JPH04116833A - バイポーラトランジスタの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、バイポーラトランジスタの製造方法に関す
るものであり、特に、エミッタ領域、ベース領域および
コレクタ領域に電気的に接続する電極の材料がポリシリ
コンであるバイポーラトランジスタの製造方法に関する
ものである。

［従来の技術］ 半導体集積回路装置の用途として、高速動作性を必要と
する分野では、一般にＥＣＬ／ＣＭＬ系のバイポーラト
ランジスタ型半導体集積回路装置が用いられている。Ｅ
ＣＬ／ＣＭＬ系回路においては、消費電力と論理振幅と
を一定とした場合、回路を構成する素子、配線の寄生容
量、トランジスタのベース抵抗および利得帯域幅積によ
って、動作速度が決定される。

寄生容量の低減には、トランジスタのベース・コレクタ
間の接合容量を低減することが必要である。なぜならば
、トランジスタのベース・コレクタ間の接合容量が、動
作速度に大きな影響を及ぼすからである。トランジスタ
のベース０３１２７間の接合容量を低減する方法として
、ポリシリコンを用いてベース電極を素子領域の外部に
引出し、ベース面積を縮小する方法がある。また、寄生
容量を低減するために、ポリシリコン抵抗および金属配
線を厚い分離酸化膜上に形成することも行なわれている
。

ベース抵抗の低減には、不活性ベース層を低抵抗化して
可能な限りエミッタに近接させ、かつ、エミッタを細く
してエミッタ直下の活性ベース層の抵抗を減少させる方
法が採用されている。

利得帯域幅積の向上には、エミッタおよびベース接合を
浅接合化し、かつ、コレクタのエピタキシャル層を薄く
することが有効である。

これらの事項を実現することができるバイポーラトラン
ジスタの製造方法が、特開昭６３−２６１７４６号公報
に開示されている。以下、このバイポーラトランジスタ
の製造方法を説明していく。

第７ＡＥｌ〜第７Ｆ図は、このバイポーラトランジスタ
の製造方法を工程順に示す断面図である。第８Ａ図〜第
８Ｆ図は、第７Ｃ図〜第７Ｆ図の間の工程を詳細に説明
するためのベース領域およびエミッタ領域周辺の拡大図
である。なお、第７Ａ図〜第７Ｆ図においては、図面が
煩雑になるのを避けるため、一部の膜が省略されている
。

第７Ａ図に示すように、Ｐ−型シリコン基板１中には、
Ｎ”埋込拡散層２が形成されている。Ｐ″″型シリコン
基板１の主表面上には、Ｎ−型エピタキシャル層３が形
成されている。Ｎ−型エピタキシャル層３の一部は、素
子分離酸化膜４に変化している。Ｎ−型エピタキシャル
層３および素子分離酸化膜４上にには、ポリシリコン膜
６が形成されている。ポリシリコン膜６の厚みは、３０
００Ａである。ポリシリコン膜６の上には、厚さ２０Ｃ
ＩＡ程度のシリコン酸化膜（図示せず）が形成され、さ
らにその上に、厚さ１０００〜２０００Ａのシリコン窒
化膜７が形成されている。シリコン窒化膜７は、ベース
電極およびコレクタ電極を形成する部分に選択的に形成
されている。

第７Ｂ図に示すように、ポリシリコン膜６を選択酸化し
、ポリシリコン膜６の一部をシリコン酸化膜９にする。

ポリシリコン［６は、ポリシリコン膜５ａ、６０％　６
ｄに分割される。

次に、コレクタ電極となるポリシリコン膜６ｄ上にある
シリコン窒化膜７を除去する。そして、ポリシリコン膜
６ｄに、レジストをマスクとして、燐をイオン注入する
。イオン注入後、熱処理を行なって、コレクタ抵抗低減
用Ｎ十型倣域５を形成する。

次に、ベース電極となるポリシリコン膜６ａ、６Ｃにシ
リコン窒化膜７を介して、硼素をイオン注入する。ドー
ズ量は、１〜５ｘ１０＋ｓ　ｃｍ−２である。そして、
９００℃程度の温度で熱処理し、ポリシリコン膜６ａ、
５ｃ中の硼素濃度を均一にする。硼素の一部は、Ｎ−型
エビタキシャル層３中に拡散する。これにより、不活性
ベース領域１０が形成される。

第７Ｃ図に示すように、ポリシリコン膜６ａとポリシリ
コン膜６Ｃとの間にあるシリコン酸化膜９をエツチング
除去する。そして、内壁を酸化して、内壁上に２００Ａ
程度の厚みのシリコン酸化Ｉ！１１４を形成する。この
状態を拡大したのが第８Ａ図である。

第７Ｄ図および第８Ｂ図に示すように、レジスト（図示
せず）をマスクとして、Ｎ−型エピタキシャル層３中に
、ＢＦ２をイオン注入し、活性ベース領域１１を形成す
る。ドーズ量は１〜５Ｘ１０’　”　ｃｍ−２である。

そして、全面に厚さ１０００人程度０シリコン酸化膜１
５、厚さ２０００Ａ程度のポリシリコン膜１６を、順に
ＣＶＤ法で形成する。なお、第７Ｄ図中においては、シ
リコン酸化膜１５は省略されている。

第７Ｅ図および第８Ｃ図に示すように、反応性イオンエ
ツチングを用いて、ポリシリコン膜１６、シリコン酸化
膜１５、シリコン酸化膜１４を、順にエツチングしてい
き、エミッタ形成予定領域を露出させる。このエツチン
グにより、ポリシリコン膜６ｄが露出される。

第８Ｄ図に示すように、全面に厚さ３０００Ａ程度のポ
リシリコン膜１７を堆積する。そしてポリシリコン膜１
７の表面を酸化し、厚さ２００Ａ程度のシリコン酸化膜
１８を形成する。シリコン酸化膜１８を形成した後、シ
リコン酸化膜１８を介して、ポリシリコン膜１７に砒素
をイオン注入する。ドーズ量は、１０”　ｃｍ−２であ
る。

第８Ｅ図に示すように、シリコン酸化膜１８、ポリシリ
コン膜１７、シリコン窒化膜７を順に選択的にエツチン
グする。そして、熱処理をすることにより、ポリシリコ
ン膜１７から砒素を、活性ベース領域１１中に拡散し、
エミッタ領域１２を形成する。

第８Ｆ図に示すように、シリコン酸化膜１４．１８を除
去する。そして、全面に白金を蒸着し、熱処理を行なう
。これにより、ポリ・シリコン膜６ａ、６ｃｓ　１７上
には、白金シリサイド１９が形成される。なお、抵抗上
などシリサイド化しない部分については、シリコン酸化
膜が残っているので、シリコン酸化膜上に未反応の状態
の白金が残る。この白金は、王水によって除去される。

その後、全面にシリコン酸化膜２０をＣＶＤ法を用いて
堆積する。

第７Ｆ図に示すように、ポリシリコンロａ１１７．６　
ｃ　ｓ　６　ｄ上にあるシリコン酸化膜２０にコンタク
トホールを形成し、ポリシリコンロａ、１７．６　ｃ　
ｓ　６　ｄ上に金属電極配線１３を形成する。

以上によりこのバイポーラトランジスタの製造工程が完
了した。

［発明が解決しようとする課１ｉ］ ポリシリコン膜を形成する際、膜中にあるクラスタが成
長して、結晶粒になり、ポリシリコン膜が完成する。膜
中には、クラスタが多数存在するので、結晶粒はあまり
大きくならない。結晶粒と結晶粒との間は、結晶粒自体
に比べ、導電性が高くないので、結晶粒が小さいとポリ
シリコン膜の導電性が悪くなる。第８Ｆ図に示すように
、このバイポーラトランジスタにおいては不活性ベース
領域１０に接続する電極として、ポリシリコン膜６ａ、
６ｃを用いている。先はど説明したように、バイポーラ
型半導体集積回路装置が高速に動作するためには、ベー
ス抵抗を小さくする必要がある。

したがって、ポリシリコン膜６　ａ　ｓ　６　ｃが、こ
のバイポーラ型半導体集積回路装置の高速動作の障害と
なっていた。

この発明は、かかる従来の問題点を解決するためになさ
れたものである。この発明の目的は、ベース抵抗を低減
化することができるバイポーラトランジスタの製造方法
を提供することである。

［課題を解決するための手段］ この発明に従ったバイポーラトランジスタの製造方法を
用いて製造されるバイポーラトランジスタは、以下のよ
うな構造をしている。半導体基板の主表面近傍には、活
性ベース領域が形成されている。第１および第２不活性
ベース領域が、主表面近傍であって、活性ベース領域を
挾むように形成されている。エミッタ領域が、活性ベー
ス領域中に形成されている。コレクタ領域が、主表面近
傍であって、不活性ベース領域と間を隔てて形成されて
いる。第１電極が、第１不活性ベース領域上に形成され
ている。第２電極が、１ｉｉ１電極と間を隔てて、第２
不活性ベース領域上に形成されている。第３電極が、コ
レクタ領域上に形成されている。第４電極が、第１電極
と第２電極との間であって、エミッタ領域上に形成され
ている。

この発明に従ったバイポーラトランジスタの製造方法は
、以下の工程を備える。

まず、主表面上に、アモルファスシリコンを含む第１、
第２および第３電極を形成する。

次に、第１および第２電極中の不純物を半導体基板中に
拡散して、第１電極、第２電極下に位置する主表面近傍
に、それぞれ、第１不活性ベース領域、第２不活性ベー
ス領域を形成する。

次に、第１不活性ベース領域と第２不活性ベース領域と
の間に位置する主表面近傍に、活性ベース領域を形成す
る。

次に、第２電極の側壁と対向している第１電極の側壁に
ｊ＠１絶縁膜を形成し、第１電極の側壁と対向している
第２電極の側壁に第２絶縁膜を形成する。

次に、第１絶縁膜、第２絶縁膜および主表面とで形成さ
れる空間部が充填されるように第４電極を形成する。

次に、第４電極中の不純物を半導体基板中に拡散して、
活性ベース領域中にエミッタ領域を形成する。

そして、この発明に従ったバイボーラトランジスタノ製
造方法は、アモルファスシリコンをバイポーラトランジ
スタの製造途中にポリシリコンに変化させる。

［作用］ シリコンを形成する場合、温度が高いとポリシリコンと
なり、温度が低いとアモルファスシリコンとなる。結晶
が成長する際の核となるクラスタは、温度が高いほど膜
中に多く含まれる。したがって、アモルファスシリコン
からポリシリコンを形成する方が、ポリシリコンを直接
形成する場合に比べ、ポリシリコン膜中の結晶粒を大き
くすることができる。

［実施例］ この発明に従ったバイポーラトランジスタの製造方法の
第１実施例を以下説明する。第１Ａ図〜ｊｉｌＥ図は、
この発明に従ったバイポーラトランジスタの製造方法の
Ｍｌ実施例の途中までを工程順に示す断面図である。

第１Ａ図に示すように、Ｐ−型シリコン基板３１中には
、Ｎ＋型埋込拡散層３２が形成されている。Ｐ−型シリ
コン基板３１の主表面上には、Ｎ−型エピタキシャル層
３３が形成されている。Ｎ−型エピタキシャル層３３の
一部は、素子分離酸化膜３４になっている。Ｎ−型エピ
タキシャル層３３上および素子分離酸化膜３４上には、
アモルファスシリコン膜４４が形成されている。形成温
度は、５４０℃であった。膜厚は、３０００Ａである。

第１Ｂ図に示すように、アモルファスシリコン膜４４を
９００℃の窒素雰囲気中で１時間の熱処理を施した。こ
れにより、アモルファスシリコン膜４４は、ポリシリコ
ン膜３６に変化した。また、アモルファスシリコンの状
態からポリシリコンを形成したので、大きなサイズの結
晶粒３８となった。

第１Ｃ図に示すように、ポリシリコン膜３６上に、薄い
シリコン酸化膜（図示せず）、シリコン窒化膜３７を順
に形成した。そして、シリコン窒化膜３７を選択的に除
去し、ベース領域上およびコレクタ領域上にのみシリコ
ン窒化膜３７を残した。

第１Ｄ図に示すように、ポリシリコン膜３６を選択酸化
した。これにより、シリコン窒化膜３７が除去された領
域はシリコン酸化膜３９になった。

シリコン窒化膜３７下にあるポリシリコン膜３６は、以
下、ポリシリコン膜３６ａ、３６ｃｓ　３６ｄで表わす
。

第１Ｅ図に示すように、ポリシリコン膜３６ｄ上にある
シリコン窒化膜３７を除去した。レジストをマスクとし
て、ポリシリコン膜３６ｄ中に燐をイオン注入した。そ
して、熱処理を施すことにより、コレクタ抵抗低減用Ｎ
＋型領域３５を形成した。

その後、ポリシリコン膜３６ａ、３６ｃにシリコン窒化
膜３７を介して、硼素をイオン注入した。

熱処理を施すことにより、硼素をポリシリコン膜３６ａ
、３６ｃ中に均一に分散させた。硼素の一部は、Ｎ−型
エピタキシャル層３３に拡散し、不活性ベース領域４０
が形成された。次に、ポリシリコン膜３６ｇとポリシリ
コン膜３６ｃとの間にあるシリコン酸化膜３９をエツチ
ング除去した。

以下は従来のバイポーラトランジスタの製造方法と同じ
なのでその説明を省略する。

ところで、反応性イオンエツチングを施す場合、膜の表
面に凹凸があると、凸の部分は凹の部分よりエツチング
されるのが遅くなる。このため、エツチング後の表面も
凹凸となる。したがって、膜の表面の凹凸が激しいと、
エツチング後の表面の凹凸も激しくなる。

第６図は、シリコン酸化膜上に直接ポリシリコン膜を形
成した場合におけるポリシリコン膜表面の写真である。

６１はシリコン基板、６２はシリコン酸化膜、６０はポ
リシリコン膜、６４は表面を示す。

第５Ａ図は、シリコン酸化膜上にアモルファスシリコン
膜を形成した場合におけるアモルファスシリコン膜の表
面の写真である。６１はシリコン基板、６２はシリコン
酸化膜、６３はアモルファスシリコン膜、６４は表面を
示す。

第５Ｂ図は、第５Ａ図に示すアモルファスシリコン膜６
３に９００℃の熱処理を施し、ポリシリコン膜に変化さ
せた状態の写真である。６１はシリコン基板、６２はシ
リコン酸化膜、６５はポリシリコン膜、６４は表面を示
す。

第６図と第５Ｂ図とを比べればわかるように、ポリシリ
コン膜を直接形成する場合の方が、アモルファスシリコ
ン膜からポリシリコン膜を形成する場合に比べ、表面の
凹凸が激しい。したがって、第１Ｄ図に示すシリコン酸
化膜３９の表面は、第７Ｂ図に示すシリコン酸化膜９の
表面より滑らかになっている。このため、エツチングに
より露出したエミッタ領域表面は、滑らかとなる。よっ
て、この発明に従ったバイポーラトランジスタの第１実
施例を用いてバイポーラトランジスタを製造すると、エ
ミッタ形成領域表面を滑らかにすることができるので、
バイポーラトランジスタの特性を均一にすることができ
る。この実施例は、ベース領域に接続するポリシリコン
膜の抵抗を低減化できるほか、このような効果もある。

この発明に従ったバイポーラトランジスタの製造方法の
第２実施例を説明する。第２Ａ図〜第２Ｅ図は、この発
明に従ったバイポーラトランジスタの製造方法の第２実
施例の途中までを工程順に示す断面図である。第１実施
例と同一のものについては同一の符号を付すことにより
その説明を省略する。

第２Ａ図は、第１Ａ図と同じである。

第２Ｂ図に示すように、アモルファスシリコン膜４４の
上に、プラズマ酸化膜（図示せず）、プラズマ窒化膜４
７を、順に形成した。ベース領域上およびコレクタ領域
上にあるプラズマ窒化膜４７を残して、プラズマ窒化膜
４７を選択的に除去した。

第２Ｃ図に示すように、第１実施例と同一の条件で、ア
モルファスシリコン膜４４をポリシリコン膜３６にした
。第２Ｄ図から後の工程は、第１実施例と同じである。

第２実施例においては、選択酸化に用いるプラズマ酸化
膜（図示せず）、プラズマ窒化膜４７を形成した後、ア
モルファスシリコン膜４４をポリシリコン３６に変化さ
せている。プラズマ酸化膜、プラズマ窒化膜４７を用い
ているのは、アモルファスシリコンからポリシリコンに
変化する温度よりも、低い温度で形成することができる
からである。

第２実施例においては、第１実施例と同じようにエミッ
タ表面を平坦にすることができる。

第１実施例および第２実施例とも、第１Ｅ図、第２Ｅ図
に示すように、選択酸化後、エミッタ領域上にあるシリ
コン酸化膜３９を除去している。

しかしながら、この発明においてはこれに限定されるわ
けではなく、アモルファスシリコンまたはポリシリコン
の状態でエミッタ形成領域上の膜を除去してもよい。

この発明に従ったバイポーラトランジスタの第３実施例
を以下説明する。第３Ａ図〜第３Ｃ図は、この発明に従
ったバイポーラトランジスタの製造方法のＩＮ３実施例
の途中までを工程順に示す断面図である。第１実施例と
同じものについては、同−号を付すことによりその説明
を省略する。

第３Ａ図は、第１Ａ図と同じである。

第３Ｂ図に示すように、アモルファスシリコン膜４４に
、シリコンイオンを注入し、アモルファスシリコン膜４
４中にあるクラスタを破壊した。

第３Ｃ図に示すように、第１実施例と同じようにしてア
モルファスシリコン膜４４をポリシリコン４８に変化さ
せた。４９は結晶粒である。後の工程は、第１実施例と
同じである。

シリコンイオンを注入したことにより、アモルファスシ
リコン膜４４中にあるクラスタが破壊されたので、結晶
はＮ−型エピタキシャル層３３から固相成長する。この
ため、結晶粒４９のサイズは、第１Ｂ図に示す結晶粒３
８のサイズより大きくなる。したがって、第３実施例は
第１実施例に比べ、さらに、ベース抵抗を低減化するこ
とが可能となる。

また、第３実施例においては、第１および第２実施例と
同じように、アモルファスシリコンからポリシリコンに
変化させている。このため、エミッタ領域の表面を滑ら
かにすることができる。

この発明に従ったバイポーラトランジスタの製造方法の
第４実施例を以下説明する。第４Ａ図〜第４Ｅ図は、こ
の発明に従ったバイポーラトランジスタの製造方法の第
４実施例の途中までを工程順に示す断面図である。第１
実施例における符号が示すものと同一のものについては
同一符号を付すことによりその説明を省略する。素子分
離酸化膜３４上およびＮ−型エピタキシャル層３３上に
、ポリシリコン膜５０を形成した。

第４Ｂ図に示すように、ポリシリコン膜５０中にシリコ
ンイオンを注入し、ポリシリコン膜５゜をアモルファス
シリコン膜５２にした。

第４Ｃ図示すように、第１実施例と同じようにして、ア
モルファスシリコン膜５２をポリシリコン５３にした。

後の工程は第１実施例と同じである。

第４実施例においては、第３実施例と同じように結晶粒
のサイズが大きいポリシリコン膜５３を形成することが
できる。このため、第１および第２実施例に比べ、ベー
ス抵抗をさらに低減化することができる。

ただし、第４実施例においては、はじめにポリシリコン
［５０を堆積するので、第１、第２および第３実施例の
ように、エミッタ領域表面を滑らかにすることはできな
い。

第３および第４実施例においては、シリコンイオンを用
いてポリシリコンをアモルファスシリコンにしている。

しかしながら、この発明においてはこれに限定されるわ
けではなく、ゲルマニウムイオンまたはアルゴンイオン
を用いてもよい。

なお、ポリシリコンをアモルファスシリコンにするのに
必要なイオンの注入量は、以下のとおりである。シリコ
ンイオンの場合は、６Ｘ１０１４ｃｍ−２以上である。

ゲルマニウムイオンの場合は、２Ｘ１０”　ｃｍ−２以
上である。これは、イオンの質量に関係し、質量が小さ
いイオンはど注入量が多くなる。

［効果コ この発明に従ったバイポーラトランジスタの製造方法に
おいては、ベース領域に接続するポリシリコン膜の抵抗
を低減化することができる。したがって、バイポーラト
ランジスタをさらに高速化させることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図〜第１Ｅ図は、この発明に従ったバイポーラト
ランジスタの製造方法の第１実施例の途中までを工程順
に示す断面図である。 第２Ａ図〜第２Ｅ図は、この発明に従ったバイポーラト
ランジスタの製造方法の第２実施例の途中までを工程順
に示す断面図である。 第３Ａ図〜第３Ｃ図は、この発明に従ったバイポーラト
ランジスタの製造方法の第３実施例の途中までを工程順
に示す断面図である。 第４Ａ図〜第４Ｃ図は、この発明に従ったバイポーラト
ランジスタの製造方法の第４実施例の途中までを工程順
に示す断面図である。 ＭＳＡ図は、アモルファスシリコン膜の表面を示す写真
である。 第５Ｂ図は、第５Ａ図に示すアモルファスシリコン膜を
ポリシリコン膜にした場合におけるポリシリコン膜の表
面を示す写真である。 第６図は、ポリシリコン膜を直接形成した場合における
ポリシリコン膜の表面を示す写真である。 第７Ａ図〜第７Ｆ図は、従来のバイポーラトランジスタ
の製造方法を工程順に示す断面図である。 第８Ａ図〜第８Ｆ図は、第７Ｃ図〜第７Ｆ図の間の工程
を詳細に説明するための拡大図である。 図において、３１はシリコン基板、３６はポリシリコン
膜、４０は不活性ベース領域、４４はアモルファスシリ
コン膜、４８はポリシリコン膜、５０はポリシリコン膜
、５２はアモルファスシリコン膜、５３はポリシリコン
膜を示す。 （ばか２６） 第６図 、　′　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　、〜 手続補正書 αｔＯ 平成２年１２月２７日 ２、発明の名称 バイポーラトランジスタの製造方法 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所　東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名　称　
（６０１）三菱電機株式会社 頽者志岐守哉 ４、代理人 住　所　大阪市北区南森町２丁目１番２９号　住友銀行
南森町ビル電話　大阪（０６）３６１−２０２１　Ｃ〜
６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄および図面の簡単な説明
の欄ならびに図面の第５Ａ図、第５Ｂ図および第６図 ７、補正の内容 （１）　明細書の第１６頁第２行〜第１６頁第４行の「
写真である。〜６４は表面を示す。」を「平面図である
。」に補正する。 （２）　明細書の第１６頁第７行〜第１６頁第９行の「
写真である。〜６４は表面を示す。」を「平面図である
。」に補正する。 （３）　明細書の第１６頁第１２行〜第１６頁第１４行
の「写真である。〜６４は表面を示す。」を「平面図で
ある。」に補正する。 （４）　明細書の第２３頁第８行の「写真」を「平面図
」に補正する。 （５）　明細書の第２３頁第１１行の「写真」を「平面
図」に補正する。 （６）　明細書の第２３頁第１３行の「写真」を「平面
図」に補正する。 （７）　図面の第５Ａ図、 図を別紙のとおり補正する。 第５Ｂ図および第６ 以上 第５Ａ図 第５Ｂ図 第 図 ｌ　事件の表示 ２０発明の名称 ３　補正をする者 事件との関係 住所 名称 代表者 ４、代理人 住所 手続補正書（自発） 平成３年１０月１日 平成２年特許願第２３８７９１号 バイポーラトランジスタの製造方法

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　主表面を有する半導体基板と、 前記主表面近傍に形成された活性ベース領域と、前記主
   表面近傍であって、前記活性ベース領域を挾むように形
   成された第１および第２不活性ベース領域と、 前記活性ベース領域中に形成されたエミッタ領域と、 前記主表面近傍であって、前記不活性ベース領域と間を
   隔てて形成されたコレクタ領域と、前記第１不活性ベー
   ス領域上に形成された第１電極と、 前記第１電極と間を隔てて、前記第２不活性ベース領域
   上に形成された第２電極と、 前記コレクタ領域上に形成された第３電極と、前記第１
   電極と前記第２電極との間であって、前記エミッタ領域
   上に形成された第４電極と、を備えたバイポーラトラン
   ジスタの製造方法であって、 前記主表面上に、アモルファスシリコンを含む前記第１
   、第２および第３電極を形成する工程と、前記第１およ
   び第３電極中の不純物を前記半導体基板中に拡散して、
   前記第１電極、前記第２電極下に位置する前記主表面近
   傍に、それぞれ、前記第１不活性ベース領域、前記第２
   不活性ベース領域を形成する工程と、 前記第１不活性ベース領域と前記第２不活性ベース領域
   との間に位置する前記主表面近傍に、前記活性ベース領
   域を形成する工程と、 前記第２電極の側壁と対向している前記第１電極の側壁
   に第１絶縁膜を形成し、前記第１電極の側壁と対向して
   いる前記第２電極の側壁に第２絶縁膜を形成する工程と
   、 前記第１絶縁膜、前記第２絶縁膜および前記主表面とで
   形成される空間部が充填されるように前記第４電極を形
   成する工程と、 前記第４電極中の不純物を前記半導体基板中に拡散して
   、前記活性ベース領域中に前記エミッタ領域を形成する
   工程と、を備え、 前記アモルファスシリコンを前記バイポーラトランジス
   タの製造途中にポリシリコンに変化させる、バイポーラ
   トランジスタの製造方法。