JPH04116154A - 磁性膜形成用スパッタ装置 - Google Patents
磁性膜形成用スパッタ装置Info
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- JPH04116154A JPH04116154A JP23323490A JP23323490A JPH04116154A JP H04116154 A JPH04116154 A JP H04116154A JP 23323490 A JP23323490 A JP 23323490A JP 23323490 A JP23323490 A JP 23323490A JP H04116154 A JPH04116154 A JP H04116154A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ヘッドの磁気コアを薄膜で形成する磁性膜
形成用スパッタリング装置に関する。
形成用スパッタリング装置に関する。
磁気ヘッドの磁気コアを形成する磁性薄膜には、高飽和
磁束密度、低保磁力、高透磁率、均一な磁気異方性等の
磁気特性が要求される。これらのうち、飽和磁束密度は
主に薄膜材料の組成に依存するのに対して、保持力、透
磁率、磁気異方性等は膜の形成条件（磁界、基板温度等
）に強く依存する。そこで、これら膜形成条件に依存す
る磁気特性を改善することを目的として、従来例えば、
特開昭５８−１００４１１号公報及び特開昭６０−３９
１５７号公報に示されているように、平坦な基板上に磁
性膜を形成する場合に、成膜直後の膜には磁気異方性を
生じさせず、次の磁気アニール工程で均一な磁気異方性
を発生させることを目的として、成膜時は基板の近傍に
平行で略均−な磁界を形成し、かつ、基板又は磁界を回
転させる手段を設けている。
磁束密度、低保磁力、高透磁率、均一な磁気異方性等の
磁気特性が要求される。これらのうち、飽和磁束密度は
主に薄膜材料の組成に依存するのに対して、保持力、透
磁率、磁気異方性等は膜の形成条件（磁界、基板温度等
）に強く依存する。そこで、これら膜形成条件に依存す
る磁気特性を改善することを目的として、従来例えば、
特開昭５８−１００４１１号公報及び特開昭６０−３９
１５７号公報に示されているように、平坦な基板上に磁
性膜を形成する場合に、成膜直後の膜には磁気異方性を
生じさせず、次の磁気アニール工程で均一な磁気異方性
を発生させることを目的として、成膜時は基板の近傍に
平行で略均−な磁界を形成し、かつ、基板又は磁界を回
転させる手段を設けている。
スパッタリングによる膜形成速度を向上させるためには
、 （１）ターゲット電極に印加する電力を増加させる（２
）ターゲット電極の裏側に磁石を設け、ターゲット上に
電界と磁界の相互作用による強い放電を発生させるマグ
ネトロンスパッタを行なう等の手段がある。
、 （１）ターゲット電極に印加する電力を増加させる（２
）ターゲット電極の裏側に磁石を設け、ターゲット上に
電界と磁界の相互作用による強い放電を発生させるマグ
ネトロンスパッタを行なう等の手段がある。
これらの手段を従来の磁性膜スパッタ装置に適用しよう
とすると、（１）では、プラズマ中の高エネルギー荷電
粒子により基板が叩かれるため九基板温度が上昇し、膜
が結晶化して磁気特性が劣化する恐れがある、また、（
２）では、基板近傍の磁界分布が乱されるために膜に不
均一な磁気異方性が発生する、等の問題があり、そのま
までは成膜速度を上げることができなかった。
とすると、（１）では、プラズマ中の高エネルギー荷電
粒子により基板が叩かれるため九基板温度が上昇し、膜
が結晶化して磁気特性が劣化する恐れがある、また、（
２）では、基板近傍の磁界分布が乱されるために膜に不
均一な磁気異方性が発生する、等の問題があり、そのま
までは成膜速度を上げることができなかった。
更に、従来は、成膜中に基板またはターゲットを回転さ
せているために、機構が複雑になる、回転部分からごみ
が発生する、という問題もあった。
せているために、機構が複雑になる、回転部分からごみ
が発生する、という問題もあった。
一方、Ｖ溝を加工した基板上に磁性薄膜を形成する場合
には、基板Ｋｌ！直な磁界中で膜を形成するとと忙より
、従来の、基板に平行な回転磁界中で形成した磁気異方
性を持たない腹を基板に平行な一方向磁界中でアニール
した後に得られるのと同等な、■溝斜面の最大傾斜角に
沿って磁化容易軸を持つ磁気異方性の−様な膜が得らる
。
には、基板Ｋｌ！直な磁界中で膜を形成するとと忙より
、従来の、基板に平行な回転磁界中で形成した磁気異方
性を持たない腹を基板に平行な一方向磁界中でアニール
した後に得られるのと同等な、■溝斜面の最大傾斜角に
沿って磁化容易軸を持つ磁気異方性の−様な膜が得らる
。
そこで、本発明の目的は、マグネトロンスパッタ装置で
Ｖ溝を加工した基板上に磁性薄膜を形成する場合におい
て、基板全面にわたって均一で比較的弱い磁気異方性を
持づ膜を高速に形成し、かつ、基板または磁界を回転さ
せる機構を必要としないスパッタ電極を提供するととに
有る。
Ｖ溝を加工した基板上に磁性薄膜を形成する場合におい
て、基板全面にわたって均一で比較的弱い磁気異方性を
持づ膜を高速に形成し、かつ、基板または磁界を回転さ
せる機構を必要としないスパッタ電極を提供するととに
有る。
上記目的を達成するために、本発明の第１の発明は、磁
性材料をターゲット材とするスパッタ装置において、基
板に垂直な均一磁界中で磁性薄膜を形成するものである
。
性材料をターゲット材とするスパッタ装置において、基
板に垂直な均一磁界中で磁性薄膜を形成するものである
。
また高速で成膜を可能とするため、第２の発明は、ター
ゲット電極の裏側にマグネトロン放電を発生させるため
の磁界発生手段をもち、かつ、前記基板を載置する基板
電極の側にも前記基板に画直な均一磁界を形成するため
の磁界発生手段を有するものである。
ゲット電極の裏側にマグネトロン放電を発生させるため
の磁界発生手段をもち、かつ、前記基板を載置する基板
電極の側にも前記基板に画直な均一磁界を形成するため
の磁界発生手段を有するものである。
また、よりー層基板に垂直な均一磁界中で磁性薄膜を形
成するため、第３の発明は、前記基板電極側の磁界発生
手段が前記基板電極と同軸上に配置された電磁石と円筒
状のヨークから成り、前記円筒状のヨークは前記電磁石
に内接しており、がっ、前記基板電極の基板載置面が前
記円筒状のヨークの前記ターゲット偶の端面より内側に
配置されているものである。
成するため、第３の発明は、前記基板電極側の磁界発生
手段が前記基板電極と同軸上に配置された電磁石と円筒
状のヨークから成り、前記円筒状のヨークは前記電磁石
に内接しており、がっ、前記基板電極の基板載置面が前
記円筒状のヨークの前記ターゲット偶の端面より内側に
配置されているものである。
またより強い磁界を形成するため、第４の発明は前記基
板電極側の磁界発生手段が前記基板電極と同軸上に配置
された電磁石と円筒状のヨーク、および円板状のヨーク
から成膜、前記円筒状のヨークは前記電磁石に内接し、
かつ、前記基板電極の基板載置面が前記円筒状のヨーク
の前記ターゲット側の端面より内１１［ＩＶｃ配置され
ており、前記円板状のヨークは前記基板電極の基板載置
面又はその近傍に配置されたものである。
板電極側の磁界発生手段が前記基板電極と同軸上に配置
された電磁石と円筒状のヨーク、および円板状のヨーク
から成膜、前記円筒状のヨークは前記電磁石に内接し、
かつ、前記基板電極の基板載置面が前記円筒状のヨーク
の前記ターゲット側の端面より内１１［ＩＶｃ配置され
ており、前記円板状のヨークは前記基板電極の基板載置
面又はその近傍に配置されたものである。
また基板に入射するイオン電流の分布の制御特性を向上
するため、第５の発明は、前記基板電極側の磁界発生手
段が前記基板電極と同軸上に配置された第一の電磁石１
円筒状のヨーク、および第二の電磁石とから成膜、前記
円筒状のヨークは前記第一の電磁石に内接し、かつ、前
記基板電極の基板載置面が前記円筒状のヨークの前記タ
ーゲット側の端面より内側に配置されており、前記第二
の電磁石の外径は前記第一の電磁石の外径より小さく、
前記基板電極と同軸上に前記第一の電磁石の内側又は後
方に配置されたものである。
するため、第５の発明は、前記基板電極側の磁界発生手
段が前記基板電極と同軸上に配置された第一の電磁石１
円筒状のヨーク、および第二の電磁石とから成膜、前記
円筒状のヨークは前記第一の電磁石に内接し、かつ、前
記基板電極の基板載置面が前記円筒状のヨークの前記タ
ーゲット側の端面より内側に配置されており、前記第二
の電磁石の外径は前記第一の電磁石の外径より小さく、
前記基板電極と同軸上に前記第一の電磁石の内側又は後
方に配置されたものである。
またさらに−層基板に通直な均一磁界中で磁性ｉ薄膜を
形成するため第６の発明は、前記ターゲット電極の裏側
の磁界発生手段と前記基板電極側の磁界発生手段とによ
り、ターゲット電極と基板電極の間にカスプ状の磁界を
形成するものである。
形成するため第６の発明は、前記ターゲット電極の裏側
の磁界発生手段と前記基板電極側の磁界発生手段とによ
り、ターゲット電極と基板電極の間にカスプ状の磁界を
形成するものである。
前記基板電極側磁界発生手段はターゲット電極側磁界発
生手段と逆極性の磁界を発生し、ターゲット電極と基板
電極との間にカスプ状の磁界を形成する。これ忙よりタ
ーゲット電極面から出た磁力線は反発されて基板電極面
に到達せず、基板を基板電極側磁界発生手段で形成する
磁界の中に置くことができる。
生手段と逆極性の磁界を発生し、ターゲット電極と基板
電極との間にカスプ状の磁界を形成する。これ忙よりタ
ーゲット電極面から出た磁力線は反発されて基板電極面
に到達せず、基板を基板電極側磁界発生手段で形成する
磁界の中に置くことができる。
また、前記ヨーク手段は、基板電極上に載置された基板
を完全に内包する形で配置されており、前記基板電極側
磁界発生手段で発生する磁界により、前記ヨーク手段の
内側には基板電極中心軸に沿った略均−で比較的弱い磁
界が形成され、基板は垂直で均一な磁界の中に置かれる
。
を完全に内包する形で配置されており、前記基板電極側
磁界発生手段で発生する磁界により、前記ヨーク手段の
内側には基板電極中心軸に沿った略均−で比較的弱い磁
界が形成され、基板は垂直で均一な磁界の中に置かれる
。
以上により、マグネトロンスパッタ法を用いた磁性薄膜
形成装置において、均一で比較的弱い磁気異方性を持つ
磁性薄膜を高速形成することが可能に々る。
形成装置において、均一で比較的弱い磁気異方性を持つ
磁性薄膜を高速形成することが可能に々る。
さらに、従来の基板に平行な磁界中で成膜する場合には
、基板の設置方向により磁化容易軸の方向が異なるため
に、基板または磁界を回転させるととｋより磁気異方性
のない膜を形成する必要があった。しかし、上述したよ
うに働直で均一な磁界の中に基板を設置可能としたこと
により、基板の設置方向に関係なく基板全面において基
板のＶ溝の最大傾斜角力同和磁化容易軸が揃った均一な
磁気異方性を持つ磁性膜の形成が可能となシ、基板また
は磁界を回転させる機構が不要になる。
、基板の設置方向により磁化容易軸の方向が異なるため
に、基板または磁界を回転させるととｋより磁気異方性
のない膜を形成する必要があった。しかし、上述したよ
うに働直で均一な磁界の中に基板を設置可能としたこと
により、基板の設置方向に関係なく基板全面において基
板のＶ溝の最大傾斜角力同和磁化容易軸が揃った均一な
磁気異方性を持つ磁性膜の形成が可能となシ、基板また
は磁界を回転させる機構が不要になる。
以下、本発明の第１の発明および第２の発明を示す第１
の実施例を、第１図により説明する。
の実施例を、第１図により説明する。
１は真空槽、２はターゲット電極、３はターゲット、４
は絶縁板、５は電磁石、６は電磁石５のケーシング、７
は電磁石５のヨーク、８は基板電極、９は絶縁体、１０
は基板、１１は電磁石、１２はヨーク、１３は電磁石１
１のケーシング、１４はターゲット電極２の電源、１５
．１６はそれぞれ電磁石５．１１の電源である。
は絶縁板、５は電磁石、６は電磁石５のケーシング、７
は電磁石５のヨーク、８は基板電極、９は絶縁体、１０
は基板、１１は電磁石、１２はヨーク、１３は電磁石１
１のケーシング、１４はターゲット電極２の電源、１５
．１６はそれぞれ電磁石５．１１の電源である。
上記構成においてＶ溝状に加工された表面１０′を持つ
基板１０ＩＩｃａ性薄膜２０を形成する場合（図３）に
ついて説明する。先ず、真空槽１の内部を排気手段（図
示せず）により高真空に排気した後、アルゴンガス（Ａ
ｒガス）を導入し、真空槽１の内部を所定の圧力に維持
する０次に、電源１５．１６によりミ磁石５．１１に電
流を印加する。このとき、電磁石５により発生する磁界
と電磁石１１により発生する磁界とが逆極性となるよう
電源１６の極性を調整する。その結果、ターゲット電極
２と基板電極８との間には、第６の発明である第２図に
示すよりなカスプ磁界が形成され、ターゲット電極面か
ら出た磁力線１７は、基板電極８の側の電磁石１１から
発した磁力線１８に反発されてターゲット電極２の側へ
圧縮される。
基板１０ＩＩｃａ性薄膜２０を形成する場合（図３）に
ついて説明する。先ず、真空槽１の内部を排気手段（図
示せず）により高真空に排気した後、アルゴンガス（Ａ
ｒガス）を導入し、真空槽１の内部を所定の圧力に維持
する０次に、電源１５．１６によりミ磁石５．１１に電
流を印加する。このとき、電磁石５により発生する磁界
と電磁石１１により発生する磁界とが逆極性となるよう
電源１６の極性を調整する。その結果、ターゲット電極
２と基板電極８との間には、第６の発明である第２図に
示すよりなカスプ磁界が形成され、ターゲット電極面か
ら出た磁力線１７は、基板電極８の側の電磁石１１から
発した磁力線１８に反発されてターゲット電極２の側へ
圧縮される。
これにより、ヨーク１２の内側中心付近には電磁石１１
によりミ磁石１１の中心軸方向に沿った略均−な磁界１
９が形成され、ヨーク１２の内部に配置された基板１０
Ｆｉ第３図に示すように、基板面にほぼ垂直で略均−か
磁界１９の中に置かれる。
によりミ磁石１１の中心軸方向に沿った略均−な磁界１
９が形成され、ヨーク１２の内部に配置された基板１０
Ｆｉ第３図に示すように、基板面にほぼ垂直で略均−か
磁界１９の中に置かれる。
この状態で電源１４ＶＣよりターゲット電極２に電力を
印加するとターゲット３の表面近傍の空間でグロー放電
が発生し、ターゲット３の表面はスパッタされる。
印加するとターゲット３の表面近傍の空間でグロー放電
が発生し、ターゲット３の表面はスパッタされる。
ターゲット３からスパッタされた磁性材の一部は、基板
１０の７字状に加工された溝の表面１０′に付着する。
１０の７字状に加工された溝の表面１０′に付着する。
このとき、基板１０が基板１０にほぼ垂直で略均−な磁
界１９の中にあるために１基板１０の表面１０′ に
付着する磁性薄膜２０は磁界１９の方向に揃った極性を
持って成長する。従って、磁性薄膜２０は、表面１０′
の最大傾斜角の方向に磁化容易軸が揃い、−様な磁気
異方性を持つことになる。
界１９の中にあるために１基板１０の表面１０′ に
付着する磁性薄膜２０は磁界１９の方向に揃った極性を
持って成長する。従って、磁性薄膜２０は、表面１０′
の最大傾斜角の方向に磁化容易軸が揃い、−様な磁気
異方性を持つことになる。
一方、電磁石１１で発生する磁界の電磁石１１の内側の
成分はヨーク１２に集中するために、略均−な磁界ｆｅ
Ｆｉ比較的弱い磁界となる。その結果、基板１０の表面
で成長する磁性薄膜２０の磁化は比較的弱く、次工程の
磁気アニールで比較的容易に磁気異方性を制御できる。
成分はヨーク１２に集中するために、略均−な磁界ｆｅ
Ｆｉ比較的弱い磁界となる。その結果、基板１０の表面
で成長する磁性薄膜２０の磁化は比較的弱く、次工程の
磁気アニールで比較的容易に磁気異方性を制御できる。
以上、本実施例によれば、ターゲット電極上で比較的強
い磁場が発生するマグネトロンスパッタ装置で、比較的
弱い均一な磁気異方性を持つ磁性薄膜を高速に形成する
ことが可能になる。
い磁場が発生するマグネトロンスパッタ装置で、比較的
弱い均一な磁気異方性を持つ磁性薄膜を高速に形成する
ことが可能になる。
さらに、垂直で均一な磁界の中に基板を設置可能とした
ことにより、基板の設置方同和関係なく基板全面におい
て基板のＶ溝の最大傾斜角方向に磁化容易軸が揃った均
一な磁気異方性を持つ磁性膜の形成が可能となり、基板
または磁界を回転させる機構が不要になる。
ことにより、基板の設置方同和関係なく基板全面におい
て基板のＶ溝の最大傾斜角方向に磁化容易軸が揃った均
一な磁気異方性を持つ磁性膜の形成が可能となり、基板
または磁界を回転させる機構が不要になる。
つぎに、本発明の第４の発明である第２の実施例を第４
図を用いて説明する。
図を用いて説明する。
第４図の構成は、本発明の第１の実施例を示す第１図と
ほぼ同じであり、基板電極８の基板１０を載置する面に
ヨーク板２１を追加したものである。
ほぼ同じであり、基板電極８の基板１０を載置する面に
ヨーク板２１を追加したものである。
ヨーク板２１は基板１０近傍の磁界分布をより均−化す
る効果を持つ、これにより、基板１０に形成される磁性
薄膜２０は、表面１０の最大傾斜角の方向に磁化容易軸
が揃い、磁気異方性の均一性は、更に向上する。
る効果を持つ、これにより、基板１０に形成される磁性
薄膜２０は、表面１０の最大傾斜角の方向に磁化容易軸
が揃い、磁気異方性の均一性は、更に向上する。
ｍｓ図は、本発明の第５の発明である第３の実施例を示
すものである。
すものである。
第５図において、その基本構成は本発明の第１の実施例
を示す第１図と同じであり、基板電極８の後方に、ケー
シング２５に収納され、電源２４に接続された電磁石２
２を追加したことを特徴とする。
を示す第１図と同じであり、基板電極８の後方に、ケー
シング２５に収納され、電源２４に接続された電磁石２
２を追加したことを特徴とする。
電磁石２２の外径はｔ磁石１１の内径よυ小さく、電磁
石２２はその一部が電磁石１１の内側圧配置される。
石２２はその一部が電磁石１１の内側圧配置される。
ここで、本発明の第１の実施例で示した磁界をターゲッ
ト電極２と基板電極８との間に形成する。
ト電極２と基板電極８との間に形成する。
次に、電源２４によりミ磁石２２に通電すると、電磁石
２４は励磁され磁界を発生する。この電磁石２２が発生
する磁界は、電磁石１１が発生する磁界と合成される。
２４は励磁され磁界を発生する。この電磁石２２が発生
する磁界は、電磁石１１が発生する磁界と合成される。
従って、電源２４で電磁石２２が発生する磁界を制御す
ることにより、基板１０近傍の磁界強度及び分布を調整
することができ石。
ることにより、基板１０近傍の磁界強度及び分布を調整
することができ石。
この結果、基板１０上に形成する磁性薄膜２０の弱い磁
気異方性の均一性を更に向上させることが可能になる。
気異方性の均一性を更に向上させることが可能になる。
以上に示した本発明の三つの実施例では、ターゲット電
極２に接続する電源１４を直流電源として説明したが、
電源１４は高周波電源であっても同様の効果が得られる
。
極２に接続する電源１４を直流電源として説明したが、
電源１４は高周波電源であっても同様の効果が得られる
。
〔発明の詳細な
説明によれば、比較的弱く、基板に垂直で均一な磁界中
で成膜できるので、次工程の磁気アニールで容易忙磁気
異方性を制御可能な比較的弱く磁化した均一な磁気異方
性を持つ磁性薄膜を、マグネトロンスパッタ装置を用い
て高速に形成できるという効果がある。
で成膜できるので、次工程の磁気アニールで容易忙磁気
異方性を制御可能な比較的弱く磁化した均一な磁気異方
性を持つ磁性薄膜を、マグネトロンスパッタ装置を用い
て高速に形成できるという効果がある。
更に、成膜中に基板または磁界を回転させる必要がない
ために、機構が単純になり、かつ、ごみの発生量を少な
くできるという効果もある。
ために、機構が単純になり、かつ、ごみの発生量を少な
くできるという効果もある。
第１図は本発明の第１の実施例でマグネトロンスパッタ
装置の電極部の縦断面図、第２図は第１図の電極部の拡
大断面図で、上半分に磁界分布を示す、第３図は基板の
近傍の磁界分布を示している。 第４図は本発明の第２の実施例の電極部縦断面図、第５
図は本発明の第６の実施例の電極部縦断面図である。 符号の説明 ２・・・ターゲット電極、３・・・ターゲット、５・・
・電磁石、８・・・基板電極、１０・・・基板、１１・
・・電磁石、１２・・・ヨーク、２１・・・ヨーク板、
２２・・・電磁石。 第 ２図 此！ＦＬ級 差へ電極 １５、ｌｌ） ′’ｆ！Ｌｒ峨刀σ夏プｒ、ヨ フ を磁ん 第 ＼ ２３ ケー 〉／フ 電方、
装置の電極部の縦断面図、第２図は第１図の電極部の拡
大断面図で、上半分に磁界分布を示す、第３図は基板の
近傍の磁界分布を示している。 第４図は本発明の第２の実施例の電極部縦断面図、第５
図は本発明の第６の実施例の電極部縦断面図である。 符号の説明 ２・・・ターゲット電極、３・・・ターゲット、５・・
・電磁石、８・・・基板電極、１０・・・基板、１１・
・・電磁石、１２・・・ヨーク、２１・・・ヨーク板、
２２・・・電磁石。 第 ２図 此！ＦＬ級 差へ電極 １５、ｌｌ） ′’ｆ！Ｌｒ峨刀σ夏プｒ、ヨ フ を磁ん 第 ＼ ２３ ケー 〉／フ 電方、
Claims (6)
- １． 磁性材料をターゲット材とするスパッタ装置にお
いて、基板に垂直な均一磁界中で磁性薄膜を形成するこ
とを特徴とする磁性膜形成用スパッタ装置。 - ２． ターゲット電極の裏側にマグネトロン放電を発生
させるための磁界発生手段をもち、かつ、前記基板を載
置する基板電極の側にも前記基板に垂直な均一磁界を形
成するための磁界発生手段を持つことを特徴とする磁性
膜形成用スパッタ装置。 - ３． 前記基板電極側の磁界発生手段が前記基板電極と
同軸上に配置された電磁石と円筒状のヨークから成り、
前記円筒状のヨークは前記電磁石に内接しており、かつ
、前記基板電極の基板載置面が前記円筒状のヨークの前
記ターゲット側の端面より内側に配置されていることを
特徴とする請求項２記載の磁性膜形成用スパッタ装置。 - ４． 前記基板電極側の磁界発生手段が前記基板電極と
同軸上に配置された電磁石と円筒状のヨーク、および円
板状のヨークから成り、前記円筒状のヨークは前記電磁
石に内接し、かつ、前記基板電極の基板載置面が前記円
筒状のヨークの前記ターゲット側の端面より内側に配置
されており、前記円板状のヨークは前記基板電極の基板
載置面又はその近傍に配置されたことを特徴とする請求
項２記載の磁性膜形成用スパッタ装置。 - ５． 前記基板電極側の磁界発生手段が前記基板電極と
同軸上に配置された第一の電磁石、円筒状のヨーク、お
よび第二の電磁石とから成り、前記円筒状のヨークは前
記第一の電磁石に内接し、かつ、前記基板電極の基板載
置面が前記円筒状のヨークの前記ターゲット側の端面よ
り内側に配置されており、前記第二の電磁石の外径は前
記第一の電磁石の内径より小さく、前記基板電極と同軸
上に前記第一の電磁石の内側又は後方に配置されたこと
を特徴とする請求項２記載の磁性膜形成用スパッタ装置
。 - ６． 前記ターゲット電極の裏側の磁界発生手段と前記
基板電極側の磁界発生手段とにより、ターゲット電極と
基板電極の間にカスプ状の磁界を形成することを特徴と
する請求項２記載の磁性膜形成用スパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23323490A JPH04116154A (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | 磁性膜形成用スパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23323490A JPH04116154A (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | 磁性膜形成用スパッタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04116154A true JPH04116154A (ja) | 1992-04-16 |
Family
ID=16951862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23323490A Pending JPH04116154A (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | 磁性膜形成用スパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04116154A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000164531A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Toshiba Corp | 微粒子膜形成装置・形成方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 |
| GB2446593A (en) * | 2007-02-16 | 2008-08-20 | Diamond Hard Surfaces Ltd | Coating apparatus utilising linear magnetic field. |
-
1990
- 1990-09-05 JP JP23323490A patent/JPH04116154A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000164531A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Toshiba Corp | 微粒子膜形成装置・形成方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 |
| GB2446593A (en) * | 2007-02-16 | 2008-08-20 | Diamond Hard Surfaces Ltd | Coating apparatus utilising linear magnetic field. |
| GB2446593B (en) * | 2007-02-16 | 2009-07-22 | Diamond Hard Surfaces Ltd | Methods and apparatus for forming diamond-like coatings |
| US8691063B2 (en) | 2007-02-16 | 2014-04-08 | Diamond Hard Surfaces Ltd. | Methods and apparatus for forming diamond-like coatings |
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