所定の番号が付されている。本実施例のＳＯ
Ｊ １は、例えば２４本のアウターリード６Ｂを有し、
第１図に示すように、パッケージ本体２０手前の左端か
ら右端に沿って１番端子〜６番端子、９番端子〜１４番
端子が配置され、パッケージ本体２の向こう側の右端か
ら左端に沿って１５番端子〜２０番端子、２３番端子〜
２８番端子が配置されている。上記２４本の端子のうち
、パッケージ本体２の手前の１番端子および１４番端子
は電源電圧（Ｖｃｃ）端子である。電源電圧（ＶＣＣ）
は、例えば回路の動作電圧５〔Ｖ〕である。また、パッ
ケージ本体２の向こう側の１５番端子および２８番端子
は基準電圧（Ｖ ｓ ｓ ）端子である。基準電圧（Ｖ
ｓｓ）は、例えば回路の基準電圧０ （Ｖ）（ＧＮＤ）
である。
なお、２番端子はデータ入力信号端子、３番端子は空き
端子、４番端子はライトイネーブル信号端子、５番端子
はロウアドレスストローブ信号端子、６番端子、９〜１
３番端子、１６〜２０番端子および２３番端子はアドレ
ス信号端子、２４番端子は空き端子、２５番端子はカラ
ムアドレスストローブ信号端子、２６番端子は空き端子
、２７番端子はデータ出力端子である。
端子、４番端子はライトイネーブル信号端子、５番端子
はロウアドレスストローブ信号端子、６番端子、９〜１
３番端子、１６〜２０番端子および２３番端子はアドレ
ス信号端子、２４番端子は空き端子、２５番端子はカラ
ムアドレスストローブ信号端子、２６番端子は空き端子
、２７番端子はデータ出力端子である。
上記アウターリード６Ｂ、インナーリード６Ａおよび前
記チップ支持用リード６Ｃのそれぞれは、リードフレー
ムから切断され、かつ成形されている。リードフレーム
は、例えば４２アロイなどの）”ｅ−Ｎｉ合金、または
Ｃｕで構成されており、その板厚は２５０〜２５０μｍ
程度である。
記チップ支持用リード６Ｃのそれぞれは、リードフレー
ムから切断され、かつ成形されている。リードフレーム
は、例えば４２アロイなどの）”ｅ−Ｎｉ合金、または
Ｃｕで構成されており、その板厚は２５０〜２５０μｍ
程度である。
上記２４本のインナーリード６Ａのうち、電源電圧（Ｖ
ｃｃ）端子である１番端子および１４番端子は、第１図
の手前の絶縁フィルム４上に配置したバスパー７を介し
て電気的に接続されている。
ｃｃ）端子である１番端子および１４番端子は、第１図
の手前の絶縁フィルム４上に配置したバスパー７を介し
て電気的に接続されている。
また、基準電圧［Ｖｓｓ〕端子である１５番端子および
２８番端子は、もう一方の絶縁フィルム４上に配電した
バスパー７を介して電気的に接続されている。バスパー
７は、絶縁フィルム４の２つの短辺と１つの長辺（中央
側）に沿って延在するコの字状のパターンを有しており
、例えばエポキシ系またはポリイミド系接着剤によって
絶縁フィルム４上に接着されている。上記電源電圧（Ｖ
ｃｃ）端子を構成する一対のインナーリード６Ａ（１番
端子、１４番端子）および基準電圧［ｖｉｓ）端子を構
成する一対のインナーリード６Ａ（１５番端子、２８番
端子）のそれぞれは、例えば導電性接着剤によってバス
パー７と電気的に接続されて５）る。バスパー７は、表
面にＡｕｌＡｇまたはＰｄなどの金属メツキを施した厚
さ数十μｍ程度のＣＵまたはＮｉなどの薄い導電件箔で
構成されている。すなわち、上記バスパー７は、厚さ１
５０〜２５０μｍ程度のインナーリード６Ａよりも遥か
に薄い材料で構成されている。バスパー７は、絶縁フィ
ルム４上に蒸着、塗布またはメツキなどの方法により形
成した導電性膜で構成してもよい。
２８番端子は、もう一方の絶縁フィルム４上に配電した
バスパー７を介して電気的に接続されている。バスパー
７は、絶縁フィルム４の２つの短辺と１つの長辺（中央
側）に沿って延在するコの字状のパターンを有しており
、例えばエポキシ系またはポリイミド系接着剤によって
絶縁フィルム４上に接着されている。上記電源電圧（Ｖ
ｃｃ）端子を構成する一対のインナーリード６Ａ（１番
端子、１４番端子）および基準電圧［ｖｉｓ）端子を構
成する一対のインナーリード６Ａ（１５番端子、２８番
端子）のそれぞれは、例えば導電性接着剤によってバス
パー７と電気的に接続されて５）る。バスパー７は、表
面にＡｕｌＡｇまたはＰｄなどの金属メツキを施した厚
さ数十μｍ程度のＣＵまたはＮｉなどの薄い導電件箔で
構成されている。すなわち、上記バスパー７は、厚さ１
５０〜２５０μｍ程度のインナーリード６Ａよりも遥か
に薄い材料で構成されている。バスパー７は、絶縁フィ
ルム４上に蒸着、塗布またはメツキなどの方法により形
成した導電性膜で構成してもよい。
上記コの字状のパターンを有するバスパー７によって三
方を囲まれた絶縁フィルム４上の領域には、信号端子を
構成する複数本のインナーリード６Ａが絶縁フィルム４
の長辺に沿って配置されている。信号端子を構成する上
記インナーリード６Ａのそれぞれは、エポキシ系または
ポリイミド系接着剤によって絶縁フィルム４上に接着さ
れている。信号端子を構成するインナーリード６Ａ、電
源電圧（Ｖｃｃ：］端子を構成するインナーリード６Ａ
および基準電圧（ＶＳＳ）端子を構成するインナーリー
ド６Ａのそれぞれは、ワイヤ８を通じてチップ３のボン
ディングパッド５と電気的に接続されている。電源電圧
ＣＶｃｃ）端子を構成するインナーリード６Ａに接続さ
れるワイヤ８、および基準電圧〔Ｖｓｓ〕端子を構成す
るインナーリード６Ａに接続されるワイヤ８のそれぞれ
の一端は、／＜スパー７上にボンディングされている。
方を囲まれた絶縁フィルム４上の領域には、信号端子を
構成する複数本のインナーリード６Ａが絶縁フィルム４
の長辺に沿って配置されている。信号端子を構成する上
記インナーリード６Ａのそれぞれは、エポキシ系または
ポリイミド系接着剤によって絶縁フィルム４上に接着さ
れている。信号端子を構成するインナーリード６Ａ、電
源電圧（Ｖｃｃ：］端子を構成するインナーリード６Ａ
および基準電圧（ＶＳＳ）端子を構成するインナーリー
ド６Ａのそれぞれは、ワイヤ８を通じてチップ３のボン
ディングパッド５と電気的に接続されている。電源電圧
ＣＶｃｃ）端子を構成するインナーリード６Ａに接続さ
れるワイヤ８、および基準電圧〔Ｖｓｓ〕端子を構成す
るインナーリード６Ａに接続されるワイヤ８のそれぞれ
の一端は、／＜スパー７上にボンディングされている。
また、信号端子を構成するインナーリード６Ａに接続さ
れるワイヤ８のそれぞれの一端は、バスパー７の上を跨
ぐようにしてインナーリード６Ａ上にボンディングされ
ている。本実施例１の５ＯＪＩにおいては、上記バスパ
ー７をインナーリード６Ａよりも遥かに薄い材料で構成
しているので、第２図に示すように、バスパー７とその
上を跨ぐワイヤ８との間には、充分な距離が確保されて
いる。上記ワイヤ８は、Ａｕ５ＣｕＳＡｌあるいはこれ
らの金属の表面に絶縁性樹脂を被覆した被覆ワイヤから
なる。ワイヤ８は、例えば熱圧着に超音波振動を併用し
たボンディング法を用いてボンディングされている。
れるワイヤ８のそれぞれの一端は、バスパー７の上を跨
ぐようにしてインナーリード６Ａ上にボンディングされ
ている。本実施例１の５ＯＪＩにおいては、上記バスパ
ー７をインナーリード６Ａよりも遥かに薄い材料で構成
しているので、第２図に示すように、バスパー７とその
上を跨ぐワイヤ８との間には、充分な距離が確保されて
いる。上記ワイヤ８は、Ａｕ５ＣｕＳＡｌあるいはこれ
らの金属の表面に絶縁性樹脂を被覆した被覆ワイヤから
なる。ワイヤ８は、例えば熱圧着に超音波振動を併用し
たボンディング法を用いてボンディングされている。
以上のように構成された本実施例１によれば、下記のよ
うな作用、効果を得ることができる。
うな作用、効果を得ることができる。
Ｃ１）、バスパー７をインナーリード６Ａよりも遥かに
薄い材料で構成したことにより、バスパー７とその上を
跨ぐワイヤ８との間に充分な距離が確保されるので、上
記ワイヤ８とバスパー７とが短絡する不良を有効に防止
することができ、ＳＯＪ １の組立て歩留りが向上する
。
薄い材料で構成したことにより、バスパー７とその上を
跨ぐワイヤ８との間に充分な距離が確保されるので、上
記ワイヤ８とバスパー７とが短絡する不良を有効に防止
することができ、ＳＯＪ １の組立て歩留りが向上する
。
Ｃ２）、上記（１）により、バスパー７の上を跨ぐワイ
ヤ８のループ高さを低くすることができるので、上記Ｓ
ＯＪ １を薄形化することができる。
ヤ８のループ高さを低くすることができるので、上記Ｓ
ＯＪ １を薄形化することができる。
（３）、バスパー７を薄い導電箔で構成したことにより
、パッケージ本体２を構成する樹脂とバスパー７との界
面に発生する熱応力を低減することができるので、バス
パー７上の樹脂にクラックが発生する不良を有効に防止
することができる。すなわち、バスパー７上を跨ぐワイ
ヤ８が断線したり、上記クラックを通じて浸入する水分
によってチップ３内の配線が腐食したりする不具合を回
避することができるので、ＤＲＡＭの動作信頼性、寿命
が向上する。
、パッケージ本体２を構成する樹脂とバスパー７との界
面に発生する熱応力を低減することができるので、バス
パー７上の樹脂にクラックが発生する不良を有効に防止
することができる。すなわち、バスパー７上を跨ぐワイ
ヤ８が断線したり、上記クラックを通じて浸入する水分
によってチップ３内の配線が腐食したりする不具合を回
避することができるので、ＤＲＡＭの動作信頼性、寿命
が向上する。
〔実施例２〕
第３図は、本実施例のＳＯＪ １の要部破断斜視図であ
る。本実施例２のＳＯＪ １においては、電源電圧（Ｖ
ｃｃ）端子を構成する一対のインナーリード６Ａ（１番
端子、１４番端子）および基準電圧（Ｖｓｓ）端子を構
成する一対のインナーリード６Ａ（１５番端子、２８番
端子）のそれぞれは、ワイヤ９を介してバスバー７と電
気的に接続されている。上記ワイヤ９は、Ａｕ、Ｃｕ％
Ａβあるいはこれらの金属の表面に絶縁性樹脂を被覆し
た被覆ワイヤからなる。
る。本実施例２のＳＯＪ １においては、電源電圧（Ｖ
ｃｃ）端子を構成する一対のインナーリード６Ａ（１番
端子、１４番端子）および基準電圧（Ｖｓｓ）端子を構
成する一対のインナーリード６Ａ（１５番端子、２８番
端子）のそれぞれは、ワイヤ９を介してバスバー７と電
気的に接続されている。上記ワイヤ９は、Ａｕ、Ｃｕ％
Ａβあるいはこれらの金属の表面に絶縁性樹脂を被覆し
た被覆ワイヤからなる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例１．２に限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々
変更可能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は前記実施例１．２に限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々
変更可能であることはいうまでもない。
実施例では、絶縁フィルム上に接着した導電性箔、ある
いは絶縁フィルム上に蒸着、塗布またはメツキなどの方
法により形成した導電性膜によってバスパーを構成した
が、これらに限定されるものではなく、例えば第４図に
示すように、電源電圧ＣＶｃｃ）端子を構成するインナ
ーリード６Ａや基準電圧（ＶｓｓＥ端子を構成するイン
ナーリード６Ａとバスパー７とを一体に形成してもよい
。この場合は、リードフレームからアウターリード６Ｂ
、インナーリード６Ａ、チップ支持用リード６Ｃおよび
バスパー７を切断、成形した後、バスパー７をプレスで
圧潰（コイニング）したり、エツチングで腐食したりす
ることによって、薄く加工すればよい。
いは絶縁フィルム上に蒸着、塗布またはメツキなどの方
法により形成した導電性膜によってバスパーを構成した
が、これらに限定されるものではなく、例えば第４図に
示すように、電源電圧ＣＶｃｃ）端子を構成するインナ
ーリード６Ａや基準電圧（ＶｓｓＥ端子を構成するイン
ナーリード６Ａとバスパー７とを一体に形成してもよい
。この場合は、リードフレームからアウターリード６Ｂ
、インナーリード６Ａ、チップ支持用リード６Ｃおよび
バスパー７を切断、成形した後、バスパー７をプレスで
圧潰（コイニング）したり、エツチングで腐食したりす
ることによって、薄く加工すればよい。
実施例では、樹脂封止形ＬＳＩパッケージの一種のＳＯ
Ｊに適用した場合について説明したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、少なくともバスパーを有する
ＬＯＧ構造の樹脂封止形ＬＳＩパッケージ全般に適用す
ることができる。
Ｊに適用した場合について説明したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、少なくともバスパーを有する
ＬＯＧ構造の樹脂封止形ＬＳＩパッケージ全般に適用す
ることができる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
バスパーを有するＬＯＧ構造の樹脂封止形ＬＳ■パッケ
ージにおいて、上記バスパーの厚さをインナーリードの
厚さよりも薄くした本発明によれば、上８己バスバーと
ボンディングワイヤとが短絡する不良を有効に防止する
ことができるので、上記樹脂封止形ＬＳＩパッケージの
組立て歩留りが向上する。また、上記ボンディングワイ
ヤのループ高さを低くすることができるので、上記樹脂
封止形ＬＳＩパッケージを薄形化することができる。
ージにおいて、上記バスパーの厚さをインナーリードの
厚さよりも薄くした本発明によれば、上８己バスバーと
ボンディングワイヤとが短絡する不良を有効に防止する
ことができるので、上記樹脂封止形ＬＳＩパッケージの
組立て歩留りが向上する。また、上記ボンディングワイ
ヤのループ高さを低くすることができるので、上記樹脂
封止形ＬＳＩパッケージを薄形化することができる。
さらに、バスバー上の樹脂にクラックが発生する不良を
有効に防止することができるので、上記樹脂封止形ＬＳ
Ｉパッケージの信頼性、寿命が向上する。
有効に防止することができるので、上記樹脂封止形ＬＳ
Ｉパッケージの信頼性、寿命が向上する。
第１図は、本発明の一実施例である半導体集積回路装置
の要部破断斜視図、 第２図は、この半導体集積回路装置の要部断面図、 第３図は、本発明の他の実施例である半導体集積回路装
置の要部破断斜視図、 第４図は、本発明のさらに他の実施例である半導体集積
回路装置の要部破断斜視図である。 １・・・ＳＯＪ、２・・・パッケージ本体、３・・・半
導体チップ、４・・・絶縁フィルム、５・・・ボンディ
ングパッド、６Ａ・・・インナーリード、６Ｂ・ ・
・アウターリード、６Ｃ・ ・ ・チップ支持用リード
、７・・・バスパー ８．９・・・ワイヤ。 代理人 弁理士 筒 井 大 和
の要部破断斜視図、 第２図は、この半導体集積回路装置の要部断面図、 第３図は、本発明の他の実施例である半導体集積回路装
置の要部破断斜視図、 第４図は、本発明のさらに他の実施例である半導体集積
回路装置の要部破断斜視図である。 １・・・ＳＯＪ、２・・・パッケージ本体、３・・・半
導体チップ、４・・・絶縁フィルム、５・・・ボンディ
ングパッド、６Ａ・・・インナーリード、６Ｂ・ ・
・アウターリード、６Ｃ・ ・ ・チップ支持用リード
、７・・・バスパー ８．９・・・ワイヤ。 代理人 弁理士 筒 井 大 和
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、樹脂封止形ＬＳＩパッケージに封止された半導体チ
ップの主面上に絶縁フィルムを介してインナーリードを
配置し、前記インナーリードと前記半導体チップのボン
ディングパッドとをワイヤで結線したリード・オン・チ
ップ構造を備えるとともに、前記半導体チップに電源を
供給するインナーリードと電気的に接続されたバスバー
を前記絶縁フィルム上に配置した半導体集積回路装置で
あって、前記バスバーの厚さを前記インナーリードの厚
さよりも薄くしたことを特徴とする半導体集積回路装置
。 ２、前記バスバーは、前記絶縁フィルム上に形成された
導電性膜からなることを特徴とする請求項１記載の半導
体集積回路装置。 ３、前記バスバーは、前記半導体チップに電源およびＧ
ＮＤを供給するインナーリードと電気的に接続されてい
ることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2234193A JP2852112B2 (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2234193A JP2852112B2 (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04114438A true JPH04114438A (ja) | 1992-04-15 |
| JP2852112B2 JP2852112B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=16967144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2234193A Expired - Lifetime JP2852112B2 (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2852112B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0629437A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置 |
| JPH0653381A (ja) * | 1992-07-27 | 1994-02-25 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置及びそれに用いるリードフレームの製造方法 |
| US5455452A (en) * | 1993-06-25 | 1995-10-03 | International Business Machines Corporation | Semiconductor package having an LOC structure |
| US5532189A (en) * | 1994-06-02 | 1996-07-02 | International Business Machines Corporation | Method of making semiconductor package |
-
1990
- 1990-09-04 JP JP2234193A patent/JP2852112B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0629437A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置 |
| JPH0653381A (ja) * | 1992-07-27 | 1994-02-25 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置及びそれに用いるリードフレームの製造方法 |
| US5455452A (en) * | 1993-06-25 | 1995-10-03 | International Business Machines Corporation | Semiconductor package having an LOC structure |
| US5532189A (en) * | 1994-06-02 | 1996-07-02 | International Business Machines Corporation | Method of making semiconductor package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2852112B2 (ja) | 1999-01-27 |
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