JPH04115524A - アモルファスＳｉＣへの不純物添加法 - Google Patents
アモルファスＳｉＣへの不純物添加法Info
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- JPH04115524A JPH04115524A JP23481290A JP23481290A JPH04115524A JP H04115524 A JPH04115524 A JP H04115524A JP 23481290 A JP23481290 A JP 23481290A JP 23481290 A JP23481290 A JP 23481290A JP H04115524 A JPH04115524 A JP H04115524A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はアモルファスＳｉＣを用いる半導体装置に関す
る。
る。
（従来の技術）
アモルファスＳｉＣは、太陽電池やエレクトロルミネッ
センス素子に用いられる材料である。アモルファスＳｉ
Ｃのｐ型層を得るためのアクセプタとしてこれまでＢの
添加を行っていた。Ｂを用いる主な理由は２つある。先
ず第一には、アモルファスＳｉではＢの添加によって容
易に低抵抗なｐ型層が得らえることがあげられる。第二
に、アモルファスＳｉＣは真空中で合成する手法が一般
的であるのでＢ２Ｈ６というガスとして供給できるＢが
導入及び制御が容易なためである。しかし、アモルファ
スＳｉＣでは全組成の数％程度のＢを添加しても低抵抗
（抵抗率１×１０７Ωａｍ以下）のｐ型層を得ることは
困難であった。この一つの理由としてＢがアモルファス
ＳｉＣ中では浅い準位を形成しないことが考えられる。
センス素子に用いられる材料である。アモルファスＳｉ
Ｃのｐ型層を得るためのアクセプタとしてこれまでＢの
添加を行っていた。Ｂを用いる主な理由は２つある。先
ず第一には、アモルファスＳｉではＢの添加によって容
易に低抵抗なｐ型層が得らえることがあげられる。第二
に、アモルファスＳｉＣは真空中で合成する手法が一般
的であるのでＢ２Ｈ６というガスとして供給できるＢが
導入及び制御が容易なためである。しかし、アモルファ
スＳｉＣでは全組成の数％程度のＢを添加しても低抵抗
（抵抗率１×１０７Ωａｍ以下）のｐ型層を得ることは
困難であった。この一つの理由としてＢがアモルファス
ＳｉＣ中では浅い準位を形成しないことが考えられる。
Ｂは結晶Ｓｉでは４５ｍｅＶ程度のイオン化エネルギー
を持つが、結晶ＳｉＣ中では６００ｍｅＶ以上の大きな
イオン化エネルギーを持つ。アクセプタのイオン化エネ
ルギーが大きいとアクセプタからの正孔の放出がほとん
どおきないので低抵抗のｐ型層は得られない。
を持つが、結晶ＳｉＣ中では６００ｍｅＶ以上の大きな
イオン化エネルギーを持つ。アクセプタのイオン化エネ
ルギーが大きいとアクセプタからの正孔の放出がほとん
どおきないので低抵抗のｐ型層は得られない。
（発明が解決しようとする課題）
結晶ＳｉＣ中でももっとも小さなイオン化エネルギー（
２６０ｍｅＶ）を持つアクセプタはＡｌである。本発明
の目的はアモルファスＳｉＣへのｐ型層形成のためのア
クセプタにＡｌを用いることによって低抵抗のＰ型アモ
ルファスＳｉＣの形成を可能にすることにある。
２６０ｍｅＶ）を持つアクセプタはＡｌである。本発明
の目的はアモルファスＳｉＣへのｐ型層形成のためのア
クセプタにＡｌを用いることによって低抵抗のＰ型アモ
ルファスＳｉＣの形成を可能にすることにある。
（課題を解決するための手段）
本発明のアモルファスＳｉＣへの不純物添加法はアモル
ファスＳｉＣへＡ１を添加することによってｐ型環電性
を得ることを特徴とする。
ファスＳｉＣへＡ１を添加することによってｐ型環電性
を得ることを特徴とする。
（実施例）
次に本発明について図面を参照して詳細に説明する。
第１図に本発明の一実施例を説明するためのアモルファ
スＳｉＣ堆積装置の断面の概略図を示す。
スＳｉＣ堆積装置の断面の概略図を示す。
第１図の堆積装置は真空チャンバ３内で高周波電源５を
用いてプラズマを発生させ、原料ガス導入孔付下部電極
６を通して供給する原料ガス（例えば５ＩＨ４とＣ２Ｈ
４）を分解しアモルファスＳｉＣを基板ホルダー付上部
電極４に取り付けた基板１上に堆積させる。
用いてプラズマを発生させ、原料ガス導入孔付下部電極
６を通して供給する原料ガス（例えば５ＩＨ４とＣ２Ｈ
４）を分解しアモルファスＳｉＣを基板ホルダー付上部
電極４に取り付けた基板１上に堆積させる。
この時原料ガスと同時にＡｌの有機化合物または塩化物
（例えば（ＣｎＨ２ｏ＋□）ｍＡｌＣ１３−ｍ、ｎ２ｍ
は整数）を供給することによってＡ１を添加することが
できる。これらの化合物は室温付近では液体または固体
であるので、加熱して蒸発または昇華させて導入する。
（例えば（ＣｎＨ２ｏ＋□）ｍＡｌＣ１３−ｍ、ｎ２ｍ
は整数）を供給することによってＡ１を添加することが
できる。これらの化合物は室温付近では液体または固体
であるので、加熱して蒸発または昇華させて導入する。
この装置を用いてａ −ＳｉＣにＡｌを添加した結果、
１×１０３Ωａｍと従来のＩ Ｘ １０１０７ｆ１に比
べて低抵抗なｐ型層を得ることができた。
１×１０３Ωａｍと従来のＩ Ｘ １０１０７ｆ１に比
べて低抵抗なｐ型層を得ることができた。
本実施例では原料ガスをプラズマで分解しているが、光
或は熱による分解でもかまわない。
或は熱による分解でもかまわない。
本実施例ではＡｌを化合物のガスとして供給しているが
、チャンバ内に金属Ａ１やＡｌＣｌ３等の固体源を置き
加熱蒸発させてもよい。
、チャンバ内に金属Ａ１やＡｌＣｌ３等の固体源を置き
加熱蒸発させてもよい。
また、本実施例ではアモルファスＳｉＣの堆積中にＡ１
を添加しているが、堆積後イオン注入法でＡｌを添加し
てもかまわない。
を添加しているが、堆積後イオン注入法でＡｌを添加し
てもかまわない。
（発明の効果）
以上説明したように本発明では、ａ −ＳｉＣの低抵抗
ｐ型層を形成することができる。
ｐ型層を形成することができる。
第１図は本発明の一実施例を説明するためのアモルファ
スＳｉＣ堆積装置の断面の概略図を示す。 ｌ・・・基板、２・・・絶縁体、３・・・チャンバー、
４・・・基板ホルダー付上部電極、５・・・高周波電源
、６・・・原料ガス導入孔付下部電極
スＳｉＣ堆積装置の断面の概略図を示す。 ｌ・・・基板、２・・・絶縁体、３・・・チャンバー、
４・・・基板ホルダー付上部電極、５・・・高周波電源
、６・・・原料ガス導入孔付下部電極
Claims (1)
- アモルファスＳｉＣへＡｌを添加することによってｐ型
導電性を得ることを特徴とするアモルファスＳｉＣへの
不純物添加法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23481290A JPH04115524A (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | アモルファスＳｉＣへの不純物添加法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23481290A JPH04115524A (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | アモルファスＳｉＣへの不純物添加法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04115524A true JPH04115524A (ja) | 1992-04-16 |
Family
ID=16976777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23481290A Pending JPH04115524A (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | アモルファスＳｉＣへの不純物添加法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04115524A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5362684A (en) * | 1991-02-25 | 1994-11-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Non-monocrystalline silicon carbide semiconductor, process of production thereof, and semiconductor device employing the same |
| US5363684A (en) * | 1992-11-05 | 1994-11-15 | L. Schuler Gmbh | Device for transferring sheet metal parts in a press installation |
-
1990
- 1990-09-05 JP JP23481290A patent/JPH04115524A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5362684A (en) * | 1991-02-25 | 1994-11-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Non-monocrystalline silicon carbide semiconductor, process of production thereof, and semiconductor device employing the same |
| US5363684A (en) * | 1992-11-05 | 1994-11-15 | L. Schuler Gmbh | Device for transferring sheet metal parts in a press installation |
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